「FET sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FET CHEMICAL SENSOR USING CARBON ELEMENT LINEAR STRUCTURE例文帳に追加

炭素元素線状構造体を用いた電界効果トランジスタ化学センサー - 特許庁

To minimize power for heating an FET-type gas sensor employing a field effect transistor (FET), in order to prolong its operating lifetime longer.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いたＦＥＴ型ガスセンサの加熱電力を最小化し、長寿命化を図る。 - 特許庁

To provide an imaging sensor having an array of FET pixels, and a method of forming the imaging sensor.例文帳に追加

ＦＥＴピクセルのアレイを有する撮像センサ、および撮像センサを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CNT-FET sensor that utilizes the inside of carbon nanotube.例文帳に追加

カーボンナノチューブの内部を利用したＣＮＴ−ＦＥＴセンサを提供すること。 - 特許庁

This pressure sensor device 11 of the present invention is easy to manufacture, because constituted of an organic FET on the flexible printed circuit board.例文帳に追加

本発明の圧力センサデバイス１１によれば、フレキシブル基板１上に有機FETで構成されるため、製造が容易である。 - 特許庁

A capacitor 40 is connected between the second FET 32 and the inverter 20 in the power source line 3, and a voltage sensor 50 is provided between the first FET 31 and the second FET 32.例文帳に追加

電源線３のうち第２ＦＥＴ３２とインバータ部２０との間にコンデンサ４０が接続され、第１ＦＥＴ３１と第２ＦＥＴ３２との間に電圧センサ５０が設けられている。 - 特許庁

To significantly enhance sensitivity of a nucleic acid detecting sensor using an FET (field-effect transistor).例文帳に追加

ＦＥＴ（field-effect transistor）を用いた核酸検出センサにおいて感度を飛躍的に向上させる。 - 特許庁

To provide a spin element that allows improvement of polarizability, a magnetic sensor using the spin element, and a spin FET using the spin element.例文帳に追加

分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンＦＥＴを提供する。 - 特許庁

When an FET 2 is turned on, supply of power Vcc to a sensor 3 is started and a signal expressing a detection result is inputted from the sensor 3 to the GPI terminal 12 of an MCU 1.例文帳に追加

FET２がOnになったとき、センサ３に対する電源Vccの供給が開始され、センサ３からMCU１のGPI端子１２に対して検出結果を表す信号が入力される。 - 特許庁

When an FET 2 is turned on, supply of a power Vcc to a sensor 3 is started, and a signal indicating a detection result is input from the sensor 3 to a GPI terminal 12 of an MCU 1.例文帳に追加

FET２がOnになったとき、センサ３に対する電源Vccの供給が開始され、センサ３からMCU１のGPI端子１２に対して検出結果を表す信号が入力される。 - 特許庁

Thus, an external FET 31 is arranged in the sensor unit 1, the source of the FET 31 is connected to the second terminal 22, the FETs 11, 31 configure a differential amplifier circuit, and the differential amplifier circuit amplifies an output of the sensor element and provides an amplified output.例文帳に追加

これにより、外部のＦＥＴ３１を設け、第２の端子２２にＦＥＴ３１のソースを接続し、ＦＥＴ１１とＦＥＴ３１とにより差動増幅回路を構成し、前記センサ素子の出力を差動増幅回路により増幅させて出力させることができる。 - 特許庁

When a detection result by an element temperature sensor 41 for detecting a temperature in the vicinity of FETs 31 to 33, which are switching elements, exceeds a predetermined temperature, and a detection result by a current sensor 51 corresponding to, for example, the FET 31 exceeds a predetermined current value, the abnormally high temperature is caused by the FET 31, and therefore the FET 31 is turned off.例文帳に追加

スイッチング素子であるＦＥＴ３１〜３３の近傍の温度を検出する素子温度センサ４１の検出結果が所定温度を超えており、且つ、例えばＦＥＴ３１に対応する電流センサ５１の検出結果が所定電流値を超えているときは、異常高温の原因がＦＥＴ３１であるため、ＦＥＴ３１をオフにする。 - 特許庁

To provide a gas sensor (1) with a field-effect transistor (FET) for detecting gas or mixture gas in which attachment of a sensitivity layer (10) to the gate area of the sensor can be improved.例文帳に追加

ガス若しくは混合気の検出のための、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）を有するガスセンサー（１）において、センサーのゲート領域への感応性の層（１０）の付着を改善する。 - 特許庁

In the sensor array 30, the output from the m-th sensor 30-m of the sensor array 30 is inputted through the coupler 2 for the input/output to an O/E converter 40 and the output of the O/E converter 40 is inputted to an FET processor 50.例文帳に追加

センサアレイ３０では、センサアレイ３０の第ｍ番目のセンサ部３０−ｍからの出力は入出力用カプラ２を介してO/E変換器４０に入力し、 O/E変換器４０の出力はＦＦＴ処理器５０に入力する。 - 特許庁

FET BASE SENSOR FOR ION MATERIAL DETECTION, DETECTION DEVICE OF ION MATERIAL EQUIPPED THEREWITH, AND DETECTION METHOD OF ION MATERIAL UTILIZING IT例文帳に追加

イオン物質検出用のＦＥＴ基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法 - 特許庁

The sensor unit 1 is configured such that an ECN element 13, a diode 15, and a gate resistor 14 are connected between the gate of a FET 11 and a ground line 12, a first terminal 21 is introduced from the drain of the FET 11, a second terminal 22 is introduced from the source of the FET 11, and a third terminal 23 is introduced from the ground line 12.例文帳に追加

センサユニット１を、ＦＥＴ１１のゲートと接地ライン１２間に、ＥＣＮエレメント１３と、ダイオード１５と、ゲート抵抗１４を接続し、ＦＥＴ１１のドレインから第１の端子２１を導出し、ＦＥＴ１１のソースから第２の端子２２を導出し、接地ライン１２から第３の端子２３を導出するように構成する。 - 特許庁

This impact detecting device 1 is equipped with: an acceleration sensor element 11, a capacitor 20 for step integration, an operational amplifier 18, a recording circuit 6, and an FET 22 for electric charge resetting.例文帳に追加

衝撃検出装置１は、加速度センサ素子１１、階段積分用コンデンサ２０、オペアンプ１８、記録回路６、および電荷リセット用ＦＥＴ２２を備える。 - 特許庁

To provide a power supply control circuit capable of avoiding overheating of FET for thermal breakdown by using a temperature sensor instead of a source resistor.例文帳に追加

ソース抵抗を用いず、温度センサを用いることにより、ＦＥＴが過熱して熱破壊することのない電源供給制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical sensor using an FET which does not increase the planar surface area of a gate electrode and effectively improves detection sensitivity.例文帳に追加

ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。 - 特許庁

To grow a carbon nanotube (CNT) on a specific position of a substrate to dispense with re-arrangement, to prevent the degradation of CNT characteristics and to facilitate the formation of an electronic device, such as a single or high integration CNT-FET, a fuel cell, a sensor or the like without the rearrangement.例文帳に追加

カーボンナノチューブ（CNT）を基板上の特定の位置に成長させ、再配置を不要にしてCNT特性の劣化を防止し、かつ再配置することなしに単体あるいは高集積化CNT-FETなどの電子デバイス、燃料電池、センサーなどの作成を容易にする。 - 特許庁

To provide a small-sized sensor of low power and high precision by increasing the capturing quantity of electric charge produced by the FET effect of ions, pH or a biomolecule and increasing the change rate of the current flowing through the channel of FET by accompanying a change in the quantity of the captured electric charge quantity.例文帳に追加

イオン、ＰＨ又は生体分子のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量を大きくし、捕獲した電荷量の変化に伴いＦＥＴのチャネルに流れる電流の変化率を増大することにより、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを提供する。 - 特許庁

An N channel junction type FET (Field-Effect Transistor) 133 is disposed between a power supply input terminal 111 and a sensor output terminal 113, and a gate of the N channel junction type FET 133 is connected to the node between of a bias resistor R_5 and a second ground terminal 112.例文帳に追加

電源入力端子１１１とセンサ出力端子１１３との間にＮチャンネル接合形ＦＥＴ１３３が設けられ、バイアス抵抗Ｒ_５と第２接地端子１１２との接続点にＮチャンネル接合形ＦＥＴ１３３のゲートが接続される。 - 特許庁

Since the current flows in the sensitive electrode 31 itself having the need for heating, the sensitive electrode 31 becomes a heating element, whereby the FET-type gas sensor can be heated most efficiently.例文帳に追加

加熱が必要な感応電極３１自体に電流を流すことで感応電極３１が発熱体となるので、最も効率よくＦＥＴ型ガスセンサを加熱できる。 - 特許庁

Since both of the FET 36 and the MR sensor 38 are coplanarly mounted on the circuit board 34, the electric motor 10 is miniaturized.例文帳に追加

このように、ＦＥＴ３６とＭＲセンサ３８との双方を回路基板３４の同一面上に実装することにより、電動モータ１０の小型化を達成することが可能となる。 - 特許庁

Furthermore, the protective FET 6 connects an input circuit 7, which switches on or switches off the protective FET6 with a signal from the temperature sensor 5 and the voltage of the battery, to its input side.例文帳に追加

さらに、保護ＦＥＴ６は、入力側に、温度センサ５からの信号と電池電圧で保護ＦＥＴ６をオンオフに切り換える入力回路７を接続している。 - 特許庁

In the case the abnormality of the sensor occurs, a large value of the spectral power is observed in a frequency band lower than a specific frequency of the spectrum obtained using an FET.例文帳に追加

センサに異常が発生しているときは、ＦＦＴにより得られるスペクトルのある周波数より低周波の領域で、そのスペクトルパワーが高い値を示すようになる。 - 特許庁

An example of a photoelectric image sensor is provided with a conductive frame to be biased arranged adjacently to an electron emission plate grounded through a reset FET.例文帳に追加

１つの例示的な光電イメージセンサは、リセットＦＥＴによって接地される電子放出プレートに隣接して配置される、バイアスをかけられる導電性フレームを備える。 - 特許庁

To provide an FET base sensor for ion material detection having high sensitivity, a detection device of the ion material equipped therewith, and a detection method of the ion material utilizing it.例文帳に追加

高感度のイオン物質検出用のＦＥＴ基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法を提供する。 - 特許庁

After charging the capacitor 40 by a charge circuit 60, a microcomputer 70 detects short circuit failure or open circuit failure of the power supply relay 30 based on a voltage detected by the voltage sensor 50 while performing on/off control of the first FET 31 and the second FET 32.例文帳に追加

マイコン７０は、チャージ回路６０によりコンデンサ４０に電荷をチャージした後、第１ＦＥＴ３１および第２ＦＥＴ３２をオンまたはオフに制御しつつ電圧センサ５０により検出した電圧に基づき電源リレー３０の短絡故障または断線故障を検出する。 - 特許庁

While a PWM-controlled FET switching three-phase motor 26 is operated at a mechanical damping mode, the current in the motor 26 is measured by using the signal current sensor 32.例文帳に追加

ＰＷＭ制御されたＦＥＴ切換三相モータ（２６）が機械的ダンピングモードで動作される間、モータ（２６）における電流が単一の電流センサ（３２）を用いて測定される。 - 特許庁

A pyroelectric infrared sensor element, FET, resistor for coping with high frequency noise, and capacitor are connected with a through hole from the upper layer base on which they are mounted to a lower layer base 8.例文帳に追加

焦電型赤外線センサ素子、ＦＥＴ、抵抗、高周波ノイズ対策用の抵抗、コンデンサが、搭載された上層ベースより、スルーホールにて下層ベース８まで接続されている。 - 特許庁

The head substrate equipped with a diode sensor for detecting the temperature is provided with a latch circuit composed of an FET and capacitor for latching head temperature data detected by the diode sensor with a latch signal used for the latch of a recording data signal.例文帳に追加

温度を検知するダイオードセンサとを備えたヘッド基板に、そのダイオードセンサにより検知されたヘッド温度データを記録データ信号のラッチに用いられるラッチ信号によってラッチする、ＦＥＴとコンデンサとにより構成されたラッチ回路を備える。 - 特許庁

In a cell measuring apparatus 1 provided with an FET sensor 2, an accommodating cavity 21 which accommodates a cell 15 provided on a measuring section 20 on which cells 15 immersed in a solution are mounted.例文帳に追加

ＦＥＴセンサ２を備えた細胞測定装置１において、溶液に浸した細胞１５を載置する測定部２０に前記細胞１５を収容する収容凹部２１が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a p-channel field effect transistor for improving the sensitivity of enzyme by directly immobilizing the enzyme on an FET channel surface (diamond surface), and to provide a sensor using the p-channel field effect transistor.例文帳に追加

酵素をＦＥＴチャンネル表面（ダイヤモンド表面）に直接固定することにより、酵素の感応性を向上させることができるｐチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which a bias applied to a field effect transistor (FET) device is controlled according to the temperature measured by a temperature sensor, capable of suppressing an increase of a chip size caused by the existence of a monitor region.例文帳に追加

温度センサによつて測定される温度に基づいてＦＥＴデバイスに与えるバイアスが制御される装置において、モニタ領域に起因するチップサイズの増大を抑制した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DNA probe immobilization method capable of keeping both of the optimum hybridization efficiency and the good shielding effect of the surface of a gold electrode, and also to provide a DNA fixing FET sensor which is manufactured using the DNA probe immobilization method.例文帳に追加

最適なハイブリダイゼーション効率と金電極表面の良好なシールド効果を共に維持できるＤＮＡプローブ固定化法、及びその方法を用いて作製したＤＮＡ固定化ＦＥＴセンサを提供する。 - 特許庁

An FET 36 for supplying drive power to a motor body 22, and an MR sensor 38 for detecting a rotating state of an output shaft 17, are mounted on an upper face 34a of the circuit board 34.例文帳に追加

回路基板３４の上面３４ａには、モータ本体２２に駆動電力を供給するＦＥＴ３６が実装されるとともに、出力軸１７の回転状態を検出するＭＲセンサ３８が実装されている。 - 特許庁

In the case that a large current larger than the second overcurrent reference value flows in first prescribed time by a 1 msec timer circuit, an FET QA with a built-in temperature sensor is immediately OFF-controlled by overcurrent interruption control.例文帳に追加

１ｍｓｅｃタイマ回路による第１所定時間において第２過電流基準値より大きい大電流が流れた場合は過電流遮断制御によって即時に温度センサ内蔵ＦＥＴ・ＱＡをオフ制御する。 - 特許庁

A current limiter resistance 5 is connected between the heater, which is installed in line with the detecting element 2 of the threshold current oxygen sensor 1, and the power source line, and a power MOS-FET 6 is connected between the heater 3 and a grounding line.例文帳に追加

限界電流式酸素センサ１の検出素子２に添設されたヒータ３と電源ラインとの間には、電流制限抵抗５が接続され、ヒータ３と接地ラインとの間には、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ６が接続されている。 - 特許庁

A temperature sensor 27 is fixed to an outer surface of the secondary battery main body 20, when the temperature sensor 27 detects a high temperature ≥60°C and a voltage of the secondary battery main body 20 is detected to be ≥4.1 V, an FET of a discharge circuit is turned on to suppress battery voltage below a decomposition voltage of electrolyte.例文帳に追加

二次電池本体２０の外表面には温度センサー２７が固定され、温度センサー２７が６０℃以上の高温度を検知し、かつ、二次電池本体２０の電圧が４．１Ｖ以上であることを検知した場合には放電回路のＦＥＴがオンされて電池電圧が電解液の分解電圧以下に抑えられる。 - 特許庁

In this case, the third stage A amplifier 31 is provided with: a FET 32; a resistor Rd for measuring a drain current Vdsdc; a temperature sensor 34; an arithmetic amplifier 33 for controlling a gate voltage Vgs; and capacitors C1 and C2.例文帳に追加

ここで、第３段Ａ増幅器３１には、ＦＥＴ３２と、ドレイン電流Ｖｄｓｄｃを測定するための抵抗Ｒｄと、温度センサ３４と、ゲート電圧Ｖｇｓを制御するための演算増幅器３３と、コンデンサＣ１，Ｃ２と、を有している。 - 特許庁

To provide the running controller of a motor driven vehicle, which even if a current sensor which detects a motor current fails, can avoid FET overcurrent and a motor overcurrent and keep running without making the control complicated.例文帳に追加

モータ電流を検出する電流センサの故障が発生した場合でも、制御を複雑にすることなく、ＦＥＴ過電流やモータ過電流が流れるのを防止でき、かつ走行を継続することができる電動車両の走行制御装置を提供する。 - 特許庁

This layer short circuit detector is provided as an internal structure with a current sensor 13 for detecting a current flowing into an electrical circuit for automobile, a determining unit 16 for determining as to whether the current detected with a current sensor 13 is in the layer short circuit condition and a FET 14 for cutting off the electrical circuit when the determining unit 16 determines the layer short circuit condition.例文帳に追加

レアショート検出器Ｆは、自動車用電気回路に流れる電流を検出する電流センサ１３と、電流センサ１３にて検出した電流がレアショートであるか否かを判断する判断部１６と、判断部１６がレアショートと判断した際に、電気回路を遮断するＦＥＴ１４とを内部構成として設ける。 - 特許庁

The pyroelectric type infrared detector has on a base a pyroelectric type infrared sensor element 1, a FET 2, a resistor 3, a resistor for coping with high frequency noise, and a capacitor 4, and performs electrical connection using conductive adhesive resistant to a re-flow temperature of about 260°C and solder.例文帳に追加

焦電型赤外線検出器は、焦電型赤外線センサ素子１、ＦＥＴ２、抵抗３、高周波ノイズ対策用の抵抗、コンデンサ４が、ベース上に搭載され、約２６０℃のリフロー温度に耐え得る導電性接着剤、及び、はんだにて電気的接続を行っている。 - 特許庁

A discharge current based on charging voltage of the condenser 120 flows at each resistant 110a, 110b, 10c and FET 130, when applied voltage of DC voltage from a battery B for a control device Ea to an ignition switch IG is momentary stopped while the pulse signal from a speed sensor S is at a high level.例文帳に追加

制御装置ＥａへのバッテリＢからイグニッションスイッチＩＧを介する直流電圧の印加が、スピードセンサＳからのパルス信号のハイレベル中に瞬断されたとき、コンデンサ１２０の充電電圧に基づく放電電流が各抵抗１１０ａ、１１０ｂ、１０ｃ及びＦＥＴ１３０に流れる。 - 特許庁