「GA」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

And Ga is checked again, when it is judged that Ga becomes less than Gth (YES at S4), the force applied to the lens holder at S3 is released (S5), and focus servo is restarted (S6).例文帳に追加

そして、再度Ｇａがチェックされ、ＧａがＧｔｈ以下となったと判断されると（Ｓ４でＹＥＳ）、Ｓ３でレンズホルダに与えられた力が解除され（Ｓ５）、フォーカスサーボが再開される（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide a method for separately producing a hot-dip galvanized steel sheet (GI) and galvannealed steel sheet (GA) of high quality in the same bath without conditioning a hot-dipping bath, by using a Ni-pre-plating method.例文帳に追加

プレNi法により、溶融メッキ浴の浴調整なしに同一浴で、品質の良好な溶融亜鉛メッキ鋼板(GI)と合金化溶融亜鉛メッキ鋼板(GA)を造り分ける方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, current-carrying of the heater is prohibited under a condition where intake air quantity GA drops to quantity less than the criterion value GAst from a state that intake air quantity GA gets to the criterion value GAst or more.例文帳に追加

一方、吸入空気量ＧＡが判定値ＧＡｓｔ以上になった状態から判定値ＧＡｓｔ未満にまで低下したことを条件にヒータの通電を禁止する。 - 特許庁

A W aperture is used as a beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga (with a melting point of 30°C) of around 25 mg is put on a surface of a part covering a beam irradiation region 7-1 (Ga pool 10).例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy powder includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the powder has an oxygen content of 200 ppm or less.例文帳に追加

原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。 - 特許庁

An address latch circuit AL is provided for each bank MB, latches the common address signal GA corresponding to each bank MB out of common address signals GA, and outputs it to each bank MB.例文帳に追加

アドレスラッチ回路ＡＬは、各バンクＭＢ毎に設けられ、共通アドレス信号ＧＡのうち、各バンクＭＢに対応する共通アドレス信号ＧＡをラッチして、各バンクＭＢに出力する。 - 特許庁

To provide a solvent extraction method of Ga and In capable of efficiently extracting Ga and In while suppressing transfer of impurities such as iron, zinc and aluminum to an organic phase.例文帳に追加

鉄、亜鉛およびアルミニウム等の不純物の有機相への移行を押さえながら、Ｇａ，Ｉｎを効率よく抽出することができるＧａ，Ｉｎの溶媒抽出方法を提供する。 - 特許庁

The fuel cell system comprises a reformer 2 which produces hydrogen contained reformed gas Ga from a reforming fuel F and a fuel cell 3 which performs power generation utilizing the hydrogen contained reformed gas Ga.例文帳に追加

改質用燃料Ｆから水素含有改質ガスＧａを生成する改質器２と、水素含有改質ガスＧａを利用して発電を行う燃料電池３とを備えている。 - 特許庁

Fuel injection quantity is controlled to make air fuel ratio in the upstream of the catalyst richer than the actual stoichiometric air fuel ratio of the catalyst (straight line 2) in a zone where intake air quantity Ga exceeds 15 g/sec.例文帳に追加

吸入空気量Gaが１５(g/sec)を超える領域で、触媒の上流における空燃比が、触媒の実理論空燃比（直線(2)）よりリッチ化するように燃料噴射量を制御する。 - 特許庁

The actual torque is controlled by control of the suction air volume Ga by an opening adjustment of an ISC valve 24 and a throttle valve 18 so as to eliminate a difference between the target negative torque and the actual torque.例文帳に追加

目標負トルクと実トルクとの差がなくなるように、ISCバルブ２４やスロットルバルブ１８の開度調整による吸入空気量Gaの制御によって実トルクを制御する。 - 特許庁

Metal Ga is used as a source material 28, and a nitrogen-containing gas such as NH_3 (ammonia) is introduced as a reactive gas G in a passage for Ga vapor via a gas introduction pipe 38.例文帳に追加

また、ソース物質２８として金属Ｇａを用いると共に、ガス導入管３８を介してＧａ蒸気の通路にＮＨ_３（アンモニア）等の窒素含有ガスを反応ガスＧとして導入する。 - 特許庁

In addition, there is no direct relationship between Suiboku-ga and the dharma of the Zen sect, and it seems that Suiboku-ga was accepted as a new foreign culture as well as the Zen sect style architecture. 例文帳に追加

なお、水墨画と禅宗の教義とには直接の関係はなく、水墨画は禅宗様の建築様式などと同様、外来の新しい文化として受容されたものと思われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shigajiku' shows the state of 'unity of poetry, brushstroke, and painting' and refers to a vertically long Kakejiku hanging scroll on which Suiboku-ga is painted on the under side and a Chinese-style poem with related subject matter of Suiboku-ga is drawn in the head margin. 例文帳に追加

「詩画軸」とは、「詩・書・画一体」の境地を表わしたもので、縦に長い掛軸の画面の下部に水墨画を描き、上部の余白に、画題に関連した漢詩を書いたものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While oil painting, which was introduced to Japan in the Meiji period, is called Yo-ga (foreign style painting), Nihon-ga refers to paintings which utilize traditional Japanese techniques and styles and rather than being reliant on oil paint. 例文帳に追加

明治時代に日本に導入された油絵を「洋画」と呼ぶのに対して、油彩に依らず、それまでの日本の伝統的な技法や様式の上に育てられた絵画を指す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The words in the first vocal section is a waka poem 'Shiho no yama sashide no iso ni sumu chidori, kimiga miyo oba yachiyo tozo naku' (しほの山さしでの磯にすむ千鳥 君が御代をば八千代とぞ鳴く) taken from Ga no bu (the Ga [celebration] section) of "Kokin Wakashu." 例文帳に追加

前唄は『古今和歌集』賀の部より採った和歌「しほの山さしでの磯にすむ千鳥君が御代をば八千代とぞ鳴く」が歌詞として節付けされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀（Ag）0.2〜2.5重量％と銅（Cu）0.1〜2.0重量％と燐（P）0.001〜0.5重量％とガリウム（Ga）0.001〜0.5重量％及び残りは錫（Sn）から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

A single crystal n-type ITO transparent electrode film 11 contains Ga as well as In, has a mole ratio of Ga/(In+Ga) of 0.08-0.5, and a thickness of 1.1-55 nm.例文帳に追加

単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga alloy cutting method capable of cutting (machining) even a Cu-Ga alloy lump manufactured by, for example, dissolution casting and having a relatively large Ga composition ratio to a desired shape without causing cracking or chipping.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたりかけたりすることなく切断して所望の形状に切断（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。 - 特許庁

In Na and Ga mixed melting liquid 107 and on an Na and Ga mixed melting liquid surface 108, nitrogen gas or nitrogen components in the melting liquid supplied from the nitrogen gas and Ga are allowed to react so that continuous GaN crystals can grow, and that the crystal size can be made large.例文帳に追加

ＮａとＧａの混合融液中１０７及び混合融液表面１０８で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とＧａとが反応することで、継続的なＧａＮ結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。 - 特許庁

The zinc oxide transparent conductive film in some embodiment is substantially composed of zinc, gallium, tin and oxygen, and in which the gallium is comprised in the proportion of >1 to <8% in the atomic ratio of Ga/(Zn+Ga+Sn) and also the tin is comprised in the proportion of >0.1 to <1% in the atomic ratio of Sn/(Zn+Ga+Sn).例文帳に追加

本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加

本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁

To provide a cutting method of Cu-Ga alloy, cutting (machining) even a Cu-Ga alloy lump, for example, comparatively large in a composition ratio of Ga manufactured by melting casting, in a desired shape without crazing, cracking and chipping it.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。 - 特許庁

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

To suppress deterioration of surface quality by stabilizing sliding performance of GA steel sheet during bulge forming.例文帳に追加

ＧＡ鋼板を張出し成形する際の摺動性を安定化し、面品質の低下を抑制する。 - 特許庁

Preferably, the top surface of the substrate 22, corresponding to the upper region 22b, has a Ga polarity.例文帳に追加

好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。 - 特許庁

The polygon-meshed product surface is divided into regions, and a texture GA is mapped in an initial region A.例文帳に追加

ポリゴンメッシュ化した製品表面を領域分けし、初期領域ＡにテクスチャＧＡをマッピングする。 - 特許庁

To provide a method for discharging Ga stored in a container, with constantly high purity.例文帳に追加

容器に収納されたＧａを安定した高純度で取り出すことのできる手段を提供する。 - 特許庁

In the protective layer formation step, protective layers (23 and 67) containing Al, Ga, and As are formed.例文帳に追加

保護層形成工程では、Ａｌ、ＧａおよびＡｓを含む保護層（２３，６７）を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon is grown by doping a Ga compound which is solid at a temperature higher than the ordinary temperature.例文帳に追加

常温以上で固体であるＧａ化合物をドープして多結晶シリコンを育成する。 - 特許庁

A crucible 10 holds a mixed melt 290 containing metal Na and metal Ga, and the reaction vessel 20 covers the circumference of the crucible 10.例文帳に追加

坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとを含む混合融液２９０を保持する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Ga-CONTAINING NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

Ｇａ含有窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

Myoren-ji Shoheki-ga (wall painting at Myoren-ji Temple) (Myoren-ji Temple, Kyoto) Important Cultural Property, Entrusted to Kyoto National Museum 例文帳に追加

妙蓮寺障壁画（京都・妙蓮寺）重要文化財　京都国立博物館委託 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the support 30, there is formed a groove Ga having a shape corresponding to the outer shape of the substrate 12.例文帳に追加

支持体３０には、基板１２の外形に対応した形状の溝部Ｇaが形成される。 - 特許庁

The electro-optical panel 10 is fixed to the support 30 in the state that it is inserted in the groove Ga.例文帳に追加

電気光学パネル１０は溝部Ｇaに嵌め込まれた状態で支持体３０に固定される。 - 特許庁

The fuel consumption characteristic and response characteristic of an engine 10 are optimized for a user by a GA(Generic Algorithm).例文帳に追加

エンジン１０の燃費特性およびレスポンス特性をＧＡにより使用者向けに最適化する。 - 特許庁

The analog attenuator 13 can variably adjust the overall amplification factor by adjusting optionally the digital data GM, GA.例文帳に追加

そして、デジタルデータＧＭ，ＧＡを任意の値に調節することで、総増幅率を可変調節する。 - 特許庁

NANOWIRE HAVING JOINT OF Ga AND ZnS AND COATED WITH SILICA FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリカ膜で被覆されたＧａとＺｎＳとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法 - 特許庁

To provide a simple method of preestimating the catalytic activity of a Ga-Al type denitration catalyst.例文帳に追加

Ｇａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を簡便に予測する方法を提供する。 - 特許庁

Udatsu-ga-agaranai refers to a condition where no good result are being obtained, in work for example, with no future prospects. 例文帳に追加

うだつがあがらないとは、仕事などで成果が出ず、先の見込みがない状態を言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス