「Leakage current」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁

When the imperfect insulation region of a gate exists, a leakage current flows through the split gate electrode 30a of the block 22, where an imperfect insulation region exists in a gate insulation evaluation test, the thin film resistor 33 is blown out, and only the defective block 22 is isolated electrically.例文帳に追加

ゲートの絶縁不良箇所が存在すると、ゲート絶縁性評価テストにおいて、その不良箇所があるブロック２２の分割ゲート電極３０ａに薄膜抵抗体３３を介してリーク電流が流れるので、そのリーク電流によって薄膜抵抗体３３が溶断し不良ブロック２２だけが電気的に切り離される。 - 特許庁

To prevent leakage current due to floating in a single-ended receiver circuit of a slave side USB transceiver part during USB cable disconnection without adversely influencing USB signal characteristics, by means of a low power consumption circuit, under the adoption of a USB interface into a battery-driven mobile product.例文帳に追加

低消費電力化回路により、バッテリー駆動のモバイル製品へのＵＳＢインターフェースの採用に対して、ＵＳＢケーブル未接続時のスレーブ側ＵＳＢトランシーバ部のシングルエンドレシーバ回路でのフローティングによるリーク電流を、ＵＳＢ信号特性に悪影響を与えないで防止する。 - 特許庁

Thus, the gate potential of the driving transistor drops to thereby surely put the driving transistor in the non-conducting state, so that when the gate electrode of the driving transistor is electrically separated from a signal line to enter the floating state, current leakage of the driving transistor can be restrained.例文帳に追加

これにより、駆動トランジスタのゲート電位が下がることによって当該駆動トランジスタが確実に非導通状態となるために、駆動トランジスタのゲート電極が信号線から電気的に切り離され、フローティング状態になったときに、駆動トランジスタの電流リークの発生を抑えることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device including a differential amplifier to which an input potential and a reference potential are inputted, a gain stage, and an output stage for outputting an output potential, a potential supplied from the gain stage is kept constant by arranging a transistor having a low leakage current in an OFF state, at the output stage.例文帳に追加

入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。 - 特許庁

In this case, the sleeve antenna can be operated over a wide frequency band by regulating the variable capacitive element to change the frequency band at which a leakage current is to be blocked without increasing the distance between the two sleeve conductors 6, 8 and the outer conductor 2 of the coaxial line 1.例文帳に追加

本スリーブアンテナ装置を用いれば、２つのスリーブ導体６、８と同軸線路１の外導体２との間の距離を大きくすることなく、漏れ電流を阻止する周波数帯域を可変容量素子の調節により変化させることによって、スリーブアンテナを広い周波数帯域にわたって動作させることができる。 - 特許庁

A hole for converting the pressure of leaking gas or an obstacle to a gas current is installed for the gas leakage detecting device and an inspector hears the pressure of the leaking gas as an audible sound by the simple device, independently of the shape of the defective hole to be inspected nor leak conditions of gas to detect whether there is a defect.例文帳に追加

気体漏れの検出装置に漏れ気体の風圧を音響に変換する孔または気流の障害物を設置することにより、被検査対象の欠陥孔の形状、気体の漏れ条件に関わりなく、簡便な装置で漏洩気体の風圧を可聴音として検査者が聞き取り、欠陥の有無を検出できるようにした。 - 特許庁

To suppress a leakage current via an ESD protecting element, while protecting against ESD a semiconductor integrated circuit to which the output signal of another semiconductor integrated circuit operating, with a relatively high power-supply voltage and a semiconductor integrated circuit whose sleep state is controlled with an external control signal, in an environment where a plurality of semiconductor integrated circuits operate at a plurality of power-supply voltages.例文帳に追加

複数の電源電圧で動作する複数の半導体集積回路が混在し、相対的に高い電源電圧で動作する他の半導体集積回路の出力信号が入力される半導体集積回路や、スリープ状態を外部制御信号によって制御される半導体集積回路において、その半導体集積回路をＥＳＤから保護しつつ、そのＥＳＤ保護素子を介したリーク電流を抑える。 - 特許庁

Furthermore, the display device (10) has a voltage-compensating means (26) for applying a specified voltage to a terminal opposite to a terminal coupled to the liquid crystal display element in a maintaining period when the storage capacitor holds image data, so as to compensate a leakage current to a source line (12) via the driving control switch.例文帳に追加

ディスプレイ装置（１０）は、更に、記憶用コンデンサが画像データを保持する保持期間の間、駆動制御スイッチを介するソースライン（１２）への漏れ電流を補償するよう、記憶用コンデンサの液晶表示素子に接続される端子とは逆の端子に所定の電圧を印加する電圧補償手段（２６）を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing moisture absorption to an insulating layer and the adverse effects on a wiring layer and on a via of moisture, passing through the insulating layer and thereby suppressing some or all of the problems, such as increase in dielectric constant, corrosion of a wiring metal, oozing of the wiring metal into an insulating film and increase in the leakage current.例文帳に追加

絶縁層への吸湿や絶縁層を通過する水分の配線層やビアへの悪影響を抑制でき、その結果、誘電率の上昇、配線金属の腐食、配線金属の絶縁膜中への滲みだし、リーク電流の増大等の問題のいずれかまたは全てを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pixel circuit which can realize a high gradation by reducing the crosstalk generated by a change in a gate voltage of a driving transistor by a leakage current of an off region of a pixel switching element to an unrecognizable extent to offset and compensate the threshold voltage of the driving transistor.例文帳に追加

画素スイッチング素子のオフ領域の漏洩電流によって駆動トランジスタのゲート電圧が変化して発生するクロストークを認識不可能な程度に減少させ、駆動トランジスタの閾値電圧を相殺して補償することによって、高階調を実現できる画素回路及びそれを用いた有機発光表示装置を提供する。 - 特許庁

Information is stored by setting the leakage-current level of the semiconductor memory cell (300) by causing breakdown (a soft or hard breakdown) by stressing the ultrathin-film dielectric (312) by using the semiconductor memory cell (300) including a data storage element (115) configured around the ultrathin-film dielectric (312).例文帳に追加

超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。 - 特許庁

To provide a failure diagnosing device for a refrigerating cycle device of a simple constitution, capable of predicting failure with current instantaneous data, not needing storage of past data and duration time for a long time, and detecting failure factor of refrigerant leakage and clogging of a heat exchanger not caused by air-conditioning cycle parameter.例文帳に追加

現状での瞬時データで故障予知可能であり、過去デ−タや継続時間を長時間記憶する必要がないうえ、空調サイクルパラメータを原因としない冷媒リークや熱交換器の詰まり等の故障要因も検知可能な、簡単な構成の冷凍サイクル機器用故障診断装置等を提供する。 - 特許庁

When a silicon nitride film as the diffusion preventing film exists on the interface of the High-K film and silicon substrate and the diffusion preventing film containing nitrogen exists on the interface of the High-K film and electrode, an ideally stable EOT and small leakage current characteristics can be achieved, by using EOT of 0.7 nm or larger.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

To simply obtain an organic electroluminescence element capable of stably perform good light emission by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defective part or gradual increase in size of a defective part such as a dark spot when the organic electroluminescence element is caused to emit light.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させた場合に、導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下したり、ダークスポット等の欠陥部分が次第に拡大したりするのを抑制し、良好な発光が安定して行える有機エレクトロルミネッセンス素子が簡単に得られるようにする。 - 特許庁

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided.例文帳に追加

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

In the capacitor apparatus comprising a plurality of capacitor cells 1 connected in series, a shunt regulator 2 connected in series with a leakage current compensation resistor RL, and operating voltage setting resistors R1, R2 for regulating the operating voltage of the shunt regulator 2 are connected in parallel with each capacitor cell 1.例文帳に追加

直列に接続した複数のキャパシタセル１からなるキャパシタ装置において、各キャパシタセル１に、漏れ電流補償抵抗ＲＬと直列に接続したシャントレギュレータ２と、このシャントレギュレータ２の動作電圧を規定する動作電圧設定抵抗Ｒ１、Ｒ２とを並列に接続して構成した。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

In fitting the interrupter 1 on the rail, the metal terminals 2 are pushed into the interrupter 1 main body through the use of their elasticity, and output signals such as those on electric leakage, current and voltage can be transmitted through the metal terminals 2.例文帳に追加

本発明に係る漏電遮断器１は、過電流引き外し、漏電引き外し、短絡保護等の保護機能を持たせ、分電盤に設けられた遮断器取り付け板に敷設された出力信号電送レールに当接させると共に、漏電遮断器１の裏面１ａ、レール取り付け面に弾性を有する通電可能な金属端子２を突設し、漏電遮断器１をレールに取り付ける際、金属端子２の弾性を利用し金属端子２を漏電遮断器１本体に押し込むと共に、金属端子２を介して漏電や、電流、電圧等の出力信号を伝送可能であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing an SOI integrated circuit of a complete depleting operation and low parasitic resistance, minimizing the damage of the SOI layer surface of a channel formation part while provided with a recess structure, minimizing a crystal defect while suppressing stress even at the end part of a channel region and suppressing the generation of a leakage current due to it, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

完全空乏化動作及び低寄生抵抗のＳＯＩ集積回路を実現することができ、リセス構造を有しながら、チャネル形成部のＳＯＩ層表面のダメージを最小限に抑えることができ、チャネル領域の端部においても、応力を抑制しながら、結晶欠陥を最小限に止め、それに起因するリーク電流の発生を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By means of the semiconductor device obtained by significantly improving the performance of a buried channel semiconductor device by suppressing the channel leakage current of the buried channel MOSFET and its manufacturing method, a semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel-surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method.例文帳に追加

埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴのチャネルリーク電流を抑制し、埋め込みチャネル型半導体装置のパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法、でチャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same.例文帳に追加

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is capable of effectively reducing parasitic capacities between data lines and pixel electrodes, reducing interference phenomena, reducing phenomena of current leakage between a common electrode and data lines, and reducing values of parasitic capacities formed between the common electrode and data lines to lessen delay phenomena of signal voltages of data lines.例文帳に追加

本発明はデータラインと画素電極の間の寄生容量を効果的に下げることができ、さらに、妨害現象を減らすことができ、かつ、共通電極とデータラインの間の電流漏れの現象を減らすことができ、かつ、共通電極とデータラインの間に形成された寄生容量の値をより小さくして、データラインの信号電圧の遅延現象を改善することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the seawater electrolyzer where an anode and a cathode face each other in an electrolytic cell so as to leave a predetermined space between them, and electrolyze seawater introduced into the electrolytic cell to generate electrolyzed water containing a chlorine-based oxidizing agent, a second cathode is installed on the inner surface of at least one of pipes respectively connected to the upstream and downstream of the electrolytic cell to absorb leakage current from the anode.例文帳に追加

電解槽の内部に陽極と陰極とを所定間隔をおいて対峙させ、該電解槽内部に導入した海水を前記陽極と陰極とで電気分解して塩素系酸化剤を含む電解処理水を生成する海水電解装置において、電解槽の上流と下流に接続された配管の少なくとも一方の配管内面に第二陰極を設け、陽極から漏洩する漏洩電流を前記第二陰極に吸収させることとした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of stably emitting light with high luminance by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defect part between an electron injection electrode and a hole injection electrode in causing light emission of the organic electroluminescence element where at least a light emitting layer made of an organic compound is provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode.例文帳に追加

ホール注入電極と電子注入電極との間に少なくとも有機化合物からなる発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させるにあたり、電子注入電極とホール注入電極との間における導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下するのを抑制し、高輝度で安定した発光が行える有機エレクトロルミネッセンス素子が得られるようにする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit has a first processor 11 operable at a first operating frequency, a second processor 12 with leakage current lower than the first processor and operable at a second operating frequency lower than the first operating frequency, and a selection part 10 capable of selectively switching the execution destination of application software to the first processor or second processor in accordance with a requested operating speed of the application software.例文帳に追加

第１動作周波数で動作する第１プロセッサ（１１）と、上記第１プロセッサに比べてリーク電流が少なく抑えられ、且つ、上記第１動作周波数よりも低い第２動作周波数で動作する第２プロセッサ（１２）と、アプリケーションソフトウェアの実行先を、上記アプリケーションソフトウェアの要求動作速度に応じて、上記第１プロセッサと上記第２プロセッサとに選択的に切り換え可能な選択部（１０）とを設ける。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

Labyrinth parts 41 and 42 has grooves formed on an outer circumferential surface of a sliding part 25, the inner wall of the grooves is inclined in one direction of the axial direction, eddy current occurs in the fuel leaked from a clearance of the sliding part 25 to promote stagnation of the fuel when a valve is opened, and the leakage of the fuel can be increased.例文帳に追加

ラビリンス部４１および４２は摺動部２５の外周面に形成される溝部を有し、この溝部の内壁は軸方向の一方向に傾斜して形成されているので、開弁作動時に摺動部２５のクリアランスを漏れる燃料に渦流が発生して燃料の滞留状態を促進し、燃料漏れ止めを積極的に行い、閉弁作動時に摺動部２５のクリアランスを漏れる燃料に渦流が発生せず燃料の滞留状態を抑制し、燃料の漏れ量の増大を図ることができる。 - 特許庁