「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(387ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes in a first reaction chamber converting at least a part of the copper containing surface layer 4 into a copper halide surface layer 5 and in a second reaction chamber removing at least a part of the copper halide surface layer 5 by exposing it to a photon atmosphere 6, thereby initiating formation of volatile copper halide products 8.例文帳に追加

この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。 - 特許庁

The optical memory composed of a core layer and a clad layer stacked together and an uneven section 8 between them to reproduce information is manufactured by sequentially performing a coating process, a first irradiation process, a coating process, a stamper attaching process, a second irradiation process, a stamper separation process in this order on the resin layer 5a formed on a glass substrate 20.例文帳に追加

交互に積層されたコア層とクラッド層との界面に情報再生用の凹凸部８を形成してなる光メモリは、ガラス基板２０上に設けられた樹脂基体５ａ上に、塗布工程、第１硬化工程、塗布工程、スタンパ貼着工程、第２硬化工程、スタンパ剥離工程の順に各工程を繰り返し実施して製造される。 - 特許庁

The power module 1 is provided with a first juncture (juncture, power module substrate) in which an insulating ceramic layer (ceramic layer) 5 including an ALN is sandwiched between two AL circuit substrates (AL layer) 2, 3 and bonded, a second juncture (juncture) 7 and a Si chip (large electric power semiconductor element) 8 wired to the AL circuit substrate 2 of the second juncture 7.例文帳に追加

パワーモジュール１は、二つのＡＬ回路基板（ＡＬ層）２、３の間に、ＡＬＮからなる絶縁セラミックス層（セラミックス層）５が挟まれて接合された第一接合体（接合体、パワーモジュール用基板）６及び第二接合体（接合体）７と、第二接合体７のＡＬ回路基板２に配線されたＳｉチップ（大電力半導体素子）８とを備えている。 - 特許庁

By having the gate electrode of the non-linear element connected to the scanning line or the signal line, the first wiring layer or the second wiring layer of the non-linear element is directly connected to the gate electrode layer so that the potential of the gate electrode is applied and thereby stable operation is performed due to the reduction of connected resistance and the occupied area of the connection part is reduced.例文帳に追加

非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第１配線層又は第２配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。 - 特許庁

The brazing filler metal 10 used for brazing members to be brazed is composed of a composite body with at least two layer structure, and also, a combination of a first layer 11 and the other layer 12 is the one of metallic layers capable of obtaining an alloy having a melting point lower than those of metals or an alloy constituting the respective layers 11, 12.例文帳に追加

本発明に係るろう材１０は、被ろう付け部材同士をろう付けするろう材において、少なくとも２層構造の複合体で構成され、かつ、第１の層１１とその他の層１２の組み合わせが、各層１１，１２を構成する金属又は合金の融点よりも融点の低い合金が得られる金属層同士の組み合わせである。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a magnetic layer comprising a first magnetic layer 14 of CoCr based alloy having a granular structure in which non-magnetic grain boundary is formed of an oxide or an nitride of a metal, and a second magnetic layer 15 of CoCr based alloy having a non-granular structure in which non-magnetic grain boundary does not contain an oxide or a nitride of a metal.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の磁性層を、非磁性粒界が金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第１の磁性層１４と、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を含有しない非グラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第２の磁性層１５で構成することとした。 - 特許庁

In a process of manufacturing the optical semiconductor device, a diffraction grating is formed in an active layer, a wafer is placed in a growth device (steps S1 and S2), a thermal deformation prevention layer is formed on the surface of the diffraction grating at a first temperature (step S3), and then a temperature is raised to a second temperature for forming a buried layer of the diffraction grating (step S4).例文帳に追加

光半導体装置の製造過程において、活性層に回折格子を形成してウェハを成長装置内に配置し（ステップＳ１，Ｓ２）、この成長装置内で、第１の温度で回折格子表面に熱変形防止層を形成した後（ステップＳ３）、回折格子の埋め込み層を形成する第２の温度まで昇温する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The magnetic recording layer is formed by repeating by N times (N≥2) a magnetic layer lamination step composed of a first step for heating the substrate in a heating chamber, and a second step for film-forming a magnetic recording layer made of alloy composed chiefly of FePt obtained by adding at least one type of nonmagnetic material selected from a group composed of C, Si oxides in a film-forming chamber.例文帳に追加

磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a two-layer photoresist in which the bottom of a groove is made stably flat and the groove has no variation in depth with respect to a pattern forming method for a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of a light source for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光源の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストのパターン形成方法について、グルーブの底が安定して平らになり、グルーブの深さの変動がない２層フォトレジストのパターン形成方法を工夫すること。 - 特許庁

A reflection film 14, a color filter 13, an overcoat layer 12, a transparent electrode 11 and an alignment layer 10 are successively formed on a substrate 15, a transparent electrode 7, an alignment layer 8 are formed on a substrate 6 and a first retardation film 5, a second retardation film 4 and a polarizing plate 3 are successively formed on the outer surface of the substrate 6.例文帳に追加

基板１５上に反射膜１４とカラーフィルタ１３とオーバーコート層１２と透明電極１１と配向膜１０とを順次形成し、基板６上に透明電極７と配向膜８とを形成し、さらに基板６の外側面には第一位相差フィルム５と第ニ位相差フィルム４と偏光板３とを順次形成している。 - 特許庁

As a barrier rib formation process to form the barrier rib 110 on a rear substrate of the PDP, a first process to form a barrier rib forming material layer 120, a second process to pattern the barrier rib forming material layer 120, and a third process to form the barrier rib 110 by calcining the patterned barrier rib forming material layer 120 are implemented.例文帳に追加

ＰＤＰの背面基板１０３に隔壁１１０を形成する隔壁形成工程として、隔壁形成材料層１２０を形成する第１工程と、隔壁形成材料層１２０をパターニングする第２工程と、パターニングされた隔壁形成材料層１２０を焼成して隔壁１１０を形成する第３工程と、を実施する。 - 特許庁

The first agitation profile BP1 is formed with such an irradiation intensity as to have a sharp peak only in the reversed-Y arrow direction of the area 23 of the colored layer, with the maximum of the intensity being such as to control sufficiently the evaporation of the material forming the colored layer and the dispersing medium and induce thermal convection of the material forming the colored layer and the dispersing medium within the corresponding droplet.例文帳に追加

着色層領域２３の反Ｙ矢印方向にのみ鋭いピークを有し、その照射強度の最大値が、着色層形成材料と分散媒の蒸発を十分に抑制し、かつ、対応する液滴内で、着色層形成材料と分散媒の熱対流を誘起させる強度で、第１攪拌プロファイルＢＰ１を成形した。 - 特許庁

A coefficient of linear expansion and a coefficient of humidity expansion of the first resin layer 50a are selected, and a deformed natural surface resulting from humidity change is set so as to exist in the second thin film layer 60a being a thin film layer having a thin film in which a product of the Young's modulus of film material and a film thickness is the largest among the thin film layers.例文帳に追加

そして、第１樹脂層５０ａの線膨張係数および湿度膨張係数を選択して、温度変化によって生じる変形の中立面が、上記薄膜層のうち膜材料のヤング率と膜厚との積が最も大きな薄膜を有する薄膜層である第２薄膜層６０ａに存在するように設定されている。 - 特許庁

After laminating a first silicon layer 108a, a silicon-rich oxide film 10 and a second silicon layer within a cylinder hall 107 provided to a film 106 between the cylinder layers, the HSG forming process is conducted to the second silicon layer using the silicon-rich oxide film 10 as a stopper in view of forming a plurality of HSGs 108c on the surface of the silicon-rich oxide film 10.例文帳に追加

シリンダ層間膜１０６に設けたシリンダホール１０７内に、第１のシリコン層１０８ａ、シリコンリッチな酸化膜１０及び第２のシリコン層を積層した後、シリコンリッチな酸化膜１０をストッパとして第２のシリコン層に対しＨＳＧ化処理を行うことにより、シリコンリッチな酸化膜１０の表面に複数のＨＳＧ１０８ｃを形成する。 - 特許庁

A first coating layer comprising cerous oxide or a cerous salt, or a hydrate thereof and aluminum oxide or its hydrate is applied on the surface of titanium dioxide particles, a second coating layer comprising aluminum phosphate or its hydrate is applied thereon, and a third coating layer comprising aluminum oxide or its hydrate is further applied thereon.例文帳に追加

二酸化チタン粒子の表面上に第１セリウムの酸化物あるいは塩又はそれらの水和物とアルミニウムの酸化物又は水和酸化物とからなる第１被覆層を処理し、その上にリン酸アルミニウム又はその水和物からなる第２被覆層を処理し、さらにその上にアルミニウムの酸化物又は水和酸化物からなる第３被覆層を処理する。 - 特許庁

The organic photoreceptor comprises a conductive support, a photoconductive layer situated on the top of the conductive support and comprising at least one charge generating compound, and an overcoat layer situated on the top of the photoconductive layer and comprising a first binder other than a silsesquioxane polymer and at least one inorganic ionic salt.例文帳に追加

導電性支持体と，前記導電性支持体の上部に位置しており，少なくとも一つの電荷発生化合物を含む光導電層と，前記光導電層上部に位置しており，シルセスキオキサン重合体を除外した第１結合剤及び少なくとも一つの無機イオン塩を含むオーバーコート層と，を含む有機感光体である。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate 10 for electro-optical devices includes: forming reflection patterns 7z and 9z for a monitor on a same layer of a pixel electrode 9a or a lower layer side than the pixel electrode 9a; and forming a first translucent film 181 and a second translucent film 182 on an upper layer side of the reflection patterns 7z and 9z for the monitor.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescent device is provided with light-emitting elements each consisting of a functional layer 15 containing a first electrode 11 and an organic light-emitting layer 17 and a second electrode 18 in a region superposing in plane view an opening 14a of a barrier rib formed with the opening, with at least one layer out of the functional layers 15 formed by a droplet discharge method.例文帳に追加

開口部を形成した隔壁の開口部１４ａと平面視で重なる領域内に、第１電極１１と有機発光層１７を含む機能層１５と第２電極１８とからなる発光素子を有し、機能層１５のうちの少なくとも一層が液滴吐出法で形成された有機エレクトロルミネッセンス装置である。 - 特許庁

The lead wire layer is formed by precipitating aluminum on the base following the first mask pattern and the bridge layer is formed by connecting each of bridge wires 41 extending to vertical direction of the base to each of the lead wires 50 on the lead wire layer and forming aluminum precipitation to let grow in the direction vertical to the base.例文帳に追加

リード線層は、ベース上に、第１のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成され、ブリッジ層は、前記リード線層の個々のリード線（５０）にそれぞれ接続しつつ前記ベースの垂直方向に伸びるブリッジ線（４１）の各々を、アルミの析出を前記ベースの垂直方向に成長させて形成することにより、形成される。 - 特許庁

The device for spin polarization comprises an electric field application electrode 106 which is formed on a third semiconductor layer 105 and applies an electric field to a second semiconductor layer 104; and a first ohmic electrode 107 and a second ohmic electrode 108 which are arranged in a plane direction of the substrate 101, interleaving the electric field application electrode 106 and connected to the second semiconductor layer 104.例文帳に追加

第３半導体層１０５の上に形成されて第２半導体層１０４に電界を印加する電界印加電極１０６と、基板１０１の平面方向に電界印加電極１０６を挟んで配置されて第２半導体層１０４に接続する第１オーミック電極１０７および第２オーミック電極１０８とを備える。 - 特許庁

The voltage nonlinear resistor element 100 includes: opposite conductor layers 2, 6a and 6b; and a multilayer structure 20 provided among the conductor layers and comprising a first NiO layer 3, a group-III-element-containing ZnO layer 4 containing ZnO and a group III element, and a second NiO layer 5, which are laminated in the order named.例文帳に追加

本発明に係る電圧非直線性抵抗素子１００は、対向する導電体層２、６ａ、６ｂと、これらの導電体層間に配され、第１のＮｉＯ層３、ＺｎＯ及びＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族元素含有ＺｎＯ層４、及び第２のＮｉＯ層５がこの順に積層されてなる積層構造２０とを有する。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer 2 is formed on the semiconductor substrate 1, a mask 5 having an opening is provided thereon, and a semiconductor stacking section 10 is provided by stacking nitride semiconductor layers so that a second nitride semiconductor layer 6 selectively grown in the lateral direction of the opening on the mask section 5 may be formed and a light-emitting layer 8 may be formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１上に第１の窒化物半導体層２が設けられ、その上に開口部を有するマスク部５が設けられ、そのマスク部５上に開口部から横方向に選択成長される第２の窒化物半導体層６、さらに発光層８を形成するように窒化物半導体層が積層されて半導体積層部１０が設けられている。 - 特許庁

A two-layered mask layer is formed on a single crystal silicon substrate, anisotropic etching and isotropic etching are performed by using a first mask layer to form a concave part having a diameter a little smaller than that of a desired microlens mold and, thereafter, isotropic etching is performed and the concave part is magnified by using a second mask layer to provide the microlens mold having a desired dimensions.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、２層のマスク層を形成し、第１のマスク層を用いて異方性エッチング及び等方性エッチングを行い所望のマイクロレンズ用型よりもやや径の小さい凹部を形成した後に、第２のマスク層を用いて等方性エッチングを行ってその凹部を拡大することにより、所望の寸法のマイクロレンズ用型を得る。 - 特許庁

Scanning with ultrasonic beams in an arbitrary direction and beam focusing can be performed by combining an electronic delay control on the vibration layer 12, an acoustic delay control on an x direction in the first sound velocity control layer 40, and an acoustic delay control on a direction y in the second sound velocity control layer 50.例文帳に追加

振動層１２についての電子的な遅延制御、第１音速制御層４０におけるｘ方向についての音響的な遅延制御及び第２音速制御層５０におけるｙ方向についての音響的な遅延制御を組み合わせることにより、超音波ビームを任意の方向へ走査し、またビームフォーカスを行うことができる。 - 特許庁

The TFTs are provided with, interposing respective channel regions, respective source regions 9 and drain regions 10, first regions 6a, 6b, 6c, 6d having an impurity concentration lower than those of the source and drain regions, all formed in the same continuing semiconductor layer 2, and further a gate insulating layer 3 formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＴＦＴはそれぞれ、チャネル領域を挟んで、同一の連続する半導体層２に形成されたソース領域９およびドレイン領域１０と、ソース領域およびドレイン領域よりも低い不純物濃度を有する第１低濃度不純物領域６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄと、半導体層上に形成されたゲート絶縁層３とをさらに備える。 - 特許庁

The operation method of phase change memory element, provided with a phase change layer and a means for applying a voltage to the phase change layer, includes a step of applying a reset voltage Vrecet to the phase change layer, wherein the reset voltage Vrecet may contain at least two pulse voltages continuously applied, for example, first to third pulse voltages V1-V3.例文帳に追加

相変化層と相変化層に電圧を印加する手段とを備える相変化メモリ素子の動作方法は、相変化層にリセット電圧Ｖｒｅｃｅｔを印加する段階を含み、リセット電圧Ｖｒｅｃｅｔは、連続印加される少なくとも２つのパルス電圧、例えば第１ないし第３パルス電圧Ｖ１〜Ｖ３を含むことができる。 - 特許庁

A substrate 11 is carried into an oxide chamber F3, a first target with titanium as a main constituent is sputtered under an oxygen atmosphere to form an oxide layer made of a titanium oxide, the substrate 11 having the oxide layer is carried into an irradiation chamber F4, and the surface of the oxide layer is further irradiated with an oxygen radical to form a variable resistor.例文帳に追加

基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

Furthermore, potential energy distribution on the surface is uniformized and stable ultrahigh-speed operation is established, by forming a thin layer 2A, where the conductivity is inverted into a first conductive type (p-type), at the exposed surface part of a second conductivity (n-type) of low-concentration semiconductor layer 2 being exposed by narrowing the light absorbing layer 1.例文帳に追加

さらに、光吸収層１を狭幅化するとにより露出する第二の導電型（ｎ型）の低濃度半導体層２の露出表面部分に、その導電型を第一の導電型（ｐ型）に反転させた薄層２Ａを形成することにより、該表面上におけあるポテンシャルエネルギー分布を均一化し、安定な超高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

When combining a semiconductor substrate 20 for forming the first structural layer 101 becoming an actuator 6 and a glass substrate 96 for forming the second structural layer 102 becoming a prism via a separation layer 97 so that the respective structural layers 101 and 102 are opposed, an introducing passage 80 of an etchant is secured between microstructure groups 59 to be chipped.例文帳に追加

アクチュエータ６となる第１の構造層１０１が形成された半導体基板２０と、剥離層９７を介してプリズムとなる第２の構造層１０２が形成されたガラス基板９６とを、各々の構造層１０１および１０２が対面するように組み合わせる際に、チップ化される微細構造グループ５９の間にエッチャントの導入路８０を確保する。 - 特許庁

The coated optical fiber 10 is formed by further providing a first covering layer 14 and a second covering layer 15 as a resin coating layer 16 in order from a coated optical fiber 13 around an outer periphery of the coated optical fiber 13 having one or more ultraviolet-ray setting type resin layers 12 provided around an outer periphery of a glass fiber 11.例文帳に追加

本発明に係る被覆光ファイバ心線１０は、ガラスファイバ１１の外周に少なくとも１層以上の紫外線硬化型樹脂層１２を設けてなる光ファイバ心線１３の外周に、さらに、樹脂被覆層１６として第一被覆層１４と第二被覆層１５とを光ファイバ心線１３から離れる方向で順に設けてなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated body includes: a first process of forming an adhesive layer by applying an aqueous dispersion containing a polyolefin copolymer to at least a part of a surface of a substrate (A); a second process of irradiating microwave onto the adhesive layer; and a third process of pressure-bonding of other substrate (B) on a surface of the adhesive layer.例文帳に追加

基材（Ａ）表面の少なくとも一部にポリオレフィン共重合体を含有する水性分散体を塗布して接着剤層を形成させる第一工程、該接着剤層にマイクロ波を照射する第二工程、及び該接着剤層表面に他の基材（Ｂ）を圧着させる第三工程を具備する積層体の製造方法。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。 - 特許庁

If power charged in the power storage unit 13 is supplied to a data logger 14, power is discharged from the electric double layer capacitor 131 first, and transferred from the lead storage battery 132 to the electric double layer capacitor 131 at a predetermined time as power is discharged from the electric double layer capacitor 131.例文帳に追加

また電力蓄積ユニット１３に蓄積された電力をデータロガー１４に供給する場合に、先ず電気二重層キャパシタ１３１から蓄電力の放電を開始して、時刻になるとそれ以降上記電気二重層キャパシタ１３１からの放電を継続しながら、鉛蓄電池１３２から電気二重層キャパシタ１３１へ電力を移し替える。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor 10 has a configuration wherein a dielectric layer is located between a first internal electrode layer 2 and a second internal electrode layer 3, and buffer conductor layers 4 and 5 which are held coming into no contact with at least either of the internal electrode layers are provided closer to the external electrodes 8 and 9 than the opposed regions each located between the internal electrodes 2 and 3.例文帳に追加

第１内部電極層２と第２内部電極層３との間に位置する誘電体層の内部で、両内部電極層２、３の対向領域よりも外部電極端子８、９側に、少なくとも一方の内部電極層と非接触に保持された緩衝導体層４、５を配設してなる積層セラミックコンデンサ１０とする。 - 特許庁

The first alignment layer 41 is constituted principally of a polyimide alignment layer which is subjected to rubbing treatment and the second alignment layer 42 is constituted principally of an organic vapor deposition film formed by vapor deposition, to put it concretely, a polymer film formed by depositing an acrylic or a methacrylic liquid crystalline monomer in a thin film form by an ion vapor deposition method.例文帳に追加

第１配向膜層４１は、ラビング処理が施されたポリイミド配向膜を主体として構成され、第２配向膜層４２は蒸着により形成された有機蒸着膜、具体的にはアクリル系若しくはメタクリル系の液晶性モノマーをイオン蒸着法により薄膜形成した高分子膜を主体として構成されている。 - 特許庁

First and second conductors connect the fuse element and the PTC thermistor layer electrically in parallel with each other, and thereby, a current initially flows under normal operation mainly through the fuse element and PTC thermistor layer at a low voltage drop and after an opening of the fuse element, the current flows under normal operation through the PTC thermistor layer at a high voltage drop.例文帳に追加

第１及び第２の導体は、ヒューズ素子とＰＴＣサーミスタ層とを電気的に並列に接続し、これにより電流は最初は正常動作下で主にヒューズ素子及びＰＴＣサーミスタ層を通して低い電圧降下で流れ、ヒューズ素子の開放後は、正常動作下でＰＴＣサーミスタ層を通して高い電圧降下で流れる。 - 特許庁

This planar layer-built type cell W is provided with the positive electrode material layer 21 formed on the surface of a first collecting body 11 and the negative electrode material layer 22 formed on the surface of the second collecting body 12 and a plurality of the positive and negative electrode material layers 2 are stacked via the separators 3.例文帳に追加

平板状積層型電池（Ｗ）は、第１の集電体（１１）の表面に形成された正極用の電極材料層（２１）と、第２の集電体（１２）の表面に形成された負極用の電極材料層（２２）とを備え、かつ、セパレーター（３）を介して正極用および負極用の電極材料層（２）が各複数積層されている。 - 特許庁

Thereby, the sheet material 2 mounted on the lowermost first element abuts the carbon paste layer 22B which is the second element from below, the sheet material 2 mounted on the second element abuts on the carbon paste layer 32B which is the third element from below, and the sheet material 2 mounted on the third element abuts on the carbon paste layer 42B which is the uppermost element.例文帳に追加

このことにより、最下層の１枚目の素子に載置されたシート材２と下から２枚目の素子のカーボンペースト層２２Ｂとが当接し、２枚目の素子に載置されたシート材２と下から３枚目の素子のカーボンペースト層３２Ｂとが当接し、３枚目の素子に載置されたシート材２と最上層の素子のカーボンペースト層４２Ｂとが当接している状態となる。 - 特許庁

The second electrode layer includes a metal portion that has a thickness ranging from 10 nm or more to 300 nm or less along the direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer, and a plurality of openings that penetrate through the metal portion along the direction and have a circle-equivalent diameter, as viewed from the direction, ranging from 10 nm or more to 5 μm or less.例文帳に追加

第２電極層は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a current blocking layer 32 which is formed on a GaAs substrate 28 having a (100)-like face as a major face; and first and second extended portions 30, 31 of the current blocking layer 32, which are formed continuously from the current blocking layer 32 and extended substantially perpendicular to flat surfaces of the GaAs substrate 28, respectively.例文帳に追加

ほぼ（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板２８上に形成された電流阻止層３２を含む発光素子と、この電流阻止層３２に連続形成され、前記ＧａＡｓ基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第１および第２の電流阻止層延長部３０、３１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁