「GA」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A network camera (imaging device) 1A extracts images of a monitoring area Ga and a watched area Gb from a taken image Go outputted from an image pickup device 22, each of the images is zoomed by a zooming portion 311 to generate a whole image G1 having a predetermined image size and a watched image G2.例文帳に追加

ネットワークカメラ(撮像装置)１Ａでは、撮像素子２２から出力された撮像画像Ｇｏから監視領域Ｇａと注視領域Ｇｂとの画像を抽出し、それぞれを変倍部３１１で変倍して所定の画像サイズを有する全体画像Ｇ１と注視画像Ｇ２とを生成する。 - 特許庁

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn.例文帳に追加

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。 - 特許庁

With the heat treatment of the laminated structure of Mo/Pd, a Pd-Ga compound is formed at the interface between the Pd layer and the group-III semiconductor, carrier concentration of the group-III nitride semiconductor increases and thereby contact resistance between the electrode and the group-III nitride semiconductor is maintained to a lower value.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｐｄ積層構造体で熱処理することで、Ｐｄ層とＩＩＩ族窒化物半導体界面にＰｄ−Ｇａ化合物が形成されるとともに、ＩＩＩ族窒化物半導体のキャリア濃度が増大し、電極とＩＩＩ族窒化物半導体の間のコンタクト抵抗が低く保たれる。 - 特許庁

The silver-palladium alloy for baking a dental ceramic material is produced by casting a dental prosthesis, and comprises, by weight, 20 to 30% Ag, 60 to 70% Pd, 6 to 8% In, 3 to 5% Ga and 0.1 to 6% Sn.例文帳に追加

本発明は、歯科補綴物を鋳造により作製する歯科用合金であって、Ａｇ：２０〜３０重量％，Ｐｄ：６０〜７０重量％，Ｉｎ：６〜８重量％，Ｇａ：３〜５重量％，Ｓｎ：０．１〜６重量％からなることを特長とする歯科陶材焼付用銀パラジウム合金である。 - 特許庁

The filling auxilary member 14 for changing the flow of a rubbery elastic material Ga toward a molding plate 11 is attached to the side surface 13 on the molding side of a die body 12a through a clamping member 15 such as a bolt or the like.例文帳に追加

この発明の実施形態では、図１及び図３に示すうよに、ダイス本体１２ａの成形側側面１３に、成形プレート１１に向かってゴム状弾性材料Ｇａの流れを変えるための充填補助部材１４がボルト等の締結部材１５を介して着脱可能に取付けてある。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

A seed crystal 10 having a basic composition of ScAlMgO_4 is brought into contact with a melt 13 containing at least Ga and Na flux under a nitrogen-containing atmosphere and a single crystal having a basic composition of Ga_1-xAl_xN(x=0-0.5) is grown.例文帳に追加

ＳｃＡｌＭｇＯ_４を基本組成とする種結晶１０を、少なくともＧａとＮａフラックスとを含む融液１３に対して窒素含有雰囲気下に接触させることによって、Ｇａ_１−ｘＡｌ_ｘＮ（ｘ＝０〜０．５）の基本組成を有する単結晶を育成する。 - 特許庁

When forming the InGaN layer on the p-AlGaN layer, supply of trimethyl aluminum (TMA) is stopped and trimethyl indium (TMI) is supplied while keeping the growth temperature of the p-AlGaN layer thus increasing the supply amount of Ga source gas and forming an InGaN layer having a thickness of 1-2 molecular layers.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

A conductive mayenite type compound wherein a part of a free oxygen ion of a mayenite type compound wherein a part of Al is substituted with M (M is Ga or In) is substituted with an electron, and having an electron density of ≥1×10^15 cm^-3, having a high oxidation resistance and chemically stable is provided.例文帳に追加

Ａｌの一部がＭ（ＭはＧａまたはＩｎ）で置換されたマイエナイト型化合物のフリー酸素イオンの一部が電子で置換されており、１×１０^１５ｃｍ^−３以上の電子密度を有する、耐酸化性が高く化学的に安定した導電性マイエナイト型化合物を提供する。 - 特許庁

This control device calculates the rotating speed of the turbo charger on the basis of the output signal Ga of an air flowmeter 53, the output signal Tt of an atmospheric temperature sensor 55, the inlet pressure of a compressor impeller 42, and the output pressure of the compressor impeller 42, and executes an engine control according to the rotating speed.例文帳に追加

この制御装置は、エアフローメータ５３の出力信号Ｇａ、大気温センサ５５の出力信号Ｔｔ、コンプレッサインペラ４２の入口圧力、及びコンプレッサインペラ４２の出口圧力に基づいてターボチャージャの回転速度を算出し、同回転速度に応じた機関制御を実行する。 - 特許庁

A main component of a positive electrode active material is a Li-Ni composed oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is at least one kind of metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0), and further an oxygen absorbing compound is included.例文帳に追加

主成分が、ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表されるＬｉ−Ｎｉ複合酸化物で、さらに酸素吸収化合物を含む。 - 特許庁

When the balustrade frame 1 is mounted on the side surface of the framework scaffolding A, a locking implement Ga of the unit type temporary stairs G etc. can be locked to the crossrail 3, and the temporary stairs G etc. can be easily and stably installed on the side surface of the framework scaffolding A.例文帳に追加

そして、この手摺枠１を枠組足場Ａの側面に取り付ければ、その横桟３にユニット式の仮設階段Ｇなどの係止金具Ｇａを係止させることができ、枠組足場Ａの側面に仮設階段Ｇなどを容易にかつ安定させて設置することができるようになる。 - 特許庁

An active layer of a semiconductor laser element integrated with optical modulator uses an MQW layer containing a mixed crystal of our elements In, Ga, Al and As to increase the band offset ΔEc of the conductor over 75 meV and the band offset ΔEv of the valence band over 0 meV below 25 meV.例文帳に追加

光変調器集積半導体レーザ素子の活性層にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ及びＡｓの４元混晶を含んだＭＱＷ層を用い、伝導帯のバンドオフセットΔＥｃを７５ｅｍＶよりも大きくし、かつ、価電子帯のバンドオフセットΔＥｖを０ｍｅＶより大きく２５ｍｅＶより小さくする。 - 特許庁

Accordingly, even though the contact trace on the peripheral surface of the secondary transfer roller 4 is transferred on a transfer member S, because its transferred position is the holding region GA of the transfer member S, dirt on print by the contact trace is certainly avoided assuring the prevention of print quality deterioration.例文帳に追加

したがって、二次転写ローラー４の周面上の当接痕が転写材Ｓに転写されるものの、その転写位置は転写材Ｓの把持領域ＧＡであるため、当接痕による印刷物の汚れを確実に防止することができ、印刷物の品質低下を確実に防止することができる。 - 特許庁

Furthermore, the quantity of raw materials to be supplied per unit time is modulated, so that the quantity of Ga source (TMGa) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(A), synchronously changes with an inverse phase to the quantity of In source (TMIn) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(B).例文帳に追加

また、図２(Ａ)に示すＧａ源(ＴＭＧａ)の単位時間当たりの供給量は、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量に対して逆位相で同期して変化するように、原料の単位時間当たりの供給量の変調を行っている。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

The holder H includes: an attachment part 1 to be attached to the support object M; a front part 2 which forms a frame part 4 into which a temple Gb constituting an eyeglasses frame Ga can be inserted from above, together with the attachment part 1; and also, a holding means 5 for pressurizing and holding the temple Gb inserted into the frame part 4.例文帳に追加

支持対象物Ｍに対する取付部１と、この取付部１との間にめがねフレームＧａを構成するつるＧｂを上方から挿通可能とする枠部４を形成する前部２とを備えると共に、枠部４内に挿通されたつるＧｂを押圧保持する保持手段５を備えてなる。 - 特許庁

Further, by adding Ga, the effect of improving the elongation properties in the solder joint is imparted together and thus, the material is made usable for the power module or the like to be used for the on-vehicle device in which durability of the soldered part is thought as important from a use environment accompanied with a severe temperature change.例文帳に追加

また、更にＧａを加えることにより、はんだ接合部の伸び性向上効果を併せて有することで過酷な温度変化を伴う使用環境からはんだ付け部の耐久性が重視される車載用のパワーデバイスに用いられるパワーモジュール等に使用が可能となる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 102 may be sufficed by being constituted of a compound semiconductor including at least one of In and Ga, and at least As and Sb such as Al_zIn_xGa_1-x-zAs_1-ySb_y (where 0≤x≤0.2, 0.3≤y≤1, 0≤z≤1, 0≤x+z≤1).例文帳に追加

なお、半導体層１０２は、ＩｎおよびＧａの少なくとも一方とＡｓ，Ｓｂとを少なくとも備える化合物半導体から構成されていればよく、Ａｌ_zＩｎ_xＧａ_1-x-zＡｓ_1-yＳｂ_y（０≦ｘ≦０．２，０．３≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，０≦ｘ＋ｚ≦１）から構成されていればよい。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device for a gallium nitride compound semiconductor, wherein a flow rate of GaCl gas can be increased by prolonging a reaction time with a Ga melt even when a flow rate of HCl gas is increased, and to provide a vapor phase growth method for a gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

ＨＣｌガスの流量を増やしても、Ｇａ融液との反応時間を長くしてＧａＣｌガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール又は８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

This phosphor material having a garnet structure using Ce as a light-emitting element, and at least containing Gd, Al, Ga and O is characterized by containing Eu and Yb, and having 1×10^-5 to 2×10^-3 mol% sum of the contents of the Eu and Yb.例文帳に追加

本発明は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、ＧａおよびＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、ユーロピウム（Ｅｕ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が１×１０^−５〜２×１０^−３ｍｏｌ％であることを特徴とする蛍光材料である。 - 特許庁

The filling auxiliary member 14 is a protruded member for pushing the rubbery elastic material Ga in a region where the filling with a material is insufficient at the time of molding of the annular member Wa and attached so as to inclined toward the lower sides of the molding plate 11 and the annular reference member Q.例文帳に追加

充填補助部材１４は、環状部材Ｗａの成形時に材料の充填に不十分な部位に、前記ゴム状弾性材料Ｇａを押し込む突起状の部材であり、成形プレート１１と円環状基準部材Ｑの下部側に向かって傾斜させて取付けてある。 - 特許庁

This alkaline battery comprises crosslinked polymer A, whose main constituent monomer unit is (meth)acrylic acid (salt), of which the gelling agent has a gel (GA) viscosity ratio (N1/N60) of 0.7 to 1.3 and the content of components soluble in a 37 wt.% aqueous solution of potassium hydroxide is not more than 30 wt.%.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸（塩）を主構成単量体単位とする架橋重合体（Ａ）からなり、ゲル（ＧＡ）の粘度比（Ｎ１／Ｎ６０）が０．７〜１．３、及び３７重量％水酸化カリウム水溶液への可溶性成分量が３０重量％以下であるアルカリ電池用ゲル化剤及びアルカリ電池。 - 特許庁

When PM accumulation quantity PMsm in the exhaust emission control mechanism is a threshold A or less (S120:YES), a differential pressure reference value Dp and a value of (differential pressure ΔP(pressure difference between an exhaust gas upstream side and an exhaust gas downstream side of the exhaust emission control mechanism)/suction air quantity Ga) are compared (S130).例文帳に追加

排気浄化機構におけるＰＭ堆積量ＰＭｓｍが閾値Ａ以下であるときには（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、「圧力差ΔＰ（排気浄化機構の排気上流側と排気下流側との圧力差）／吸入空気量Ｇａ」の値と差圧基準値Ｄｐとを比較する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

As the application solution for oxide thin film formation, a solution is used which contains at least two or more kinds of β-diketone complex of single metal constituted of β-diketone complex of single metal of In, Ga, Al or Zn and having ≥10 carbon atoms in one ligand and represented by formula (I).例文帳に追加

式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。 - 特許庁

A cylindrical toner recovery roll 23 is rotated in contiguity with and in opposition to a photosensitive drum 9 and a developing sleeve 21, and a DC voltage with the same polarity as the charge polarity of toner is applied to the toner recovery roll 23 to thereby electrostatically attach scattered reversely charged toner to the cylindrical surface thereof in a developing area GA.例文帳に追加

感光ドラム９及び現像スリーブ２１に近接対向させて、円筒状のトナー回収ロール２３を回転させ、トナーの帯電極性と同極性の直流電圧を印加して、現像領域ＧＡにおいて飛散した反転帯電トナーを円筒面に静電的に付着させる。 - 特許庁

Mn is co-doped into ZnO together with Ga to release the stress, thereby the solid solution threshold of gallium within ZnO is made to increase; through this, the electron concentration, mobility and electric conductivity of GZO are raised, thereby stability such as moisture resistance can be raised.例文帳に追加

ＺｎＯに、ＧａとともにＭｎをコドーピングしてストレスを緩和させることにより、ＺｎＯ内でのガリウムの固溶限界を増加させ、これを通じて、ＧＺＯの電子濃度、移動度および電気伝導度を向上させ、耐湿性などの安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上させることができる。 - 特許庁

An ignitability parameter IG indicating the ignitability of fuel in a combustion chamber is calculated according to a cylinder pressure PCYL, a cylinder gas temperature TCYL, an engine speed NE, a total fuel injection quantity QIT, a combustion chamber wall surface temperature TWALL, and an intake air flow rate GA.例文帳に追加

筒内圧ＰＣＹＬ、筒内ガス温度ＴＣＹＬ、エンジン回転数ＮＥ、総燃料噴射量ＱＩＴ、燃焼室壁面温度ＴＷＡＬＬ、及び吸入空気流量ＧＡに応じて、燃焼室内の燃料の着火性を示す着火性パラメータＩＧを算出する。 - 特許庁

The main of a composite oxide sintered compact for forming the transparent thin film is the crystal of a compound which contains an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) and whose formula is denoted as In_2Ga_2ZnO_7.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in a crucible by the Czochralski method, the silicon crystal is grown by making a seed crystal contact with the silicon molten liquid and pulling it up while revolving it.例文帳に追加

ならびに、シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element.例文帳に追加

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。 - 特許庁

The logic circuit is formed of standard cells constituting the standard cell region SC, and the switching transistor of an MTCMOS which controls the power supply and leak route interruption of an adjacent logic circuit is formed of the basic cells of gate arrays constituting each gate array region GA.例文帳に追加

スタンダードセル領域ＳＣを構成するスタンダードセルにより論理回路が形成され、各ゲートアレイ領域ＧＡを構成するゲートアレイのベーシックセルにより、近接する論理回路部の電源供給とリーク経路遮断を制御するＭＴＣＭＯＳのスイッチトランジスタが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a nitride semiconductor including at least one of Al, Ga, and In capable of reducing the dislocation density in an epitaxial-grown semiconductor layer and of being used as a practical device such as FET or HEMT.例文帳に追加

Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The catalyst contains a Ce-Ga-Mn-Fe composite oxide comprising a solid solution keeping a fluorite type structure which contains cerium, gallium, manganese and iron, and in which at least a part of at least one selected from a group comprising the gallium, the manganese and the iron is replaced with a part of the cerium.例文帳に追加

触媒は、セリウムとガリウムとマンガンと鉄とを含有し、該ガリウム、該マンガン及び該鉄から成る群より選ばれた少なくとも１種の少なくとも一部が該セリウムの一部と置換し、蛍石型構造を保っている固溶体からなるＣｅ−Ｇａ−Ｍｎ−Ｆｅ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

According to 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san' (inscription to the portrait of Kojiro Nobumitsu KANZE) and "Yoza yakusha mokuroku" (Catalog of Actors of the Four Troupes) written by KEIJO Shurin (abbot of Nanzen-ji Temple in Kyoto), when the 15-year-old Nobumitsu took part in a Sarugaku performed before Emperor Gohanazono, the Emperor gave Nobumitsu a fan to honor his performance through Yoshimasa ASHIKAGA who watched Sarugaku with the Emperor. 例文帳に追加

景徐周鱗の書いた「観世小次郎信光画像讃」や『四座役者目録』などよると、15歳の時後花園天皇の御前での猿楽に参加し,天皇の扇を同席した足利義政の手添えで授けられるという栄誉を受けたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The positive electrode active material is provided with complex oxide particles containing at least lithium (Li) and gallium (Ga) and a covering layer consisting of an oxide containing lithium (Li) and at least one of covering elements out of nickel (Ni) and manganese (Mn) at least at a part of the complex oxide particles.例文帳に追加

正極活物質は、リチウム（Ｌｉ）およびガリウム（Ｇａ）を少なくとも含有する複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部にリチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層とを備える。 - 特許庁

In this ultraviolet sensor, a plurality of ultraviolet detecting elements having at least an ultraviolet ray transmitting electrode transmitting ultraviolet ray, an optical semiconductor layer containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In, and a counter electrode, are arrayed.例文帳に追加

少なくとも、紫外線を透過する紫外線透過電極と、Ａｌ、Ｇａ、及び、Ｉｎからなる群より選ばれる１以上の元素及び窒素を含有する光半導体層と、対向電極と、を有する紫外線検出素子が複数個配列されてなることを特徴とする紫外線センサーである。 - 特許庁

An optimal water operation planning part 12 simultaneously calculates an optimal planned value for smoothing the operation load of a water pump based on water demand data or plant data and plant characteristic data from an input part 11 by using a branch and bound method(BBM) and a genetic algorithm(GA).例文帳に追加

最適水運用計画部１２は、入力部１１からの水需要データやプラントデータ、プラント特性データに基づき、送水ポンプの運転負荷を平滑化するような最適計画値を分枝限定法（ＢＢＭ）及び遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）を用いて同時に演算する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device contains the steps of forming a silicon nitride film (26) having a refractive index of 1.85 or less on a compound semiconductor layer (20) containing Ga by a plasma CVD method, and selectively processing the compound semiconductor layer by using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁