「GA」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a layer M which contains a metal element M (at least one selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sn, Pb, Bi, Zn and Ag) is deposited on a surface of the sintered magnet body, and an RH layer containing a heavy rare-earth element RH (at least one selected from the group consisting of Dy, Ho and Tb) is deposited on the layer M.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面に金属元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＭ層を堆積した後、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＲＨ層をＭ層上に堆積する。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

The proton conductive inorganic material contains an oxide particle containing at least one element X selected from the group consisting of W, Mo, Cr, B and V; and an oxide carrier containing at least one element Y selected from the group consisting of Sn, Hf, Ge, Ga, In, Ce and Nb, and carrying the oxide particle.例文帳に追加

プロトン伝導性無機材料は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｂ及びＶよりなる群から選択される少なくとも一種類からなる元素Ｘを含有する酸化物粒子と、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｅ及びＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種類からなる元素Ｙを含有し、前記酸化物粒子が担持される酸化物担体とを含有することを特徴とする。 - 特許庁

(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加

（化１） Ｃａ_２−ｘ−ｙ−ｚＭｘＳｉＯ_４：ｙＣｅ^３＋，ｚＮ（０≦ｘ＜０.５、０＜ｙ≦０.１、０≦ｚ＜０.１５）…（１）化学式（１）で、Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ及びＦｅからなるグループから選択された少なくとも１つを含み、ＮはＥｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｔｂ^３＋、Ｙｂ^２＋及びＴｍ^３＋からなるグループから選択された少なくとも１つを含む。 - 特許庁

This fluoride glass matrix preferably contains ions selected from zirconium ion, alkali ions and alkaline earth ions and also, at least 5 mol% of fluoride ion of the matrix is substituted by bromide ion and/or chloride ion, and further, at least 0.01 mol% of a cation(s) selected from transition metal ions, rare earth metal ions, In+, Ga+, Tl+ and Pb+, exists in the matrix.例文帳に追加

該ガラスマトリックスは好ましくはジルコニウムイオンならびにアルカリイオン及びアルカリ土類イオンから成る群より選ばれるイオンを含有し、少なくとも５モル％のフルオリドイオンはブロミド及び／又はクロリドイオンにより置き換えられており、少なくとも０．０１モル％の遷移金属イオン、希土類金属イオン、Ｉｎ^+、Ｇａ^+、Ｔｌ^+及びＰｂ^2+から成る群より選ばれるカチオンが存在する。 - 特許庁

The silver alloy sputtering target for forming a conductive film comprises a silver alloy having a composition comprising 0.1-1.5 mass% Ga and/or Sn in total and the balance being Ag and inevitable impurities, wherein the average grain size of the silver alloy crystal grains is 120-400 μm and the variation in the crystal grain size is within ≤20% of the average grain size.例文帳に追加

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 - 特許庁

The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Information necessary for display is transmitted from image generation devices GA and GB to server devices SA and SB, and information necessary for display is transmitted from the server devices SA and SB to databases DBA to DBC for generating a proper character string list file LA or LB, and the character string list file generated by the databases is distributed via the server devices to the image generation devices.例文帳に追加

画像生成装置ＧＡ、ＧＢから表示に必要な情報をサーバ装置ＳＡ、ＳＢに送信し、サーバ装置ＳＡ、ＳＢは表示に必要な情報を適切な文字列リストファイルＬＡあるいはＬＢを生成することができるデータベースＤＢＡ〜ＤＢＣに送信し、データベースが作成した文字列リストファイルをサーバ装置を経由して、画像生成装置に配信することができる。 - 特許庁

The method for producing an oxide sintered compact is characterized in that raw material powder comprising one or more metallic elements selected from Zn, Sn, In, Ga and Ti and in which a part of the metallic element includes oxide solid-solution substituted with a metallic element having a valence higher than that of the metallic elements is subjected to electrifying sintering in such a manner that DC pulse current is made to flow under pressure.例文帳に追加

Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 - 特許庁

A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加

好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁

A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10.例文帳に追加

Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 - 特許庁

The dimensions are X-ray source to X-ray detector distance (SDD), Source-ISO center distance (SOD), Source-Collimator distance (SCD), Gantry Aperture (GA), Focal spot length (FSL) of the slice direction of X-ray source, unit slice thickness (SPC) at the center of the gantry, and unit slice thickness (SPD) in the X-ray detector.例文帳に追加

ここで、装置のディメンジョンとしては、Ｘ線源とＸ線検出器との距離（ＳＤＤ）、Ｘ線源とガントリ中心との距離（ＳＯＤ）、Ｘ線源とコリメータとの距離（ＳＣＤ）、ガントリの開口部の径（ＧＡ）、Ｘ線源のスライス方向の焦点の長さ（ＦＳＬ）、ガントリ中心における単位スライス厚（ＳＰＣ）、及びＸ線検出器における単位スライス厚（ＳＰＤ）が挙げられる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with one TFT 11 in each dot and is provided with a selection circuit 13 for two inputs and one input between one set of scanning line groups Ga, Gb and Gc consisting of two scanning lines and the TFT 11 and the inputs of the selection circuit 13 are connected respectively to the different scanning lines of the two scanning lines constituting one set of the scanning line groups.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、各ドット内に１個のＴＦＴ１１が設けられ、２本の走査線からなる一組の走査線群Ｇａ，Ｇｂ，ＧｃとＴＦＴ１１との間に２入力１出力の選択回路１３が設けられ、選択回路１３の入力が一組の走査線群をなす２本の走査線の異なる走査線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

This disclosed atomizing device 1 for jetting one or two or more kinds of liquids from two or more nozzles like mist includes: at least two mist passages 4, 5 provided independently of each other; a liquid supply means for supplying the liquid to the upstream part of the mist passage; and a gas supply means for supplying ga to the upstream part of the mist passage.例文帳に追加

ここで開示される「１種又は２種以上の液を２つ以上の噴出口からミスト状にして噴出す噴霧器１」は、少なくとも２つの相互に独立して設けられたミスト流路４、５と、該ミスト流路の上流部に前記液を供給する液供給手段７と、該ミスト流路の上流部にガスを供給するガス供給手段９とを備えている。 - 特許庁

After this, Saigo, Murata, and Shinzo MORIYAMA went to Kyoto to investigate the situation in each domain before the troops led by Hisamitsu SHIMAZU departed, which made Hisamitsu suspect that their actions had instigated Izumi MAKI and Shinshichi ARIMA to raise an army in Kyoto (Teradaya-sodo [oppression of Sonjo group]); after being called back from Kyoto, Saigo was sent into exile to Tokuno-shima Island (and changed to Oki-no-erabujima Island by the second order) and Murata to Kikai-jima Island (not Satuma-iojima Island [Kikai-ga-shima Island]). 例文帳に追加

この後に島津久光進発に先立って上京した西郷・村田・森山新蔵は諸藩の情勢を探っていたが、真木和泉・有馬新七らの京都挙兵（寺田屋騒動）を煽動したと久光から疑われ、呼び戻されて西郷は徳之島（再命で沖永良部島へ変更）へ、村田は喜界島（薩摩硫黄島（鬼界ヶ島）ではない）へ遠島された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If we let you go with nothing, a curse will be placed on our family and our clan. The one who has come as a killer does not consider it as a sanmon gate (temple gate), but handles it as ana-mon (hole gate) which is a nohozu mon (sloppy gate). If midomo (I) become the Nio-mon (Nio Gate, a gate to prevent devils), it is all right. Once I refuse it, my life will be a Torano-mon gate (Tiger Gate). Mon ga mogaite-mo mon kanawanu (No matter how hard I may struggle, I cannot attain my desire). Shall I give my head or take me up? Give an answer. Come on, come on....Nan-mon (South Gate), Nan-mon.' 例文帳に追加

「うぬその儘に帰りなば、一家一門たたりが行く、討手に参った某を、山門とも思わずに、穴門すったるのほうず門、身共が仁王門になればよし、いやじゃなんぞともんすが最後、おのが命を寅の門、もんもがいても、もん叶わぬ、首を渡すか腕廻すか、返答はサア、サア、・・・・南門、南門。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He gained a reputation for roles such as Okaru, Enya hangan and Oishi of "Kanadehon Chushingura," Shizuka Gozen of "Yoshitsune Senbonzakura" (Yoshitsune and One Thousand Cherry Trees), Omiwa of "Imoseyama (Mt. Imose) Onna Teikin" (An Exemplary Tale of Womanly Virtue), Omitsu of "Shinpan Utazaimon" (The Love of Osome and Hisamatsu) (Nozaki Village), Tamate-Gozen of "Sesshu Gappo ga Tsuji" (A Kabuki Drama of Unfettered Evil) (Gappo Anjitsu [hermitage of Gappo]), Sakuramaru of "Sugawara Denju Tenarai Kagami" (Sugawara's secrets of calligraphy) and Yoshitsune of "Kanjincho" (The Subscription List) and "Jinya KUMAGAI, Ichi no Tani Futabagunki" (Chronicle of the Battle of Ichinotani) in the area of maruhonmono (Kabuki drama of joruri [puppet-play] origin). 例文帳に追加

丸本物では『仮名手本忠臣蔵』のお軽、塩冶判官、お石、『義経千本櫻』の静御前、『妹背山婦女庭訓』お三輪、『新版歌祭文』（野崎村）のお光、『攝州合邦辻』（合邦庵室）の玉手御前、『菅原伝授手習鑑』の桜丸、『勧進帳』や『一谷嫩軍記・熊谷陣屋』の義経などが当たり役であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The aluminum alloy foil for the electrolytic capacitor cathode contains ≥96 mass% Al, 0.1-3.5 mass% Mn, ≥0.003 mass% Ga, ≤0.07 mass% Si, ≤0.07 mass% Fe, ≤0.008 mass% Cu, ≤0.008 mass% Ni, and ≤0.001 mass% Ti.例文帳に追加

アルミニウム合金箔であって、 Ａｌ：９６質量％以上、Ｍｎ：０．１質量％以上３．５質量％以下、Ｇａ：０．００３質量％以上、Ｓｉ：０．０７質量％以下、Ｆｅ：０．０７質量％以下、Ｃｕ：０．００８質量％以下、Ｎｉ：０．００８質量％以下、Ｔｉ：０．００１質量％以下、であることを特徴とする電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔に係る。 - 特許庁

Hydrogen is generated by bringing a gaseous mixture of a hydrocarbon such as city gas and LPG containing a sulfur based compound as an odorant, water and air into contact with a reforming catalyst carrying at least platinum and containing a multiple oxide of at least one kind of element selected from a group composed of La, Ce, Al, Ga, Ti, Mg, Ca, Sr, and Ba with Zr.例文帳に追加

都市ガス、ＬＰＧなど付臭剤として硫黄系化合物を含む炭化水素と水、空気の混合ガスを、少なくとも白金を担持したＬａ、Ｃｅ，Ａｌ、Ｇａ，Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａからなる群より選択される少なくとも１種の元素とＺｒとの複合酸化物を含有する改質触媒に接触させることにより水素を生成する。 - 特許庁

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

The transparent electrode base material 10 at least equipped with a transparent base material 11 and a transparent conductive layer 12 arranged on one of its face is provided with at least one intermediate layer 13 consisting of indium oxide containing a transition element and/or Ga between the transparent base material 11 and the transparent conductive layer 12.例文帳に追加

透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。 - 特許庁

In an optimization system calculating the optimum solution suited to evaluation conditions for which a plurality of conditions are combined by using the genetic algorithm, a GA engine 1 outputting the candidates of the solution suited to individually set evaluation conditions as evolution individual groups PGn (n=1 to N) on the basis of the genetic algorithm is provided in a plurality of stages from a low order to a high order.例文帳に追加

複数の条件が組み合わさった評価条件に適合した最適解を遺伝的アルゴリズムを用いて算出する最適化システムにおいて、遺伝的アルゴリズムに基づいて、個別に設定された評価条件に適合した解の候補を進化個体群ＰＧn（n＝1〜N）として出力するＧＡエンジン１が、下位から上位に亘って複数段設けられている。 - 特許庁

Regarding the oxide fluorescent substance, the main peak of a light emitting spectrum is present near 535 nm, the light emitting output is more than 1.8 times as large as CdWO_4, and the attenuation factor of the afterglow at 300 ms after cutting off stimulating light becomes ≤2.5×10^-5.例文帳に追加

シンチレータとシンチレータの発光を検出するための光検出器とを備えた放射線検出器において、シンチレータとして、発光中心イオンがCeで、Gd、Al、Ga、Oを主要元素としたガーネット構造を有する酸化物蛍光体であって、該酸化物蛍光体1モル％に対して長周期型周期律表のIVa族、Va族及びVIa族のうちの、少なくとも一種の元素を0.0001モル％以上、1.0モル％以下含有せしめたものを用いる。 - 特許庁

The bottle holder 73 comprises a guide section having a bottle guide face 73Ba abutting against the ink bottle when it is loaded and guiding the ink bottle along a specified bottle guide axis GA, a section provided on the bottle guide face and touching the ink bottle to resist movement thereof when the ink bottle is removed along the guide axis, and a section for receiving ink dripping from the ink outlet.例文帳に追加

このボトルホルダ７３は、インクボトルの装着時に、インクボトルと当接し、所定のボトル案内軸心ＧＡに沿って案内するボトルガイド面７３Ｂａを備えているガイド部と、ボトルガイド面上に設けられており、案内軸心に沿ってインクボトルの取り外す際に、インクボトルと接触し、インクボトルの移動の抵抗となる抵抗部と、インク出口から滴下するインクを受け止めるためのインク受け部とを有している。 - 特許庁

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142.例文帳に追加

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。 - 特許庁

This method for producing the ferrite magnetic material having a hexagonal W-type ferrite as a main phase comprises a forming process for making a formed body containing a main ingredient and the first accessory ingredient comprising one, two or more selected from the ingredients of Ga, Al, W, Ce, Mo and Cr and a firing process for firing the resultant formed body.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライトが主相をなすフェライト磁性材料の製造方法であって、主成分とＧａ成分、Ａｌ成分、Ｗ成分、Ｃｅ成分、Ｍｏ成分及びＣｒ成分から選択される１種又は２種以上からなる第１副成分を含む成形体を作製する成形工程と、成形体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴とするフェライト磁性材料の製造方法。 - 特許庁

Even though the internal pressure of the vessel 4 causes deformation of the upper end plate 1, the metal piece 15 or 15a suppresses deformation of the power supply terminal 8 or discharge pipe 10, which enhances the pressure strength of the vessel 4, and removal of water drops is facilitated by the cutouts Ga and Gb to ensure that rust generation is prevented.例文帳に追加

そしてこのことにより、密閉容器４内圧力が上昇し上部鏡板１が変形しても、電源ターミナル８溶接部または吐出管１０の溶接部外周の円弧状金属体１５，１５ａが、電源ターミナル８または吐出管１０の変形を抑制し、密閉容器４の耐圧強度を向上し切り欠き部Ｇａ，Ｇｂにより水滴の除去が容易となり、錆の発生を防止する。 - 特許庁

An intake air amount GA and a fuel injection amount TAU are respectively multiplied until a prescribed duration is terminated during controlling catalyst pre-warming up for obtaining an intake air amount multiplying value GASUM and a fuel injection amount multiplying value TAUSUM, and it is judged whether the intake air amount multiplying value GASUM and the fuel injection amount multiplying value TAUSUM are respectively within a prescribed normal range or not.例文帳に追加

触媒早期暖機制御中に、吸入空気量ＧＡと燃料噴射量ＴＡＵをそれぞれ所定期間が終了するまで積算して吸入空気量積算値ＧＡＳＵＭと燃料噴射量積算値ＴＡＵＳＵＭを求め、吸入空気量積算値ＧＡＳＵＭと燃料噴射量積算値ＴＡＵＳＵＭが、それぞれ所定の正常範囲内か否かを判定する。 - 特許庁

In the particle detector where sample gas G to be detected is introduced to a particle detecting region M being formed by irradiating with laser light La and particles contained in the sample gas G are detected by receiving the scattered light Ls from the particles, the sample gas G is admixed with clean gas Ga having a low polarizability before being introduced to the particle detecting region M.例文帳に追加

レーザ光Ｌａを照射して形成される粒子検出領域Ｍに検出対象となる試料気体Ｇを導き、この試料気体Ｇに含まれる粒子を、レーザ光Ｌａが粒子に照射されて生じる散乱光Ｌｓを受光することによって検出する粒子検出装置において、試料気体Ｇに分極率の低い清浄気体Ｇａを混合して粒子検出領域Ｍに導くようにした。 - 特許庁

For reducing vibrations of the building 20 occurring by vibrations transferred through the ground G, the granular organic foam 1 is prepared, the granular organic foam 1 is paved on the excavated bottom G1 of an excavated groove GA excavated for constructing a continuous footing 21 to form an organic foam layer 10, and the continuous footing 21 can be constructed on the organic foam layer 10.例文帳に追加

地盤Ｇを介して伝播する振動によって生じる建造物２０の振動を低減させるため、粒子状の有機系発泡体１を用意し、布基礎２１を構築するために掘削した掘削溝ＧＡの掘削底Ｇ１に粒子状の有機系発泡体１を敷き詰めて有機系発泡体層１０を形成し、有機系発泡体層１０上に布基礎２１を構築するようにした。 - 特許庁

Even if the output of an inverter circuit 1 varies and voltage fluctuation value occurs, variation in voltages generated at a secondary side coil connected in parallel is suppressed for improved uniformity in parallel outputs on the secondary side, since primary side coils 42 and 43 (242 and 243) of two transformers GA and GB are connected in series, thanks to the DC/DC converter.例文帳に追加

このＤＣ／ＤＣコンバータによれば、インバータ回路１の出力がばらつき、その電圧値に変動等があった場合においても、２つのトランスＧＡ、ＧＢが備える１次側のコイル４２，４３（２４２，２４３）が互いに直列に接続されているため、並列接続された２次側コイルで発生する電圧ばらつきを抑制することができ、２次側の並列出力の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4).例文帳に追加

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

A finder adapter Ga is to be mounted at the back of an eyepiece optical system Gf in a finder optical system and comprises a first lens group G1 having negative refractive power and a second lens group G2 having positive refractive power in the successive order from an object side.例文帳に追加

ファインダー光学系における接眼光学系Ｇｆの後方に装着するファインダーアダプタＧａであって、物体側から順に、負の屈折力を有する第１レンズ群Ｇ１と正の屈折力を有する第２レンズ群Ｇ２とから構成され、上記第１レンズ群を光軸方向に移動させることでファインダー視度を連続的に補正し、かつ以下の条件式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするファインダーアダプタ。 - 特許庁

The memory element includes a first and second impurity areas in which one substance among Sb, Ga, or Bi is contained as a dopant and are formed on a semiconductor substrate, respectively, a dielectric film which is formed adjacent to each of the first and second regions on the semiconductor substrate and contains an charge storage layer and a high dielectric layer, and a gate electrode layer formed on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板にＳｂ、ＧａまたはＢｉのうち何れか一つの物質をドーパントとして含んでそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び前記第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、電荷保存層及び高誘電体層を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

This fluorophor has excitation peaks near 395 nm and 465 nm wavelengths, being an Eu self-activation type red fluorophor with an emission peak near 615 wavelength, exhibiting red-color emission under excitation by an In-Ga-N-based ultraviolet LED and a blue LED, thus accomplishing the high outputting of a three-wavelength type white LED and the high color rendering of a conventional-type white LED.例文帳に追加

この合成化合物は、例えば、ＣａＥｕ_４Ｓｉ_3Ｏ_13やＣａＥｕ(Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３)_３Ｏ_７などであり、波長３９５ｎｍ、４６５ｎｍ付近に励起ピークを持ち、波長６１５ｎｍ付近を発光ピークとするＥｕ自己賦活型の赤色蛍光体であり、ＩｎＧａＮ系紫外ＬＥＤ及び青色ＬＥＤにより励起されて赤色発光を示し、３波長型白色ＬＥＤの高出力化や従来型白色ＬＥＤの高演色化が図れる。 - 特許庁

Salts of one or more metals selected from Al, Ni, Ag, Zn, Mn, W, Ga, Mo, Cr, In and Sn arc impregnated and carried on H type mordenite and Pd is carried on the metallic salt-containing H type mordenite to obtain the objective catalyst for the purification of NOx-containing exhaust gas containing oxygen in the presence of a hydrocarbon reducer.例文帳に追加

炭化水素還元剤の存在下、酸素を含むＮＯｘ含有排ガス浄化用触媒であって、Ｈ型モルデナイトに対してＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎのうちの何れか１種又は２種以上の金属の塩を含浸担持させた後、Ｐｄを担持させてなることを特徴とする金属の塩を含有させたＨ型モルデナイトにＰｄを担持した触媒、この触媒によるＮＯｘ含有排ガス浄化方法及びこの触媒の製造方法。 - 特許庁