「注入処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置の製造方法は、少なくとも基板（シリコン基板１００）または基板上の絶縁膜（ＳｉＯ_２膜１０２）の表面の一部に不純物を注入する工程と、シリコン基板１００にバイアス電圧を印加せずに、不純物を含むシリコン基板１００に対して、希ガスを用いたプラズマ処理１０８を行う工程と、不純物を含むシリコン基板１００上にレジストを形成する工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of injecting impurities into a portion of the surface of at least a substrate (silicon substrate 100) or an insulating film (SiO_2 film 102) on the substrate, subjecting the silicon substrate 100 containing impurities to plasma treatment 108 using noble gas without applying a bias voltage to the silicon substrate 100, and forming a resist on the silicon substrate 100 containing impurities. - 特許庁

本発明の角速度センサは、振動子３０の駆動振動の際に、第１のセンス電極３４および第２のセンス電極３５から発生する不要信号と逆極性でかつ同一電荷量のキャンセル信号を、各々第１のセンス電極３４および第２のセンス電極３５と処理回路７３との間に注入するキャンセル信号出力回路７７を設ける構成としたものである。例文帳に追加

This angular speed sensor includes a cancel signal output circuit 77, which injects a cancel signal having a polarity which is reverse to that of the unwanted signal generated from a first sense electrode 34 and a second sense electrode 35, and having the same amount of electric charge as the unwanted signal, between the first sense electrode 34 and the second sense electrode 35, and a processing circuit 73, when vibration of the vibrator 30 is driven. - 特許庁

再生処理時に異常な温度上昇が発生したら、窒素ガス導入管５２から再生ダクト２９へ窒素ガスを注入、再生用ブロア３３を停止すると共に流量制御ダンパ５３を閉にして成分ガスの循環を停止、加熱部３１の電源をＯＦＦ、の幾つかを組み合わせて実行することにより再生時の熱暴走を防止する。例文帳に追加

When abnormal temperature increase occurs at the time of regeneration treatment, thermorunaway at the time of the regeneration is prevented by conducting some of operations such as nitrogen gas injection to a regeneration duct 29 from a nitrogen gas lead-in pipe 52, cease of circulation of a component gas by stopping a blower 33 for regeneration and at the same time closing a flow rate control damper 53, and shutdown of a power source of a heating part 31 in combination. - 特許庁

本発明の方法は、(a)シリカ粒子をゲルマニウム酸の第四アンモニウム塩（例えば、ゲルマニウム酸テトラメチルアンモニウム）溶液に分散させた分散液を供給するステップと、(b)この分散液をゲル化させてゲル体を形成するステップと、(c)このゲル体を乾燥、加熱処理及び焼成してゲルマニウム注入シリカガラスを形成するステップとからなる。例文帳に追加

The sol-gel process comprises (a) a step of supplying a dispersion in which silica particles are dispersed in a solution of a quaternary ammonium germanate (e.g. tetramethylammonium germanate), (b) a step of gelling the dispersion to form a gel body and (c) a step of drying, heat treating and firing the gel body so as to form germanium-doped silica glass. - 特許庁

バイアス電圧によりプラズマのイオンシースを効果的に生成してプラズマＣＶＤによる処理面に対する均一な堆積と、負の直流パルス電圧の印加によるイオン注入とにより、バイアス電圧と直流パルス電圧の独立的制御により制御変数が２つに増大して、成膜速度と膜質制御とを両立させることができる。例文帳に追加

With the ion sheath of plasma effectively formed by the bias voltage, by a relative deposit on a processing face with a plasma CVD and ion infusion through the application of a negative DC pulse voltage, a control variable is increased to two by the independent control of the bias voltage and the DC pulse voltage, making the film forming efficiency and the film quality control compatible. - 特許庁

成形体の離型性を改善する表面処理を施した筒状金型、筒状金型の上端部に配置され注入時に溢れた樹脂を溜める空間を有した芯体保持部材、溢れた樹脂を溜める部位を有する脱着可能な回転式弁体を用いること特徴とした樹脂ローラ成形用の金型。例文帳に追加

A mold for molding the resin roller uses a cylindrical mold subjected to surface treatment to improve the mold releasing properties of a molding, a core body holding member which is arranged at the upper end of the cylindrical mold and has a space for storing a resin overflowing during injection, and an attachable/detachable valve body having a part for storing the overflowing resin. - 特許庁

ＲＯ膜装置と電気脱イオン装置で構成される純水製造装置において、ＮａＣｌ等の薬剤注入を行うことなく、電気脱イオン装置における必要塩類濃度を確保して脱塩に必要な電流値を十分に高め、安定かつ効率的な脱塩を行って高水質の処理水を得る。例文帳に追加

To provide a pure water manufacturing device constituted of an RO membrane device and an electric deionizing device which sufficiently increases an electric current value required for desalting by securing the required concentration of salts in the electric deionizing device without injecting an agent such as NaCl and thereby performs the stable and efficient desalting process to obtain the treated water of high quality. - 特許庁

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。例文帳に追加

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof. - 特許庁

２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。例文帳に追加

To provide an in-line type ion irradiation device, irradiating the upper half and the lower half of a substrate with ions using two ion beam supply devices, which is structured so that a desired dosage can be injected over the whole surface of the substrate even when one ion beam supply device stops or abnormally completes its operation in the course of processing. - 特許庁

本方法は、注入ステップａ）の後で、はく離ステップｃ）の前に、前記イオンの濃縮された層において前記基板の層間はく離を引き起さない、汚染物質をトラップする熱処理ステップ、並びに、ステップｃ）の後に、汚染物質をトラップすることにより、およびはく離ステップｃ）によりかき乱されたゾーンを取り除くステップも含む。例文帳に追加

The method of this invention further includes a heat treatment step to trap contaminants so as to prevent peeling between layers in the concentrated ionization layer after the implantation step (a) and before the peeling step (c), and also a step to remove zones disturbed in the peeling step (c) by trapping contaminants after the step (c). - 特許庁

半導体ウェハーＷの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーＷに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。例文帳に追加

While the surface of the semiconductor wafer W is held at a nearly constant processing temperature T2, even a position a little deeper than the surface is raised in temperature to some extent, so the activation of implanted ions and the recovery of an introduced defect are both achieved without thermally damaging the semiconductor wafer W. - 特許庁

ガラス基板１００上に形成されたレジスト膜１０７をマスクに不純物イオンを注入し、変質層１０７ａが形成されたレジスト膜１０７を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜１０７を除去する。例文帳に追加

Ion impurities are injected using the resist film 107 formed on a glass substrate 100 as a mask, and processing using a flame of a gas burner consuming a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is executed in eliminating the resist film 107 having the altered layer 107a formed thereon, thereby eliminating the resist film 107. - 特許庁

水・エアー噴射ノズル２つおよび硬化材ノズル２つを設けることで、引上速度を高めることができ、施工性能が向上するとともに、噴射ノズルの目詰まりによる作業効率の低下のおそれも少なく、さらに、硬化材としてのセメント注入量を減らすことで、排泥水の量は確実に減り、その結果、無駄な排泥の処理が必要でなくなり、セメント分の廃棄も減らすことができる。例文帳に追加

To increase raising speed and enhance construction performance by providing two water/air injection nozzles and two hardener nozzles; avoid the fear of decrease in operational efficiency due to clogging of the injection nozzles; and reduce the amount of cement injected as a hardener, thus ensuring a reduction in amount of muddy water to be discharged, and eliminating the need for processing sludge wastefully, while also reducing the amount of cement wasted. - 特許庁

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。例文帳に追加

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time. - 特許庁

真空エンクロージャ１内に配置された基板１６を処理するための方法において、本発明は、制御されたガス吸気手段３の近傍にある領域２５に、補完流量の制御ガスを注入することによって、活性ガス供給パイプ４を介する活性ガス供給流量の変動の補償を与える。例文帳に追加

In a process for treating a substrate 16 arranged in a vacuum enclosure 1, the present invention provides for compensating any variation of the active gas supply flowrate via active gas supply pipe 4 by injecting a complementary flowrate of control gas into an area 25 close to controlled gas suction means 3. - 特許庁

有機ハロゲン化物等の有機化合物により汚染された土壌又は地下水からこの有機化合物を高速で分解処理することができ、またそのために、広範囲の汚染領域に注入可能であり、さらに難透水性部分があっても、有機化合物の分解を可能にする土壌又は地下水を浄化方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a soil or ground water purifying method using oxygen-containing water capable of decomposing an organic compound at a high speed from soil or ground water contaminated with the organic compound such as an organohalogen compound, capable of being injected in a wide range of a contaminated area and capable of decomposing the organic compound even in a hardly water-permeable portion. - 特許庁

酸化モリブデン層を成膜して正孔注入層８ｂを形成することに先立って、ポリイミド系樹脂材料からなるバンク１３に対して酸素プラズマ処理を施して、その表層を９０ｎｍ以上除去することによって、ＥＬパネル１の発光領域を構成する各画素Ｐを良好に発光させ、その発光領域におけるダークエリアの発生を防止することを可能にした。例文帳に追加

The surface layer of a bank 13 composed of a polyimide resin material is removed by 90 nm or more by an oxygen plasma treatment prior to forming hole injection layers 8b by depositing a molybdenum oxide layer, so as to cause pixels P forming the light emitting region of the EL panel 1 to emit light satisfactorily to prevent dark areas from occurring in the light emitting region. - 特許庁

酸化モリブデン層を成膜して正孔注入層８ｂを形成することに先立って、ポリイミド系樹脂材料からなるバンク１３に対して酸素プラズマ処理を施して、その表層を５０ｎｍ以上除去することによって、ＥＬパネル１の発光領域を構成する各画素Ｐを良好に発光させ、その発光領域におけるダークスポットの発生を防止することを可能にした。例文帳に追加

The surface layer of a bank 13 composed of a polyimide resin material is removed by 50 nm or more by an oxygen plasma treatment prior to forming hole injection layers 8b by depositing a molybdenum oxide layer, so as to cause pixels P forming the light emitting region of the EL panel 1 to emit light satisfactorily to prevent dark spots from occurring in the light emitting region. - 特許庁

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。例文帳に追加

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108. - 特許庁

第一鉄イオンの添加で生成した不溶化物を除去した後の水は、アゾール系銅用防食剤のみならず、懸濁物質も除去されたものであるため、オゾンによる促進酸化分解処理にあたり、オゾンの無駄な消費を防止して、少ないオゾン注入量で残留するアゾール系銅用防食剤を含むＴＯＣ成分を高度に分解除去することができる。例文帳に追加

Water after the removal of the insoluble material produced by the addition of ferrous ion is obtained by removing not only the anti-corrosive for the azole-based copper but a suspension and in the acceleration oxidation degradation by ozone, the futile use of ozone is prevented and a remaining TOC component containing the anti-corrosive for the azole-based copper is highly decomposed and removed with a small injected ozone. - 特許庁

イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。例文帳に追加

A ashing method removes resist having an altered layer 4 formed on a surface by ion implantation and a non-altered layer 3 formed on a lower side of the altered layer 4, forms an applied film 5 to cover a face of a substrate on which the resist is formed, and removes the resist and the applied film 5 from the substrate by plasma treatment using reactive gas. - 特許庁

少なくとも電極が形成され、且つ配向処理された一対の基板と、前記一対の基板間に注入された液晶材料とを有する液晶表示装置において、前記一対の基板間に、前記一対の基板の少なくとも一方と接着した柱状の樹脂が形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。例文帳に追加

Relating to the liquid crystal display device comprising a pair of substrates, on which at least electrodes are formed and which are alignment treated and the liquid crystal material injected between the pair of the substrates, the device is characterized by having columnar resin adhered at least to one out of the pair of the substrates formed between the pair of the substrates. - 特許庁

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer. - 特許庁

水またはアルカリ性水溶液を含有する第一の溶液１を流路５ａに送液する第一のステップと、顔料および酸を含む第二の溶液７を流路５ｃを流れる第一の溶液１に注入して顔料を再結晶させる第二のステップと、を含むことを特徴とする顔料のアシッドペースティング処理方法。例文帳に追加

This method for subjecting the pigment to acid pasting treatment includes a first step where a first solution 1 containing water or an alkaline aqueous solution is fed into a flow path 5a and a second step where a second solution 7 containing the pigment and an acid is injected into the first solution 1 flowing through a flow path 5c so that the pigment is subjected to recrystallization. - 特許庁

少なくとも内壁が導電性である管形状物内にマイクロ波あるいは高周波プラズマを生成し、管形状物に繰り返し負電位のパルスバイアスを印加することによって管内壁にイオンを照射あるいは注入することによって表面処理を施し、様々な特性を改善することにある。例文帳に追加

To execute surface treatment by generating microwaves or high-frequency plasma in a tube-shaped material in which at least the inner wall has electric conductivity, repeatedly applying a pulse bias of the negative potential to the tube-shaped material and thereby irradiating or impregnating the inner wall of the tube with ions and to improve various characteristics thereof. - 特許庁

その結果、接合工程前後において、シリコン酸化膜８６に含まれる水素量の変動を抑制することができるため、処理回路部７０に形成されたトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の注入効率の変動を抑制することができ、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベース電流の変動、電流増幅率の変動を抑制することができる。例文帳に追加

The suppression of variation in hydrogen quantity included in a silicon oxide film 86 is possible through the joining step to suppress variation in the injection efficiency of transistors Tr1 and Tr2 formed on the processing circuit part 70, and suppress variation in the base current and variation in the current amplification factor of the transistors Tr1 and Tr2. - 特許庁

とりわけ、材料析出物生成方法について、機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料２内に欠陥を形成する工程４と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料２の熱処理を行う工程とを含む。例文帳に追加

Particularly, a forming method of the precipitates includes: a process 4 for forming defects in a semiconductor material 2 while forming defective regions by mechanical work or oxygen implantation; and a next process for carrying out heat treatment of the semiconductor material 2 while forming the precipitates in the defective regions. - 特許庁

基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。例文帳に追加

The method includes: a first process of forming a resist pattern 3 on a substrate 1; a second process of irradiating the substrate 1 with UV rays while heating in an inert gas and nitrogen atmosphere or of immersing the substrate in an alkali solution while heating; a third process of implanting ions; and a fourth process of stripping the resist pattern 3. - 特許庁

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。例文帳に追加

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible. - 特許庁

親水性膜１９を成膜するステップと、親水性膜１９の開口部２２により露出する基板表面２５を親水性膜１９とともに薬液で処理するステップと、基板表面２５に隣接するように成膜されたポリシリコン膜３２に注入された不純物をポリシリコン膜３２から基板８に拡散させるステップとを備えている。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a hydrophilic film 19; a step of treating a substrate surface 25 exposed in an opening 22 of the hydrophilic film 19 together with the hydrophilic film 19 using chemicals; and a step of diffusing impurities injected into a polysilicon film 32 formed adjacent to the substrate surface 25 from the polysilicon film 32 to the substrate 8. - 特許庁

半導体チップをフリップチップボンディング方式により配線基板に実装する半導体装置において、半導体チップを配線基板に実装する前、または実装後に、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面をプラズマ処理し、次いで、半導体チップと実装基板との間隙にエポキシ系アンダーフィル材を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

A method of a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a wiring board by flip-chip bonding method includes steps of plasma-treating at least one surface of the semiconductor chip, a mounting board and a bump, before or after the mounting of the semiconductor chip on the wiring board, and then injecting an epoxy-based underfill into a gap between the semiconductor chip and the mounting board. - 特許庁

個別車両に対し、第一工程として機器類による、液体燃料の給油と同時に添加剤を自動調合注入して実走行燃費を算出する工程と、第二工程として排出ガス成分検査と定速燃費を測定してデーターを出す工程と、ネットワークを通じてデーターセンターに接続したワークステイションによりデーター処理をすることを特徴とする。例文帳に追加

Data processing is performed by a work station connected with a data center through a network in a process in which an additive is automatically prepared and poured simultaneously when supplying liquid fuel to calculate actual running fuel economy by equipment as a first process and a process in which the inspection of exhaust gas component and the measurement of fixed speed fuel economy are performed to obtain data as a second process. - 特許庁

非汚染土壌と共に浄化剤を空洞１〜４に注入するため、取り残した汚染土壌や周辺に存在した汚染物質Ｘが、浄化処理後の非汚染土壌中に拡散してきた場合でも、浄化剤５Ａにより汚染物質を分解し、長期に亘り、浄化領域の土壌を清浄に維持することができる。例文帳に追加

Since the cleaning agent 5A is injected in cavities 1-4 along with the unpoluted soil, the pollutant X present in the residual polluted soil or in its periphery is decomposed by the cleaning agent 5A even in a case that it is diffused to the unpoluted soil after cleaning treatment and the soil of the cleaned region can be kept over a long period of time. - 特許庁

ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。例文帳に追加

A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment. - 特許庁

極板群１を包装部材２により外部に正，負極耳１ａ，１ｂを突出せしめた状態で包むと共に、その包体内にプリカーサー含有の電解液を所定量注入した後、その包体に真空処理を施した後、密封包装し、真空パック式電池を作製し、その少なくとも１個を電槽に収容する。例文帳に追加

An electrode plate group 1 is wrapped with a packaging member 2 with positive electrode lug and negative electrode lug 1a, 1b projected to the outside, a specified amount of an electrolyte containing a precursor is poured into a wrapped body, the wrapped body is evacuated, sealed and packaged to manufacture a vacuum packed battery, and at least one vacuum packed battery is housed in a battery case. - 特許庁

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。例文帳に追加

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area. - 特許庁

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。例文帳に追加

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen. - 特許庁

シリコン単結晶からなる基板１２の表面に部分的に厚さが２００ｎｍ〜１０００ｎｍの第１酸化膜１７を形成した状態で酸素イオン２２を注入する工程と、基板１２を１３００℃以上でアニール処理して基板１２の内部に埋込み酸化膜１３を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises the processes of implanting oxygen ion 22 in the state where a first oxide film 17 partially having the thickness of 200 nm to 1,000 nm is formed on the surface of the substrate 12 comprising a silicon single crystal, and forming an embedded oxide film 13 in the substrate 12 by annealing the substrate 12 at a temperature of ≥1,300°C. - 特許庁

電気分解またはオゾン接触による殺菌処理によって発生した残留オキシダントを含有する養殖水を活性炭槽３１に注入し、この養殖水を、破砕状の活性炭から形成された下側流動層３５と、球状の活性炭から形成された上側流動層３６とに順次通し、これにより養殖水から残留オキシダントを除去する。例文帳に追加

Culture water containing residual oxidant generated by sterilization treatment using electrolysis or ozone contact is poured into an activated carbon tank 31, and is made to sequentially pass through a lower fluidized bed 35 formed with crushed activated carbon and an upper fluidized bed 36 formed with spherical activated carbon, thereby removing the residual oxidant from the culture water. - 特許庁

液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、基板上１１０に単結晶シリコン膜２１０を形成し、駆動回路領域に対応する単結晶シリコン膜上にマスク２１１を形成した状態で、表示画素領域に対応する単結晶シリコン膜に珪素イオンを注入した後、加熱処理をする。例文帳に追加

In the method of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal device, a single crystal silicon film 210 is formed on a substrate 110, and while a mask 211 is formed on the single crystal silicon film corresponding to the driving circuit region, silicon ions are injected into the single crystal silicon film corresponding to the display pixel region and heat treated. - 特許庁

急熱急冷が可能なＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することで、酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。例文帳に追加

An RTA furnace for rapid heating and rapid cooling is used to apply heat treatment to a silicon wafer having an oxide film of 30-100 Å thicker than the thickness of a natural oxide film in an atmosphere of nitrogen gas, thereby nitriding the oxide film to form a nitrided oxide film, and the vacancy and nitrogen are injected into the inside of the silicon wafer from the surface of the silicon wafer. - 特許庁

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。例文帳に追加

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration. - 特許庁

深海から取水した清浄な海洋深層水を原料水として、この原料水を所定の塩分濃度に脱塩処理してから酸素を注入、溶解することにより、多くの微量ミネラル分と、増量した溶存酸素との相乗作用によって健康飲料を得たことを基本手段としている。例文帳に追加

This healthy drink having synergetic action of the many trace minerals and the increased dissolved oxygen is obtained by using a basic means comprising using the clean ocean deep water taken from deep sea as a raw material water, subjecting the raw material water to a desalting treatment so as to have a prescribed salt concentration, and injecting oxygen to the desalted water to dissolve the oxygen therein. - 特許庁

また、表皮一体型成形品の製造時に例え注入管挿入孔６部分から発泡樹脂材が多少漏洩しても、これが外部へ露出するのが折返し部２Ａａ，２Ａａによって防止され、漏洩発泡樹脂材の除去処理が不要となり、表皮一体型成形品の美観性の確保と低コスト化とが両立される。例文帳に追加

In the production of the molding, for example, even when a foaming resin material is somewhat leaked from the part of the hole 6, the exposure of the resin material to the outside is prevented by the folding parts 2Aa and 2Aa, so that treatment to remove the leaked resin material becomes unnecessary, and the good appearance and cost reduction of the molding are made possible. - 特許庁

木質粉砕物が混入された溶融合成樹脂が冷却サイジングダイに加圧状態で注入され、成形品をさらに冷却した後にその表面を加熱処理することによって、成形品の表面に、成形品表層部に生じた微細なボイドの連続による木質風の凹凸状粗面を形成させる。例文帳に追加

A molten synthetic resin mixed with woody ground matter is injected in a cooling sizing die in a pressurized state and, after the obtained molded product is further cooled, heat treatment is applied to the surface of the molded product to form a woody uneven rough surface, which comprises fine open-voids generated in the surface layer of the molded product, on the surface of the molded product. - 特許庁