「Leakage current」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

FFs and a combinational logic circuit are connected so that combinational logic circuits 102A to N show a minimum leakage current when reset flip-flops 104A to 104N, 108A to 108N, 112A to 112N are in reset state and set reset flip-flops 106A to 106N, 110A to 110N, 114A to 114N are in set state.例文帳に追加

リセット・フリップフロップ１０４Ａ〜Ｎ、１０８Ａ〜Ｎ、１１２Ａ〜Ｎがリセットで、セット・リセット・フリップフロップ１０６Ａ〜Ｎ、１１０Ａ〜Ｎ、１１４Ａ〜Ｎがセット状態のときに組合せ論理回路１０２Ａ〜Ｎが最小リーク電流となるように、これらＦＦと組合せ論理回路とが接続されている。 - 特許庁

The thin-film transistors have leakage current that rises relatively slowly with voltage across the transistor within a range that matches exposure through an object being imaged but rises at a sufficiently higher rate within a higher range to provide protection even when a corresponding region of the charge generator layer receives greater amounts of x-rays.例文帳に追加

該薄膜トランジスタは、結像されるオブジェクトを介しての露光とマッチする範囲内のトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、電荷発生器層の対応する領域がＸ線のより大きな量を受取る場合であっても保護をあたえるためにより高い範囲内において充分に一層高い割合で上昇するリーク電流を有している。 - 特許庁

One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加

層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより１つ又はより多くの不動態化層１８、２０を除去し、ゲート端子３８と半導体デバイス層１４間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss.例文帳に追加

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a magnetic field generating coil unit, and a magnetic resonance imaging apparatus using this coil unit, capable of restraining an unrequired eddy current generated in surrounding metal, by perfecting the shielding function by restraining leakage and strain of a magnetic field, when imparting the shielding function, while extremely bringing the actually generating magnetic field distribution near to the analytically acquired desired continuous distribution.例文帳に追加

実際に発生させる磁場分布を、解析的に得られる所望の連続分布に極力近づけることができるともに、遮蔽機能を持たせた場合に、磁場の漏れや歪みを抑制して遮蔽機能を充実させ、周囲の金属に発生する不要な渦電流を抑制することができる磁場発生用コイルユニット、及び、当該コイルユニットを用いた磁気共鳴イメージング装置を提供する。 - 特許庁

A conductive probe 20 is moved, being contacted with the dielectric 4, and an electrical stimulus is applied between a probe tip 28 and a semiconductor wafer 8 in a shape of AC voltage of a fixed frequency by a fixed amplitude superimposed to a DC voltage swept from a starting voltage to a ending voltage thereby, the leakage current of the dielectric covering the semiconductor wafer can be determined.例文帳に追加

導電性プローブ２０を移動させて誘電体４と接触させ、プローブ先端部２８と半導体ウエハ８との間に、開始電圧から終了電圧に向かって掃引されるＤＣ電圧に重畳された固定振幅で固定周波数のＡＣ電圧の形で電気刺激を印加することにより、半導体ウエハを覆う誘電体の漏洩電流を決定できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element improving electrical properties of the element by suppressing a leakage current which flows through a memory cell by turning off a drain select transistor, a source select transistor, and a side transistor of an unselected memory cell block when the semiconductor memory element operates.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ素子の動作時、非選択のメモリセルブロックのドレイン選択トランジスタと、ソース選択トランジスタ、及びサイドトランジスタをターンオフさせてメモリセルを通じて流れる漏洩電流を抑制し、素子の電気的特性を改善させる半導体メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film of a capacitor capable of simultaneously satisfying an effective leakage current characteristic and a high dielectric constant by using the dielectric film obtained by laminating a zirconium oxide film having a tetragonal crystal phase and a tantalum oxide layer, to provide the capacitor using the dielectric film, and to provide a method for manufacturing the capacitor.例文帳に追加

正方晶の結晶相を有するジルコニウム酸化膜及びタンタル酸化膜を積層した誘電膜を使用して、良好な漏れ電流特性と高い誘電率とを同時に満足させ得るキャパシタの誘電膜の形成方法、その誘電膜を用いたキャパシタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The apparatus for measuring leakage current of capacitor includes a linear feeder 1, an isolated supplying part 2, a circular transferring table 3 in which a plurality of work storing holes 4 are formed with equal intervals, a charging stage 6, a pre-measurement charging stage 7, a measuring stage 8, an ejection stage 9, and a transfer pitch adjusting device 10.例文帳に追加

コンデンサ漏れ電流測定装置は、リニアフィーダ１と、分離供給部２と、複数のワーク収納孔４が等間隔で形成された円形の搬送テーブル３と、充電ステージ６と、測定前充電ステージ７と、測定ステージ８と、排出ステージ９と、搬送ピッチ調整手段１０とを備えている。 - 特許庁

The capacitor of the semiconductor device is formed on a lower electrode formed on the predetermined lower structure of a semiconductor substrate, is formed on the lower electrode, is formed on an AlON film having the characteristics of a low leakage current, is formed on the AlON film, and includes a YON film having a relatively higher dielectric constant than that of the AlON film and an upper electrode formed on the YON film.例文帳に追加

半導体装置のキャパシタは、半導体基板上の所定の下部構造上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、低い漏洩電流の特性を有するＡｌＯＮ膜と、前記ＡｌＯＮ膜上に形成され、前記ＡｌＯＮ膜に比べて相対的に高い誘電率を有するＹＯＮ膜と、前記ＹＯＮ膜上に形成された上部電極とを含む。 - 特許庁

The metal electrode-insulating film-metal electrode laminated capacitor is comprised of a lower electrode metal 101 formed of metallic glass, an upper electrode metal 103 formed of the same metallic glass, and an insulating film 102 formed of high dielectric constant material, so that the insulating film 102 is restrained from being crystallized, a leakage current is reduced, and the laminated capacitor is improved in charge retention characteristics.例文帳に追加

金属ガラスからなる下部電極金属１０１と、同じく金属ガラスからなる上部電極金属１０３とを備え、高誘電率材料を絶縁膜１０２として金属電極−絶縁膜−金属電極積層キャパシタを構成することにより、絶縁膜１０２の結晶化が抑制されて電流リークが低減されるので、その電荷保持特性が改善する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加

ＦＤ−ＳＯＩの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

Transparent electrodes 22a, 23a in a scanning electrode 22 and a sustaining electrode 23 are provided with parallel electrodes 221, 222, and electrodes 231, 232, respectively, and, by being equipped with short-circuiting parts 223, 233 short-circuiting these electrodes at the center of a discharge cell 37, an increase of the discharge current is limited and the leakage of the plasma discharge is prevented.例文帳に追加

走査電極２２および維持電極２３における透明電極２２ａ、２３ａはそれぞれ平行な電極２２１、２２２および電極２３１、２３２を有し、それらの電極を放電セル３７の中央部において短絡する短絡部２２３、２３３とを有することで、放電電流の増加を制限し、プラズマ放電の漏洩を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve an electro-migration resistance of a copper wiring by preventing copper atoms in the copper wiring from diffusing into an insulating film during heat treatment so that occurrence of a leakage current between wirings is prevented, and preventing occurrence of voids at the interface between the copper wiring and the insulating film through improvement is tight-adhesion between the copper wiring and the insulating film.例文帳に追加

熱処理時における銅配線中の銅原子の絶縁膜中への拡散を阻止することにより、配線間におけるリーク電流の発生を防止すると共に、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させて銅配線と絶縁膜との界面にボイドが発生する事態を防止することにより、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

By removing an alignment error between the gate electrode 116 and the cathode layer 112 and preventing the residue during development of carbon nanotube paste from remaining, current leakage between electrodes, short circuit or diode emission or the like can be prevented, thereby providing electric field emission element where the electric field emission performance is improved.例文帳に追加

ゲート電極１１６と陰極層１１２との整列誤差を除去し、炭素ナノチューブのペーストを現像する際に残渣の残存を抑制することにより電極間の電流漏れ、短絡現象及びダイオードエミッション等が防止され、電界放出性能が向上された電界放出素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide an electronic application instrument, noticing the electromagnetic field distribution determined by the size of a metallic casing, on which the electronic instrument is mounted, and the distribution of a current which flows on the surface of the metal casing, while being compatible with the reduction of leakage electromagnetic waves at the resonance frequency of the metal casing and a heat radiating effect especially, without complicating the constitution.例文帳に追加

電子機器が搭載される金属筐体寸法で決まる共振周波数の電磁界分布、および金属筐体表面を流れる電流分布に着目し、構成を複雑にすることなく、とくに金属筐体の共振周波数での漏洩電磁波の低減と放熱効果を両立した電子応用機器を提供することにある。 - 特許庁

This detection device of the leakage current spot of a semiconductor chip is characterized by being equipped with an application means 13 for applying a material melting by heat and changing the reflection state of light on at least one side of the semiconductor chip 11, an optical microscope 12 for observing the material applied surface of the semiconductor chip 11, and an image processing device 14 electrically connected to the optical microscope 12.例文帳に追加

加熱により溶けて光の反射状態を変化させる物質を、半導体チップ１１の少なくとも片面に塗る塗布手段１３と、前記半導体チップ１１の物質塗布面を観察する光学顕微鏡１２と、この光学顕微鏡１２に電気的に接続された画像処理装置１４とを具備することを特徴とする半導体チップの漏洩電流箇所の検出装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The leaked water detection method comprises a step, in which the plurality of detecting electrodes 7 are arranged on the sealing sheet 5 laid on the sealing part 2, a step in which the reference electrode 8 is installed on the ground 1 for making a current flow and a step, in which currents flowing in the plurality of detecting electrodes 7 are summed up so as to detect the leakage in the sealing sheet 5.例文帳に追加

遮水部２に敷設された遮水シート５の上部に複数の検知電極７を配置する段階と、地盤１に基準電極８を設置して電流を流す段階と、複数の検知電極７に流れる電流を合計することにより遮水シート５の漏水を検知する段階と、を含む漏水検知方法を用いる。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head, leakage magnetism of a recording medium 1704 is detected from difference in voltage between a first non-magnetic conductor 101 and a first free layer 102 and voltage between a second non-magnetic conductor 103 and a second free layer 104, while a current flows to the second non-magnetic conductor 103 from the first non-conductor 101 through a fixed layer 105.例文帳に追加

磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体１０１から固定層１０５を介して第二の非磁性導電体１０３へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体１０１と第一の自由層１０２との間の電圧と、第二の非磁性導電体１０３と第二の自由層１０４との間の電圧との差分から記録媒体１７０４の漏洩磁気を検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the insulating film of a capacitive element formed on the same substrate as that of a sidewall insulating part of a MOS transistor at the time of forming the insulating part of the transistor so as not to damage it or to suppress a leakage current even when the film is damaged to hold the high reliability of the element and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのサイドウォール絶縁部の形成時に、これと同一基板上に形成される容量素子の絶縁膜が損傷を受けないように、あるいは損傷を受けてもリーク電流を抑制して容量素子の高信頼性を保てるようにした半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The above surge detection/leakage reduction circuit is provided between the gate of the thyristor and the second terminal and is configured in a way that it cuts off the current flowing from the above trigger circuit to the above second terminal during normal operation and sets the trigger voltage to gate the above thyristor together with the above trigger circuit when the surge is applied.例文帳に追加

上記サージ検知／リーク低減回路は、サイリスタのゲートと上記第２の端子間に設けられ、通常動作時には上記トリガ回路から上記第２の端子に流れる電流を遮断し、サージ印加時には上記トリガ回路とともに上記サイリスタを点弧するためのトリガ電圧を設定するように構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a polycrystaline silicon electrode connected to the diffusion layer of a cell transistor and a metal electrode connected to the diffusion layer of a peripheral transistor are installed, and bonding leakage current of the diffusion layer is restrained in which the polycrystaline silicon electrode has been formed, so that good data holding characteristics is installed.例文帳に追加

セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A bump 11 (having a diameter of several tens to several hundreds μm) is formed only on the external output electrode 4 of an acceptable unit out of the units 10 formed in the SiC chip 9, and a bump is not formed on the external output electrode 4 of a rejectable unit having no breakdown voltage or a large leakage current.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９に形成されたユニット１０のうち良品ユニットの外部出力電極４のみに、バンプ１１（直径が数１０〜数１００μｍ）が形成され、耐圧がなかったりリーク電流が多かったりする不良品ユニットの外部出力電極４の上にはバンプは形成されていない。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor which is high in quality and reliability and can prevent increase in leakage current due to heating, ensure constant electrostatic capacity and reduce electrical resistance in a lower electrode, and its manufacturing method, by forming a conductor thin film which is made mainly of two elements and can be anodized, especially a tantalum nitride thin film and anodizing it thereafter.例文帳に追加

本発明は、２元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜、特に窒化タンタル薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、加熱による漏れ電流の増大を防ぎ、かつ一定の静電容量を確保し、かつ下部電極の電気抵抗を低く抑えた、高品質・高信頼性の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The strain sensor is equipped with a stacked structure made up by sequentially stacking a lower electrode, a metal oxide film of a perovskite-like structure and an upper electrode on a substrate, and is composed of: a capacitor which is mounted on a specimen; and a measurement circuit for measuring leakage current between the upper electrode and the lower electrode in the capacitor.例文帳に追加

歪センサは、基板上に下部電極と、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化膜と、上部電極を順次積層した積層構造を有し、検体上に実装されるキャパシタと、前記キャパシタ中、前記上部電極と下部電極の間のリーク電流を測定する測定回路とより構成される。 - 特許庁

This zinc oxide nonlinear resistor element is constituted to suppress an increase in leakage current which occurs when the element is operated in the insulating oil by providing the insulating protective film composed of a double film of a vitreous or ceramic insulating film and a vitreous insulating film in the edge portions of the end faces of the element.例文帳に追加

本発明による酸化亜鉛非直線性抵抗体素子は、素子端面のエッジ領域にガラス質絶縁膜或いはセラミック質絶縁膜とガラス質絶縁膜の２重膜から成る絶縁保護膜を設けた構造にすることにより、素子を絶縁油中で動作させた場合に発生する漏れ電流の増加を抑制した。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the layer 35a can be formed in a state in which an exposed surface of the semiconductor base is not contaminated by the high melting point metal without depending upon a forming time and forming method of the compound film of the high melting point metal included in the electrode 31, and a base layer having no current leakage between a collector and an emitter can be formed.例文帳に追加

このため、ゲート電極３１に含まれる高融点金属の化合物膜の形成時期及び形成方法に依存することなく、半導体基体１７の露出表面が高融点金属で汚染されていない状態でエピタキシャル層３５ａを形成することができ、コレクタ−エミッタ間における電流リークのないベース層を形成することができる。 - 特許庁

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

To disclose a technique of forming a domed gate oxide film to relieve stress, which results from different thermal expansive rates between an oxide film and silicon during a subsequent thermal process and preventing a leakage current between source/drain regions by controlling the thickness of the gate oxide film to improve the refresh characteristics.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、半球形のゲート酸化膜を形成して後続の熱工程時に酸化膜とシリコンの熱膨張率の差によるストレスを緩和させ、ゲート酸化膜の高さ調節を介しソース/ドレイン領域間の漏れ電流を防止し、リフレッシュ特性を向上させる技術を開示する。 - 特許庁

To obtain an electrostatic chuck that can increase the plasma- resistance property of an electrostatic chuck base, without damaging attraction force by the Johnson-Rahbek effect, can suppress generation of impurity elements that become the contamination source for a body to be attracted and generation leakage current accompanying reduction of resistivity, and can be used over a wide temperature range.例文帳に追加

ジョンソンラーベック力による吸着力を損なうことなく、静電チャック基材の耐プラズマ性を高め、被吸着体に対して汚染源となる不純物元素の発生、及び、抵抗率の低下に伴うリーク電流の発生を抑制でき、幅広い温度範囲で使用できる静電チャックを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor in which high concentration ion implantation to a drain region is performed while suppressing variability of processes, while a gate insulation film of high quality keeping high reliability and low leakage current of a transistor is provided, in an LDD structure thin film transistor provided with a thick gate insulation film.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜を有するＬＤＤ構造薄膜トランジスタにおいて、トランジスタの高信頼性と低リーク電流を保つ高品質のゲート絶縁膜を有しながら、ソース、ドレイン領域への高濃度イオン注入をプロセスばらつきを抑えながら行う、薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene ether and a film-forming composition containing the same, which can form an organic film containing a small amount of metallic impurities, which is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics in an interlayer insulation film material in semiconductors, etc.例文帳に追加

ポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The thin-film transistors have leakage current that rises relatively slowly with voltage across the transistor within a range that matches exposure through an object being imaged but rises at a sufficiently higher rate within a higher range to provide protection even when a corresponding region of the charge generator layer receives greater amounts of x-rays.例文帳に追加

薄膜トランジスタは画像形成するオブジェクトを介しての露光とマッチした範囲内においてトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、電荷発生器層の対応する領域がより大きな量のＸ線を受取る場合であっても保護を与えるためにより高い範囲内において充分により高い割合で上昇する漏洩電流を有している。 - 特許庁

Then, the first antenna element functions as a ground line when the antenna is stored, so the leakage current on the body can be prevented.例文帳に追加

収納状態においては、第二のアンテナ素子の基端部４ａがアンテナ給電手段６に接続されると共に第一のアンテナ素子の上端部３ｂがアース接続手段８に接続され無線機筐体１内のアースに接続されることにより、収納時において第一のアンテナ素子が地線として作用し、筐体上への漏洩電流を抑制する。 - 特許庁

The first dielectric layer 4 is made thicker than the thinnest dielectric layer in the other dielectric layers to make large the distance between a metal part protruding from a metal surface of the base electrode 2 and the inner electrode mounted on the lowermost dielectric layer originating from surface roughness of the metal surface of the base electrode 2, thereby reducing the leakage current.例文帳に追加

第１の誘電体層４の厚さを他の誘電体層のうち最も薄い誘電体層よりも厚くすることにより、下地電極２の金属表面の表面粗さに由来して金属表面から突出する金属部分と最下層の誘電体層上に積層された内部電極との距離を大きくすることができるため、リーク電流を低減させることができる。 - 特許庁

The display element 21 thus manufactured generates no leakage current between the electrodes even if a conductive material is used as the light shielding layer 25, its contrast is drastically improved compared with conventional ones and besides no display unevenness occurs and high display quality is attained.例文帳に追加

このようにして製造された表示素子２１は、遮光層２５として導電性を有する材料を用いたとしても電極間にリークが発生することがなく、従来と比較してコントラストが飛躍的に向上し、かつ表示ムラが発生せず表示品位が高い表示素子２１およびその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Leakage current is reduced by employing a polyester film 5 including an air gap part as the slot insulating paper at the slot insulating part 4 of the stator of an electric rotating machine and productivity thereof can be enhanced by employing it in combination with a polyester film 6 having high strength and excellent lubricity.例文帳に追加

回転電機固定子１のスロット絶縁部４のスロット絶縁紙に、空隙部を内含するポリエステルフィルム５を使用することによって漏洩電流を低減させ、且つ、強度が高く潤滑性のよいポリエステルフィルム６と組み合わせて使用することにより回転機固定子の生産性も向上させることができる。 - 特許庁