HCLを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 171件
The prior document D1 (US 6538152B1 Mar. 25, 2003) disclosed the same compound in example 2(compound 12), but did not disclose its HCl salt in the same example. 例文帳に追加
先行文献D1(US6538152B1、2003年3月25日)は、実施例2で同一の化合物(化合物12)を開示しているが、当該実施例ではその塩酸塩を開示していない。 - 特許庁
A gallium nitride film is caused to grow on a substrate by supplying a hydrogen chloride (HCl) gas and an ammonia gas.例文帳に追加
窒化ガリウム膜は、塩化水素(HCl)ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。 - 特許庁
The surface of the silicon wafer is cleaned by using hydrochloric acid (HCl/ozone) or hydrofluoric-acid aqueous solution (HF/ozone) containing ozone.例文帳に追加
オゾンを含む塩酸(HCl/オゾン)又はフッ化水素酸水溶液(HF/オゾン)を用いてシリコンウエーハ表面を洗浄する。 - 特許庁
An acid regenerating agent (HCl) is thereafter brought into contact with the strongly acidic cation exchange resin, by which the strongly acidic cation exchange resin is regenerated.例文帳に追加
その後、強酸性カチオン交換樹脂に酸再生剤(HCl)を接触させて、強酸性カチオン交換樹脂を再生する。 - 特許庁
To provide a method for processing a mixture containing HCl, H_2O and siloxane in the presence of a filler superior in durability.例文帳に追加
より耐久性である充填物の存在でHCl、H_2O及びシロキサンを含有する混合物を加工する方法。 - 特許庁
The titanium tetrachloride aqueous solution as in a liquid film state is heated to 300°C or higher to volatilize H_2O and HCl in the liquid film.例文帳に追加
液膜状態のまま、四塩化チタン水溶液を300℃以上に加熱して、液膜中のH_2 O及びHClを揮発させる。 - 特許庁
The heated HCl gas introduced from the pipe 71 is mixed in the exhaust gas along the flow of the exhaust gas and directly heats the exhaust gas.例文帳に追加
加熱ガス供給管71から導入された加熱ガスは、排出ガスの流れに沿って排出ガスに混じり合い、排出ガスを直接加熱する。 - 特許庁
The mixture containing HCl, H_2O and siloxane, is processed in the presence of the filler comprising a fluorinated vinyl polymer.例文帳に追加
フッ素化ビニルポリマーからなる充填物の存在で、HCl、H_2O及びシロキサンを含有する混合物を加工する。 - 特許庁
To provide a process for reducing the content of a sulfur component in an HCl-containing process gas from isocyanate equipment as efficiently as possible.例文帳に追加
イソシアネート設備からのHCl含有プロセスガス中での硫黄成分を減少させるために可能な限り効率的な方法を提供する。 - 特許庁
To enable the formation of a homogeneous, conformable silicon oxide film without the generation of HCl.例文帳に追加
HClを発生させることなく、均質かつコンフォーマルなシリコン酸化膜を形成することを可能にする。 - 特許庁
RT≤5.0×10^6/(SV×CHC_l) and RT≤6.7H, where RT represents retention time (h), SV represents superficial velocity (h-1), CHC_l represents the concentration of hydrogen chloride (ppm) and H represents the height of the moving bed (m).例文帳に追加
ここで、RT:滞留時間(h)、SV:空塔速度(h^-1)、C_HCl:塩化水素濃度(ppm)、H:移動層の高さ(m) - 特許庁
The divided sections are formed in the electrodialysis tank 13 by reciprocally arranging a cation exchange membrane and an anion exchange membrane and the washing liquid after HCl gas absorption is introduced into every the other divided sections, so that the diluted HCl solution can be concentrated and recovered.例文帳に追加
この電気透析槽13は、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とが交互に配されて区画室が形成されており、HClガス吸収後の洗浄液を1つおきの区画室に導入することにより希薄HCl液が濃縮されて回収される。 - 特許庁
The gas supply section 16 comprises a line 32 for supplying cleaning gas, i.e., HCl gas, into the chamber, a line 34 for supplying SiH4 gas to the HCl gas supply line 32, a control section 36, and a heating section 38.例文帳に追加
ガス供給部16は、クリーニングガスであるHClガスをチャンバ内に供給するHClガス供給ライン32とHClガス供給ライン32にSiH_4ガスを供給するSiH_4ガス供給ライン34と制御部36と加熱部38とを備えている。 - 特許庁
The method for purifying the single crystal silicon member for heat treating the semiconductor substrate includes a step of cleaning the single crystal silicon member having an oxide film by an HF aqueous solution, and further a step of heat treating the semiconductor substrate in a mixed gas atmosphere of an HCl having an HCl gas concentration of 5 to 50 % and an oxygen.例文帳に追加
半導体基板熱処理用単結晶シリコン部材の純化方法は、酸化膜を有する単結晶シリコン部材をHF系水溶液で洗浄する工程と、さらに、HClガス濃度が5〜50%のHClと酸素の混合ガス雰囲気で熱処理する工程とを有する。 - 特許庁
CD deck lock pieces 13c and cassette deck lock pieces 13c are made, e.g. symmetric to the horizontal center line HCL, and regular CD deck mounting holes 13d and dummy CD deck mounting holes 13dd, and regular cassette deck mounting holes 13f and dummy cassette deck mounting holes 13ff are also made symmetric to the HCL, respectively.例文帳に追加
例えば、CDデッキ係止片13cとカセットデッキ係止片13eとを水平中心線HCLに対して対称形とし、正規のCDデッキ取付穴13dとダミーのCDデッキ取付穴13dd、および正規のカセットデッキ取付穴13fとダミーのカセットデッキ取付穴13ffもそれぞれHCLに対して対称形とする。 - 特許庁
The claim invention is a HCl salt of a specific compound, Ethyl (.)-2-[4-[2-[[(1S,2R)-2-hydroxy-2-(4-hydroxyphenyl)-1-ethylethyl]amino]ethyl]-2,5-dimethylphenoxy]acetate (so-called as compound A). 例文帳に追加
請求項に係る発明は特定の化合物 [(.)-2-[4-[2-[[(1S,2R)-2-ヒドロキシ-2-(4-ヒドロキシフェニル)-1-エチルエチル]アミノ]エチル]-2,5-ジメチルフェノキシ]酢酸エチル(いわゆる化合物A)]の塩酸塩である。 - 特許庁
FILTER DUST COLLECTOR (BAG FILTER) FOR SIMULTANEOUSLY AND COLLECTIVELY REDUCING AND REMOVING DIOXIN, DUST, HYDROGEN CHLORIDE(HCl), NITROGEN OXIDES(NOx) AND SULFUR OXIDES(SOx)例文帳に追加
排ガス中に含まれるダイオキシン類、ダスト、塩化水素(HCl)、窒素酸化物(NOx)及び硫黄酸化物(SOx)を同時に一括低減除去するろ過式集塵装置(バグフィルター) - 特許庁
In a preferred embodiment, nickel is used as the metal for forming nickel germanide, and HCl is used as an etchant for selectively removing nickel.例文帳に追加
好適な実施例では、ニッケルは、ニッケルゲルマニドを形成するための金属として使用され、さらに、HClは、ニッケルを選択的に除去するエッチング液として使用される。 - 特許庁
An hCL-polypeptide comprising 271 amino acids in succession and unconnecting with not only maltose but also N-acetylgalactosamine, a polynucleotide encoding the polypeptide, and a vector having introduced the above polynucleotide are provided.例文帳に追加
271個の連続するアミノ酸からなり、かつマルトースおよびN-アセチルガラクトサミンに結合しないhCL-K1ポリペプチド、該ポリペプチドをコードするポリヌクレオチド、さらに該ポリヌクレオチドが導入されたベクター。 - 特許庁
Similarly, the carrier gas and hydrogen chloride (HCl) are introduced, and a boat 72 loading metal indium (In Metal) 70 is arranged at the intermediate of the channel of this hydrogen chloride.例文帳に追加
同様に、キャリアガスと塩化水素(HCl)が導入されるが、この塩化水素の流路の途中に金属インジウム(In Metal)70を載せたボート72が配置されている。 - 特許庁
Accordingly, HCl, HBr or the like can be removed in 0.1 ppm or less, and trace amounts of chlorobenzene and chlorophenol can be analyzed with high signal intensity.例文帳に追加
HCl,HBrを0.1ppm以下に除去することができ、微量のクロロベンゼン類及びクロロフェノール類を高い信号強度で分析することができる。 - 特許庁
Further as sulfur supplied from the high-sulfur coal captures chlorine (Cl2) in the second reduction zone 9, and reduces it to hydrogen chloride (HCl), the generation of dioxin can be reduced.例文帳に追加
さらに第2還元域9では高硫黄分炭より供給される硫黄分が塩素(Cl2)を捕捉し、塩化水素(HCl)に還元するため、ダイオキシン発生を抑制できる。 - 特許庁
Prior to the analysis of chlorophenol or chlorobenzene, a measuring gas is cooled to concentrate the steam, and HCl, HBr or the like is dissolved in the concentrated water and removed.例文帳に追加
クロロフェノールあるいはクロロベンゼンを分析する前に、被測定ガスを冷却して水蒸気を凝縮し、凝縮水中にHCl,HBr等を溶解させて除去する。 - 特許庁
A cut and mirror-finished lithium calcium aluminum fluoride single crystal is immersed in a 1-6N aqueous HCl solution at 20-80°C and etched for the time required.例文帳に追加
切断および鏡面研磨したフッ化リチウムカルシウム単結晶を20℃〜80℃で1N〜6NのHCl水溶液に浸漬し、所要の時間エッチングする。 - 特許庁
The corrosion occurring at a plant apparatus for preparing the hydrogenated nitrile rubber is caused by the unexpected presence of a relatively larger amount of hydrogen chloride(HCl) which is produced by dehydrohalogenation of monochlorobenzene of the solvent during the reaction.例文帳に追加
水素化ニトリルゴムを製造するプラント装置における腐食の出現は、驚くべきことに、反応条件下でモノクロロベンゼン溶媒のヒドロ-脱ハロゲン化によって生成する比較的多量のHClの予想外の存在による。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that a semiconductor substrate containing Ge is cleaned with a halogenated gas containing at least one among an HCL gas, an HBr gas and an HI gas.例文帳に追加
Geを含有する半導体基板を、HClガス、HBrガスまたはHIガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁
Since HCl generated by incineration is immediately immobilized by reaction with the basic sodium compound, the production amount of dioxins during a process of decreasing the temperature is remarkably deceased.例文帳に追加
焼却により発生したHCl等は直ちに塩基性ナトリウム化合物と反応して固定化されるため、ガスの降温過程でのダイオキシン類の生成量が極めて少なくなる。 - 特許庁
To increase the production amount of a liquid BCl3 product having a phosgene content of ≤10 ppm, a chlorine content of ≤10 ppm and an HCl content of ≤10 ppm.例文帳に追加
本発明は、ホスゲンの含有量が10ppm以下、塩素の含有量が10ppm以下、HClの含有量が10ppm以下の、液体状態のBCl_3製品の生産量を増大させる方法に関する。 - 特許庁
To obtain a resin composition with a low harmful chlorine content for a gasket which is inexpensive and flame-retardant and reduces dioxine, smoke and HCl generation.例文帳に追加
安価で、難燃性であり、ダイオキシンの発生量を減少させ、かつ発煙量を抑え、更にHClの発生量を抑えることができるガスケット用低有害性塩素含有樹脂配合物の提供。 - 特許庁
To provide an HCl gas sensor which can obtain a stable output in the sensor in which a working electrode, a counter electrode and a reference electrode are formed on the same plane of a gas diffusion membrane.例文帳に追加
ガス拡散膜の同一平面上に、作用極、対極、参照極の電極が形成されたセンサにおいて、安定した出力が得られるHCLガスセンサを提供する。 - 特許庁
This treated raw water 1 for the production of electrolytic hypochlorous acid is prepared by dissolving 0.1 to 0.3 wt.% NaCl and 0.002 to 0.006 wt.% HCl in water.例文帳に追加
電解次亜塩素酸製造用の処理原水は,0.1〜0.3重量%のNaClと,0.002〜0.006重量%のHClとを水に溶解させてなる。 - 特許庁
The mixed gas in a discharge chamber 1 of a laser contains a halogen component, containing the molecules of such a chemical species as F2, HCl, etc., that is apt to deplete from the initial concentration.例文帳に追加
レーザの放電チェンバ1内の混合ガスは初期の濃度から減損しやすいF_2 あるいはHClといった化学種分子を含むハロゲン成分を含む。 - 特許庁
Since Na_2CO_3 generated in the reaction is decomposed and removed by HCl added beforehand, a back reaction is suppressed and more fluorine ions are removed in the reaction tower 5.例文帳に追加
この反応で生成した炭酸ナトリウムは、予め添加した塩酸によって分解・除去されるので、逆反応を抑制することができ、より多くのフッ素イオンを反応塔5で除去することができる。 - 特許庁
This modified release pharmaceutical composition in a tablet form containing bupropion HCl as an active substance is characterized by comprising hydroxypropylmethyl cellulose, stearic acid and carnauba wax mixed with the excipient substance as components.例文帳に追加
成分として賦形剤と混合したヒドロキシプロピルメチルセルロース、ステアリン酸およびカルナウバ蝋を含むことを特徴とする、有効成分として塩酸ビュープロピオンを含む錠剤形態の改良型放出医薬品組成物。 - 特許庁
To obtain a pharmaceutical composition in a modified release tablet form containing bupropion HCl as an active substance and including a hydrophilic component and a hydrophobic ingredient mixed with an excipient substance.例文帳に追加
本発明は、有効成分として塩酸ビュープロピオンを含み、賦形剤と混合した親水性成分および疎水性成分を同時に含む、改良された放出錠剤形態の医薬品組成物を提供する。 - 特許庁
HCl absorbent used in this method comprises CaO.MgO obtained by granulating a mixture containing an org. acid salt of Mg and an org. acid salt of Ca in an equimolar ratio and baking the obtained granules.例文帳に追加
CaO・MgOからなるHCl吸収剤を得るには、酢酸カルシウムと酢酸マグネシウムの当モル混合物に水を加え、全体を造粒した後、400℃〜800℃で焼成する。 - 特許庁
To provide a method for isolating difluoromethane from a crude mixture containing HCl and an azeotropic mixture of difluoromethane and HF without the need to isolate any HF azeotrope.例文帳に追加
HF共沸混合物を分離する必要なしにHCl及びジフルオルメタンとHFとの共沸混合物を含有する粗混合物からジフルオルメタンを分離する方法を提供する。 - 特許庁
(A) The surfactant manifests <50 mN/m of surface energy in HCl aqueous solution with pH 2±0.3 and containing 5 wt.% of the added surfactant solid content.例文帳に追加
(A)pH2±0.3とした塩酸水溶液に、界面活性剤を固形分換算で5重量%を添加したとき、この水溶液の表面エネルギーが50mN/m以下である。 - 特許庁
On the upper surface of the p-type contact layer 7, a concave-convex shape is intentionally formed by gas phase etching using the mixed gas of H_2 gas and HCl gas as etching gas after a crystal growth is completed.例文帳に追加
このp型コンタクト層7の上面には、結晶成長完了後にH_2 ガスとHClガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a complex mineral capable of developing different characteristics such as excellent antibacterial, deodorization, radiation, etc., and further having controllability of generating dioxins and resolvability of HCl.例文帳に追加
抗菌性、脱臭性、放射性等の特性に優れ、さらにダイオキシン類の発生抑制能及びHClの分解能を有するなどの各種特性を発現し得る複合鉱物の製造方法を提供する。 - 特許庁
By adding at least one kind of the acid out of acids, such as a hydrogen peroxide (H2O2) and a hydrochloric acid (HCl), into the ozone water Lo, the acid can be fed to the surface of the substrate S along with the ozone water Lo.例文帳に追加
オゾン水Lo中には、過酸化水素(H_2 O_2 )や塩酸(HCl)等の酸のうちの少なくとも1種類を添加することで、基板Sの表面にオゾン水Loと共に酸を供給しても良い。 - 特許庁
At this time, a major component in an etching gas is a combination of chlorine gases (of Cl2, BCl3, HCl, etc.), which is the same as in the etching of the metallic film 3.例文帳に追加
そのときのエッチングガスの主成分は、金属膜のエッチングと同一の、塩素系ガス(Cl_2、BCl_3、HCl等、Clを含むガス)を組み合わせたものにする。 - 特許庁
To improve the high temperature corrosion resistance of a Cr-Ni-Fe based alloy particularly in a high temperature strong corrosive environment, e.g., of a waste incineration furnace comprising gas such as HCl and SO_2 and dust such as sulfate and chloride.例文帳に追加
Cr−Ni−Fe系合金において、高温での耐食性、特に、ごみ焼却炉のように、HClやSO_2などのガス、硫酸塩や塩化物などのダストを含む高温強腐食環境での耐食性を改善する。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that a semiconductor substrate containing Ge is cleaned with an HCL solution of 75 to 110°C.例文帳に追加
Geを含有する半導体基板を、75℃以上110℃以下のHCl溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁
To simultaneously absorb, adsorb, and remove HCl, SOx and radioactive Ru in exhaust gas by a reaction bed consisting of a single adsorbent constituted in a single reaction tower.例文帳に追加
単一の反応塔内に構成される単一の吸着吸収剤からなる反応床によって、排ガス中のHCl、SOxおよび放射性Ruを同時に吸収、固定して、除去する。 - 特許庁
Then the NSG film 5 is etched and removed by using a mixed solution of 0.1% HF and 0.7% HCL, so that polymer residuals 7 on the NSG film 5 can be removed together with the NSG film.例文帳に追加
その後、例えば0.1%HFと0.7%HCLの混合溶液を用いてNSG膜5をエッチング除去することで、NSG膜5上のポリマー残渣7をNSG膜5とともに除去できる。 - 特許庁
The hydrohalic gas may also be HF, HCl, HBr or HI, the halogen gas may also be F_2, Cl_2, Br_2 or I_2, and the doping gas may also be a B-containing gas or a P-containing gas.例文帳に追加
ハロゲン化水素ガスはHF、HCl、HBrまたはHIであってもよく、前記ハロゲンガスはF_2、Cl_2、Br_2またはI_2であってもよく、ドーピングガスはB含有ガスまたはP含有ガスであってもよい。 - 特許庁
A solvent 5 (oil, fluorine type inert liquid) solubilizing a substance to be detoxified (SiHCl3) by the gas-liquid contact with exhaust gas 4 (SiHCl3, HCl, H2) and not forming a harmless solid substance (SiO2) is prepared.例文帳に追加
排ガス4(SiHCl3、HCl、H2)との気液接触により被除害物質(SiHCl3)を可溶するとともに無害の固体物質42(SiO2)を生成しない溶媒5(油、フッ素系不活性液体)が用意される。 - 特許庁
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