「純応」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体表面の湿式酸化で用いるための水は、超純粋水素および超純粋酸素を火炎を生じることなく反応させることによって生成することができる。例文帳に追加

Water for use in wet oxidation of semiconductor surfaces may be generated by reacting ultrapure hydrogen and ultrapure oxygen without generating a flame. - 特許庁

当該ニトロメタンを原料として次亜塩素酸塩と水中で反応させて得られるクロルピクリン中に化混入するニトロメタン由来の不純物を低減して高純度なクロルピクリンを得る。例文帳に追加

The method for producing high-purity chloropicrin comprises washing chloropicrin containing hydrophilic impurities such as methanol and acetonitrile derived from a raw material nitromethane with water after reaction of nitromethane with a hypochlorite. - 特許庁

高純度で良質の窒化ホウ素ナノチューブを広い反応温度範囲にわたって製造できる、高純度窒化ホウ素ナノチューブの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing high purity boron nitride nanotubes by which high purity and high quality boron nitride nanotubes can be manufactured over a wide reaction temperature range. - 特許庁

原料化合物に含まれる特定の不純物が反応して得られる副生物を含む粗アゼルニジピンから純度の高いアゼルニジピンを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing highly pure azelnidipine from crude azelnidipine containing by-products obtained by the reaction of a specific impurity contained in a raw material compound. - 特許庁

フラン系不純物を１ｐｐｍ以上含有することのない高純度の炭酸ジアリールと多価ヒドロキシ化合物とを重縮合反応させることを特徴とするポリカーボネートの製法。例文帳に追加

This method for producing the polycarbonate is characterized by subjecting the high-purity diaryl carbonate without containing ≥1 ppm of a furan-based impurity and the polyhydric hydroxy compound to a polycondensing reaction. - 特許庁

反応温度を４０〜９０℃の間とすることにより、含有不純物金属が極めて少ない（ストロンチウム及びマグネシウムの濃度が、各々0.1質量ｐｐｍ以下の）超高純度の炭酸カルシウムが得られる。例文帳に追加

Ultrahigh purity calcium carbonate containing very little impurity metal and where the concentrations of strontium and magnesium are each 0.1 ppm or less by mass is obtained at the reaction temperature of 40-90°C. - 特許庁

オルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させて、超純水を用いて加水分解して得たプレポリマーを、必要に応じて超純水により洗浄したのち、有機溶媒に溶解させて、触媒の不存在下で加熱する。例文帳に追加

The polymer is manufactured by a method wherein an organosilane compound is dissolved into an organic solvent, a prepolymer obtained by hydrolysis in ultrapure water is cleaned as required in ultrapure water, and the prepolymer is dissolved into the organic solvent to be heated in the absence of catalysts. - 特許庁

ＣｌＯ_３Ｆを不純物として含むガスに、活性アルミナを反応させることにより、ガス中の不純物であるＣｌＯ_３Ｆを安価に除去することが可能となる。例文帳に追加

By reacting active alumina with gas containing ClO_3F as an impurity, ClO_3F which is an impurity in gas can be inexpensively removed. - 特許庁

ゲート電極１０６を不純物イオンの注入マスクとして、半導体基板１中に、スリット群１０７に対応して自己整合する複数の不純物注入領域を形成する。例文帳に追加

With the gate electrode 106 as a mask for impurity ion implantation, a plurality of doped regions which self-align in correspondence with the group of slits 107 are formed in a semiconductor substrate 1. - 特許庁

四塩化珪素の亜鉛ガスによる還元反応によって、太陽電池用として十分な純度を有する高純度シリコンを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-purity silicon pure enough to be used in a solar battery, by the reduction of silicon tetrachloride by zinc gas. - 特許庁

最終的な製品の分散性能などに悪影響を及ぼす不純物の極めて少ない高純度の、アルコールと（メタ）アクリル酸との反応により得られるエステル化物を提供する。例文帳に追加

To provide a highly pure esterified product with very little impurities affecting dispersibility and so force of a final product obtained by a reaction of an alcohol and a (meth)acrylic acid. - 特許庁

低誘電率材料中での不純物の移動を防止できるキャップ層あるいはバリヤ層により、不純物が多層集積回路構造の次の層に存在する導電性要素に対し破壊的反応を起こすのを防止する。例文帳に追加

A cap layer or barrier layer which prevents an impurity from moving in a low permittivity material prevents the impurity from causing a destructive reaction with a conductive element present in the next layer of a multi-layer integrated circuit structure. - 特許庁

そして、純水器３及び尿素供給装置４により、設定された濃度及び容量に対応した純水及び尿素を攪拌容器２に供給し、攪拌機５により攪拌する。例文帳に追加

Pure water and urea corresponding to the set concentration and volume are supplied to the stirring container 2 by the pure water apparatus 3 and the urea supply apparatus 4 and stirred by the stirrer 5. - 特許庁

貯留タンク２内の金属不純物を含む顔料分散レジスト４に高分子不溶性キレート化剤６を添加し、金属不純物と高分子不溶性キレート化剤６を反応させて高分子不溶性キレートを形成する。例文帳に追加

A polymer insoluble chelating agent 6 is added to a pigment- dispersed resist 4 containing a metallic impurity in a storage vessel 2, to form a polymer insoluble chelate by reacting the metallic impurity and the polymeric chelating agent 6. - 特許庁

不純物含有量が多い水酸化リチウムを反応原料として用いても、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ及びＳｉの各元素の含有量が１ｐｐｍ以下である高純度炭酸リチウムが得られる製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for obtaining high purity lithium carbonate having ≤1 ppm content of each element of Na, K, Ca, Al and Si even when lithium hydroxide having a high impurity content is used as the reaction source material. - 特許庁

大量生産時であっても不純物の析出が少なく反応後の濾過が迅速に行なえ高純度のフタロシアニン化合物を製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high purity phthalocyanine compound, having less precipitation of impurities and capable of quickly performing the filtration after a reaction even in the case of a large scale production. - 特許庁

不純物含有量が多い水酸化リチウムを反応原料として用いても、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ及びＳｉの各元素の含有量が１ｐｐｍ以下である高純度炭酸リチウムが得られる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a high purity lithium carbonate containing 1 ppm or less of each element of Na, K, Ca, Al and Si even using a lithium hydroxide containing much impurities as a reaction raw material. - 特許庁

水素発生部Ｂには、純鉄を収容する鉄収容部と、この鉄収容部に水蒸気を供給する水供給管４と、純鉄と水との反応により発生した水素ガスを送り出す水素ガス供給管３とを備えている。例文帳に追加

The hydrogen generation part C is composed of an iron storing part storing pure iron, a moisture supply tube 4 supplying vapor to the iron storing part, and a hydrogen gas supply tube 3 supplying the hydrogen generated by the reaction of pure iron with vapor. - 特許庁

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。例文帳に追加

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing. - 特許庁

酸窒化処理を行うに際して、処理ガスの不純物濃度を計測し、生成される酸窒化膜の膜厚又は酸窒化膜の窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて当該酸窒化処理を行う。例文帳に追加

When the oxynitriding treatment is performed, impurity concentration of the treating gas is measured and the oxynitriding treatment is performed according to the measured impurity concentration so that the film thickness or nitrogen concentration of the formed oxynitride film is within a predetermined range. - 特許庁

純水槽内で、＋と−の電極に純銀板を用いて、該電極に直流電流を通電して、コロイドシルバーを生産する過程において、酸化銀への化学反応を生起させず、透明なコロイドシルバーを生産する。例文帳に追加

To manufacture transparent colloidal silver without causing chemical reaction to form silver oxide in the manufacture of the colloidal silver by using a pure silver plates for a positive electrode and a negative electrode in a pure water tank and causing direct current to flow between electrodes. - 特許庁

上記(1)、(2)の低酸素高純度チタン材の製造方法において、不純物の混入を防止するため、反応容器はクラッド鋼で構成するのが望ましい。例文帳に追加

In the process of producing a low oxygen high purity titanium material in (1) and (2), the reaction vessel is desirably composed of clad steel in order to prevent the intrusion of impurities. - 特許庁

電解槽に通流する電解液を予め定電位電解して、得られた電着物を分析することにより、不純物が析出するか否かにより、不純物析出電位に対応する電流密度を同定することが望ましい。例文帳に追加

The current density corresponding to the impurities deposition potential is preferably determined according to whether impurities are deposited or not, which is judged by previously analyzing the electrodeposited substance obtained through potentiostatically electrolyzing the electrolytic solution that flows into the electrolytic bath. - 特許庁

また、絶縁膜形成ステップにおいて、不純物を含む絶縁膜（１２）が形成され、その不純物濃度は、絶縁膜（１２）の厚さ方向に基板（１０）からの距離に応じて変化する。例文帳に追加

Further, in the insulating film forming step, the insulating film (12) containing impurities is formed and its impurity density changes in response to a distance from the substrate (10) in a thickness direction of the insulating film (12). - 特許庁

優れた電池性能を有する非水電解質二次電池を得ることができる、未反応物および不純物を含まない高純度の正極材を効率的に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently manufacturing a high-purity positive electrode material containing no unreacted substance nor impurity for obtaining non-aqueous electrolytic solution secondary battery having superior battery performance. - 特許庁

立方晶スピネル型窒化ケイ素中に含まれる不純物としての未反応の低圧相窒化ケイ素を効率良く分離、精製して純度を高めることができる立方晶スピネル型窒化ケイ素の分離、精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of isolating and refining cubic spinel-type silicon nitride, by which unreacted low pressure phase silicon nitride contained in the cubic spinel-type silicon nitride as an impurity can be separated and the purity of the cubic spinel-type silicon nitride can be heightened. - 特許庁

これを熱処理して不純物を拡散させ、活性化させると、ポリシリコン膜６ａの幅に対応して不純物濃度が異なる抵抗素子１１，１２が形成される。例文帳に追加

It is heat treated in order to diffuse impurities and activated thus forming resistor elements 11, 12 having different impurity concentration dependent on the width of the polysilicon film 6a. - 特許庁

半導体膜１０に不純物を導入する工程において、形成すべき絶縁膜１１の厚さに応じて半導体膜１０に導入する不純物量を変える。例文帳に追加

In the step for introducing impurities into the semiconductor film 10, the amount of impurities introduced into the semiconductor film 10 is varied depending on the thickness of the insulating film 11 to be formed. - 特許庁

本発明者等は、ラセミ体あるいは光学純度の低いアミノニトリル類とエステル類とを加水分解酵素、特にリパーゼの存在下、反応させることにより光学純度の高いアミドニトリル類が製造できることを見出した。例文帳に追加

The amidonitriles having the high optical purity can be produced by reacting racemic or low-optical purity aminonitriles with esters in the presence of a hydrolase, especially a lipase. - 特許庁

多結晶Ｓｉ膜６上にＴｉＮ膜などの金属窒化膜からなる反応防止膜７を製膜した後、多結晶Ｓｉ膜６に選択的にＢなどのｐ型不純物やＰなどのｎ型不純物をイオン注入する。例文帳に追加

After a reaction preventing film 7, consisting of a metal nitride film such as a TiN film, is formed on the film 6, P-type impurities, such as B and N-type impurities such as P are selectively ion-implanted in the film 6. - 特許庁

発電セルで生成された液体が混在した排気から不純物を含まない純水を容易に得ることができ、これを再利用して良好な改質反応を行うことができる発電装置及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a power generator and an electronic device capable of easily acquiring pure water including no impurities from an exhaust gas wherein a liquid generated from a power generation cell is mixed and performing good reforming reaction by reusing the acquired pure water. - 特許庁

この方法で得られる酸化物は、原料の高純度化が比較的容易なことと、溶液中の均一系反応で生成するので、高純度で均一性が高く、粒度分布の狭い微細な粉末として得られる。例文帳に追加

The oxide is obtained as fine powder having high purity, high homogeneity and narrow grain size distribution by the method in which the raw materials are relatively easily highly purified and the oxide is formed by a homogeneous reaction in the solution. - 特許庁

極力安価な配管コストにて、要求スペックに応じた超純水を効率よく製造供給することができる超純水製造供給装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ultrapure water production/feed device capable of efficiently producing/feeding ultrapure water in accordance with required specifications at an extremely inexpensive piping cost. - 特許庁

テーブル切替部５０は、ＢＢモードで獲得されたメダルの純増枚数を識別し、識別した純増枚数に応じてテーブル選択信号をアシスト報知抽選部５１に入力する。例文帳に追加

A table switching part 50 identifies the number of net profit increase medals acquired by the BB mode, and inputs a table selection signal to an assist information lottery part 51 corresponding to the identified number of net profit increase medals. - 特許庁

カソード５３に燃料を供給すると、カソード５３の表面に吸着した不純物が反応して不活性な物質に変化したり、不純物自身の分子運動が活発になることで、カソード５３の表面から離脱する。例文帳に追加

When fuel is supplied to the cathode 53, impurities having adhered to the surface of the cathode 53 reacts and changes to an inactive substance, and molecular motion of the impurities themselves are activated, and thereby they separate from the surface of the cathode 53. - 特許庁

得られた反応液を濾過して銀微粒子凝集体のケーキを得た後、ケーキに純水を加えて銀微粒子を純水中に分散させる。例文帳に追加

The obtained reaction liquid is filtered to obtain a cake made of an aggregate of the silver fine particles, and deionized water is added to the cake to disperse the silver fine particles in the deionized water. - 特許庁

中空糸型ナノろ過膜を設けたことを特徴とする純水製造器であり、必要に応じて、活性炭やイオン交換器を接続したり、ポンプ等を接続して純水製造装置として用いることができる。例文帳に追加

The pure water maker is provided with a nano-filter membrane and, if necessary, an activated carbon column or an ion exchanger and a pump are connected to the pure water maker to constitute the pure water making apparatus. - 特許庁

副反応生成物である酢酸やその他の不純物、製造工程で用いられた水などを分離精製し、高純度のアクリル酸を効率よく製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing high-purity acrylic acid through separating acetic acid as a byproduct and other impurities and water, and the like, used in the production process to effect purification of the final product. - 特許庁

被処理体、例えば半導体ウェハ８上に供給された現像液とリンス液（一般に純度の高い純水）の該ウェハ８上における温度を現像液の種類に応じた最適値に制御できるようにする。例文帳に追加

To control the temperature of a developer liquid and rinse liquid (normally, water of high purity) supplied on a body to be processed, for example, a semiconductor wafer to an optimum value according to the kind of developer liquid. - 特許庁

本発明の目的は、未反応のベンズアルデヒド類の残存および不純物の生成が低減され、高純度のベンジルアルコール類が従来より工業的に有利にかつ、良好な収率で得られる製法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a process which reduces the amount of unreacted benzaldehydes remaining and impurities formed and can industrially advantageously produce high-purity benzyl alcohols than in the past in a high yield. - 特許庁

また、この技術を応用することにより、従来、高純度化が困難であった石油留分から得られる２−ブチン等のアルキンを純度良く精製することが可能である。例文帳に追加

Also, by utilizing the technology, it is possible to purify an alkyne such as 2-butyne which is obtained from a petroleum fraction and conventionary difficult to be highly purified, in good purity. - 特許庁

混合は、Ｌｉ_３Ｎが大気と反応しないよう、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で行うか、混合容器を用いる場合は容器中を高純度窒素雰囲気とする。例文帳に追加

Mixing is carried out so as not to react Li_3N with the atmosphere in a glove box of a high purity nitrogen atmosphere, or when a mixing vessel is used, the inside of the vessel is made a high purity nitrogen atmosphere. - 特許庁

連続精製工程を必要とせず、アルミニウム純度や不純物組成が異なる各種アルミニウム回収材料を、その材料性状や回収量に応じて効率良く印刷版用支持体の再生に使用すること。例文帳に追加

To efficiently use various aluminum recovery materials with different aluminum purity and impurity compositions to regeneration of a support for a printing plate in accordance with the material properties and recoveries thereof without the need of a continuous refining stage. - 特許庁

チャネル形成領域に形成された不純物領域に応力を集中させるため、チャネル形成領域に対して人為的かつ局部的に不純物領域を設ける。例文帳に追加

An impurity region is artificially and locally provided in a channel forming region in order to concentrate the stress on the impurity region formed in the channel forming region. - 特許庁

また、抵抗素子領域に導入された導電性不純物が大気中のＯ及びＨと反応して酸が発生しても、ポリシリコンゲート及び高濃度不純物領域４０が酸により溶解することが回避される。例文帳に追加

In addition, even if acid is generated because of reaction between the conductive impurities introduced to a resistance element region and O or H existing in the atmosphere, dissolution of the polysilicon gate and the high-concentration impurity region 40 due to acid is prevented. - 特許庁