「CRYSTALLIZATION TEMPERATURE」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

By applying a crystallization accelerating process (e.g., a process for keeping the temperature zone at ±20°C of the temperature wherein the crystallization speed is highest) at an arbitrary time, the degree of crystallinity of the surface layer part 102 of the molded article 100 and/or the overall molded article can be increased.例文帳に追加

任意の時期に結晶化促進処理（例えば、結晶化速度が最も高い温度±２０℃の温度域に保持する処理）を施すことにより、成形体１００の表層部１０２及び／又は成形体全体の結晶化度を向上させることができる。 - 特許庁

Then, by regulating the compositional ratios of R, R' and R", the crystallization heat generating temperature of one crystal phase is controlled to 585 to 615°C, and further, the crystallization heat generating temperature of the other crystal phase is controlled to 610 to 640°C, so that a fine and uniform crystal structure is formed.例文帳に追加

そして、Ｒ、Ｒ’、およびＲ”の組成比率を調節することによって、1つの結晶相の結晶化発熱温度を５８５℃〜６１５℃に制御するとともに、他の結晶相の結晶化発熱温度を６１０℃〜６４０℃に制御し、微細で均一な結晶組織を形成する。 - 特許庁

Since the crystallization of a TiON film is accelerated at a low temperature by installing a film having a phase equal to or close to a crystal phase formed by the crystallization of the TiON film in an atom arrangement as the intermediate layer between the base material and the TiON film, the base material with low-temperature resistance can be used.例文帳に追加

基材とＴｉＯＮ膜の中間層として、ＴｉＯＮ膜の結晶化によって形成される結晶相と原子配列が同等または近い相を有する膜を設けることにより、低温でＴｉＯＮ膜の結晶化が促進されるため、耐熱温度が低い基材を用いることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the polyolefin resin particle comprises emulsifying a polyolefin resin, an ethylene oxide/propylene oxide copolymer and water at a temperature of the melting point or above of the polyolefin resin and then cooling at a rate of 0.2°C/min or more from a temperature at least 25°C higher than the crystallization temperature of the polyolefin resin to a temperature at least 25°C lower than the crystallization temperature.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂と、エチレンオキシド／プロピレンオキシド共重合体と、水とを、該ポリオレフィン系樹脂の融点以上の温度で乳化した後、該ポリオレフィン系樹脂の結晶化温度よりも少なくとも２５℃高い温度から、該結晶化温度よりも少なくとも２５℃低い温度まで、０．２℃／分以上の速度で冷却することを特徴とするポリオレフィン系樹脂粒子の製造方法。 - 特許庁

After the completion of the shaping, the composite material is solidified at the metal mold cavity surface temperature higher than a temperature that is lower than the crystallization temperature (Tc) of the composite material by 20°C and lower than a temperature that is higher than the crystallization temperature (Tc) of the composite material by 20°C.例文帳に追加

溶融した複合材料の金型内での賦形が完了するまで、金型キャビティー表面温度を該複合材料の結晶融解温度（Ｔ_ｍ）以上に保ち、賦形された後、複合材料の結晶化温度（Ｔ_Ｃ）より２０℃低い温度以上で、かつ複合材料の結晶化温度より２０℃高い温度以下の金型キャビティー表面温度で、該複合材料を固化させる。 - 特許庁

Amorphous metal is kept at the working temperature set to the supercooling liquid temperature zone between the crystallization temperature and the glass transition temperature, and the plastic working or joining to be performed for the amorphous metal in the holding time within the crystallization incubation period of the material at the working temperature is defined as a unit working.例文帳に追加

結晶化温度とガラス遷移温度との間の過冷却液体温度域に設定される加工温度にアモルファス金属材料を保持し、当該加工温度における材料の結晶化潜伏期間内に収まる保持時間にてアモルファス金属材料に施す塑性加工又は接合加工を単位加工とする。 - 特許庁

An alloy 31 which has glass transition temperature and crystallization temperature and also has an amorphous structure is disposed between a semiconductor chip 11 and a wiring layer 14, and while they are pressed, the alloy 31 is heated to the level of a temperature between the glass transition temperature and crystallization temperature to bond the semiconductor chip 11 and wiring layer 14 together.例文帳に追加

ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金３１を半導体チップ１１と配線層１４との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金３１をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ１１と配線層１４接合する。 - 特許庁

The super ring 7 and the cushions 8, 9 use fibrous SiC as a material having crystallization temperature fully higher than the temperature around the throat, thus preventing deterioration due to the temperature around the throat.例文帳に追加

スーパーリング７、クッション８，９は、結晶化温度が炉口廻りの温度に比較して十分に高いＳｉＣの長繊維を素材としており、炉口廻りの温度によって劣化を生じない。 - 特許庁

It has a melting point of 150-200°C and a peak present when crystallized by lowering the temperature, contains at least 0.2 wt.% inert particles with a mean diameter of 5 μm or smaller, and has a constant-temperature crystallization half time of at most 6 min at a hold temperature of 90-130°C.例文帳に追加

この樹脂は、平均粒径５μｍ以下の不活性粒子を 0.2wt％以上含有し、等温結晶化ハーフタイムがホールド温度90〜 130℃において６分以下である。 - 特許庁

Since amorphous glass does not have a crystallization temperature, it is set to a state, that it is always in a softened state in a temperature region at a softening temperature or higher, and the wetting time with reference to a plated layer 14 by the material for the protective film can be ensured to be long.例文帳に追加

非晶質ガラスは結晶化温度を有さないため、軟化温度以上の温度領域で常に軟化した状態となっており、保護膜材料のめっき層１４に対する濡れ時間を長く確保することができる。 - 特許庁

To provide an electrolytic solution for electrolytic capacitors which is high in electrical conductance, less prone to crystallization in low-temperature ranges, superior in low-temperature characteristics, and usable over a wide temperature range, does not allow sealing rubber for capacitors to deteriorate, and is free from liquid leakage.例文帳に追加

高電導度であり、低温域で結晶が析出し難く低温特性に優れ、広い温度範囲で使用可能であり、かつコンデンサの封口ゴムを劣化させず、液漏れのない電解コンデンサ用電解液を提供。 - 特許庁

The alloy is melted within the temperature range of a supercooled liquid state from the glass transition temperature or above to the crystallization temperature or below, is rapidly cooled and solidified into a desired bulky shape.例文帳に追加

この合金をガラス遷移温度以上で結晶化温度以下の過冷却液体状態の温度範囲にて溶融し、形成予定のバルク形状に急冷して固化する。 - 特許庁

Furthermore, CO and CO_2 is held within a sheet and thus the generation of a bulge in the surface is completely avoided by decreasing the temperature difference between a densifying temperature and a crystallization-starting temperature of the glass.例文帳に追加

さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、ＣＯおよびＣＯ_２をシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 - 特許庁

Tg<Ts<Tcc (°C), Tg: glass transition temperature (°C) of polyphenylene sulfide, Ts: surface temperature (°C) of the film on the roll of the lowermost stream of a longitudinal drawing step, Tcc: crystallization temperature (°C) of polyphenylene sulfide.例文帳に追加

Ｔｇ＜Ｔｓ＜Ｔｃｃ（℃）ここで、Ｔｇは前記ポリフェニレンスルフィドのガラス転移温度（℃）、Ｔｓは、縦延伸工程最下流のロール上におけるフィルム表面温度（℃）、Ｔｃｃは前記ポリフェニレンスルフィドの結晶化温度（℃）である。 - 特許庁

The sulfide glass, characterized in that the glass transition temperature expressing heat resistance is ≥500°C, the difference between the crystallization start temperature and the glass transition temperature, expressing the anticrystallization property is ≥150°C, rare earths can be melted, and the light stability is excellent can be obtained.例文帳に追加

耐熱性を表すガラス転移温度が５００℃以上、耐結晶化性を表す結晶化開始温度とガラス転移温度の差が１５０℃以上で、希土類の熔解が可能であり、さらに光安定性に優れた硫化物ガラスが得られる。 - 特許庁

The super rings 6, 7 and the cushions 8, 9 of the heater 2 are made of SiC continuous fibers having a sufficiently higher crystallization temperature compared with the temperature around the throat, thereby preventing the occurrence of deterioration caused by the temperature around the throat.例文帳に追加

ヒータ２のスーパーリング６，７及びクッション８，９は、結晶化温度が炉口廻りの温度に比較して十分に高いＳｉＣの長繊維を素材としており、炉口廻りの温度によって劣化を生じない。 - 特許庁

On an oxide single crystal substrate with a perovskite structure, an amorphous film is formed by a vapor growth method at a temperature lower than the crystallization temperature, and subsequently a ferroelectric thin film with the perovskite structure is formed by crystallizing the amorphous film under heating at a temperature higher than the crystallization temperature.例文帳に追加

ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成した後、このアモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることにより、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする。 - 特許庁

The nonwoven fabric is formed from fibers which contain a polylactic acid component and have a descending temperature crystallization temperature of 90-110°C when subjected to a differential thermal analysis at a descending temperature speed of 10°C/min after being melted at an ascending temperature speed of 10°C/min and a heat amount of crystallization of at least 10 J/g.例文帳に追加

不織布は、ポリ乳酸を構成成分とする繊維であって、昇温速度１０℃／分で融解した後に降温速度１０℃／分で示差熱分析したときに降温結晶化温度が存在し、この降温結晶化温度が９０℃以上１１０℃以下であり、結晶化熱量が１０Ｊ／ｇ以上であるものにて構成される。 - 特許庁

The reaction of compound (II) with hydrochloric acid or hydrogen chloride takes place immediately. The time required for crystallization varies depending upon crystallization conditions such as the amounts of organic solvents and HCl employed, as well as the crystallization temperature and the like, and it takes ordinarily about 1 to 24 hours. 例文帳に追加

化合物（ＩＩ）と塩酸または塩化水素との反応は直ちに進行するが、化合物（Ｉ）の結晶を十分に析出させるのに要する時間は、使用する有機溶媒およびＨＣｌの量、晶出温度などの晶析条件によっても異なるが、通常、１～２４時間程度かけるのが望ましい。好ましくは約０～約３０℃の温度で反応混合物を１～６時間撹拌することにより、化合物（Ｉ）が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing (meth)acrylic acid, alleviating the temperature fluctuation of a cooling medium and a heating medium returning from a crystallizer to heat source devices, stably running the heat source devices, stabilizing the crystallization operation and/or the melting operation, and reducing the energy consumption therein, in the crystallization process and/or the melting process thereof, and a crystallization system.例文帳に追加

結晶化工程および／または融解工程において、晶析器から熱源機に返送する冷熱媒や温熱媒の温度変動を緩和し、熱源機を安定的に稼働させ、結晶化操作および／または融解操作が安定化し、消費エネルギーを低減できる（メタ）アクリル酸の製造方法と晶析システムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

The amount of metal adsorbed on a thin film in the amorphous silicon can be adjusted appropriately and finely, and contamination due to metal can be prevented although crystallization temperature is lowered in crystallizing silicon by a metal induced crystallization system.例文帳に追加

本発明によれば、非晶質シリコンの薄膜上に吸着される金属の量を適切に且つ微細に調節でき、金属誘導結晶化方式によるシリコンの結晶化時,結晶化温度を下げながらも金属による汚染が防止される。 - 特許庁

The electrophotographic film is constituted of a resin film (A) comprising a resin composition containing an inorganic fine powder and/or an organic filler, and characterised in that the resin composition has a melt tension of ≥5 g at 210°C, a crystallization temperature of ≥120°C, and heat of crystallization of ≤60 J/cm^3.例文帳に追加

無機微細粉末及び／又は有機フィラーを含有する樹脂組成物よりなる樹脂フィルム（Ａ）で構成され、該樹脂組成物の２１０℃における溶融張力が５ｇ以上、結晶化温度が１２０℃以上、結晶化熱が６０Ｊ／ｃｍ^3 以下であることを特徴とする電子写真フィルム。 - 特許庁

This method for producing the oil and fat food comprises using a magnetic field apparatus in which magnetic field generating coils are continuously extended around pipes in a production line and performing specific pulse magnetic field processing for a short time at a temperature at which oil and fat crystallization starts to deposit so as to efficiently promote or stabilize the crystallization of oil and fat.例文帳に追加

磁場発生コイルを製造ライン中の配管周りに連続的に延長させた磁場装置を使用し、油脂結晶が析出し始める温度で特定のパルス磁場処理を短時間行うことにより油脂の結晶化を効率的に促進または安定化させることができる。 - 特許庁

A pretreated liquid containing a solvent and a crystallization 3 of a lyotropic liquid crystalline compound in the solvent is heated to or above the melting point of the crystallization 3 to produce an isotropic solution, and the isotropic solution is next cooled to or below the temperature in which a liquid crystal phase 4 is developed to produce a liquid crystalline coating liquid.例文帳に追加

溶媒と溶媒中のリオトロピック液晶化合物の結晶体３とを含む前処理液を結晶体３の融解点以上に加熱処理して等方性溶液を作製し、次に等方性溶液を液晶相４が発現する温度以下に冷却処理して液晶性コーティング液を得る。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a polycrystalline silicon film in which a lightly doped metal layer having a uniform distribution of metal particles is formed on a glass substrate, and in which crystallization of amorphous silicon is accelerated by the metal to fundamentally reduce contamination due to the metal particles while lowering the temperature of crystallization.例文帳に追加

低濃度でかつ均一な金属粒子分布度を持つ金属層をガラス基板上に形成し、この金属により非晶質シリコンの結晶化速度を増大して結晶化温度を低減しながら金属粒子による汚染を根本的に軽減する多結晶シリコン薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The stretched and molded container is formed from a resin comprising mainly a polylactic acid and is characterized in that it has a crystallization initiation temperature of 75°C or higher and has substantially two peaks in a crystallization exothermic region from 75 to 160°C measured by a differential scanning calorimeter.例文帳に追加

ポリ乳酸を主体とする樹脂から形成された延伸成形容器において、結晶化開始温度が７５℃以上で、示差走査熱量計で測定した温度７５乃至１６０℃の範囲の結晶化発熱温度域に実質上二山のピークを有することを特徴とする延伸成形容器。 - 特許庁

A crystal silicon film of a thinfilm transistor causes crystallization by means of treating an amorphous silicon, in which the elements for promoting crystallization of an amorphous silicon are introduced by heat at a higher temperature, at a range of 450°C-650°C in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

薄膜トランジスタの結晶性珪素膜は、非晶質珪素の結晶化を助長する元素を導入した非晶質珪素を４５０℃〜６５０℃の熱処理により結晶化させ、より高温の熱処理を酸化性雰囲気で行って結晶性を助長させたものでとする。 - 特許庁

In the method for producing the aromatic carboxylic acid by which the crystals and the solvent are separated from the slurry by using the separator, the amount of the solvent fed to the separator is reduced by extracting a condensate obtained by cooling in a condenser without returning to a crystallization tank in reducing temperature in the crystallization tank.例文帳に追加

分離器を用いてスラリーから結晶と溶媒を分離する芳香族カルボン酸の製造方法において、晶析槽で降温する際、凝縮器で冷却して得られる凝縮液を晶析槽に還流せず抜き出すことにより、分離器に供給する溶媒量を低減する。 - 特許庁

The aromatic polyester resin laminate is manufactured by integrally laminating an in-mold foamed molded object, which is formed by the in-mold foam molding of prefoamed particles with a degree of crystallization of 1-8% obtained by prefoaming an aromatic polyester resin with a crystallization peak temperature of 130-180°C, to a metal panel.例文帳に追加

芳香族ポリエステル系樹脂積層体として、結晶化ピーク温度が１３０〜１８０℃である芳香族ポリエステル系樹脂を予備発泡させて得た、結晶化度が１〜８％の範囲にある予備発泡粒子を型内発泡成形した型内発泡成形体と金属板とを積層一体化する。 - 特許庁

The antistatic agent comprises a hydrophilic block copolymer with a surface resistivity of 1×10^6 to 1×10^13Ω and an ionic surfactant(B) having a heat of crystallization of 2-100 mJ/mg at the crystallization peak temperature as determined by differential scanning calorimetry.例文帳に追加

１×１０^6〜１×１０^13Ωの表面固有抵抗値を有する親水性ブロックポリマーと、示差走査熱量計による結晶化ピーク温度において２〜１００ｍＪ／ｍｇの結晶化熱を有するイオン性界面活性剤（Ｂ）からなることを特徴とする帯電防止剤。 - 特許庁

A resin composition for draw molding is characterized in that the resin composition comprises an aliphatic polyester as the main component, and the time when the heat release value of isothermal crystallization at a crystallization temperature +20°C measured by a differential scanning calorimeter (DSC) shows the maximum value is 1.5-100 minutes.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルを主成分とする樹脂組成物であって、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、結晶化温度＋２０℃における等温結晶化の発熱量が最大値を示すまでの時間が１．５分〜１００分であることを特徴とする延伸成形用樹脂組成物。 - 特許庁

In this semiconductor device, the microstructure and the electric circuit for controlling the microstructure can be provided over the one substrate by manufacturing the microstructure in a such way that a structural layer having polycrystalline silicon obtained by thermal crystallization or laser crystallization by using a metal element is formed and processed at low temperature.例文帳に追加

半導体装置が有する微小構造体は、金属元素を用いて熱結晶化又はレーザ結晶化された多結晶シリコンを有する構造層を形成し低温プロセスで作製することにより、微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に備えることができる。 - 特許庁

The production method includes: a stage where sintering is performed at the glass transition temperature of the metal glass or above and less than the crystallization starting temperature; and a cooling stage where, subsequently to the sintering stage, after cooling is started, during the cooling while lowering temperature, the temperature is held at a constant temperature.例文帳に追加

その際、前記製造方法は、前記金属ガラスのガラス転移温度以上結晶化開始温度未満の温度で焼結を行う工程と、前記焼結の工程後において、冷却を開始した後、温度下降させつつ冷却を行う間に、恒温保持する冷却の工程とを含む。 - 特許庁

Set temperature of cooling water for cooling an absorber 16 and a condenser 13 is determined based on temperature allowance which is a difference between crystal temperature in absorber inlet absorbing solution concentration (temperature to achieve crystallization of the absorbing solution having the concentration) and actual absorber inlet absorbing solution temperature (at each time point during operation).例文帳に追加

吸収器１６および凝縮器１３を冷却する冷却水の設定温度を、吸収器入口吸収液濃度における結晶温度（左記濃度の吸収液が結晶する温度）と、現実の（運転中の各時点での）吸収器入口吸収液温度との差である温度余裕に基づいて定める。 - 特許庁

A method for manufacturing the foamed polyethylene terephthalate molded article has: a preheating step S2 for heating a foamed polyethylene terephthalate sheet having a high degree of crystallization at a temperature bringing the surface temperature of the sheet to 200-220°C for 6-10 sec; and a molding step S3 for molding the preheated foamed polyethylene terephthalate sheet having the high degree of crystallization by a mold heated to thermal deformation temperature.例文帳に追加

高結晶化度の発泡ポリエチレンテレフタレートシートを、当該シートの表面温度が２００〜２２０℃となる温度で６秒以上１０秒以下で加熱を行う予備加熱ステップＳ２と、予備加熱された高結晶化度の発泡ポリエチレンテレフタレートシートを、熱変形温度に加熱された成形型により成形する成形ステップＳ３と、を有する。 - 特許庁

The silicone resin composition comprises boehmite in addition to glass frits having ≤500°C softening starting temperature and ≤840°C crystallization starting temperature and containing an alkali metal added to a silicone resin.例文帳に追加

前記シリコーン樹脂組成物として、シリコーン樹脂に、軟化開始温度５００℃以下、かつ結晶化開始温度８４０℃以下のアルカリ金属を含むガラスフリットに加えて、ベーマイトが添加されたものを使用する。 - 特許庁

To provide a non-cyano liquid crystal mixture having a high positive dielectric anisotropy value, a high birefringence value and a wide nematic temperature range, and avoiding crystallization or formation of a smectic phase even at a low temperature.例文帳に追加

低い温度においても結晶化やスメクチック相の形成を避け、広いネマチック温度範囲を有する高い正の誘電異方性値および高い複屈折値の非シアノ型液晶混合物の提供。 - 特許庁

The silicone resin composition is obtained by adding an alkali metal-containing glass frit having a softening starting temperature of ≤500°C and a crystallization starting temperature of ≤840°C and goethite to a silicone resin.例文帳に追加

前記シリコーン樹脂組成物として、シリコーン樹脂に、軟化開始温度５００℃以下、かつ結晶化開始温度８４０℃以下のアルカリ金属を含むガラスフリットに加えて、ゲーサイトが添加されたものを使用する。 - 特許庁

An extruded film or extruded coating is manufactured by applying polyhydroxy alkanoate (PHA) to a surface which is in a temperature ranging between 20°C higher and 20°C lower than the optimal crystallization temperature of PHA.例文帳に追加

ポリヒドロキシアルカノエート（ＰＨＡ）をＰＨＡの最適結晶化温度よりも２０℃高い温度から２０℃低い温度までの範囲内の温度である表面に供給して、押出しフィルムまたは押出し被膜を製造する。 - 特許庁

To provide a resin composition which comprises a crystalline polyester resin having such a low glass transition temperature (Tg) and a low crystallization temperature (Tc) as those of an aliphatic polyester resin and has remarkably improved heat resistance.例文帳に追加

脂肪族ポリエステル樹脂のように、ガラス転移点（Ｔｇ）や結晶化温度（Ｔｃ）の低い結晶性ポリエステル樹脂から成る耐熱性が顕著に向上された樹脂組成物を提供するにある。 - 特許庁

A substance with mica fine powder added in a silicone resin in addition to glass frit containing alkaline metal having a softening start temperature of 500°C or below and a crystallization start temperature of 840°C or below is used for this silicone resin composition.例文帳に追加

前記シリコーン樹脂組成物として、シリコーン樹脂に、軟化開始温度５００℃以下、かつ結晶化開始温度８４０℃以下のアルカリ金属を含むガラスフリットに加えて、雲母微粉末が添加されたものを使用する。 - 特許庁

This polyamide resin composition is characterized by having 25-45°C temperature difference between melting point (Tm) and crystallization temperature (Tc) and 1-30 μeq/g terminal amino group concentration.例文帳に追加

融点（Ｔｍ）と結晶化温度（Ｔｃ）との差が２５℃〜４５℃の範囲であり、かつ末端アミノ基濃度が１〜３０μｅｑ／ｇであることを特徴とするポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

Each of the metal oxide films 8a-8c is annealed at a temperature lower than the crystallization temperature in each formation of the film to make each of the metal oxide films 8a-8c amorphous.例文帳に追加

このとき、各金属酸化物膜膜８ａ、８ｂ、８ｃの成膜の度に結晶温度以下の温度でのアニールを行い、各金属酸化物膜８ａ、８ｂ、８ｃをアモルファスとする。 - 特許庁

As the silicone resin composition, one comprising a silicone resin and, incorporated therewith, a metal oxide in addition to a glass frit containing an alkali metal and having a softening initiation temperature of at most 500°C and a crystallization initiation temperature of at most 840°C is employed.例文帳に追加

前記シリコーン樹脂組成物として、シリコーン樹脂に、軟化開始温度５００℃以下、かつ結晶化開始温度８４０℃以下のアルカリ金属を含むガラスフリットに加えて、金属酸化物が添加されたものを使用する。 - 特許庁