「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(385ページ目) - Weblio英語例文検索

The content of the elements other than Ni and having a Goldschmidt radius larger than Ni, in the Ni alloys forming the second seed layer is larger than the content of elements other than Ni and having Goldschmidt radius larger than Ni in the Ni alloys in the first seed layer.例文帳に追加

第２のシード層を形成するＮｉ合金中、Ｎｉ以外の元素でＮｉよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量は、第１のシード層中のＮｉ以外の元素でＮｉよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量より多い。 - 特許庁

A hardly soluble barium compound of 0.03-0.045 mol/L is contained in at least one of a first catalyst layer containing a compound oxide of cerium/zirconium and platinum-deposited aluminum oxide and a second catalyst layer containing rhodium-deposited zirconium dioxide and aluminum oxide.例文帳に追加

セリウム／ジルコニウム複合酸化物および白金担持酸化アルミニウムを含む第１触媒層と、ロジウム担持二酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムを含む第２触媒層との少なくとも一方に０．０３〜０．０４５ｍｏｌ／Ｌの難溶性バリウム化合物が含有されている。 - 特許庁

The optical member has a laminate structure including a first resin layer having positive intrinsic birefringence and a second resin layer containing a polymer having an α,β-unsaturated monomer unit having a complex aromatic group as a constitutional unit and negative intrinsic birefringence.例文帳に追加

固有複屈折が正である第１の樹脂層と、複素芳香族基を有するα,β−不飽和単量体単位を構成単位として有する重合体を含み、固有複屈折が負である第２の樹脂層とを含む積層構造を有する光学部材とする。 - 特許庁

This composite fabric contains a first cloth layer comprising intrinsically hydrophilic or made to hydrophilic polyester, acrylic or nylon raw material and a second cloth layer comprising cotton, made to hydrophilic synthetic yarn or their combination.例文帳に追加

複合布は、本来親水性であり、または親水性にされたポリエステル、アクリルまたはナイロン材料からなる第１の布層と、綿、親水性にされた合成糸またはこれらの組み合わせのような水分級吸収材料を組み込んだ第２の布層とを含む。 - 特許庁

First, a metal layer 22 with hydrogen permeability is prepared as a base material having an electrical conductivity when manufacturing the fuel cell, and subsequently an electrolyte membrane 21 formed by an electrolyte is formed on the metal layer 22 with hydrogen permeability.例文帳に追加

燃料電池を製造する際に、まず、燃料電池を構成するための導電性を有する基材として、水素透過性金属層２２を用意し、その後、水素透過性金属層２２上に、電解質によって形成される電解質膜２１を形成する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element having a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer held between a first electrode and a second electrode is characterized in that the photoelectric conversion layer contains particulates bonded to at least an organic semiconductor.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極に挟まれたバルクヘテロジャンクション型の光電変換層を有する有機光電変換素子において、前記光電変換層が、少なくとも有機物半導体と結合した微粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

Furthermore, between terminal electrodes 13a and 13b among first terminal electrodes, a capacity is formed through a dielectric layer 11, and between terminal electrodes 14a and 14b among second terminal electrodes, a capacity is formed through a dielectric layer 11.例文帳に追加

そして、第１の端子電極群のうち１３ａ、１３ｂの端子電極間で誘電体層１１を介して容量が形成され、かつ第２の端子電極群のうち１４ａ、１４ｂの端子電極間で誘電体層１１を介して容量が形成されている。 - 特許庁

The method for determining the quantity of cholesterol in the high specific gravity lipoprotein includes a first step for adding a sample onto a multilayer dry slide, where at least one layer contains phosphotungstic acid and another layer contains a high specific gravity lipoprotein selective surfactant.例文帳に追加

高比重リポタンパク質中のコレステロールの前記定量方法は、少なくとも１層がリンタングステン酸を含み、そして他の１層が高比重リポタンパク質選択性界面活性剤を含む多層乾式スライド上にサンプルを添加する最初のステップを含む。 - 特許庁

The first capacitor element 30a further includes a positive electrode 321 in contact with the positive layer 311 at the one side end part 310 in the axial direction and a negative electrode 322 in contact with the negative layer 312 at the other side end part 310 in the axial direction.例文帳に追加

第一コンデンサ素子３０ａは、軸方向端部３１０の一方において正極層３１１と接触する正極側電極部３２１と、他方の軸方向端部３１０において負極層３１２と接触する負極側電極部３２２とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by forming an I/O buffer circuit pattern 2 on a semiconductor substrate 4, forming a through hole 10 for connecting the I/O buffer circuit pattern and the pad to an interlayer insulating film, and forming a first layer pad 8 of a double structure of an n-th metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板４上にＩ／Ｏバッファ回路パターン２を形成し、層間絶縁膜にＩ／Ｏバッファ回路パターンとパッドを接続するためのスルーホール１０を形成し、第ｎ番目の金属配線層にて２重構造の１重目のパッド８を形成する。 - 特許庁

A light absorption control layer 15 is disposed between first and second main surfaces 11, 12 and, on the second main surface 12, a prism array 40 including a plurality of prisms 4 extended substantially in parallel to a light absorption region 30 of the light absorption control layer 15 is formed on the second main surface 12.例文帳に追加

第１、第２の主表面１１、１２の間に光吸収制御層１５を配置し、また、第２の主表面１２に、光吸収制御層１５の光吸収領域３０とほぼ平行に延びる複数のプリズム４を含むプリズム列４０を形成する。 - 特許庁

Between the substrate and a first conductivity-type semiconductor layer, an optical coupling layer is formed which is provided between the plurality of light-emitting units in common and optically couples the plurality of light-emitting units to distribute the light emitted from one light-emitting unit, to other optical units.例文帳に追加

基板と第一導電型半導体層の間には、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合し、１つの発光ユニットから発せられた光を他の光学ユニットに分布させる光学結合層を有する。 - 特許庁

The second label area L2 is bonded to the side of an adhesive layer 11 of the first label area L1 so as to have a printing face positioned on the object side, and a part of the adhesive layer 11 adheres to the object to keep the printing face secret.例文帳に追加

第２のラベル領域Ｌ２は、その印字面が被着体側に位置するように第１のラベル領域Ｌ１の粘着剤層１１側に接着され、当該粘着剤層１１の一部が被着体に接着することで印字面を秘匿した状態が保たれる。 - 特許庁

A reference point and a plurality of meshes comprising the first mesh to the fourth mesh in which at least one-sides of pitches are different each other are mapped in a construction layer corresponding to an electric power source layer M1 in order to add a forming position data for the degassing hole DGH to a design data.例文帳に追加

設計データにガス抜き孔ＤＧＨの形成位置データを付加するために、電源層Ｍ１に対応する作図レイヤに、基準点及びピッチの少なくとも一方が互いに異なる第１メッシュから第４メッシュまでの複数のメッシュをマッピングする。 - 特許庁

An opening portion 114 is formed in the first and second insulation layers 110, 112 so that the thickness of the portion of semiconductor layer 108, where a channel portion 117 is formed is made smaller than the thickness of the portion of the semiconductor layer 108 where source and drain portions 122, 124, are formed.例文帳に追加

第１および第２絶縁膜１１０，１１２に，チャネル部１１７を形成する半導体層１０８の厚みがソースおよびドレイン部１２２，１２４を形成する半導体層１０８の厚みよりも薄くなるように開孔部１１４を形成する。 - 特許庁

Regarding the wire drawing furnace 10, a glass preform 1 for an optical fiber is heated and melted in the body 16 of a furnace core tube, so as to produce an optical fiber 2, in which laminated carbon foils 13 to 15 from the first layer to the third layer are arranged at the inside of the body 16 of the furnace core tube.例文帳に追加

光ファイバ用ガラス母材１を炉心管本体１６内で加熱溶融して光ファイバ２を製造する線引炉１０であって、炉心管本体１６内に、積層された第１層目〜第３層目のカーボンフォイル１３〜１５が配置されている。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with a first polarization control element 27 provided to the surface opposite to the liquid crystal layer 16 of the TFT substrate 14 and a second polarization control element 28 provided to the surface opposite to the liquid crystal layer 16 of the CF substrate 15.例文帳に追加

また、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１４の液晶層１６とは反対面に設けられた第１偏光制御素子２７と、ＣＦ基板１５の液晶層１６とは反対面に設けられた第２偏光制御素子２８とを備えている。 - 特許庁

The photoirradiation type thermoelectric measuring instrument is constituted in such a way that two relay electrode layers 24 and 26 are formed on the surface of an aluminum nitride substrate 12, and a GaAs sample 14 is stuck to the upper surface of the first relay electrode layer 24 through an adhesive layer 18 composed of indium having good thermal conductivity.例文帳に追加

窒化アルミニウム製の基板１２には二つの中継電極層２４、２６が形成されていて、第１中継電極層２４の上には、熱伝導が良好なインジウムからなる接着層１８を介して、ＧａＡｓ試料１４が接着されている。 - 特許庁

The first underlying metal layer 3 and the second underlying metal layer 4 formed on the pad member 1, the bump 5 formed on the underlying metal layers 3 and 4, and the underlying metal layers 3 and 4, are arranged even on the outside of the area of the bump 5.例文帳に追加

パッド部材１上に形成された第一下地用金属層３、第二下地用金属４と、下地金属層３、４上に設けられたバンプ５と、下地用金属層３、４が、バンプ５の面積を超えて、外側にも配置された構成を有している。 - 特許庁

And the first positive voltage +3 V is applied to a control gate connected to the word lines WL32-WL63, potential difference between the control gate (+3 V) and the channel layer (0 V) is made small, an electric field between a floating gate and the channel layer is reduced, and a substrate disturbance is relaxed.例文帳に追加

そうして、ワード線WL32〜WL63に接続された制御ゲートに第１の正電圧＋３Ｖが印加され、制御ゲート(＋３Ｖ)とチャネル層(０Ｖ)との電位差が小さくなって、フローティングゲートとチャネル層との間の電界を減少させ、基板ディスターブを緩和する。 - 特許庁

The scintillator panel 1a is composed of the scintillator plate 101 formed by placing a corrosionproof reflective layer 101c and a scintillator layer 101b on a heat-resistant resin substrate 101a, a first protective film 102a and a second protective film 102b sealed by a sealing section 103.例文帳に追加

耐熱性樹脂基板１０１ａ上に防蝕性反射層１０１ｃ及びシンチレータ層１０１ｂを設けて成るシンチレータプレート１０１と、封止部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａと第２保護フィルム１０２ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。 - 特許庁

The moisture permeable waterproof fabric is formed by sequentially laminating a moisture permeable waterproof membrane containing an organic pigment and/or inorganic coloring pigment as a first layer and a non-porous membrane containing an inorganic pearly pigment as a second layer on at least the one side surface of a fibrous fabric.例文帳に追加

繊維布帛の少なくとも片面に、第１層として、有機顔料及び／又は無機着色顔料を含有する透湿防水膜が、第２層として、無機パール顔料を含有する無孔質膜が順次積層されている透湿防水性布帛。 - 特許庁

A base layer made of a first hardening material with a porosity of 3,000 to 100,000 cps at 10 to 80°C and a coating layer made of a second hardening material with a porosity of not more than 200 cps at 10 to 80°C are to be provided.例文帳に追加

１０〜８０℃で粘度が３０００〜１０００００ｃｐｓである第１硬化性材料からなる基層と、その記基層の表面を被覆した、１０〜８０℃で粘度が２００ｃｐｓ以下である第２硬化性材料からなる被覆層とを備えるように構成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-type silicon substrate 1 (first conductivity layer), a gate electrode 5 (second conductivity layer) and a gate insulated film 4 which is formed between the p-type silicon substrate 1, and the gate electrode 5 consisting of a silicon oxide film (SiO_2 film) whereto chloride is introduced.例文帳に追加

上記半導体装置は、ｐ型シリコン基板１（第１導電層）と、ゲート電極５（第２導電層）と、ｐ型シリコン基板１とゲート電極５との間に形成され、塩素が導入されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）からなるゲート絶縁膜５とを備えている。 - 特許庁

A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁

In a smell detection element wherein a sensitive layer 2 formed of a semiconductor based on tin oxide is provided so as to cover a noble metal wire 1, rare earth metal oxide is added to the sensitive layer 2 as a first component and gold is further added thereto as a second component.例文帳に追加

貴金属線を覆って、酸化スズを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるニオイ検知素子であって、前記感応層に、第一成分として、希土類金属酸化物を添加し、さらに、第二成分として金を添加してある。 - 特許庁

A truncated conical lower electrode 10 composed of a first lower electrode layer 10a and a second lower electrode layer 10b is provided on an Si substrate 1 provided with an n- channel MOS transistor, and a low dielectric constant film 11 is provided on the upper bottom of the lower electrode 10.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタが設けられたＳｉ基板１上に、第１の下部電極層１０ａと第２の下部電極層１０ｂとからなる円錐台状の下部電極１０を設け、下部電極１０の上底上に低誘電率膜１１を設ける。 - 特許庁

Since it is determined whether the most inner layer 49 might be damaged based on the electric variable when the voltage is applied between the first and second electrodes, it is not necessary to determine whether the most inner layer 49 might be damaged based on an operator's subject.例文帳に追加

第１、第２の電極間に電圧を印加したときの、電気変量に基づいて最内層４９が破損したかどうかを判断するようになっているので、オペレータの主観に基づいて最内層４９が破損したかどうかを判断する必要がない。 - 特許庁

Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.例文帳に追加

リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

In the light emitting element having a first electrode, a dielectric layer, an emitter layer and a second electrode layered sequentially on a substrate, the dielectric layer is formed of a dielectric composed of a crystalline material with perovskite structure where the lattice constant of a c-axis is greater than the lattice constant of an a-axis obtained by X-ray diffraction.例文帳に追加

基板の上に、第１電極と、誘電体層と、発光体層と、第２電極とが順次積層された発光素子であって、前記誘電体層は、ペロブスカイト構造の結晶体からなる誘電体で構成され、且つ、前記結晶体は、Ｘ線回折法で求めたａ軸の格子定数よりｃ軸の格子定数が大きい。 - 特許庁

The evaluation test device of the silicide film manufacturing process provided with a first pattern A comprising the crossing resistance pattern of a polycide layer formed on the field area 500 of the semiconductor board 500 and a second pattern B comprising the bridge resistance pattern of the polycide layer and the silicide layer formed on the active area 500a of the semiconductor board 500 is constituted.例文帳に追加

半導体基板５００のフィールド領域５００ｂ上に形成されたポリサイド層の交叉抵抗パターンから成る第１パターンＡと、半導体基板５００のアクティブ領域５００ａ上に形成されたポリサイド層及びシリサイド層のブリッジ抵抗パターンから成る第２パターンＢと、を備えたシリサイド膜製造工程の評価試験装置を構成する。 - 特許庁

The user data area S1 includes a plurality of recording magnetic parts 21 each having a layered structure including a perpendicular magnetic layer 21a made of a first magnetic material having relatively high magnetically anisotropic energy and a perpendicular magnetic layer 21b made of a second magnetic material having relatively low magnetically anisotropic energy and exchange coupled with the perpendicular magnetic layer 21a.例文帳に追加

ユーザデータ領域Ｓ１は、相対的に大きな磁気異方性エネルギを有する第１磁性材料よりなる垂直磁性層２１ａと、相対的に小さな磁気異方性エネルギを有する第２磁性材料よりなり且つ垂直磁性層２１ａと交換結合する垂直磁性層２１ｂと、を含む積層構造を有する複数の記録磁性部２１を含む。 - 特許庁

This agricultural anti-frost film is obtained by forming a membrane layer consisting of (a) an aqueous membrane containing a polysaccharide derivative or an acrylamide-based derivative in a first layer and (b) a membrane consisting mainly of colloidal inorganic fine particles and an acrylic copolymer in a second layer, on at least one side of a thermoplastic resin film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも片面に、第１層に多糖類誘導体又はアクリルアミド系誘導体を含有する水性被膜（ａ）および第２層にコロイド状無機微粒子とアクリル系共重合体を主成分とする被膜（ｂ）の２層からなる被膜層を形成されてなることを特徴とする農業用防曇性フィルム。 - 特許庁

The first filler metal manufacturing method comprises a welding step of forming a weld layer 12 on an outer face of a cylindrical base member 10 by using a plasma powder welding method, a separating step of separating the cylindrical weld layer 12 by removing the base member 10, and a working step of cutting out a ring-shaped filler metal 14 from the weld layer 12.例文帳に追加

本発明に係る溶加材の製造方法の１番目は、筒状基材１０の外面に、プラズマ粉末溶接法を用いて溶着層１２を形成する溶接工程と、基材１０を除去し、筒状の溶着層１２を分離する分離工程と、溶着層１２からリング状の溶加材１４を切り出す加工工程とを備えている。 - 特許庁

A light emitting device includes partitions which define the pixels on a substrate, and a light emitting section in which a first electrode, a charge injection layer, a light emitting layer, and a second electrode are laminated in order from a substrate side and constitutes a pixel between the partitions on the substrate, wherein the charge injection layer is provided over from one pixel and at least one adjoining partition.例文帳に追加

発光装置は、基板上で画素を区画する隔壁と、前記基板上で前記隔壁間に、第１電極、電荷注入層、発光層、第２電極を基板側から順に積層され、画素を構成する、発光部と、を備え、前記電荷注入層は、一つの画素から隣接する少なくとも一つの前記隔壁の上にわたって設けられている。 - 特許庁

As for a semiconductor device with pixel FETs on display regions, a gate electrode 131 of the pixel FET is made from a first conductive layer, the gate electrode 131 electrically contacts at a connection to a gate wiring 148 formed with a second conductive layer and the connection is disposed outside a semiconductor layer 107 of the pixel FET.例文帳に追加

表示領域に画素ＴＦＴを設けた半導体装置において、前記画素ＴＦＴのゲート電極１３１を第１の導電層で形成し、前記ゲート電極１３１は第２の導電層で形成されるゲート配線１４８と接続部で電気的に接触し、前記接続部は前記画素ＴＦＴの半導体層１０７の外側に設ける。 - 特許庁

The method includes: a step in which a first network element informs a second network element of at least one parameter showing quality of service for the transport network layer by means of the signaling protocol of a radio network layer; and a step in which the second network element uses at least the one parameter for managing service quality related to the transport network layer.例文帳に追加

この方法は、第一のネットワークエレメントが、第二のネットワークエレメントに、無線ネットワーク層の信号プロトコルにより、トランスポートネットワーク層のためのサービス品質を示す少なくとも一つのパラメータを知らせるステップと、第二のネットワークエレメントが、トランスポートネットワーク層に関連するサービス品質の管理のために、前記少なくとも一つのパラメータを用いるステップとを含む。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層６及びゲート電極であるゲートシリコン膜４が形成されたＭＯＳトランジスタ１０のシリコン基板１を加熱しながら第１Ｃｏ膜７ａ及び第２Ｃｏ膜７ｂを間欠的に堆積して、拡散層６及びゲートシリコン膜４上にＣｏ_xＳｉ_y（ｘ≧ｙ）の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride.例文帳に追加

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 - 特許庁

At opposite two sides of an outer bottom surface (lower surface) of a crystal vibrator 20, external terminals 25a and 25b are formed, respectively, by stacking a first lower-ground metal layer 75 constituted of a metal with poor solder wettability, a second lower-ground metal layer 85 and an upper-ground metal layer 95 constituted of a metal with excellent solder wettability in that order.例文帳に追加

水晶振動子２０の外底面（下面）の対向する二辺側には、半田ぬれ性の悪い金属からなる第１の下地金属層７５および第２の下地金属層８５、そして半田ぬれ性の良好な金属からなる上地金属層９５がこの順に積層されて形成された外部端子２５ａ，２５ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A coefficient of linear expansion and a coefficient of humidity expansion of the first resin layer 50a are selected to set a neutral plane of deformation generated by temperature change in the second thin film layer 60a as the thin film layer including a thin film providing the largest product value of the Young's modulus of film material and the film thickness among the thin film layers.例文帳に追加

そして、第１樹脂層５０ａの線膨張係数および湿度膨張係数を選択して、温度変化によって生じる変形の中立面が、上記薄膜層のうち膜材料のヤング率と膜厚との積が最も大きな薄膜を有する薄膜層である第２薄膜層６０ａに存在するように設定されている。 - 特許庁

The film for semiconductor 10 has functions of: supporting a semiconductor wafer 7 when the semiconductor wafer 7 is laminated on an upper surface of an adhesion layer 3 and the semiconductor wafer 7 is cut into pieces by dicing; and selectively peeling a first viscous layer 1 from the adhesion layer 3 when a semiconductor element 71 obtained by cutting it into pieces is picked up.例文帳に追加

半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化されてなる半導体素子７１をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。 - 特許庁

As a result, the contact of the bacteria or the like with the skin, and the rough skin can be prevented by forming the film comprising a first layer of the aminoethylaminopropylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer, a second layer of the perfluoro polyether and a third layer of the polyvinyl pyrrolidone, and the sense of use can be improved by suppressing the sticky feeling and the smell to low levels.例文帳に追加

本発明によれば、皮膚にアミノエチルアミノプロピルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体の第１の層と、パーフルオロポリエーテルの第２の層と、ポリビニルピロリドンの第３の層とからなる被膜を形成することにより、細菌等の皮膚への接触や肌荒れを防止することが可能であり、また、べたつきや匂いを小さく抑えて使用感を改善することができる。 - 特許庁

The wind speed measurement device 160 for measuring the wind speed of a sintering material layer of a sintering machine 100 includes: a wind speed measurement part for measuring the wind speed in the vertical direction above the sintering material layer; and a height adjusting part for maintaining a distance in the vertical direction between the wind speed measurement part and the surface of the sintering material layer at a first height.例文帳に追加

焼結機１００の焼結原料層の風速を測定する風速測定装置１６０は、焼結原料層上方において、鉛直方向の風速を測定する風速測定部と、鉛直方向における風速測定部と焼結原料層表面との距離を第１の高さに保持する高さ調整部と、を備える。 - 特許庁