「自然酸化～」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

イオン注入時に自然酸化膜を除去しておき、レジスト剥離工程等のシリコン基板表面が酸化され易い工程を省略可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of dispensing with a process such as a resist separating process where the surface of a silicon substrate is liable to be oxidized, by a method wherein a natural oxide film is removed when ions are implanted. - 特許庁

シリコン層からなる活物質層の表面に形成される自然酸化膜などの酸化膜を除去してから、当該活物質層の表面に接して導電性を有する層を設けた蓄電装置である。例文帳に追加

In an electric storage device, a layer having conductivity is provided by contacting the surface of an active material layer made up of a silicon layer, that is, removing an oxide film such as a natural oxide film formed on the surface of the active material layer. - 特許庁

反射板６の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜２３が設けられている。例文帳に追加

On the uneven surface of the reflecting plate 6, an insulating film 23 is provided which is formed of a spontaneous oxide film, an oxidation-treated film, etc., having an uneven surface conforming with the uneven surface. - 特許庁

ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に付着した自然酸化膜を除去せずに、膜質の良好な熱酸化膜の形成を可能にする。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film by which a thermally oxidized film having a superior film quality can be formed without removing a naturally oxidized film adhering to a semiconductor substrate after the substrate is wet-cleaned and dried. - 特許庁

エッチング時の自然酸化膜の部分的残存によるエッチング残渣の発生や部分的な過大エッチングによる下地層 (例、ゲート酸化膜２) の突抜けを防いで、平坦なエッチングを達成する。例文帳に追加

To perform flat etching by preventing passing of a substrate layer (e.g. a gate oxide film 2) by generating an etching residue due to partial residue of a nature oxide film when etched or partially excess etching. - 特許庁

次にエミッタ開口部７上の自然酸化による表面酸化膜４を除去した後、ノンドープの非晶質シリコン膜１４を堆積し、低温の熱処理を加えることにより、結晶粒径の大きな多結晶状態にする。例文帳に追加

Then, a surface oxide film 4,that is formed by natural oxidation is removed from the emitter opening 7, a non-doped amorphous silicon film 14 is deposited and turned into crystals large in grain diameter by a thermal treatment which is carried out at a low temperature. - 特許庁

前記微粒子には、前記２つの金属部材の接合表面に形成される自然酸化膜のうち、厚い方の酸化膜厚以上の粒径を有するものを用いる。例文帳に追加

As the micro-grains, there are used the ones whose grain sizes are not smaller than the larger thickness of the thicknesses of the natural oxide films formed on the bonding surfaces of the two metal members. - 特許庁

ノンドープａ−Ｓｉ膜が微細加工された下部電極パターン上に堆積された後、希フッ酸でａ−Ｓｉ膜の表面の自然酸化膜などの酸化膜の除去がなされる。例文帳に追加

After depositing a non-doped a-Si film on a lower-electrode pattern subjected to a fine processing, such oxide films as a natural oxide film present on the surface of the a-Si film are removed therefrom by a rare hydrofluoric acid. - 特許庁

シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程の前に、薬液を用いてシリコン基板１の表面から自然酸化膜１０を除去する工程を具備してもよい。例文帳に追加

A step for removing a native oxide layer 10 from the surface of the silicon substrate 1 using chemical may precedes the step for forming a silicon oxide film 3a on the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

［解決手段］エンジンの排気ガスの有害成分を一酸化炭素、未燃炭化水素、煤の群と酸化窒素との二つに分けて、一は燃焼して二酸化炭素と水蒸気にして、二は６２０度Ｃに冷却して窒素と酸素に自然分解して、夫々無害化して浄化すると言う装置である。例文帳に追加

The group of carbon monoxide, unburned hydrocarbon, and soot is burned to be carbon dioxide and steam, and the nitrogen monoxide is cooled down to 620°C to be auto-decomposed into nitrogen and oxygen, thereby the exhaust gas is made harmless. - 特許庁

過酸化水素を含有する水、特に各種処理のために過酸化水素が添加され、その処理後に過酸化水素が残存する海水または淡水を用いた工業用水中の過酸化水素を、簡便な操作で、早期に安全かつ確実に自然界レベルにまで過酸化水素の分解を促進する方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for promoting the decomposition of hydrogen peroxide, in which the hydrogen peroxide in the hydrogen peroxide-containing water or the seawater-used or fresh water-used industrial water, to which hydrogen peroxide is added particularly to treat it variously and in which hydrogen peroxide remains after the treatment, is decreased safely and surely to the level of the natural world in early stages by a simple operation. - 特許庁

二酸化炭素を吸収する吸収液の再生および回収した二酸化炭素の液化が不要であり、回収した二酸化炭素の運搬に要するエネルギが少なく、システム効率の向上を図ることができ、さらに、自然環境との調和を維持することができる二酸化炭素溶解システムおよび二酸化炭素溶解方法を提供すること目的とする。例文帳に追加

To provide a system for dissolving carbon dioxide and a method for dissolving carbon dioxide which does not require reproduction of an absorption liquid for absorbing carbon dioxide and liquefaction of recovered carbon dioxide, hardly requires energy for transport of recovered carbon dioxide, can improve system efficiency and further can maintain harmony with natural environment. - 特許庁

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。例文帳に追加

A method of selectively forming a germanium structure within semiconductor manufacturing processes removes the native oxide in a chemical oxide removal (COR) process and then exposes the heated nitride surface and a oxide surface to a heated germanium containing gas to selectively form germanium only on the nitride surface but not the oxide surface. - 特許庁

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。例文帳に追加

In a method for selectively forming a germanium structure in a semiconductor manufacturing process, a native oxide is removed in a chemical oxide removing (COR) process, then surfaces of heated nitride and oxide are exposed to a germanium-containing gas to selectively form the germanium only on the surface of the nitride, not on the surface of the oxide. - 特許庁

急熱急冷が可能なＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することで、酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。例文帳に追加

An RTA furnace for rapid heating and rapid cooling is used to apply heat treatment to a silicon wafer having an oxide film of 30-100 Å thicker than the thickness of a natural oxide film in an atmosphere of nitrogen gas, thereby nitriding the oxide film to form a nitrided oxide film, and the vacancy and nitrogen are injected into the inside of the silicon wafer from the surface of the silicon wafer. - 特許庁

自然酸化膜の除去されたシリコン基板を提供する段階と、酸化工程を行って前記シリコン基板上に酸化膜を形成する段階と、前記酸化膜の内部に存在するトラップチャージを減少させるために不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気の下で高温熱処理工程を行う段階とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

An oxide film formation method for the semiconductor element comprises: a stage for providing a silicon substrate wherein a natural oxide film is removed; a stage for performing an oxidizing process to form an oxide film on the silicon substrate; and a stage for performing a high-temperature heat treatment process under a mixed gas atmosphere of inert gas and oxygen gas in order to reduce trap charge existing in the oxide film. - 特許庁

耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

The manufacturing method of the wiring structure comprises a process for forming a conductive film made of an oxidation-resistant metal or its nitride, a process for eliminating a natural oxide film on the conductive film, a process for forming a conductive oxide film on the conductive film, and a process for machining the conductive film and the conductive oxide film to the same pattern by the same mask. - 特許庁

このＳＢＲラテックスの皮膜は、アクリル系エマルジョンや酢ビ系エマルジョンに比べて酸素の透過性が極めて低く、石炭粒子を雰囲気中の酸素から遮断して石炭の酸化を防止し、酸化反応熱による自然発火を効果的に防止することができる。例文帳に追加

This SBR latex film has a very low oxygen permeability in comparison with an acrylic emulsion film or a vinyl acetate-derived emulsion film, shuts out oxygen in the atmosphere from coal particles, and thereby effectively prevents the spontaneous ignition due to heat of oxidation. - 特許庁

炭酸リチウムおよび酸化ジルコニウムは吸水性が低いなどの特性を持つため、大気中に放置できるため、設置された場所の温度が反応温度以上になると自然と二酸化炭素を放出して消火を行うことができる。例文帳に追加

Since the lithium carbonate and zirconium oxide both have low water absorption properties, they can be left in the atmosphere, and if the temperature in an area where they are placed becomes their reaction temperature or higher, carbon dioxides are discharged spontaneously, thereby extinguishing a fire. - 特許庁

自然エネルギー回収手段によって得られた電力を用いて水を電気分解して、水素と酸素を発生させ、発生した前記水素を、触媒を用いて一酸化炭素または二酸化炭素と反応させジメチルエーテル（ＤＭＥ）を合成し、該合成されたＤＭＥを液化して貯蔵する。例文帳に追加

Water is electrolyzed using the power obtained by a natural energy recovery means to generate hydrogen and oxygen, the generated hydrogen is made to react with carbon monoxide or carbon dioxide using a catalyst to synthesize dimethylether (DME), and the synthesized DME is liquefied and stored. - 特許庁

沈殿しにくい酸化物インキを提供することで、自然沈降しないため、安定したインキジェットによる印字が可能になり、また必要に応じて水溶性のインキを用いることで、より安全性の高い酸化物インキを提供することができる。例文帳に追加

The stable printing by the inkjet becomes possible by providing the oxide ink hardly causing sedimentation because the spontaneous sedimentation is prevented, and the oxide ink having higher safety can be provided by optionally using a water-soluble ink. - 特許庁

第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。例文帳に追加

In a first process, by irradiating electron beam to the surface of a group III-V compound semiconductor substrate 1 in vacuum, a natural oxide film 2 on the surface of the substrate 1 is replaced with group III oxide 3 which is chemically stable, forming a reformed mask part 3 periodically. - 特許庁

過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。例文帳に追加

Since an oxide film including a natural oxide film is removed from a surface of a semiconductor wafer before measuring concentration distribution of excess carriers, a difference of light emission on a non-defective region and on a defective region in a measuring visual field of the concentration distribution is increased. - 特許庁

透過窓７に照射されたレーザビームは、透過窓７を通過して、表面に自然酸化膜４の形成された電極３に照射され、電極３の極めて浅い表面部分のみを加熱して電極３の表面部分を溶融気化させるとともに酸化膜４も除去する。例文帳に追加

The laser beam irradiated on the windows 7 passes through the windows 7 and is irradiated on the electrode 3 with a natural oxide film 4 formed on the surface thereof, the very shallow surface part only of the electrode 3 is heated, and, with the surface part of the electrode 3 fused and vaporized, the oxide film 4 is also removed. - 特許庁

半導体基板と金属配線とのコンタクトを形成するとき、自然酸化膜を除去するためのウェットエッチング工程にて、酸化膜２の側壁２ａが逆テーパー形状となるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the side wall 2a of an oxide film 2 is prevented from being tapered inversely in a wet etching process for removing a natural oxide film in the case of forming contacts between a semiconductor substrate and a metal wiring. - 特許庁

成形用アルミニウム合金板１の作製にあたっては、アルミニウム合金板２にアルカリ処理液を接触させて自然酸化皮膜を除去した後、デスマット処理を行わずに温度５０℃以上の熱水処理液を接触させて水和酸化物皮膜３を形成させる。例文帳に追加

In the production of the aluminum alloy sheet 1 for forming, the aluminum alloy sheet 2 is brought into contact with an alkali treatment liquid, so as to remove a natural oxide film, and is thereafter brought into contact with a hydrothermal treatment liquid heated to ≥50°C without performing desmut treatment, so as to form the hydrated oxide film 3. - 特許庁

乾燥が終了した半導体基板に対して、薄膜形成装置２内で紫外線を照射して自然酸化膜の改質および薄膜の形成（プロセスＡ３）を行い、製造装置３内で熱処理を施し（プロセスＡ４）、ゲート酸化膜を形成する。例文帳に追加

Then the reformation of the naturally oxidized film and the formation of a thin film are performed on the dried substrate in a thin film forming device 2 by projecting ultraviolet rays upon the substrate (process A3), and a gate oxide film is formed by a heat treatment in a manufacturing device 3 (process 4). - 特許庁

焼却した場合の燃焼カロリーが低く、焼却炉を傷めず、硫黄酸化物や窒素酸化物等の有毒ガスの発生を低減し、更には自然界において容易に分解し、生態系に及ぼす悪影響を低減しうるダイシングウエハ収納トレーを提供する。例文帳に追加

To provide a dicing wafer housing tray which is low in combustion calorie when the tray is incinerated, is free from any damage of an incinerator, is capable of reducing generation of toxic gases such as sulfur oxides, nitrogen oxides or the like, is easily decomposed in nature, and is capable of reducing adverse effect on an ecological system. - 特許庁

必要とする熱酸化膜を許容範囲を超えて損なうことなく、処理後の基板表面にマイクロラフネスを生じることなく自然酸化膜を選択的に除去し、清浄な基板面を与える半導体素子の製造の際に有用な基板表面の処理方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for treating the surface of a substrate, useful in the case of manufacturing a semiconductor element for imparting a clean substrate surface, by selectively removing a spontaneous oxidation film, without impairing a needing thermal oxide film by exceeding an allowing range and without bringing about a microscopic roughness on the surface of the substrate after treatment. - 特許庁

コバルトシリサイドあるいはニッケルシリサイドを使う超高速半導体装置において、シリサイド膜形成のためシリコン表面に金属膜を堆積する前に、シリコン表面から自然酸化膜をウェットエッチングプロセスで除去した後、化学酸化膜を形成する。例文帳に追加

Before a metallic film is deposited on the surface of silicon used for forming the silicide film in a supersonic semiconductor device using cobalt silicide or nickel silicide, a chemical oxide film is formed on the surface of the silicon after a natural oxide film is removed from the surface of the silicon by performing a wet etching process. - 特許庁

厚さの異なる２種類のゲート絶縁膜の形成方法において、第２絶縁膜の形成前にケミカル酸化膜や自然酸化膜を十分に除去する洗浄を行うと、第１絶縁膜の局所的な薄膜化や表面荒れが起こり、第１絶縁膜の膜質劣化が生じる。例文帳に追加

To provide a method for forming two types of gate insulating film having different thicknesses, wherein if a chemical oxide film or a natural oxide film is sufficiently cleaned for removal prior to forming a second insulating film, this cleaning is caused to a decrease in a first insulating film or a surface roughness thereof locally, thereby causing a film quality degradation of the first insulating film. - 特許庁

シリコン酸化膜５０に形成された溝５２の内面に沿うように第１の非晶質シリコン膜を形成し、大気暴露により第１の非晶質シリコン膜の表面に自然酸化膜を形成し、更に第２の非晶質シリコン膜を堆積する。例文帳に追加

This manufacturing method is carried out through a manner where a groove 52 is provided to a silicon oxide film 50, a first amorphous silicon film is formed along the inner surface of the groove 52, a natural oxide film is formed on the surface of the amorphous silicon film by atmospheric exposure, and furthermore a second amorphous silicon film is deposited thereon. - 特許庁

窒化膜ストリップ工程に、酸化膜エッチャントを用いた所定のエッチングを行う段階を追加して窒化膜上の自然酸化膜を除去するが、エッチャントの割合を調節してエッチャントによる下部構造物の損傷を防止することを目的としている。例文帳に追加

To prevent a lower structure from being damaged by an oxide film etchant by adjusting an etchant proportion in a step of applying specified etching added to a nitride film strip process to remove a natural oxide film on a nitride film. - 特許庁

従って、コンタクトホールの食刻のときシリコン基板上に形成された自然酸化膜、化学的酸化膜、または損傷部位が除去され、各ウェーハ工程の後、コンディショニングガスを流入させてチェンバー内の環境を一定に保持することにより工程再現性を向上させる。例文帳に追加

Accordingly, the natural oxide film and the chemical oxide film made on the silicon substrate at etching of a contact hole, or the damaged section is removed, and after each wafer process, conditioning gas is let in to keep the environment within a chamber constant, whereby process reproducibility is enhanced. - 特許庁

銅管の表面を脱脂し、自然酸化膜を除去した後、この銅管をアルカリ性水溶液に浸漬することにより、銅管の表面に厚さが１０乃至１０００ｎｍでありＣｕ_２Ｏ及びＣｕ（ＯＨ）_２のうち少なくとも一方を含む酸化皮膜を形成する。例文帳に追加

The surface of the copper tube is degreased and after the naturally oxidized film is removed therefrom, the oxidized film having a thickness of 10 to 1,000 nm and containing at least either of Cu_2O and Cu(OH)_2 is formed on the surface of the copper tube by immersing the copper tube into aqueous alkaline solution. - 特許庁

磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層２６の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層６を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching. - 特許庁

酸化銀粉末の充填密度は、従来の自然充填法と比べて、２〜３.５倍程度に上昇し、ジルコニア管内の酸化銀の枯渇を防止し、長期に亘り酸素分圧を一定に保持でき、長期使用可能な腐食電位センサが得られる。例文帳に追加

The packing density of silver oxide rises to 2 to 3.5 times compared with conventional natural packing method, which prevents the zirconia tube inside from silver oxide depletion, maintains oxygen partial pressure constant for a long period and makes to obtain a corrosion potential sensor capable of long term use. - 特許庁

触媒光反応による酸化プロセスによって，広範囲の自然態物質や人為的な有機化合物を無機物に変化させることができることが示されている。例文帳に追加

Photocatalytic oxidation processes have been shown capable of mineralizing a wide range of naturally occurring and anthropogenic organic compounds. - 英語論文検索例文集

さらに、前述したように、当時の精錬技術では、自然銅のなかでも大量に存在する硫化銅は利用できず、銅酸化物と呼ばれる限られた鉱石しか利用できなかった。例文帳に追加

Furthermore, as mentioned above, native copper ores used by then-current refining technology were limited to cuprate only and the abundant reserves of copper sulfide under the ground could not be used.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

酸化触媒は予め定められた排気ガス温範囲内において排気ガス中のＮＯをＮＯ_2 に変換すると共に、ＮＯ_2 によりパティキュレートが自然燃焼せしめられる。例文帳に追加

The oxidation catalyst converts NO inside exhaust gas into NO_2 within a predetermined exhaust gas temperature range and the particulates are spontaneously burned by the NO_2. - 特許庁

チタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する時に自然発生的に極く薄いチタン酸化膜１０がチタン膜８と窒化物半導体２との間に生じる。例文帳に追加

When the titanium film 8 and the aluminium film 9 are formed by electron-beam evaporation, a very thin titanium nitride film 10 is generated spontaneously between the titanium film 8 and the nitride semiconductor 2. - 特許庁

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。例文帳に追加

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible. - 特許庁

該コア／シェル型ナノ粒子蛍光体は、コア粒子又はコア／シェル型ナノ粒子を高酸素雰囲気下、自然酸化させることによりシェル厚を制御することにより作製される。例文帳に追加

The core/shell-type nanoparticle fluorescent substance is produced by natural oxidation of the core particle or the core/shell-type nanoparticle under a high oxygen atmosphere to thereby control the shell thickness. - 特許庁

チタンの酸化物の一部に硫黄などをドープすることにより、可視光を含む自然光もしくは人工光源の照射下で光分解機能を得ること。例文帳に追加

This optical semiconductor is manufactured by effectively doping sulfur or the like partially to titanium oxide so that the optical semiconductor contains a large quantity of sulfur or the like. - 特許庁

大気中での自然酸化が抑制され、かつ水素貯蔵量の大きなＴｉ−Ｃｒ−Ｍｎ系水素吸蔵合金および水素吸蔵材料を提供する。例文帳に追加

To provide a Ti-Cr-Mn based hydrogen storage alloy in which natural oxidation in the air is suppressed and which has a high hydrogen storage content, and to provide a hydrogen storage material. - 特許庁