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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 電子ガスの意味・解説 > 電子ガスに関連した英語例文

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電子ガスの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1417



例文

制御装置5は、電子のエネルギ分布のピークエネルギが、ガスの励起エネルギよりも大きくガスのイオン化エネルギよりも小さくなるように電子源2の駆動電極間の電圧を制御することでガスを放電させずにガスを励起させる。例文帳に追加

The control device 5 makes the gas excited without making the gas discharge by controlling voltage between the driving electrodes of the electron source 2 so as to make peak energy of an energy distribution of the electrons larger than excitation energy of the gas and to make the peak energy of the energy distribution of the gas smaller than ionization energy of the gas. - 特許庁

金属をその表面に有する電子放出体を具備する電子放出素子の製造方法であって、電子放出体を備える基体を用意する工程と、前記電子放出体を、酸素含有ガスと金属含有ガスとに交互に曝す工程と、を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing an electron emitting element including an electron emitter with a metal on the surface comprises steps of preparing a substrate with the electron emitter, and exposing the electron emitter to a gas containing oxygen and a gas containing the metal alternately. - 特許庁

発光装置10は、ガスが封入された気密容器1と、ガス中へ電子を供給する電子エミッタ2と、気密容器1内に形成された蛍光体層3と、電子を回収する電子回収電極4と、電極に電圧を印加する電圧印加部5とを備えている。例文帳に追加

The light emitting device 10 includes an airtight container 1 for enclosing a gas, an electron emitter 2 for supplying electrons into the gas, a phosphor layer 3 formed in the airtight container 1, an electron collection electrode 4 for collecting electrons, and a voltage application unit 5 for applying voltage to the electrode. - 特許庁

電子部品洗浄装置1は、オゾンガスを濃縮するオゾンガス濃縮部30と、オゾンガス濃縮部30で得られた濃縮オゾンガスを水に溶解させてオゾン水を得るオゾンガス溶解部50と、オゾンガス溶解部50で得られたオゾン水で電子部品を洗浄する洗浄部70と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

An electronic component washing apparatus 1 includes an ozone gas concentrating portion 30 for concentrating ozone gas, an ozone gas dissolving portion 50 for dissolving the concentrated ozone gas, obtained in the ozone gas concentrating portion 30, in water to obtain ozone water, and a washing portion 70 for washing electronic components with the ozone water obtained in the ozone gas dissolving portion 50. - 特許庁

例文

金属薄膜を含む多層膜材料のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして、カルボニル基を含有するガスおよびハロゲン元素を含有するガスのうち少なくとも1種類のガス電子供与性ガスとを組合わせて用いることを特徴とする多層膜材料のドライエッチング方法。例文帳に追加

The method for dry-etching a multilayered material containing a metal thin film employs an etching gas composed of an electron-donating gas and at least either a carbonyl-group-containing gas or a halogen-containing gas. - 特許庁


例文

ガスセンター4の電子請求・決済サーバー12は、各ガス事業者1による各ガス消費者3に対するガス代金の決済情報の管理と、各ガス事業者1が販売した二酸化炭素排出権の数量管理(購入数量残高管理)を行う。例文帳に追加

An electronic charge/settlement server 12 of the gas center 4 performs the management of the settlement information of a gas charge to each gas consumer 3 by each gas undertaker 1 and the quantity management (purchase quantity balance management) of carbon dioxide emission right sold by each gas undertaker 1. - 特許庁

ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a gas barrier film which has high gas barrier property, maintains the high gas barrier property even after being bent and has the high stability, to provide a method of manufacturing a gas barrier film which has high productivity and manufactures the gas barrier film inexpensively, and to provide an organic electronic device having the gas barrier film. - 特許庁

ガスを電離して電子を生成するRFプラズマ電子源5によって中性粒子のクラスターをイオン化してガスクラスターイオンビーム18を発生させる。例文帳に追加

A gas cluster ion beam 18 is generated by ionizing the cluster of neutral particles by a RF plasma electron source 5 which generates electrons by ionizing a gas. - 特許庁

試料ガス電子衝突イオン化によりイオン化されるとき形成される高い質量のサンプルイオンを、あるいは試料ガスの存在下で電子衝突イオン化実験を行うとき低い質量の試料イオンを除去する。例文帳に追加

A high mass sample ion is removed which is generated when a sample gas is ionized by electronic ionization, or a low mass sample ion is removed when an electronic ionization experiment is carried out in the presence of the sample gas. - 特許庁

例文

窒素ガスを原料ガスとして使用すること、処理材料は電子の流入方向に対して平行に、かつ電子流の中心から離れて配置されることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, nitrogen gas is employed as source gas, and the material to be treated is arranged in parallel with a flowing direction of electron, away from the center of electron current. - 特許庁

例文

また、好ましくは、前記ガス状分子の電子付着に関する反応断面積は、前記プラズマ処理用原料ガス電子付着に関する反応断面積より小さい。例文帳に追加

Further, preferably, a reaction sectional area pertaining to the electronic adhesion of the gas-like molecules is smaller than that pertaining to the electronic adhesion of the plasma treatment material gas. - 特許庁

長時間動作を継続しても安定して動作するガス電子増幅器、その製造方法及びガス電子増幅器を使用した放射線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a gas electron amplifier stably operating even if continuing a long-term operation, its manufacturing method and a radiation detector using a gas electron amplifier. - 特許庁

この構造では、電子ガス排除電極112へ電圧を適当に設定して印加することにより、2次元電子ガスとグランドとの間の静電容量が可変制御される。例文帳に追加

In this structure, an electrostatic capacity between the two-dimensional electron gas and the ground is variably controlled by setting a voltage to the electron gas excluding electrode 112 at a suitable level and applying the voltage thereto. - 特許庁

バッファ層13と電子ガス層14との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。例文帳に追加

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated. - 特許庁

イオン化室IC内に導入された試料ガスに、フィラメントFから、イオンの引出方向(y軸方向)に延びる矩形の熱電子通過孔Hを通ってくる熱電子が衝撃すると、試料ガスからイオンが発生する。例文帳に追加

When the thermoelectron passing through a rectangular thermoelectron passing hole H extending in the drawing direction (y-axis direction) of the ion from a filament F is impacted against a sample gas introduced in an ionization chamber IC, the ion is generated from the sample gas. - 特許庁

低電圧および大面積で電子ビームを発生する電子ビーム照射装置、ならびにそれを用いて発生させた非平衡プラズマによりガスを分解するガス処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron beam irradiator for generating electron beam over a large area by low voltage, and a gas treatment apparatus for decomposing gas by non-equilibrium plasma generated using the same. - 特許庁

また、ガス処理装置は、上記電子ビーム照射装置を備え、電子ビーム13によって発生する非平衡プラズマ3により、分解対象ガス5を分解する。例文帳に追加

The gas treatment apparatus is equipped with the electron beam irradiator and gas 5 to be decomposed is decomposed by the non-equilibrium plasma 3 generated by the electron beam 13. - 特許庁

ヘテロ界面135において2次元電子ガス層137を生じている半導体基体に、ソース電極151を、2次元電子ガス層137との接触部171が生じる深さまで埋め込む。例文帳に追加

A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed. - 特許庁

さらに、電子エミッタ1の形状を等電位面の形状に沿ったものにしたり、電子エミッタ1から放出されるガスを真空容器5から排除するガス排除手段を設けてもよい。例文帳に追加

Further, a shape of the electron emitter 1 may be set along a shape of an equipotential surface, or a gas removal means may be provided for removing gas released from the electron emitter 1 out of the vacuum vessel 5. - 特許庁

使用条件に合わせて適切な電池容量を供給することができる電子ガスメータおよび電子ガスメータ用電池パックを提供すること。例文帳に追加

To provide an electronic gas meter, capable of supplying appropriate battery capacity, in matching with the usage conditions, and to provide a battery pack for use of the electronic gas meter. - 特許庁

圧縮機(12)の吸入側のガス側冷媒管(17)には、ガス側冷媒管(17)内を循環する冷媒と電子機器とが熱交換して電子機器を冷却するための冷却部(18)が形成されている。例文帳に追加

The gas-side refrigerant pipe (17) at a suction side, of the compressor (12) includes a cooling section (18) for cooling the electronic device by heat exchange between the refrigerant circulated in the gas-side refrigerant pipe (17) and the electronic device. - 特許庁

被処理物をトレイに収容し、トレイ内に不活性ガスを充填し、該トレイ内の被照射物に電子線を照射する電子線照射装置において、トレイ内への不活性ガス充填を確実化し、さらには効率よく行う。例文帳に追加

To surely and efficiently fill inert gas into a tray, in an electron beam irradiation device for storing a treated object in the tray, for filling the inert gas into the tray, and for irradiating an irradiated object in the tray with an electron beam. - 特許庁

電子部品の実装分布に対応した窒素ガスを噴流はんだ槽上の所定の方向に噴出できるようにすると共に、電子部品が片寄って実装された側に多く窒素ガスを噴出できるようにする。例文帳に追加

To enable jetting of nitrogen gas corresponding to the mounting distribution of electronic components into a predetermined direction over a jet solder bath and to allow a large amount of nitrogen gas to be jetted on the side overly provided with electronic components. - 特許庁

電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。例文帳に追加

By irradiating the plasma derived from a process gas which at least contains a gas having an oxygen atom on a surface of an insulating film set on the substrate for the electronic device, the base film is formed in an interface between the insulating film and the substrate for the electronic device. - 特許庁

圧力センサと流速センサを有する電子ガスメータにおいて、流速センサを利用して圧力センサの異常を判定することができる異常検出方法及び電子ガスメータを提供すること。例文帳に追加

To provide the abnormality detecting means which can decide abnormality of a pressure sensor by using a flow velocity meter and the computerized gas meter which has the pressure sensor and flow velocity sensor. - 特許庁

圧力センサと流速センサを有する電子ガスメータにおいて、圧力センサを利用して流速センサの異常を判定することができる異常検出方法及び電子ガスメータを提供すること。例文帳に追加

To provide the abnormality detecting method which can decide abnormality of a flow velocity sensor by using a pressure sensor and the computerized gas meter which has the pressure sensor and flow velocity sensor. - 特許庁

上記において、電子をアルゴンガスに照射してアルゴンガスプラズマを生成させると共に、基板上に一部の電子を照射して帯電を防止することが好ましい。例文帳に追加

In the method, it is preferable that electrons are emitted to an argon gas, so as to generate argon gas plasma, and further, a part of electrons is emitted to the surface of the substrate, so as to prevent electrification. - 特許庁

窒化処理装置は、エネルギー制御された電子ビームを生成する電子ビームガン10と、導入された窒素ガス電子ビームガン10から照射された電子ビームにより窒素プラズマ化される処理槽2とを有する電子ビーム励起プラズマ装置1を用いる。例文帳に追加

The nitriding treatment device uses an electron beam excitation plasma device 1 including: an electron beam gun 10 generating an energy-controlled electron beam; and a treatment tank 2 making the introduced gaseous nitrogen into nitrogen plasma by the electron beam emitted from the electron beam gun 10. - 特許庁

高精細かつ大画面の画像表示装置において、ガス放出や、ガス放出による放電に起因する電子放出素子の破損をもたらすことなく、しかも、電極表面にガスを付着または吸着させずに、電子放出効率が高く維持し、輝度ムラのない、長寿命の画像表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide the image display device of a long lifetime without any unevenness in luminance while maintaining high electron emitting efficiency by preventing any outgassing, any breakage of an electron emitting element caused by electrode discharge due to the outgassing, and adhesion or adsorption of gas onto an electrode. - 特許庁

例えば、電子制御装置30は、酸化性ガスの濃度を検出する排気ガスセンサ44bの感度A2が酸化性ガスの濃度の上昇に伴って高くなるようになっている場合には、電子制御装置30において、加速度が一定レベルB2未満であるときには、閾値α2を濃度判定に用いる。例文帳に追加

For example, when the sensitivity A2 of the exhaust gas sensor 44b for detecting the concentration of an oxidizing gas rises as the concentration of the oxidizing gas rises, the electronic control device 30 uses a threshold value α2 for the concentration determination when acceleration is under a fixed level B2. - 特許庁

ケース20には、電子源に対向する部位に矩形状の窓孔21が設けられるとともに、窓孔21と電子源10との間の空間へ供給する乾燥ガス(例えば、乾燥空気、乾燥酸素、不活性ガスなど)を導入する2つのガス導入口22が設けられている。例文帳に追加

The case 20 is provided with a rectangular-shaped window hole 21 in a portion opposed to the electron source, and two gas introducing ports 22 for introducing dry gas (for example, dry air, dry oxygen, inert gas or the like) supplied to a space between the window hole 21 and the electron source 10. - 特許庁

三方弁7と試料セル1の間の流路にガス中の水蒸気を冷却除去する電子クーラ10を設置しており、三方弁7から供給される試料ガスと基準ガスは、ともにこの電子クーラ10を経由して試料セル1へ導かれる。例文帳に追加

An electronic cooler 10 for cooling and removing vapor in the gas is mounted at a flow passage between the three-way valve 7 and the testpiece cell 1 and the sample gas and the reference gas provided from the three-way valve 7 are introduced to the sample cell 1 via the electronic cooler 10. - 特許庁

炭素繊維で構成されガス透過性および電子伝導性を有するガス拡散基材と、前記ガス拡散基材の表面に添加された樹脂とを具備するガス拡散層において、前記ガス拡散基材の厚み方向のガス透過率x1と面方向のガス透過率x2との比Rx(x1/x2)を特定の範囲に設定する。例文帳に追加

In a gaseous diffusion layer provided with gaseous diffusion base material composed of carbon fibers having gas permeability and electronic conductivity; and with a resin added on a surface of the gaseous diffusion base material, a ratio Rx (x1/x2) between a gas permeability x1 in the thickness direction and a gas permeability x2 in the facial direction of the gaseous diffusion base material is set within a specific range. - 特許庁

電子管内に設けたヒーターに対して、新たな電位供給用のステムピンを設けることなく電流を供給して発熱させ、電子管の製造工程中に発生するガス放出によるエミッタ表面へのガス吸着を回避できる電子管を提供する。例文帳に追加

To provide an electron tube capable of avoiding the adsorption of gas to the surface of an emitter by the discharge of gas produced in an electron tube manufacturing process by supplying, for heating, a current to a heater installed in the electron tube without installing a new stem pin for potential supply. - 特許庁

ガス透過性エンベロープ15からガスを真空排気するステップと、複数の電子を発生し、かつその電子をウィンドウ27に向けて加速するステップと、欠陥に関してウィンドウ27をモニタリングするステップと、欠陥のあるウィンドウ27上に当たらないように電子を偏向するステップとを含む。例文帳に追加

This method comprises steps for: evacuating gases from a gas-permeable envelope 15; generating a plurality of electrons and accelerating the electrons toward the windows 27; monitoring the windows 27 with respect to defects; and deflecting the electrons so as to keep them from hitting against a defective window 27. - 特許庁

窒化ガリウム半導体装置は、p型GaNウエル層7と電子供給層8との界面に形成された2次元電子ガス18を有し、2次元電子ガス18とn型GaNドリフト層6との間に、p型GaNウエル層7の導電型を反転させるMOS型ゲートを有する。例文帳に追加

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7. - 特許庁

真空プロセスにおける接着層からの脱ガスを抑制するフレキシブル電子デバイスの製造方法、および脱ガスが少ないフレキシブル電子デバイス製造用の樹脂層付積層基板ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a flexible electronic device to suppress degassing from an adhesion layer in a vacuum process, a multilayer substrate with a resin layer for manufacturing a flexible electronic device with little degassing, and a flexible electronic device manufacturing member. - 特許庁

充填用ガスは、セラミック電子部品2の焼成時に焼成空間Sに存在するガス及び焼成用ヒーター7に対して非反応性を有するガスである。例文帳に追加

The charging gas is a gas existing in the baking space S in baking the ceramic electronic component 2, and a gas having non-reactivity to the heaters for baking 7. - 特許庁

そして、ガス抜き十分領域が増大するように、ガス抜き孔の形成位置を追加したうえで、ガス抜き孔の形成位置データを確定させ、電子回路基板の設計データの一部とする。例文帳に追加

The degassing hole forming position is added to increase the degassing sufficient area, and the degassing hole forming position data is settled thereafter to serve as one portion of a design data for the electronic circuit substrate. - 特許庁

イオン生成器11でガスをイオン化した後に、イオンを含むガスガス導入管16で、試料上の電子ビームを照射しつつ平面走査する領域に導入する。例文帳に追加

After a gas is ionized by an ion generator 11, the gas containing ions is introduced into a plane-scanned area on a sample by a gas introduction tube 16 while irradiating it with an electron beam. - 特許庁

触媒層と固体高分子電解質膜間のプロトン伝導経路および、触媒層とガス拡散層との間の電子伝導経路を遮断することなく水の滞留を防ぎ、ガス拡散性に優れたガス拡散電極を得る。例文帳に追加

To provide a gas diffusion electrode excellent in gas diffusion function which can prevent water from collecting without interrupting proton transmission channel between a catalyst layer and solid polymer electrolyte film as well as an electron transmission channel between the catalyst layer and a gas diffusion layer. - 特許庁

上記課題は、窒素ガスを主成分とし、NOxを含む大気圧の排ガス電子線を照射してNOxを還元分解することを特徴とする排ガス処理方法によって解決される。例文帳に追加

The method of treating exhaust gas is characterized by reducing and decomposing NOx by irradiating exhaust at atmospheric pressure comprising nitrogen gas as its main component and NOx, with an electron beam. - 特許庁

電子装置の筐体を構成する部材の間に設ける防水ガスケットであって、ゴム状弾性材製のガスケット本体と、前記ガスケット本体の表面が反応性表面処理剤で処理された表面層を備える。例文帳に追加

This waterproof gasket provided between the members constituting a case body of an electronic device is provided with a gasket body made of a rubber-like elastic material and a surface layer constituted by treating a surface of the gasket body by reactional surface treatment agent. - 特許庁

ターゲット材6(Cr)より放出されるイオンよりも低原子量のガス(Arガス)を炉1内に導入し、フィラメント電子源2でArガスをイオン化し、基材4にバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

A gas (Ar gas) having an atomic weight lower than that of an ion emitted from a target material 6 (Cr) is introduced into a furnace 1, and the Ar gas is ionized with a filament electron source 2. - 特許庁

走査電子顕微鏡に備えられた除電機構は、ガスボンベに繋がったガス流量調整弁18、開閉弁17、コロナ放電器19、ガス導入管15及びメモリ20を備える。例文帳に追加

A destaticizing mechanism provided on a scanning electron microscope is provided with a gas flow-rate control valve 18, connected to a gas cylinder, switching valve 17, corona discharger 19, gas inlet tube 15, and memory 20. - 特許庁

瞬時にガス流量を判定でき、しかも検出されたガス流量が電子式積算値カウンタ12にダイレクトに供給されるので、積算値の算出をガスメータの検定公差内の誤差で正確に行なうことができる。例文帳に追加

The gas flow rate is determined in a moment, and the integration value is calculated accurately with the error within the calibration tolerance of the gas meter, because the detected gas flow rate is supplied directly to the electronic integration value counter 12. - 特許庁

本体から噴出するエアカーテンにより、ガスオーブンから上昇するガス及び煙を本体の下部吸入口側に案内して、ガス及び煙の排出を円滑にした壁掛け型電子レンジを提供する。例文帳に追加

To provide a wall-hung microwave oven which smoothly discharges gas and smoke by guiding the gas and smoke raised from a gas oven to the lower suction port side of a body by an air curtain blown out from the body. - 特許庁

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるXeもしくはKrもしくArとXeの混合ガスもしくはArとKrの混合ガスを適用した。例文帳に追加

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film. - 特許庁

簡便かつ低コストで製造でき、密着性、表面平滑性、ガスバリア性及び透明性に優れるガスバリア性フィルム、並びにこのガスバリア性フィルムからなる電子デバイス用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a gas-barrier film which can be manufactured simply at low cost and is superior in adhesion, surface smoothness, gas-barrier properties, and transparency and a member for electronic devices made of the gas-barrier film. - 特許庁

例文

そこで、分析中にガス導入などを行っても、室Aの光源や検出器の導入ガスによる影響を最小限に抑えて、ガス導入時も電子銃の動作を安定化させ、長時間のその場観察を可能にした。例文帳に追加

Even if gas is introduced during analysis, influence of the light source in the compartment A and introduced gas of a detector is minimized, operation of an electron gun during introduction of gas is stabilized, and in situ observation is made possible for a long time. - 特許庁

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