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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 注入処理に関連した英語例文

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注入処理の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1288



例文

処理水に対する凝集剤の注入量を最適化するに好適な凝集剤の注入方法および凝集剤注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a flocculant injection method suitable for optimizing the injection amount of a flocculant into water to be treated, and a flocculant injection apparatus therefor. - 特許庁

真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device wherein dose correction attended by interruption of an ion implanting process and errors is not required since ions are injected so as not to deteriorate degree of vacuum. - 特許庁

その結果、埋込イオン注入層71’,72’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク64として用いたイオン注入が実現される。例文帳に追加

As a result, in this method for manufacturing an epitaxial wafer having embedded ion injection layers 71' and 72', the saving of the pre-injection oxidization treatment and ion injection using only a photo-resist film as a mask 64 are enabled. - 特許庁

ステップS43において、注入時間メモリ11m内の測定イオン注入時間をホールドするとともに、イオン注入時間カウント処理を終了する。例文帳に追加

In Step S43, the sequencer holds a measured ion implantation time in an implantation time memory 11m and terminates an ion implantation time count process. - 特許庁

例文

原水に添加すべき凝集剤の注入率は、演算処理部15において前記凝集剤注入率及び第一補正注入率から演算によって算出される。例文帳に追加

The injection rate of the flocculant to be added into the raw water is calculated from the flocculant injection rate and the 1st corrected injection rate by the operation in an operation treating part 15. - 特許庁


例文

半導体基板の所定領域に1×10^13/cm^2を超えるドーズ量でドーパントを注入するに当たり、ドーズ量が1×10^13/cm^2以下のドーパント注入と、該ドーパント注入に後続する熱処理とを繰り返し行う。例文帳に追加

In order to implant a dopant in a dose exceeding10^13/cm^2 in the predetermined region of a semiconductor substrate, the dopant implantation of the dose below10^13/cm^2 and a heat treatment which follows this dopant implantation are repeatedly performed. - 特許庁

素子孔12a内にレジスト層16をマスクとし且つ酸化膜14aを介してアルゴン(又はフッ素)イオンを1又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層18を形成する。例文帳に追加

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18. - 特許庁

試験開始時には臭い成分を注入口12から注入・排出槽3内に注入し、脱臭処理後には排出口13から槽内の気体を抜き取る。例文帳に追加

The odor component is injected from an inlet 12 into the injection/discharge tub 3 when the test is started, and the gas inside the tub is discharged from an outlet 13 after the deodorization process. - 特許庁

可塑性注入材の施工現場における施工設備を簡素化でき、しかも注入材製造時に発生する廃水処理量を低減することが可能な可塑性注入材の新規な施工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new execution method of a plastic grout capable of simplifying execution equipment at a construction site of the plastic grout and reducing the volume of the disposal of waste-water occurring in the case the grout is manufactured. - 特許庁

例文

必要とする前処理加工をした魚に、複数の注入針を有する注入手段で、粕、麹、味噌および醤油から選択される1つを主成分とする調味液を注入する。例文帳に追加

This method for producing the pickled fish product comprises injecting into fish subjected to a required pre-treatment process, seasoning liquid having as the main ingredient one ingredient selected from sake lees, malted rice, fermented soybean paste and soy sauce with an injection means having a plurality of injections. - 特許庁

例文

処理装置用の薬液注入装置において、薬品注入配管内の薬液残存を抑制し、薬品注入配管および主配管の腐食事故を防止する。例文帳に追加

To suppress the existence of a liquid chemical in a drug injection pipe, and prevent the corrosion accident of the drug injection pipe and a main pipe in a liquid chemical injection apparatus for water treatment systems. - 特許庁

低濁度の水をオゾン処理と生物活性炭処理とを組み合わせて浄水高度処理する際に、オゾン注入量を適切に行え被処理水中の鉄やマンガンを適切に除去できるオゾン処理装置を得ることである。例文帳に追加

To appropriately remove iron and manganese in water to be treated by appropriately executing ozone injection at the time of subjecting low turbidity water to advanced water purifying treatment by combining ozone treatment and biological and activated carbon treatment. - 特許庁

TFTとカラーフィルタとを製造した後、貼り合わせ処理、液晶注入処理、封止処理、異物検査処理、偏光板貼り付け処理を行って液晶セルを完成させる。例文帳に追加

A method is provided for completing a liquid crystal cell, in which a bonding process, a liquid crystal injection processing, a sealing processing, a foreign matter inspection processing and a polarizing plate attachment processing are carried out, after manufacturing a TFT and a color filter. - 特許庁

処理水の水質及びその変動、オゾンガスの注入率、反応装置の形状等の外的因子によらず、良好な処理効率を得るための水処理用反応槽、水処理システム及び水処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and system for water treatment and a reaction tank for water treatment for obtaining an excellent treatment efficiency regardless of an external factor, such as the water quality of water to be treated and variation thereof, an injection rate of ozone gas, and a shape of reaction devices. - 特許庁

オゾン注入量を最適化して、適切な水処理を行なうことができる水処理制御システムを提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment controlling system by which suitable water treatment can be performed by optimizing ozone injection amount. - 特許庁

イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。例文帳に追加

After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed. - 特許庁

その後、ゲートドーパント9を注入する前に、950℃以上1050℃未満の温度で熱処理(PGA処理)8を行う。例文帳に追加

A heat treatment (a PGA treatment) 8 is conducted at the temperature from 950 to 1,050°C before a gate dopant 9 is injected. - 特許庁

制御手段40は前処理装置20の凝集剤注入率毎に被処理水質を予測するとともにそのときの運転コストを試算する。例文帳に追加

Control means 40 estimates the quality of treated water for each flocculant injection rate in the pretreatment apparatus 20 and makes a trial calculation of the operation cost at that time. - 特許庁

殺菌消毒水槽1には、下水処理水が注入され、処理された水が下水再生水排出管から排出される。例文帳に追加

The sewage treating water is charged to the water sterilizing and disinfecting vessel 1 and the treated water is discharged from a sewage re-generating water discharge pipe. - 特許庁

コントロールクラスは、ジョブクラスに対して処理クラスを割り当てることにより、各ジョブオブジェクトに処理注入する。例文帳に追加

A control class injects processings into respective job objects by assigning processing classes to the job classes. - 特許庁

次に、当該イオン注入後の熱処理(アニーリング)をソース領域・ドレイン領域の際の熱処理よりも低い温度で行う。例文帳に追加

Then, thermal treatment (annealing) after ion implantation is executed at a temperature lower than the temperature for thermal treatment for the source region and the drain region. - 特許庁

さらに、酸素プラズマ処理などの表面酸化処理により、仕事関数を6.0eV以上まで大きくでき、注入電圧を低下させることができる。例文帳に追加

The work function can be raised further to 6.0 eV or more by a surface oxidation treatment such as an oxygen plasma treatment to lower an injection voltage. - 特許庁

処理水の水質変動に迅速に対応し、処理水質を適正に維持してオゾン注入量を低減できる制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ozone injection control method which enables rapid response to the variation in quality of water to be treated, proper maintenance of quality of treated water and also reduction in ozone injection amount. - 特許庁

尚、被処理ガスをガス処理装置1に供するにあたり、水の他に水酸化ナトリウム水溶液を注入してもよい。例文帳に追加

When the gas to be treated is supplied to the apparatus 1, the sodium hydroxide aqueous solution can be injected together with water. - 特許庁

第1の熱処理で、Vth調整領域16に注入されたイオンが活性化されるために必要な熱処理aの一部を行う。例文帳に追加

A part of the heat treatment (a) required for activating ions implanted to the Vth adjusting region 16 is performed in first thermal treatment. - 特許庁

処理物のイオン注入の表面処理を均一になし得るとともに、定温加熱制御を実現する。例文帳に追加

To uniformly treat the surface of an object for ion implantation and to realize constant-temperature heat treatment control. - 特許庁

方法、プロセッサ・システム、情報処理システム(プロセッサ・システムでエラー情報を処理し、エラーを注入する方法および装置)例文帳に追加

METHOD, PROCESSOR SYSTEM, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM (METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING ERROR INFORMATION AND INJECTING ERROR IN PROCESSOR SYSTEM) - 特許庁

また、高圧弁(処理流体注入弁)39を開くことにより、処理流体が圧力容器1に送り込まれる。例文帳に追加

Further, a high pressure valve (processing fluid injection valve) 39 is opened to feed the processing fluid into the pressure vessel 1. - 特許庁

アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。例文帳に追加

The annealing step anneals the thin film in which the ions were implanted to generate a resistance element. - 特許庁

会計処理装置での会計処理を簡単とすることができる構造の薬液注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid medicine injection device having a structure capable of simplifying accounting processing in an accounting processor. - 特許庁

塩水を逆浸透膜処理する水処理装置のアルカリ液注入部において、塩水とアルカリ液の接触による析出を防止する。例文帳に追加

To prevent deposition due to contact of salt water with an alkaline liquid in an alkaline liquid injection portion of a water treatment apparatus for treating the salt water with a reverse osmosis membrane. - 特許庁

基板の割れを抑制しつつ、注入された不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus, allowing for an excellent activation of an implanted impurity while preventing a crack of a substrate. - 特許庁

難透気透水層2に処理用井戸3を貫入設置したならば、次に、処理用井戸3内に冷媒を注入する(ステップ102)。例文帳に追加

After the well 3 for treatment is piercingly installed in the hardly gas permeable-water permeable layer 2, a refrigerant is injected into the well 3 for treatment (step 102). - 特許庁

処理槽1内に処理液4を注入し、穴1bよりウエハ2の表面全体に対して垂直に噴出する(4b)。例文帳に追加

Then, a processing solution 4 is injected into the processing tank 1, and sprayed from a hole 1b vertically with respect to over the whole surface of the wafer 2. - 特許庁

二次元電気泳動法用試料注入器具は、平板状の注入器具本体12と、該注入器本体12に設けられたスロット状の試料注入口14であって、その内壁が親水化処理されている試料注入口14と、該注入口14の底部に配置された一次元目電気泳動用の乾燥ゲル16とを具備する。例文帳に追加

The sample injection tool used for the two-dimensional cataphoresis method comprises a flat injection tool body 12, a slot-like sample injection port 14 that is disposed in the injection tool body 12 and of which inner wall undergoes hydrophilic processing, and a dry gel 16 for one-dimensional cataphoresis disposed on the bottom of the injection port 14. - 特許庁

処理水濁度予測部11は、前記水質データをニューラルネットワークに供給して処理水の濁度を予測し、更に第一補正注入率算出部14において前記予測した処理水濁度と目標処理水濁度の偏差から第一補正注入率を算出する。例文帳に追加

The turbidity of treating water is estimated by supplying water quality data to a neural net work in a treating water turbidity estimating part 11 and a 1st corrected injection rate is calculated from the deviation between the estimated treating water turbidity and an objective treating water turbidity in a 1st corrected injection rate calculation part 14. - 特許庁

複数の異なるイオン種の注入を並行して実行でき、異なるイオン種に対しそれぞれ独自に所望のイオン注入条件を設定でき、良好な処理効率で低コストの複数種のイオン注入を行うことの可能なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter capable of carrying out the implantation of a plurality of ion types in parallel, setting desired conditions to each different ion type, and performing a plurality of ion implantations with excellent processing efficiency and low cost. - 特許庁

次いで、計測された溶存オゾン濃度に基づいて、フィードバック制御装置241により過酸化水素の注入量を決定し、過酸化水素注入装置251により過酸化水素注入管261を介して、被処理水に過酸化水素を注入する。例文帳に追加

Then, on the basis of the measured concentration of the dissolved ozone, a feedback controller 241 determines the amount of hydrogen peroxide to be injected, which is injected into the water to be treated by a hydrogen peroxide injection device 251 via a hydrogen peroxide injection pipe 261. - 特許庁

バッチ処理方式によってイオン注入を行なう場合に、ウェハ上の位置によって注入角度が変化するのを抑制でき、且つ、ティルト角の設定及び変更を容易に行なえ得るイオン注入装置及びイオン注入方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an ion implantation device and an ion implantation method which can suppress the variation in an implantation angle due to a position on a wafer when ion implantation is carried out by a batch process method, and in which setting and varying of a tilt angle are easily carried out. - 特許庁

液体状薬品を土壌中に注入して有害物質等により汚染された土壌の浄化を図ろうとする際に、土壌浄化処理における注入精度の安定、注入量および注入薬品成分比の操作に伴う作業の省力化を図ることができる技術を提供する。例文帳に追加

To save labor in work associated with the stabilization of injection precision and the operation of the quantity and component ratio of a liquid chemical to be injected in soil purification treatment when soil polluted with harmful substances, and the like is purified by the chemical. - 特許庁

汚染物質により土壌および地下水が汚染された地盤を対象として汚染物質を現地にて分解処理するための処理方法であって、汚染エリアおよびその周囲の地盤に薬剤を注入可能な注入井戸1を設けて、まず該注入井戸から化学的酸化剤を注入することにより汚染物質を酸化分解する化学的処理工程を実施する。例文帳に追加

In the treatment method for decomposing contaminants on the actual place with the ground where soil and ground water are contaminated by the contaminants as a target, an injection well 1 capable of injecting a chemical agent to the ground of a contaminated area and the periphery is set, and a chemical treatment process of oxidatively decomposing the contaminants by injecting a chemical oxidizing agent from the injection well is executed. - 特許庁

ウェハ処理工程100では,Si基板に対して,不純物イオンのイオン注入工程110とSi+イオンのイオン注入工程120と熱処理工程130とが順次行われる。例文帳に追加

An ion implantation process 110 of impurity ions, an ion implantation process 120 of Si+ ions and a heat treatment process 130 are performed in this order in a wafer treatment process 100 for an Si substrate. - 特許庁

次いで、容器3の内部の圧力が第二の圧力より高い第三の圧力になるまで容器3の内部に被処理液を被処理注入ポンプ9により注入する。例文帳に追加

The liquid to be treated is injected into the container 3 by the liquid injection pump 9 until the pressure inside the container 3 becomes a third pressure higher than the second pressure. - 特許庁

処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate. - 特許庁

処理水に次亜塩素酸塩溶液を注入して処理水の残留塩素濃度を安定かつ確実に目標濃度に維持することができる次亜塩素酸塩注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hypochlorite injector which can stably and surely maintain the residual chlorine concentration in water to be treated at the target concentration by injecting a hypochlorite solution into the water to be treated. - 特許庁

化学的処理工程により汚染濃度をある程度低減せしめた後、前記注入井戸から微生物活性剤をさらに注入することにより汚染物質を微生物によりさらに分解するバイオ処理工程を実施する。例文帳に追加

After a contamination concentration is reduced to some extent by the chemical treatment process, a biotreatment process of decomposing the contaminants further by microorganisms by injecting a microorganism activator from the injection well further is executed. - 特許庁

次に、被処理物2に対して、注入するイオンを含むプラズマ中で、正のパルス電圧及び負のパルス電圧を含むパルス状電圧を印加することによって、この被処理物2の表面にイオンを注入する。例文帳に追加

Next, by applying pulselike voltage contg. positive pulse voltage and negative pulse voltage to the object 2 to be treated in plasma contg. ions to be impregnated, the surface of the object 2 to be treated is impregnated with the ions. - 特許庁

続いて、素子領域5にイオン注入し、イオン注入によって悪化した結晶性を回復させるための第1熱処理、ドライブインを目的とした第2熱処理を行う。例文帳に追加

Subsequently, the ion is implanted to the element region 5 so as to perform first thermal processing to restore crystalization deteriorated by ion implantation, and second thermal processing for aiming drive-in. - 特許庁

停電によりイオン注入処理が中断しても精度よくイオン注入処理が行える半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing device and a manufacturing method of a semiconductor device capable of accurately executing an ion implantation process even if the ion implantation process is interrupted by a power failure. - 特許庁

例文

ポンプP1は膜処理ユニット12の膜洗浄工程で前記原水の濁度に基づく次亜塩素注入率で前記薬液を前記ろ過処理水に注入する。例文帳に追加

The pump P1 injects the chemical solution to the filtrate at an injection rate of hypochlorite based on the turbidity of the raw water in the membrane washing process of the membrane treating unit 12. - 特許庁

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