「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(386ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic EL element 20 has a laminated structure of an anode (first electrode) 22, an organic EL layer 23 containing a light-emitting layer, and a cathode (second electrode) 24, and prepares an uneven structure section 24b for expanding a heat-radiating area on the surface side of the cathode 24 opposite to a light-emitting layer side rather than when the surface is set up to be a plane.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０は、陽極（第１の電極）２２と発光層を含む有機ＥＬ層２３と陰極（第２の電極）２４との積層構造を有しており、陰極２４において発光層側とは反対の表面側に、当該表面を平面とするときよりも放熱面積を拡大させる凹凸構造部２４ｂを設けてある。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

The heat dissipation layer 12 is formed on the insulating substrate 11 and includes a first layer 16 having a graphene structure whose vertical direction to the surface 11a of the insulating substrate 11 is c axis and a second layer 17 whose lengthwise direction is oriented in a direction vertical to the surface 11a of the insulating substrate 11, having a nano-tube shape.例文帳に追加

放熱層１２は、絶縁性の基板１１上に形成され、絶縁性の基板１１の表面１１ａに垂直な方向がｃ軸であるグラフェン構造を有する第１の層１６と、絶縁性の基板１１の表面１１ａに垂直な方向に長さ方向が配向したナノチューブ形状を有する第２の層１７とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic apparatus comprises the first step of forming the relief plate 20 having a convex 22, the second step of forming a liquid layer on the convex 22, the third step of exposing part of the upper surface of the convex 22 by removing part of the liquid layer, and the fourth step of transferring the liquid layer 30 to a substrate 40.例文帳に追加

本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 - 特許庁

The camouflage processed sheet 1 is obtained by providing at least a first laminate layer 4 containing color pigment and a second laminate layer 5, both of which have omitted parts formed thereto by a foaming extrusion laminating method, on at least the single surface of a base material sheet wherin a polyolefin layer 3 is provided on at least the single surface of a textile fabric 2 comprising polyolefin stretched yarn.例文帳に追加

ポリオレフィン延伸糸からなる織編布２の少なくとも片面にポリオレフィン層３を設けた基材シートの少なくとも片面に発泡押出ラミネート法により欠損部を形成してなる少なくとも１層の着色顔料を含有する第１ラミネート層４および第２ラミネート層５を設けた迷彩加工シート１である。 - 特許庁

In a structure of the recordable optical recording medium, (1) a recording layer comprises two layers, the first recording layer in the side of a substrate comprises an alloy containing one element selected from In, O, Ni, Mn, and Mo, and the second recording layer comprises an alloy containing one element selected from Se and/or Te, O, Ti, Pd, and Zr.例文帳に追加

（１）記録層が二層から成り、基板側の第一の記録層が、Ｉｎ、Ｏ（酸素）、及びＮｉ、Ｍｎ、Ｍｏの中から選ばれた一つの元素を含む合金から成り、第二の記録層が、Ｓｅ及び／又はＴｅ元素、Ｏ（酸素）、及びＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれた一つの元素を含む合金から成る追記型光記録媒体。 - 特許庁

The magnetic layer of the vertical magnetic recording medium is constituted of a first magnetic layer 14 of a CoCr-based alloy, in a granular structure for which a nonmagnetic grain boundary is composed of a metal oxide or nitride, and a second magnetic layer 15 of the CoCr-based alloy in a non-granular structure for which the nonmagnetic grain boundary does not contain the metal oxide or nitride.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の磁性層を、非磁性粒界が金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第１の磁性層１４と、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を含有しない非グラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第２の磁性層１５で構成することとした。 - 特許庁

In a typical embodiment, the semiconductor structure includes: a quaternary material layer using a BAlGaN material system with a first conductivity type formed approximately without phase separation; a quaternary material active layer using a BAlGaN material system approximately without phase separation, and another quaternary material layer using a BAlGaN material system with a reverse conductivity type formed approximately without phase separation.例文帳に追加

典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 - 特許庁

The magnetic layer of the perpendicular magnetic recording medium is constituted of a first magnetic layer 14 of a CoCr based alloy which has a granular structure and whose non-magnetic grain boundary consists of metal oxides or nitrides and a second magnetic layer 15 of a CoCr based alloy which has a non-granular structure and whose non-magnetic grain boundary does not contain metal oxides nor nitride.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の磁性層を、非磁性粒界が金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第１の磁性層１４と、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を含有しない非グラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第２の磁性層１５で構成することとした。 - 特許庁

In a process of forming a positive electrode 4, a conductive paste containing first conductive particles 4a not reacting with phosphors constituting a phosphor layer 5 and second conductive particles 4b having hardness of penetrating an oxide layer of wiring 2 by printing pressure is printed on an insulating layer 3 including an opening 3a in a given pattern, and then is baked.例文帳に追加

陽極４を形成する工程において、蛍光体層５を構成する蛍光体と反応しない第１の導電性粒子４ａと、印刷圧力により配線２の酸化被膜を貫く硬度を有する第２の導電性粒子４ｂとを含む導電性ペーストを開口部３ａを含む絶縁層３上に所定パターンで印刷した後、焼成する。 - 特許庁

A buffer layer 3 shown by AlbGa1-bN (0≤b≤1) is formed on a nitride semiconductor substrate 1, a first nitride semiconductor layer shown by AleGa1-eN (0≤e<1) is formed on it, and then a second nitride semiconductor layer 5 is grown by a method for reducing dislocation by utilizing the lateral growth of the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体基板１上に、Ａｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層３を形成し、その上に、Ａｌ_eＧａ_1-eＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層４を形成した後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第２の窒化物半導体層５を成長させる。 - 特許庁

The liquid ejection head comprises a diaphragm part for ejecting ink through resilient deformation, and an island part for deforming the diaphragm part resiliently wherein the diaphragm part comprises a gas shield layer for preventing the components in the liquid from permeating the diaphragm part, and a first adhesive layer provided between the island part and the gas shield layer in order to bond them.例文帳に追加

弾性変形することによりインクを吐出させるダイアフラム部と、ダイアフラム部を弾性変形させるアイランド部とを備える液体噴射ヘッドであって、ダイアフラム部は、液体中の成分がダイアフラム部を透過することを防ぐ遮気層と、アイランド部と遮気層との間に設けられ、アイランド部と遮気層とを接着する第１接着層とを有する。 - 特許庁

A lower electrode film 12 in the 2-layer structure of Ru/Cr, a piezoelectric film 13 of AlN and an upper electrode film 14 of Ru are formed on a substrate 11, and a first adjustment layer 15 of Ti having a second adjustment layer 16 of SiO_2 thereon is formed in an area facing the lower electrode film 12 on the upper electrode film 14.例文帳に追加

基板１１上に、Ｒｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜１２、ＡｌＮの圧電膜１３、およびＲｕの上部電極膜１４を備えており、さらに上部電極膜１４上の下部電極膜１２と対向する領域には、ＳｉＯ_２の第２の調整層１６をその上に有するＴｉの第１の調整層１５が設けられている。 - 特許庁

Further, as the reference electrode 42 is covered by a reference gas introduction layer 48, which is a porous body, heat conduction from the heater 72 to the reference electrode 42 via the reference gas introduction layer 48 is less than heat conduction from the heater 72 to the measuring electrode 42 via the first solid electrolyte layer 4, on which the reference electrode 42 is directly formed.例文帳に追加

また、基準電極４２が多孔体である基準ガス導入層４８に覆われているため、基準電極４２が直に形成された第１固体電解質層４を介してのヒータ７２から基準電極４２への熱伝導と比べて、基準ガス導入層４８を介してのヒータ７２から基準電極４２への熱伝導は少ない。 - 特許庁

The exterior material 21 is formed by a coextrusion film forming method of laminating a first layer made of an olefinic resin, a second layer made of a resin composition including a barrier property resin as a main resin consisting of an ethylene-vinyl copolymer or MXD nylon, further including an olefinic resin, a rubber-like resin and compatibilizing additives, and a third layer made of an olefinic resin.例文帳に追加

外装材２１は、オレフィン系樹脂からなる第１層と、エチレン−ビニル共重合体又はＭＸＤナイロンからなるバリア性樹脂をメイン樹脂として含み、さらにオレフィン系樹脂、ゴム状樹脂及び相溶化剤を含む樹脂組成物からなる第２層と、オレフィン系樹脂からなる第３層を共押出成膜法により積層してなるものである。 - 特許庁

In the optical recording medium capable of performing recording/reproduction by irradiation of a laser, a thin film (a first layer) consisting essentially of In is formed on a laser irradiation side, then a thin film (a second layer) consisting essentially of Ge and Te is formed and a gas consisting of Ar and CxHy is introduced into the second layer.例文帳に追加

レーザによる照射により記録・再生できる光記録媒体において、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であり、該第２層にＡｒとＣｘＨｙからなるガスが導入されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the optical information recording layer L0 the nearest to incident surface side of the laser beam, a first dielectric layer 12, a recording film 13 in which information is recorded, a second dielectric layer 14, and a reflection film 15 reflecting the incident laser beam to the incident surface side are sequentially laminated and disposed from the incident surface side of the laser beam.例文帳に追加

レーザ光の入射面側に最も近い光学的情報記録層Ｌ０は、レーザ光の入射面側から第１の誘電体層１２、情報が記録される記録膜１３、第２の誘電体層１４、入射される前記レーザ光を前記入射面側に反射する反射膜１５の順に積層されて配置される。 - 特許庁

The user measures a impedance of the coil, then selects any of first and second relations according to the presence or absence of the nitride layer, obtains a thickness of a non-carburizing layer from the selected relation and the impedance of the coil, subtracts the thickness from an original thickness of the tube, thereby obtaining a thickness of the carburizing layer (S3 to S5).例文帳に追加

そして、ユーザは、浸炭層検出用コイルのインピーダンスを測定した後、窒化層の有無に従って第１の関係あるいは第２の関係のいずれかを選択し、選択した関係と浸炭層検出用コイルのインピーダンスとから非浸炭層の厚さを求め、輻射管の本来の厚さから差し引き、浸炭層の厚さを求める（Ｓ３〜Ｓ５）。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode catalyst layer for the fuel cell includes (a) a process for forming the electrode catalyst layer which does not contain a solvent, on a support, and (b) a process for placing the electrode catalyst layer formed on the support in a first environment at 0°C or less and then placing in a second environment of 20°C or higher in order.例文帳に追加

燃料電池のための電極触媒層の製造方法は、（ａ）支持体上に設けられ、溶媒を含まない電極触媒層を準備する工程と、（ｂ）発電に使用される前に、支持体上に設けられた電極触媒層を、０℃以下の第１の環境と、２０℃以上の第２の環境と、に順次置く工程と、を備える。 - 特許庁

The second conductive layer 400 includes second and third lands 440, 450, is extended from the direction of the second land 440 and is electrically connected to a first region 252 in the lower semiconductor layer 250, and is extended from the direction of the third land 450 and is electrically connected to a second region 254 in the lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

第２の導電層４００は、第２及び第３のランド４４０，４５０を含み、第２のランド４４０の方向から延出して下部半導体層２５０の第１の領域２５２と電気的に接続され、かつ第３のランド４５０の方向から延出して下部半導体層２５０の第２の領域２５４と電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, a second coating liquid essentially including an organic silicon compound where hollow silica fine particles having an average particle size not less than an average particle size of the tin oxide composite fine particles are dispersed, is applied onto the first high-refractive index layer by spin coating process, and a low-refractive index layer is formed on the high-refractive index layer by heat treatment.例文帳に追加

次いで第１の高屈折率層上に酸化スズ系複合微粒子の平均粒径よりも小さくない平均粒径の中空シリカ微粒子を分散させた有機ケイ素化合物を主成分とする第２の塗布液をスピンコ−ト法にて塗布し加熱処理をして前記高屈折率層の上層に低屈折率層を形成する。 - 特許庁

The organic EL display 1 includes a transparent substrate 10, a first electrode pattern 14, an insulating pattern 16 formed with an inorganic material, a separator 18, an organic EL layer 20, a second electrode pattern 22, a protective layer 24 formed with an inorganic material, a resin layer 26, a protective member 28, a semiconductor chip 30 and a flexible print circuit board 32.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１は、透明基板１０と、第１電極パターン１４と、無機材料によって構成された絶縁パターン１６と、分離体１８と、有機ＥＬ層２０と、第２電極パターン２２と、無機材料によって構成された保護層２４と、樹脂層２６と、保護部材２８と、半導体チップ３０と、フレキシブルプリント回路基板３２とを備える。 - 特許庁

A second clad layer having a refractive index smaller than that of a core is formed between the core and a first clad layer, and an optical waveguide element 51 is manufactured by forming a parallel optical waveguide 47 wherein a diffraction grating 52 is provided in the light incident end surface side of the second clad layer, a tapered optical waveguide 48 connected to it and a parallel optical waveguide 49 connected to it.例文帳に追加

コアと第一クラッド層の間にコアより屈折率が小さい第２クラッド層を形成し、第２クラッド層の光入射端面側に回折格子52を設けた平行光導波路47と、これに連続してテーパ状の光導波路48と、これに連続した平行光導波路49とを形成して光導波路素子51を作製する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic photoelectric conversion element 10 having the photoelectric conversion layer 14 between a first electrode and a second electrode, a step of forming the photoelectric conversion layer includes a step in which a solution for photoelectric conversion layer formation is jetted from a plurality of nozzles of an inkjet device.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極の間に光電変換層１４を有する有機光電変換素子１０の製造方法において、前記光電変換層の形成工程がインクジェット装置の複数のノズルから光電変換層形成の溶液が射出される工程を含むことを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The thin film AC-driven electroluminescence element 10 comprises at least one dielectric layer 18 and a luminous layer 20 on a conductive substrate 12, the luminous layer containing a continuous phase consisting of a first semiconductor and particulates of a second semiconductor having an average particulate size of 10 nm or smaller.例文帳に追加

導電性基板１２上に少なくとも一つの誘電体層１８と発光層２０とを有する薄膜型交流駆動エレクトロルミネッセンス素子１０において、前記発光層が、第一の半導体からなる連続相と、平均粒子サイズが１０ｎｍ以下の第二の半導体の微粒子とを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which has two recording layers and can obtain excellent recording characteristics even when recording from the light incidence side on the second recording layer by using the equivalent recording power as on the first recording layer and that can obtain sufficient reflectivity even on the second recording layer.例文帳に追加

２層の記録層を備える光記録媒体であって、光入射側から見て２層目の記録層に対して１層目の記録層と同等の記録パワーで記録を行った場合であっても良好な記録特性を得ることができ、しかも２層目の記録層において十分な反射率を得ることが可能な光記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The light emitting device has: a semiconductor laser element which includes at least a substrate, a first conductivity type clad layer, an active layer, a second conductivity type clad layer in this order; and a phosphor which absorbs laser light emitted by the semiconductor laser element and radiates fluorescence, the semiconductor laser element being a self-excited laser element.例文帳に追加

少なくとも基板と、第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを、少なくともこの順に備えている半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が発するレーザ光を吸収して蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、半導体レーザ素子が自励発振レーザ素子であることを特徴とする、発光装置。 - 特許庁

A vertical magnetic layer 5 is formed by laminating a number of first magnetic layers 5a of Co containing Co or an oxide and a number of second magnetic layers 5b of Pt and Pd containing Pt and Pd or an oxide and the vertical magnetic layer is provided on a non-magnetic substrate 1 via a Ru base layer 4 containing oxygen.例文帳に追加

【解決手段】 Ｃｏまたは酸化物を含有するＣｏの第１の磁性層５ａと、Ｐｔ，Ｐｄ、または酸化物を含有するＰｔ，Ｐｄの第２の磁性層５ｂとを多数積層して垂直磁性層５を構成し、この垂直磁性層を酸素を含有するＲｕ下地層４を介して非磁性基板１上に設けることとした。 - 特許庁

A second MOSFET comprises a second n-type gate electrode 15A formed on a second gate insulating film 14 of a relatively thick film while a first lightly-doped layer 19 and second lightly-doped layer 22, which are different in impurity concentration from each other, are provided on the channel region side of a second heavily-doped layer 25.例文帳に追加

第２のＭＯＳＦＥＴは、相対的に大きい膜厚を持つ第２のゲート絶縁膜１４の上に形成された第２のｎ型ゲート電極１５Ａを有すると共に、第２の高濃度不純物層２５のチャネル領域側に、不純物濃度が異なる第１の低濃度不純物層１９及び第２の低濃度不純物層２２を有している。 - 特許庁

In this magnetic recording medium having the magnetic layer containing at least ferromagnetic powder and a bonding agent on one surface of a substrate and a back layer on another surface of the substrate, the back layer contains a reformed carbonaceous granular substance obtained by treating the surface of a carbonaceous granular substance with fluorine containing gas at first, then with steam containing gas.例文帳に追加

支持体上の一面に少なくとも強磁性粉末と結合剤を含む磁性層を有し、他面にバック層を有する磁気記録媒体において、前記バック層が、炭素質粉粒体の表面をフッ素含有ガスで処理を施した後、水蒸気含有ガスで処理してなる改質炭素質粉粒体を含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

In this layered structure, a first soft magnetic layer 13 relatively high in saturation magnetic flux density is arranged at the main magnetic pole side, a second soft magnetic layer 14 relatively low in saturation magnetic flux density is arranged on it, and a third soft magnetic layer 12 relatively high in saturation magnetic flux density is arranged further on it.例文帳に追加

磁気シールド１５は、飽和磁束密度の異なる複数の軟磁性層の積層構成からなり、主磁極側に相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３が配置され、その上に相対的に低い飽和磁束密の第２軟磁性層１４が配置され、更にその上に相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層１２が配置される。 - 特許庁

In a structure in which a second conductor 21 is brought into contact with the semiconductor layer 51 laminated further on an insulating layer 31 laminated on a first conductor 11, the carriers whose polarities are different each other are injected after a fixed time, thus efficiently injecting the carriers, having the different polarity, into the semiconductor layer 51.例文帳に追加

第１の導体１１上に積層した絶縁層３１の上にさらに積層された半導体層５１に対して第２の導体２１が接触する構造において、極性の互いに異なるキャリアを一定時間をおいて注入するように構成して、半導体層５１に極性の異なるキャリアを効率よく注入できるようにした。 - 特許庁

The first method includes the steps of: (1) forming a dielectric layer including a trench on a substrate; and (2) forming a cladding region in the dielectric layer by forming a plurality of air gaps in the dielectric layer along at least one of a sidewall and a bottom of the trench so as to reduce an effective dielectric constant of the dielectric.例文帳に追加

第１の方法は、（１）基板上のトレンチを含む誘電体層を形成するステップと、（２）誘電体の実効誘電率を減少させるために、トレンチの側壁および底部のうちの少なくとも一方に沿って、誘電体層内に複数の空隙を形成することにより、誘電体層内にクラッディング領域を形成するステップとを含む。 - 特許庁

An insulating layer 4 is formed on a first wiring pattern 3 of a printed wiring board 2 by the resin composition and the surface of the insulating layer 4 is chemically treated thereby removing the inorganic filler to form unevenness on the surface followed by electroless plating thereby forming a conductor layer (a second wiring pattern 5) to give a multilayered printed wiring board 1.例文帳に追加

また、プリント配線基板２の第１の配線パターン３上に上記樹脂組成物によって絶縁層４を形成し、この絶縁層４の表面を化学的に処理して無機フィラーを除去して表面に凹凸を形成した後に、無電解めっきを施すことによって導体層（第２の配線パターン５）を形成して多層配線基板１とした。 - 特許庁

In a skin 10 consisting of two layers comprising a powder slush molded product covering the surface of a foam, a first layer 11 becoming an outer layer comprises a thermoplastic polyurethane resin containing an isocyanate component being an aliphatic or acyclic isocyanate and a second layer 13 becoming a foam side comprises a thermoplastic polyurethane resin containing an isocyanate component being an aromatic isocyanate.例文帳に追加

発泡体の表面を覆うパウダースラッシュ成形品からなる二層の表皮１０であって、外側となる第一層１１がイソシアネート成分を脂肪族または脂環式イソシアネートとする熱可塑性ポリウレタン樹脂からなり、発泡体側となる第二層１３がイソシアネート成分を芳香族イソシアネートとする熱可塑性ポリウレタン樹脂からなる。 - 特許庁

Or else, this optical probe is characterized in that a first metallic coat layer is formed on a core part on its end, further, a medium layer containing an infrared inactive medium is formed so that the diameter thereof increases toward the end, and then decreases toward the end, and a second metallic coat layer is formed on at least a part of a domain where the diameter decreases.例文帳に追加

さらに、先端のコア部に第１の金属コート層が形成され、さらに、赤外不活媒質を含有する媒質層が、先端に向かって拡径した後さらに先端に向かって縮径するように形成され、前記縮径する領域の少なくとも一部に第２の金属コート層が形成されていることを特徴とする近接場光プローブである。 - 特許庁

In the magnetic head having a first ferromagnetic layer/nonmagnetic intermediate layer/second ferromagnetic layer formed on a substrate, and a pair of electrodes provided in the direction of the film thickness of a laminated film, crystal grains of at least a part of the layers of the laminated film are tilted in a prescribed direction, with respect to the normal direction.例文帳に追加

基体上に形成された第１の強磁性層／非磁性中間層／第２の強磁性層と、前記積層膜の膜厚方向に設けられた一対の電極とを有する磁気ヘッドにおいて、前記積層膜の少なくとも一部の層の結晶粒が、前記基体の法線方向に対して所定の方向に傾斜していることを特徴とする。 - 特許庁

In this method for fabricating a semiconductor device/having a vertical stack gate structure of floating gate and control gate, doped polysilicon films 2, 3 formed in the second step is utilized for forming the floating gate, the thickness of the first layer is set at 10 nm or less and hemispherical crystal grains 4 are generated in the surface layer of the second layer doped polysilicon.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートを縦に積み上げて構成したスタックゲート構造を備えてなる半導体デバイスの製造方法において、前記フローティングゲートを形成するポリシリコンに、２段階で成膜したドープトポリシリコン膜２，３を用い、１層目の膜厚を１０ｎｍ以下にし、２層目のドープトポリシリコンの表層に半球状の結晶粒４を発生させる。 - 特許庁

A first oxide layer 2 based on an oxide high in the reactivity with the active component is formed on the surface of the carrier substrate 1 and a second oxide layer 3 based on an oxide low in the reactivity with the active component is formed on the surface thereof and a catalyst layer 4 supporting at least a noble metal and the active component is formed on the surface thereof.例文帳に追加

活性成分との反応性の高い酸化物を主とする第１酸化物層２を担体基材１の表面に形成し、その表面に活性成分との反応性の低い酸化物を主とする第２酸化物層３を形成し、その表面に少なくとも貴金属と活性成分とを担持した触媒層４を形成した。 - 特許庁

The liquid crystal display device 40 has a first substrate 43 prepared by laminating a TFT circuit layer 1, insulating layer 2, pixel electrode 3 and alignment film 10 in this order on a transparent substrate 4, and a second substrate 44 prepared by laminating a color filter layer 5, spacer 19, counter electrode 6 and alignment film 11 in this order on a transparent substrate 7.例文帳に追加

液晶表示装置４０は、透明基板４上にＴＦＴ回路層１、絶縁層２、絵素電極３および配向膜１０をこの順に積層した第１基板４３と、透明基板７上に、カラーフィルタ層５、スペーサ１９、対向電極６および配向膜１１をこの順に積層した第２基板４４とを有する。 - 特許庁

The image recording method is characterized by including a first process for recording a lustrous image layer on a medium to be recorded with a lustrous ink composition including a metal pigment, and a second process in which a finishing layer is recorded on the lustrous image layer with a black ink composition including a black pigment to decrease brightness of the lustrous image.例文帳に追加

被記録媒体上に金属顔料を含む光輝性インク組成物で光輝画像層を記録する第一の工程と、前記光輝画像層上に黒色顔料を含む黒色インク組成物で仕上げ層を記録することによって前記光輝画像の明度を低下させる第二の工程と、を有することを特徴とする画像記録方法。 - 特許庁

A transparent electrode 12 and an auxiliary electrode 13, of a prescribed pattern installed on the surface of the transparent electrode, are formed on a transparent glass substrate 11, a first insulating layer 16 and a second insulating layer 17 to cover the auxiliary electrode 13 are formed in a lamination structure, and an organic EL layer 18 is formed over the transparent electrode 12.例文帳に追加

透明ガラス基板１１上において、透明電極１２および該透明電極１２表面に配設された所定パターンの補助電極１３が形成され、該補助電極１３を被覆する第１の絶縁層１６および第２の絶縁層１７が積層構造に形成され、透明電極１２上に有機ＥＬ層１８が形成される。 - 特許庁

To provide a polishing composition capable of keeping high flatness of a metal surface polished by chemical mechanical polishing (CMP) and a polishing composition for two-stage polishing achieving high polishing speed ratio between the copper layer in the first stage polishing and the barrier layer in the second stage polishing to enable the selective polishing of the copper layer.例文帳に追加

ＣＭＰによる研磨後の金属表面の平坦性を高度に保持することができる研磨組成物、さらには高度の表面平坦性を与え、しかも２段研磨において、第１段研磨における銅層と第２段研磨におけるバリア層との研磨速度の比が高く、銅層を選択的に研磨することのできる研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

The pattern forming method includes steps 201 and 202 of forming a chemically amplified resist layer on a semiconductor substrate; a step 203 of patternwise exposing the chemically amplified resist layer; a step 204 of heating the chemically amplified resist layer after the exposure; a first developing step 205 in which alkali concentration is high; and a second developing step 206 in which alkali concentration is low.例文帳に追加

半導体基板上に化学増幅型レジスト層を形成する工程２０１、２０２と、化学増幅型レジスト層をパターン露光する工程２０３と、露光処理後に化学増幅型レジスト層を加熱する工程２０４と、アルカリ濃度の高い第一現像処理工程２０５、その後アルカリ濃度の低い第二の現像処理工程２０６を含む。 - 特許庁