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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 注入処理に関連した英語例文

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注入処理の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1288



例文

注入マスク用絶縁膜13を除去し、熱処理を施してP型領域23、N型領域25を形成する。例文帳に追加

The insulating film 13 for the implantation mask is removed and heat treatment is executed to form the P-type region 23 and the N-type region 25. - 特許庁

ドレン配管の防食に効果的な復水処理剤の注入量に制御できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling amount of injected condensed- water processing agent which is effective for preventing corrosion of a drain piping. - 特許庁

処理容器1内に洗浄液56を注入し、カートリッジフィルタ7を下方に移動させ洗浄液56に浸漬させる。例文帳に追加

A cleaning liquid 56 is injected into the treatment container 1, and the cartridge filter 7 is moved downward and dipped in the cleaning liquid 56. - 特許庁

デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of thermally treating implanted impurities without deteriorating the performance or reliability of a device. - 特許庁

例文

1又は2以上の実水系プロセス4(処理サイト21〜21N)のスライムを監視してスライムコントロール剤注入を制御する。例文帳に追加

The injection of a slime control agent is controlled by monitoring the slime in one or more actual water line processes 4 (treatment site 21-21N). - 特許庁


例文

直進水流噴射ノズルを用いて食肉塊へ液状物質を注入することにより、食肉を加工処理する。例文帳に追加

An edible meat is processed by injecting a liquid material into an edible meat lump by using a going-straight-on water jet. - 特許庁

次に、多結晶シリコン膜に不純物を注入した後、熱処理を行うことにより、多結晶シリコン膜を低抵抗化する。例文帳に追加

Next, the polycrystalline silicon film is doped with impurities and then is heat-treated to be turned into the low-resistance one. - 特許庁

イオン注入による応力低減効果の熱処理による減退を抑えた半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the effect of reducing stress due to ion implantation is prevented from decreasing due to heat treatment. - 特許庁

さらに、正孔注入層70の表面に発光層を形成する工程と、発光層を加熱処理する工程とを有する。例文帳に追加

The method further includes a process for forming a luminescent layer on a surface of the hole injecting layer 70, and a process for heating the luminescent layer. - 特許庁

例文

処理によって活性領域の一部に集中するイオン注入欠陥を抑制することにより、リーク電流の低減を図る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce leakage current by suppressing an ion implantation defect concentrated at the part of an active region by a heat treatment. - 特許庁

例文

n^- 型エピ層2にBのイオン注入を行ったのち、Bを活性化させるアニール処理を行ってp型ベース領域3を形成する。例文帳に追加

B ion implantation is carried out into an n- type epitaxial layer 2, and then the layer is subjected to an annealing operation to activate B and to form a p-type base region 3. - 特許庁

表面改質透明導電性膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子例文帳に追加

SURFACE MODIFIED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS SURFACE TREATMENT, AND CHARGE INJECTION TYPE LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME - 特許庁

次に、半導体コラム10a〜10eの一方側の面10sに同一条件でp型の不純物を注入して熱処理する。例文帳に追加

Next, the p-type impurity is implanted to the one side surface 10s of the semiconductor columns 10a to 10e under the same condition, and is followed by heat treatment. - 特許庁

処理速度を速く、改良径を大きくすることができ、しかも排泥量が多くならない高圧噴射注入地盤改良工法とする。例文帳に追加

To provide a high-pressure injection grouting soil-improvement method in which a treatment speed is increased, an improvement diameter is enlarged and the quantity of sludge withdrawn is not augmented. - 特許庁

制御パラメータの補正やデータの学習等の煩雑な処理を不要にし、薬品注入率を最適に制御可能とする。例文帳に追加

To provide a system for controlling the injection of a flocculant and an alkali agent where complicated treatment such as the correction of control parameters and the learning of data is made needless, the injection ratios of chemicals can be optimally controlled, and further, automation is facilitated. - 特許庁

原水中の還元性物質の濃度を測定して、その還元性物質濃度に基づいて第1オゾン注入値を求め、オゾン処理後の被処理水中の溶存オゾン濃度を測定して、その溶存オゾン濃度に基づいて第2オゾン注入値を求める。例文帳に追加

The concentration of the reducing substances in the raw water is measured to obtain a first ozone injection value from the measured concentration, and the dissolved ozone concentration in water to be treated after ozone treatment is measured to obtain a second ozone injection value from the measured dissolved ozone concentration. - 特許庁

真空チャンバを大気開放することなく所定部位にグリスを注入することができ、真空処理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることができるとともに、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することのできる真空処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum treatment apparatus which is certainly maintained in grease injection into a prescribed position without opening a vacuum chamber in the atmosphere to increase operation rate to the vacuum treatment apparatus to increase productivity. - 特許庁

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。例文帳に追加

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

畜産系産業排水の処理において、有機物の分解処理を適正に行い、かつ、注入すると有機物の分解剤の注入量をなるべく少なくして有害な物質の発生量を低く抑え、また、有機物を分解する連続操業が可能とする。例文帳に追加

To properly execute decomposing treatment of organic materials in treatment of livestock system industrial waste water, to suppress generation of hazardous substances by reducing feeding quantity of a decomposing agent of the organic materials as much as possible and to attain continuous operation for decomposing the organic materials. - 特許庁

活性層用ウェーハへの酸素イオンの注入工程と、活性層用ウェーハへの非酸化性雰囲気中での熱処理工程との間に、活性層用ウェーハに対し急速昇降温の熱処理を施す工程を入れることで、酸素イオン注入層を単一層に纏めるものである。例文帳に追加

An oxygen ion implantation layer is collected into a single layer by incorporating a step of applying rapid-rising/falling-temperature heat treatment to a wafer for an active layer between a step of implanting oxygen ions to the wafer for an active layer and a step of executing heat treatment to the wafer for an active layer in a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

混合注入機41内で上記混合条件を満たすように混合調製された未硬化状態の二液型接着剤21を当該混合注入機41の先端から処理対象物11の処理空間12内に供給してこれを硬化させる。例文帳に追加

The two-part adhesive 21 in the uncured state, which is mixed and prepared in such a manner as to satisfy mixing conditions in the mixing injection machine 41, is supplied into a treatment space 12 of a treatment object 11 from a leading end of the mixing injection machine 41, and cured. - 特許庁

燃料補充のための燃料注入の際に処理を中断し、内部状態を保存して電源を切断し、燃料注入を終えたときに電源を再投入し、保存した内部状態を呼び出し中断された処理を再開させることで、燃料漏れに起因する機器の故障を未然防止する。例文帳に追加

To prevent a failure of equipment caused by leakage of fuel by suspending processing when injecting fuel for fuel replenishment, storing an internal state to cut off a power source, inputting again the power source when finishing fuel injection, and accessing the stored internal state to resume suspended processing. - 特許庁

下水(被処理水)をオゾン反応槽2に供給する供給配管3に流量計7、COD計8、大腸菌センサ9を設け、この測定値に基づいてオゾン反応槽2に注入するオゾンのオゾン注入率(単位被処理水量当たりに必要なオゾン量)を決める。例文帳に追加

A flowmeter 7, a COD meter 8 and a coli bacteria sensor 9 are provided at supply piping 3 for supplying the sewage (water to be treated) to an ozone reactor 2, and an ozone injection ratio of the ozone injected to the ozone reactor 2 (ozone quantity required for a unit amount of the water to be treated) is decided based on the measured value. - 特許庁

下水等の有機性の汚水を生物処理する施設で被処理液中に浸漬され固液分離を行う分離膜の洗浄方法において、熱水Fを透過液流出側から分離膜1に注入した後、加水分解酵素溶液Gを透過液流出側から分離膜1に注入する。例文帳に追加

In a method for washing a separation membrane which performs solid/liquid separation by being immersed in a treatment liquid in a facility for the biological treatment of organic foul water such as sewage, hot water F is injected into the separation membrane 1 from the permeate effluent side, and a hydrolase solution G is poured into the separation membrane 1 from the permeate effluent side. - 特許庁

オゾン反応槽1から流出する処理水の濁度を高感度濁度計12で検出し、演算装置2は、その処理水の濁度が最大値を維持するようにオゾン反応槽1に注入するオゾン量を演算し、オゾン発生装置3からオゾン反応槽1にオゾンを注入する。例文帳に追加

In the device, the turbidity of the treated water flowed out from an ozone reaction tank 1 is detected with a highly sensitive turbidimeter 12, and the ozone amount to be injected into the ozone reaction tank 1 so as to keep the turbidity of the treated water at the maximum value is calculated with an arithmetic device 2, and the ozone is injected into the ozone reaction tank 1 from an ozone generating device 3. - 特許庁

本発明の電子機器は、無線回路のグランド1とデータ処理回路のグランド2とに接続され、無線回路のグランド1に流れる電流と同方向の電流を、無線回路のグランド1からデータ処理回路2のグランドに注入するための電流注入回路4を有する。例文帳に追加

An electronic device of the present invention includes a current injection circuit 4 which is connected to a ground 1 of the radio circuit and a ground 2 of the data processing circuit, for injecting a current in the same direction as a current flowing to the ground 1 of the radio circuit, from the ground 1 of the radio circuit to the ground 2 of the data processing circuit. - 特許庁

スラリー2(糞尿混合液)を発酵処理して液肥とする処理施設3のスラリー貯留槽1は、シート4を袋状に形成した本体5と、本体5内にスラリー2を注入する注入口6と、本体5内からスラリー2を排出する排出口7とを備える。例文帳に追加

The slurry reservoir tank 1 of a treatment facility 3 for making liquid manure by subjecting a slurry 2 (feces-urine mixture) to fermentation treatment is provided with: a body 5 formed of a sheet 4 in a bag form; an inlet 6 for injecting the slurry 2 into the body 5; and an outlet 7 for discharging the slurry 2 from the inside of the body 5. - 特許庁

白水回収工程の加圧浮上処理又は凝集沈殿処理において添加される薬剤の効果を迅速かつ確実に確認することができる薬剤の効果監視方法と、その監視結果に基づき該薬剤の注入量を的確に制御する注入量制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for monitoring a chemical effect, which can rapidly and surely check the effect of an additive chemical in a pressure flotation operation or a coagulating sedimentation operation of a white water recovering process, and to provide a method for controlling an amount of injection, which accurately controls the amount of injection of the chemical from a result of the monitoring. - 特許庁

減容化装置14は、余剰汚泥を二酸化塩素で可溶化する攪拌機付きの可溶化処理槽36と、可溶化処理槽36に余剰汚泥のドライベース1g当たり二酸化塩素を0.01〜0.02gの範囲で注入するための自動注入制御機構38とで構成される。例文帳に追加

This apparatus 14 for volume-reducing surplus sludge is composed of a solubilization tank 36 with an agitator for solubilizing surplus sludge by chlorine dioxide and an automatic injection controlling mechanism 38 for injecting the chlorine dioxide of 0.01-0.02 g per 1 g dry surplus sludge into the solubilization tank 36. - 特許庁

ポリシリコン膜にドーパントを注入し、加熱処理によって注入したドーパントを活性化し、ソース領域及びドレイン領域、及びチャネル領域を形成した後、基板温度を、350℃〜420℃の範囲内に保って、3分〜60分の処理時間、基板を水素ガスによるプラズマに晒す。例文帳に追加

After a source region, a drain region, and a channel region are formed by doping a dopant to a polysilicon film and activating the dopant by heat treatment, a substrate temperature is maintained within a range of 350°C to 420°C, and a substrate is exposed to hydrogen gas plasma for a processing time of 3 to 60 minutes. - 特許庁

処理用反応槽71は、水道管11を介して反応槽211に流入し貯水された被処理水に、オゾンガス注入管221を介してオゾンガスを注入し、生成した溶存オゾンの濃度を溶存オゾン濃度計231により計測する。例文帳に追加

In the reaction tank for the water treatment 71, the ozone gas is injected via an ozone gas injection pipe 221 into the water to be treated flowing and stored in the reaction tank 211 via a water supply pipe 11 and the concentration of the produced dissolved ozone is measured with a dissolved ozone concentration meter 231. - 特許庁

調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか1つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理処理条件およびアニール工程におけるアニール処理処理条件の双方または一方を調整する。例文帳に追加

The adjustment step adjusts both or either of ion implantation processing conditions of the ion implantation step and annealing processing conditions of the annealing step based on at least one of the thin film deposition conditions and the result of the deposition step, and the thin film processing result of the processing step. - 特許庁

本発明の有機電界発光素子の製造方法は、少なくとも、非酸化性ガスの少なくとも1種を用いて陽極の表面処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程により表面処理された陽極の表面にpドープされた正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

This organic electroluminescent element manufacturing method includes a surface treatment process of using at least one kind of non-oxidizing gas to surface-treat an anode, and a hole-injection layer forming process of forming a p-doped hole-injection layer on the surface of the anode which is surface-treated by the surface treatment process. - 特許庁

汚泥貯留槽2と上記汚泥処理剤を汚泥に注入する注入装置6と汚泥及び前記汚泥処理剤を混合する混合装置7と凝集剤溶解装置8と汚泥及び前記汚泥処理剤の混合物と凝集剤とを混合し、凝集汚泥を調製する凝集装置11と前記凝集汚泥を脱水する脱水装置13とを備える汚泥処理装置1。例文帳に追加

This sludge treatment apparatus 1 comprises: a sludge reservoir 2; an injection device 6 injecting the sludge treatment agent into sludge; a mixing device 7 mixing the sludge and the sludge treatment agent; a flocculant dissolving device 8; a flocculation device 11 mixing the mixture of the sludge and the sludge treatment agent and the flocculant to condition the flocculated sludge; and a dehydrator 13 dehydrating the flocculated sludge. - 特許庁

エンドステーション10内で注入領域制限マスク12の開口部13を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク12の開口部16を通過するレーザービームLによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。例文帳に追加

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12. - 特許庁

全量ろ過方式を用いた膜ろ過装置内でのろ過膜の洗浄方法において、逆洗洗浄処理工程、残留塩素濃度が100〜500mg/Lとなるように次亜塩素酸ナトリウムを注入した次亜塩素酸塩注入浸漬洗浄工程、および硫酸をpH2〜4となるように注入した硫酸注入浸漬洗浄工程を含み、それぞれの浸漬洗浄時間が10〜60分とする。例文帳に追加

Therein, each immersion wash time is made to be 10-60 min. - 特許庁

フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、p型LDD6形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極3,23のサイドウォールの形成前に900℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来,その結果pチャネル型MOSトランジスタのリークレベルを低くすることができ,かつリークのばらつきも小さくできる。例文帳に追加

A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C. - 特許庁

配向膜1及び配向膜2に於ける各々の配向処理方向と、液晶注入方向とがほぼ平行となる様に液晶注入口を設けることにより、流動配向の発生を低減できると共に、空セル内に液晶材料を注入する際の注入速度を一定にすることができる。例文帳に追加

The liquid crystal cell is provided with a liquid crystal injection port in such a manner that the respective alignment directions and liquid crystal injection directions in an alignment layer 1 and an alignment layer 2 are made nearly paralleled to each other, by which the generation of fluid alignment may be lessened and the injection rate when a liquid crystal material is injected into the empty cell may be made constant. - 特許庁

pH調整システムは大気中の二酸化炭素を回収して濃縮する二酸化炭素回収・濃縮装置5と、二酸化炭素回収・濃縮装置5からの二酸化炭素を水処理プラントの二酸化炭素注入部10へ注入する二酸化炭素注入装置8と、二酸化炭素注入装置8を制御する制御部6とを備えている。例文帳に追加

The pH adjusting system is equipped with a carbon dioxide recovery and concentration device 5 for recovering carbon dioxide in the atmosphere to concentrate the same, a carbon dioxide injection device 8 for injecting the carbon dioxide from the carbon dioxide recovery and concentration device 5 in the carbon dioxide injection part 10 of the water treatment plant and a control part 6 for controlling the carbon dioxide injection device 8. - 特許庁

また、半導体単結晶基板100の主面の法線方向に対して傾斜角度を持つ方向に沿って半導体単結晶基板100に、前記第1不純物のイオン注入処理における注入エネルギーよりも高い注入エネルギーで、第2導電型の第2不純物をイオン注入(151)することにより埋め込みコレクタ層103を形成する。例文帳に追加

Further, a buried collector layer 103 is formed by ion-implanting (151) second conductivity second impurities to the semiconductor single crystal substrate 100 in a direction having an inclined angle to the normal line direction of the principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100, with an implantation energy higher than that in the ion implantation process of the first impurities. - 特許庁

その後、SiO_2 膜102及びZr注入層103のアニール処理を行なうことにより、Zr注入層103内において注入されたZrが拡散して、SiO_2 膜102及びZr注入層103全体が、Zr−Si−O(シリケート)からなる比誘電率の高い高誘電体膜106に変化する。例文帳に追加

When the SiO_2 film 102 and a Zr implantation layer 103 are annealed subsequently, Zr ions implanted into the Zr implantation layer 103 are diffused and the SiO_2 film 102 and the Zr implantation layer 103 are entirely varied to produce a dielectric film 106 of Zr-Si-O (silicate) having a high dielectric constant. - 特許庁

水中の溶存酸素を窒素と置換することにより、水中の溶存酸素を低減する脱酸素装置であって、被処理水に窒素ガスを注入する窒素ガス注入部と、前記窒素ガスが注入された被処理水を通水する蛇腹状通水管と、を少なくとも備える窒素置換式脱酸素装置を提供する。例文帳に追加

The nitrogen substitution type deoxygenation device for reducing dissolved oxygen in water by substituting dissolved oxygen in water with nitrogen includes at least: a nitrogen gas injecting part for injecting nitrogen gas to water to be treated; and a bellows type water passage pipe for allowing the water to be treated with the nitrogen gas injected thereto to pass therethrough. - 特許庁

蛍光分析計を用いることによってオゾン注入率と酸化促進剤注入率及びそれらの注入比率を最適にすると共に、被処理水の水質変化に対して迅速に対応することができ、有害な消毒副生成物質の生成量も抑制することを可能とする水処理システムを提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment system which can optimize an ozone injection rate, an oxidation promoting agent injection rate, and a ratio of these injection rates, and promptly cope with a water-quality change of water to be treated to enable the suppression of the amount of generated harmful disinfection by-products by using a fluorescence analyzer. - 特許庁

本発明にかかるボイラプラント1の蒸気処理方法は、復水に酸素を注入して給水されるボイラの出口流体に脱酸素剤を注入して蒸気中の溶存酸素を低減するボイラプラント1の蒸気処理方法において、脱酸素剤を、過熱器11の上流側に設けられた汽水分離器9への流入部12に注入することを特徴とする。例文帳に追加

In the steam treatment method of the boiler plant 1 for reducing the dissolved oxygen in the steam by injecting the deoxidizing agent into the fluid of a boiler outlet to which water is supplied by injecting oxygen to condensate, the deoxidation agent is injected to a flow-in part 12 to a steam water separator 9 provided on the upstream side of the superheater 11. - 特許庁

有機物を含んだ排水1に好気性処理を施す前に、嫌気性処理を施し、その嫌気性処理で生じた消化汚泥6中にオゾン7を注入して該消化汚泥6を可溶化させ、その可溶化させた汚泥8と上記嫌気性処理により生じた処理排水10とを活性汚泥槽2などの好気性処理工程に導入して好気性処理を施すものである。例文帳に追加

In the method, anaerobic treatment is applied before applying aerobic treatment to the waste water 1 containing the org. matter, and ozone is injected into the digested sludge 6 generated by the anaerobic treatment to solubilize the digested sludge 6, and the solubilized sludge 8 and the treated waste water 10 generated by the anaerobic treatment are introduced to the aerobic treating stage such as activated sludge tank 2 to apply the aerobic treatment. - 特許庁

処理水をラジカルにより浄化する水処理方法であって、糖類、アミノ酸、脂質、フミン酸およびこれらの混合物からなる群から選択される電子供与物質を前記被処理水に注入することを含む水処理方法である。例文帳に追加

The method for treating water for purifying water to be treated by a radical includes injection of an electron donative substance selected from the group consisting of saccharides, lipid, humic acid and a their mixture in the water to be treated. - 特許庁

処理水の状態に応じて、被処理水への適切なオゾン注入量および紫外線照射量を確保して、被処理水に含まれる有機物の分解効率を向上させて、装置を小型化することができる促進酸化処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an accelerated oxidation treatment apparatus which can be miniaturized by securing a proper amount of ozone to be injected and a proper quantity of ultraviolet rays to be radiated for raw water corresponding to the condition of the raw water and improving the decomposition efficiency of organic substances contained in the raw water. - 特許庁

アルミニウム又はアルミニウム合金にポーラス型陽極酸化皮膜を電解形成後に、陽極酸化皮膜のポア径の拡大処理を施し、当該ポア径の拡大処理をした陽極酸化処理アルミ基材を鋳型として、樹脂組成物を注入及び転写成形し、アルミ基材を溶解処理することを特徴とする。例文帳に追加

The anodized aluminum base subjected to the treatment of enlarging pore diameters is used as a template, into which a resin composition is injected and molded by transferring, and then the aluminum base is dissolution treated. - 特許庁

オゾン処理を行う際のオゾンの注入方法を改良して有機物濃度あるいは発泡性が高いオゾン処理対象物からの発泡障害を防止して安定したオゾン処理が可能な水処理方法を得る。例文帳に追加

To prevent any foaming fault for an object to be ozone-treated, having high organic matter concentration or highly foamable properties, from being caused to ozone treatment and to enable stable ozone treatment by exposing the biologically treated water to ozone to prepare ozonized water for ozone treatment, in this water treatment process for performing biological treatment of water with activated sludge. - 特許庁

例文

従来の凝集分離処理装置及び凝集分離処理方法に比べて、低い凝集剤注入率で処理水濁度及び残留微粒子数の低減化を図ることができ、発生汚泥量を少なく、発生汚泥の処理を容易とする。例文帳に追加

To provide a flocculation separation treatment device and a flocculation separation treatment method where the reduction in the turbidity of treated water and the number of residual particulates can be attained at a lower injection ratio of a flocculant, the amount of the sludge to be generated is reduced, and the treatment of the generated sludge is made more easy compared with the conventional flocculation separation treatment device and flocculation separation treatment method. - 特許庁

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