「自然酸化～」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｓｉ結晶膜の表面の自然酸化に起因したＳｉ結晶膜での導電性の低下によって生じる問題が解消された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which solves a problem caused by deterioration of conductivity on an Si crystal film caused by natural oxidization on a surface of the Si crystal film. - 特許庁

高融点金属の被着に先立ち、多結晶シリコン層上に形成された自然のシリコン酸化膜の除去を、５〜５０ｅＶの範囲のエネルギを持った低エネルギーのアルゴンガスイオンのスパッタエッチングにより行う。例文帳に追加

Prior to cladding metal with a high melt point, a natural silicon oxide film that is formed on a polycrystalline silicon layer is removed by sputter etching of an argon gas ion with low energy of 5 to 50 eV. - 特許庁

自然酸化膜を選択的に除去することにより、基板に導入する不純物の拡散プロファイルを精度良くコントロールすることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein diffusion profile of impurities to be introduced to a substrate can be accurately controlled by selectively removing a natural oxide film. - 特許庁

自然酸化膜３２及びフッ素化合物ガスに、シリコン−酸素間の結合エネルギー以上であって、且つ、フッ素化合物ガスを分解してフッ素原子活性種を生じさせるエネルギーを有する光を照射する。例文帳に追加

A light of which energy is larger than a binding energy between silicon and oxygen and is enough to decompose the fluorine compound gas and produce fluorine atomic active species is directed to the natural oxide film 32 and the fluorine compound gas. - 特許庁

またｎ−型半導体層２とｐ型ポリシリコン層７の間に形成される自然酸化膜によっても、ｎ−型半導体層２に注入されるホール量を低減できる。例文帳に追加

Also, the amount of the hole implanted in the n-type semiconductor layer 2 is reduced depending on a natural oxide film formed between the n-type semiconductor layer 2 and p-type polysilicon layer 7. - 特許庁

多結晶シリコン膜１０３を形成した後、その表面をＲＦプラズマエッチング処理し、多結晶シリコン１０３表面の自然酸化膜１０４を除去する。例文帳に追加

After a polycrystalline silicon film 103 is formed, a natural oxide film 104 formed on the surface of the silicon film 103 is removed by subjecting the surface of the film 13 to RF plasma etching. - 特許庁

真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。例文帳に追加

To carry out the cleaning treatment of the surface of a substrate in the atmosphere without using a vacuum apparatus, and to remove natural oxidation films or organic substances on the substrate surface without depending on plasma cleaning. - 特許庁

その後、弗酸を含有する溶液を純水に置換することにより、ベース拡散層６の表面に安定なシリコン−水素結合が形成され、その後の自然酸化膜の成長を防止する。例文帳に追加

The solution containing the hydrofluoric acid is displaced by pure water, so that a stable bonding of silicon-hydrogen is formed on the surface of the base diffused layer 6, and the growth of a natural oxide film is prevented since then. - 特許庁

前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。例文帳に追加

The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region. - 特許庁

シリコンウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハにおいて、水素ベークの低温化を行っても十分に自然酸化膜や有機物を除去すること。例文帳に追加

To enough remove a natural oxidation film or organic matters, even in a process of treating the surface of a silicon wafer and hydrogen-baking a semiconductor wafer at a lowered temperature. - 特許庁

減圧乾燥処理されたウェハＷは、減圧状態下でＣＶＤ装置６０及び７０へ搬入されるので、ウェハＷ上に形成された銅膜の自然酸化は確実に抑制される。例文帳に追加

Since the dried wafer W at reduced pressure is transferred to CVD chambers 60 and 70 under a reduced- pressure condition, natural oxidation of the copper film formed on the wafer W is securely suppressed. - 特許庁

この装置１１を用い、プラズマ発生部１５により発生する水素ラジカルを用いてプロセスチャンバ１２内のウェハ５をバッチ単位で遠隔プラズマ処理し、自然酸化膜を除去する。例文帳に追加

In the apparatus 11, a wafer 5 in the process chamber 12 is remotely plasma-processed in each batch by using hydrogen radicals generated by a plasma generation part 15 to remove the natural oxide film. - 特許庁

反応性プラズマ１０４、たとえば、還元ガスを有するプラズマを用いた処理で事前クリーニングを実行して、基板１００上の不純物および自然酸化膜１０３を除去する。例文帳に追加

Pre-cleaning is performed in a treatment, using reactive plasma 104 such as plasma with reducing gas, and impurities and a natural oxide film 103 on a substrate 100 are removed. - 特許庁

次に、自然酸化膜２上にＡｕ（金）膜のみ、あるいはＴｉ（チタン）膜、Ｎｉ（ニッケル）膜、Ａｕ膜の積層膜で構成される導体膜３を形成して、シリコン基板１の裏面をメタライズ加工する。例文帳に追加

Next, a conductor film 3 composed of only Au(gold) film or a laminated film of a Ti(titanium) film, a Ni(nickel) film, and an Au film is formed on the natural oxide film 2, and the rear face of the silicon substrate 1 is metallized. - 特許庁

ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。例文帳に追加

An MTJ element 10 has a pinning layer 2 composed of MnIr, an SyAF pinned layer 345, a crystalline tunnel barrier layer 6 where natural oxidation treatment is applied to a magnesium layer, and a free layer 7. - 特許庁

透明導電性半導体基板７０は、自然酸化膜を除去して水洗後、表面にアルカリ含有有機溶媒を超音波を印加しつつ接触させる。例文帳に追加

After removing a natural oxidation film and washing the transparent conductive semiconductor substrate 70 with water, an alkari-containing organic solvent is brought into contact with the surface of the substrate, while applying ultrasonic waves. - 特許庁

半導体ウエハーの洗浄に際して自然酸化膜やウォーターマークなどの発生を抑制することができる半導体ウエハーの搬送方法を提供する。例文帳に追加

To provide the conveying method of a semiconductor wafer for restraining the generation of a natural oxide film, a water mark or the like in cleaning the semiconductor wafer. - 特許庁

次に水素ガス中でシリコン単結晶基板PWを950℃以下でベーキングし、シリコン単結晶基板PWの主表面上の自然酸化膜をドライエッチングする（ステップS7）。例文帳に追加

Next, the silicon single crystal substrate PW is baked at 950°C or higher in a hydrogen gas, and a natural oxide film on the main surface of the silicon single crystal substrate PW is dry-etched (step S7). - 特許庁

自然酸化膜を除去するドライクリーニングプロセスにおいて、プロセスの効率を向上させ、さらに処理された基板表面へのフッ素原子の吸着量を最小化する。例文帳に追加

To improve the efficiency of a dry cleaning process for removing a natural oxide film and further, to minimize the quantity of fluorine atoms to be adsorbed onto the surface of a treated substrate. - 特許庁

自然酸化を防止して電気的な特性を向上させた薄膜トランジスタ基板とその製造方法、並びにこれを有する液晶表示パネル及び電界発光表示パネルを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor substrate with electric characteristics improved by preventing natural oxidation and its manufacturing method, and to provide a liquid crystal display panel and an electroluminescent display panel that have the substrate. - 特許庁

二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。例文帳に追加

Droplets generated by mixing etchant including fluorine containing chlorine with gas are injected to the surface of the substrate W having a natural oxidation film formed on the surface by a two-fluid nozzle 80, to etch and clean the substrate surface. - 特許庁

まず、半導体基板１の形成面Ｓに形成された図示しない自然酸化膜を除去するために、半導体基板１の形成面Ｓの逆スパッタリングを行う。例文帳に追加

Inverse sputtering is executed to a forming face S of the semiconductor substrate 1 in order to remove a natural oxide film (not illustrated in Figure) formed on the forming face S of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

かかる半導体レーザ１００では，チャネル部１２０ａのＡｌ組成比率が小さいために，チャネル部１２０ａ側面のＡｌ自然酸化膜の生成が抑制される。例文帳に追加

Since Al composition rate of the channel part 120a is low in the semiconductor layer 100, generation of an Al natural oxide on the side surface of the channel part 120a is suppressed. - 特許庁

透明感のある自然な仕上がり感が得られ、ＵＶＡ・ＵＶＢ両域において優れた紫外線防御効果を有し、経時安定性の良い微粒子酸化亜鉛分散物を提供する。例文帳に追加

To provide a micro-particle zinc oxide dispersion affording a natural finish feeling with transparency and having excellent ultraviolet protecting effects in both the UVA and the UVB regions and good stability with time. - 特許庁

ガス放出部材１０は開口を有しない袋１１に薬剤１２が封入されたものであり、自然環境下において二酸化塩素ガスを徐々に放出する。例文帳に追加

The gas discharge member 10 is formed by sealing chemicals 12 in a bag 11 without an opening, and gradually discharges chlorine dioxide gas in a natural environment. - 特許庁

水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。例文帳に追加

To enable the removal of a natural oxide film by carrying out both of the thermal reduction treatment using a reducing gas whose main component is hydrogen and the plasma treatment using a reducing gas. - 特許庁

酸化物担持体上に、Ｐｔ及びＣｅが担持されたことを特徴とする、非自然発火性シフト反応触媒、その製造方法、それを備えた燃料処理装置及び燃料電池システムが提供される。例文帳に追加

Aspects of the present invention provides the non-pyrophoric shift reaction catalyst including an oxide carrier impregnated with Pt and Ce, the method of preparing the same, the fuel processor including the non-pyrophoric shift reaction catalyst and the fuel cell system including the non-pyrophoric shift reaction catalyst. - 特許庁

基板に形成された金属被膜上の自然酸化膜を除去した状態で基板の金属被膜を研磨し、基板の均一な平坦化を実現することができる基板処理方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method and apparatus capable of polishing the metal film of a substrate in such a state that a native oxide on the metal film formed on the substrate is removed , and of realizing the uniform planarization of the substrate. - 特許庁

遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a batch type vacuum processing apparatus capable of efficiently performing surface processing such as removal of a natural oxide film of a wafer by using remote plasma processing process and capable of reducing deterioration in wafer yield, device loads and so on. - 特許庁

自然環境（大気環境）において優れた二酸化炭素吸収能力を発揮する気泡モルタルであって、セメント成分の溶出に起因したｐＨ上昇や土壌汚染の問題が少ないものを提供する。例文帳に追加

To provide a foam mortar exhibiting excellent carbon dioxide-absorbing capability in the natural environment (atmospheric environment) and not having problems such as pH rise and soil contamination due to the solution of cement components. - 特許庁

冷媒として高圧側で超臨界状態となる二酸化炭素等の自然冷媒を使用し、安全確保のために冷媒濃度センサ２２と換気手段３０を設けた。例文帳に追加

A refrigerant concentration sensor 22 and a ventilating means 30 are provided to assure safety by using natural refrigerant such as carbon dioxide which is in a supercritical condition on high pressure side as a refrigerant. - 特許庁

滴下した高濃度ＨＦ溶液により、ウエハ表面の自然酸化膜を溶解させるとともに、ウエハの表面近傍に存在する金属元素またはその化合物をウエハから離脱させ、高濃度ＨＦ溶液中に存在させる（Ｓ１０２）。例文帳に追加

A natural oxidation film on the wafer surface is dissolved by the dropped HF solution while the metal elements or their compounds existing near the wafer surface are removed from the wafer and caused to exist in the HF solution (S102). - 特許庁

ＦＯＵＰ内に存在する分子性汚染物質によってウェーハ上に自然酸化膜が形成されることを防止する基板移送コンテナ、基板移送装置および基板移送方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate transfer container, a substrate transfer device, and a substrate transfer method which prevent a molecular contaminant existing in an FOUP from forming a natural oxide film on a wafer. - 特許庁

結晶方位｛１００｝のシリコン基板１を準備し、シリコン基板１の裏面を研磨した後、大気中に７０時間程度放置して、厚さ４Å程度の自然酸化膜２を形成する。例文帳に追加

A silicon substrate 1 of crystal orientation {100} is prepared, and left in the atmosphere for about 70 hours after its rear face is ground, to form a natural oxide film 2 of the thickness of around 4 Å. - 特許庁

基板処理装置は、ウェハＷ上の金属被膜の表面に形成された該金属の自然酸化膜を除去する処理ユニットと、ウェハＷの金属被膜を化学機械的研磨する研磨ユニット１６，１７とを備えている。例文帳に追加

The substrate processing apparatus includes a processing unit for removing a native oxide of a metal that is formed on the surface of the metal film on a wafer W and polishing units 16 and 17 for performing chemical mechanical polishing of the metal film of the wafer W. - 特許庁

大気圧プラズマ処理は、^-Ｈｅ＋Ｏ_2 プラズマガス雰囲気により、図示しないが、Ａｌパッド表面上に付着した自然酸化膜を含む有機物やパーティクルなどが除去される。例文帳に追加

By the atmospheric pressure plasma treatment, organic matters or particles which includes a natural oxide film attaching to the surfaces of the Al pads are removed in a -He+O2 plasmas gas atmosphere, even though this is not shown. - 特許庁

温度及び湿度の自然調節が可能で、結露現象を防止することができ、防虫及び脱臭の効果が優れており、大気への露出時保存力(耐酸化性）と耐密度に優れたつぼ形態の納骨箱を提供する。例文帳に追加

To provide an urn-shaped cinerary box capable of naturally adjusting the temperature and the humidity, preventing a dew condensation phenomenon, having superior insect proof and deodorization effects, and having superior preservative force (oxidation resistance) and tightness when being exposed to atmosphere. - 特許庁

多結晶シリコンと金属または金属シリサイドとの積層構造、たとえばポリサイドからなる電極において、自然酸化膜のような高抵抗層を除去し、電極の抵抗値の低減を図ること。例文帳に追加

To reduce the resistance value of an electrode constituted of, for example, in a laminated structure of polycrystalline silicon and a metal or with a metal silicide a polycide by removing a high-resistance layer such as the natural oxide film. - 特許庁

コンタクトホール底部において自然酸化膜を除去する際に、コンタクトホールの側壁絶縁膜を保護し、また同時に形成されるキャパシタのキャパシタ絶縁膜を保護する。例文帳に追加

To protect a side wall insulating film of a contact hole and protect a capacitor insulating film of a capacitor simultaneously formed, when removing a natural oxide film at the bottom part of the contact hole. - 特許庁

有機物汚染が発生することなくかつ廃液処理が不要であるとともに、ウォーターマークの形成および自然酸化膜の成長を防止しつつ基板を十分に乾燥させることができる基板乾燥装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a substrate drying apparatus which will not generate organic contamination, disperses with liquid waste disposal, and prevents formation of a water mark and growth of a natural oxide film, while fully drying the substrate. - 特許庁

ＨＦＣ冷媒及び二酸化炭素やハイドロカーボン等の自然系冷媒と共に用いた場合に、潤滑性、冷媒相溶性、熱・加水分解安定性及び電気絶縁性の全てをバランスよく満たす冷凍機油を提供すること。例文帳に追加

To provide a refrigerating machine oil composition satisfying in good balance all of lubricity, refrigerant compatibility, stability to heat/hydrolysis and electrical insulation when used together with an HFC refrigerant and a natural refrigerant such as carbon dioxide or hydrocarbon. - 特許庁

フィルターによる捕捉と光触媒の酸化作用で菌及びウイルスの宿主のいない空間を生成させたうえ、前記緩速気流中にウイルスを１．５秒以上浮遊移動させて自然死滅させる。例文帳に追加

After the space without hosts of germs and virus is formed by catching with the filters and oxidation with the photocatalyst, virus is suspended and moved for 1.5 seconds or more in the slow air flow and naturally wiped out. - 特許庁

原子炉の安全上の重要な問題として、自然循環により大量の空気が破断した一次系配管から原子炉内に浸入する場合の燃料と炉心の黒鉛酸化の問題である。例文帳に追加

To solve the problem graphite oxidation of a fuel and a core when a large quantity of air invades into a nuclear reactor from broken primary system piping by natural circulation, which is an important problem on safety of the nuclear reactor. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

専用設備を設けずに、ハンダの表面に自然酸化膜があっても濡れ性良い実装とすることができる半導体レーザ素子の実装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging method of a semiconductor laser element which can realize packaging of superior wettability, even if a natural oxide film exists on the surface of solder, without having to install dedicated equipment. - 特許庁