「Leakage current」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical semiconductor element including a light emitting element for converting electricity into light being radiated and a light receiving element for converting received incident light into electricity, and its manufacturing method in which short circuit and current leakage are prevented, inclination of an optical semiconductor chip against a basic material is prevented, and bonding strength is enhanced.例文帳に追加

電気を光に変換して放射する発光素子及び入射した光を受光して電気に変換する受光素子である光半導体素子及びその製造方法に係わり、特に、短絡乃至リーク発生の防止、基材に対して光半導体チップが傾くことの防止、乃至接合強度の向上を行うために改善された光半導体素子及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

The inspection method of the semiconductor integrated circuit includes: a stress test of applying a stress voltage to dummy wiring LD provided so as to run in parallel with signal wiring L3 and L4 inside the semiconductor integrated circuit; and a test process of determining the quality of the semiconductor integrated circuit by measuring a leakage current between the signal wiring L3 and L4 and the dummy wiring LD.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路の検査方法では、半導体集積回路内の信号配線Ｌ３・Ｌ４に並走するように設けられたダミー配線ＬＤにストレス電圧を印加するストレス試験と、信号配線Ｌ３・Ｌ４とダミー配線ＬＤとの間のリーク電流を測定することにより半導体集積回路の良否を判定するテスト工程とを含む。 - 特許庁

On the surfaces of base and emitter layers 110 and 120, a material for forming the base and emitter layers 110 and 120, and a protection layer 150 that is formed by a material where lattice matching is achieved are provided, thus reducing the surface leakage current flowing on the surfaces of the base and emitter layers 110 and 120.例文帳に追加

ベース層１１０およびエミッタ層１２０の表面に、ベース層１１０およびエミッタ層１２０を形成する材料と、格子整合がとれる材料により形成される保護層１５０を備えることにより、ベース層１１０およびエミッタ層１２０の表面を流れる表面漏洩電流を低減させることが可能となる。 - 特許庁

The output voltage of the amplifier 5 can be adjusted by an adjusting circuit 6, and adjusted by controlling the resistance of a digital potentiometer 9 by a comparator 10 until the output voltage becomes the same as a standard voltage while making the leakage current flow through the main electric path 2 in a state that a setting switch 8 of the adjusting circuit 6 is turned on.例文帳に追加

増幅器５の出力電圧は調整回路６によって調整でき、調整回路６の設定スイッチ８をオンにした状態で、主電路２に漏洩電流を流し、増幅器５の出力電圧が基準電圧と同じになるまでコンパレータ１０によってデジタルポテンションメータ９の抵抗値を増減させて調整して行う。 - 特許庁

In the process that sinters bulb metal powder to obtain a bulb metal sintered body for a porous solid electrolytic capacitor, the sintering of bulb metal powder in an inert gas atmosphere not including nitrogen, or furthermore, the following cooling in an inert gas atmosphere not including nitrogen will obtain a sintered body with a nitride product being controlled, thereby reducing leakage current of a solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

バルブメタル粉末を焼結して多孔質固体電解コンデンサ用バルブメタル焼結体を得るプロセスにおいて、窒素を含まない不活性ガス雰囲気下で焼結し、あるいはさらに引き続き窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で冷却することによって、窒化物の生成を抑制した焼結体を得、これによって固体電解コンデンサのリーク電流を小さくする。 - 特許庁

A portion of a substrate power supply wiring line 120 is exposed by forming a power supply wiring line 110 in a U shape at a substrate power supply cell 100, and then a connection portion 140 to the upper-layer wiring line is disposed at the boundary portion of the substrate power supply cell 100, thereby reducing the leakage current without degrading signal wiring efficiency.例文帳に追加

基板電源供給セル１００にて電源配線１１０をコの字状に形成することにより基板電源配線１２０の一部を露出させ、以て上層配線への接続部１４０を基板電源供給セル１００の境界部に配置することにより、信号配線効率を低下させないでリーク電流を削減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can reduce contact resistance between a silicon layer and a metal layer and leakage current by forming on the silicon layer an epitaxial C49-TiSi_2 layer having an interfacial energy so small that a phase change does not occur in a high-temperature heat treatment, thus preventing the TiSi_2 layer from being agglomerated and grouped.例文帳に追加

高温の熱処理工程で相変化が発生しない程度の低い界面エネルギーを有するエピタキシャルＣ４９−ＴｉＳｉ_2層をシリコン層上に形成することによって、ＴｉＳｉ_2層の凝集及びグルービング現象を防止してシリコン層と金属層とのコンタクト抵抗及びリーク電流を減少させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a light-weight and thin-wall back cover material used as a backside protection member for solar cells which is superior in moisture proof and durability, having a high insulation and no trouble about the leakage current and a high-durability, and provide a high-performance solar cell using this back cover material as a backside protection member.例文帳に追加

太陽電池用セルの裏面側保護部材として用いられるバックカバー材であって、軽量かつ薄肉で防湿性、耐久性に優れ、しかも絶縁性が高く、リーク電流の問題がない太陽電池用バックカバー材と、このバックカバー材を裏面側保護部材として用いた、高耐久性かつ高性能の太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which leakage of high-frequency noise due to high-frequency current components to the outside of a semiconductor chip can be reduced, without attaching a noise removal component to the primary power supply side, even when a circuit functioning through switching operation, e.g. a switching power supply, is formed on the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップ上にスイッチング電源などのようにスイッチング動作により機能する回路を形成した場合でも、１次電源側にノイズ除去用部品をつけることなく、高周波電流成分による高周波ノイズの半導体チップ外への漏れを低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery capable of reducing possibility of occurrence of electrolyte leakage while using a liquid electrolyte, having a large-current discharge characteristic and a low-temperature discharge characteristic similar to those of a nonaqueous secondary battery using only a conventional liquid organic electrolyte, and excelling in a high-temperature resistant storage characteristic and drop impact resistance.例文帳に追加

液状電解液を使用しながらも漏液が生じる可能性を減らし、しかも従来の液状の有機電解液のみを使用した非水系二次電池と同等の大電流放電特性及び低温放電特性を有し、更に耐高温保存特性及び耐落下衝撃性に優れた非水系二次電池を提供すること。 - 特許庁

To obtain a light-weight and thin-wall back cover material used as a back protection member for solar cells which is superior in moisture proof and durability, and has a high insulation and no trouble about the leakage current and a high-durability and high-performance solar cell using this back cover material as a back protection member.例文帳に追加

太陽電池用セルの裏面側保護部材として用いられるバックカバー材であって、軽量かつ薄肉で防湿性、耐久性に優れ、しかも絶縁性が高く、リーク電流の問題がない太陽電池用バックカバー材と、このバックカバー材を裏面側保護部材として用いた、高耐久性かつ高性能の太陽電池を提供する。 - 特許庁

To improve a diagnosing capability by simultaneously displaying a still image generated, recorded and reproduced by releasing an observing dynamic image during examining and a presently observing dynamic image by a single high resolution display means, confirming a leakage of recording, and easily comparing another side for displaying the still image with a dynamically displaying current image.例文帳に追加

検査中の観察動画像をレリーズして生成した後記録し再生した静止画像と、現在観察中の動画像とを単一の高解像度表示手段に同時に表示できるようにして、記録漏れの確認、静止画表示している他の部位と、動画表示している現行画像間の比較を容易にし、診断能の向上を図る。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

A power supplying means such as a battery and a load is connected by a MOSFET switch which has a few leakage current and a little of forward voltage drop, interruption is controlled, and the connection and interruption control state is controlled while being held by using a latch composed of a CMOS circuit driven by the battery.例文帳に追加

この課題を解決するために、本発明は、バッテリ等の電力供給手段と負荷との間を漏れ電流が少なくかつ順方向の電圧降下の少ないＭＯＳＦＥＴスイッチで接続および遮断の制御を行い、接続および遮断の制御状態をバッテリで駆動されるＣＭＯＳ回路からなるラッチを使って保持しつつ制御する。 - 特許庁

To provide a contact charging device by which a body to be charged such as a photoreceptor drum is excellently charged without causing a charging noise without causing the occurrence of the leakage of a current at the end of a charging member having a soft belt or the like brought into contact with the body be charged when applying a charging voltage to the electrifying member.例文帳に追加

感光ドラム等の被帯電体に接触した柔軟なベルト等を有する帯電部材に帯電電圧を印加したときに、その帯電部材の端部において電流のリークを生じることがなく、被帯電体を良好且つ帯電音の発生なく帯電することを可能とした接触帯電装置を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method, a process for inspecting leakage current is installed after a process for sealing a capacitor element by an armor material, at the manufacturing of the solid electrolytic capacitor holding chemical polymerized conductive polymer between the electrode foils of the anode and the cathode of the capacitor element, where the anode foil and the cathode foil, in which dielectric oxidation films are formed, are wound through a separator.例文帳に追加

誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子の陽極と陰極の電極箔間に化学重合性導電性高分子を保持する固体電解コンデンサを製造する際に、コンデンサ素子を外装材で封止する工程の後に、漏れ電流の検査を行う工程を設けた製造方法としたものである。 - 特許庁

The substrate for liquid ejection head is manufactured by performing a leakage current inspection between a terminal for inspection that is electrically connected to a plurality of protective layers and connected to a connecting portion arranged at an upper side of the substrate corresponding to a position of a supply port and a terminal to which the plurality of energy generation elements are connected, and thereafter removing the connecting portion.例文帳に追加

複数の保護層と電気的に接続し、供給口となる位置に対応する基体の上側に設けられた接続部に接続する検査用端子と、複数のエネルギー発生素子が接続される端子と、の間のリーク電流検査を行った後に、前記接続部を除去して液体吐出ヘッド用基板を製造する。 - 特許庁

To reliably suppress light leakage current without reducing a pixel aperture ratio necessary for projecting transmitted light on a screen, in a liquid crystal display device 42 provided with an active layer 35 in the position corresponding to a part where a metal wiring layer 33 including a source wiring layer 33a for inputting a data signal to the active layer 35 and a gate wiring layer 32 are crossing each other.例文帳に追加

活性層３５にデータ信号を入力するためのソース配線層３３ａを含むメタル配線層３３と、ゲート配線層３２とが交差する部位に対応する位置に活性層３５を備えた液晶表示装置４２において、透過した光をスクリーン上などに投影するために必要な画素開口率を低下させることなく、光リーク電流を確実に抑制する。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

To provide an electro-optical device and electronic apparatus having a configuration capable of surely preventing light from coming into a channel area of a semiconductor layer of a transistor, and also surely preventing the transistor from malfunctioning to cause off-leakage current which causes the occurrence of display unevenness, cross-talk, and flickers and further causes the occurrence of fall-off of contrast in display.例文帳に追加

トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

With such a constitution, the water held by the water-absorptive polymer is supplied so as to repair the dielectric oxide film during aging, so that the aging is excellently carried out to reduce the leakage current, and no excessive water is required to be held in the solid-state electrolyte capacitor, thereby ESR characteristic is prevented from becoming worse after a reflow treatment.例文帳に追加

この構成ではエージング時に吸水性ポリマーによって保持さされた水が、誘電体酸化皮膜の修復のために供給されるために、エージングが良好に行われ漏れ電流の低減が図れるとともに、固体電解コンデンサの内部に過剰な水分を保持させる必要がないため、リフロー後のＥＳＲ特性の悪化を防止できる。 - 特許庁

On a plurality of signal paths in the semiconductor integrated circuit device, in view of the delay such that signals are transmitted along the signal paths, a path having a margin in the delay is constituted with a MOSFET with high threshold voltage, on the other hand, a path not having the margin in the delay is constituted with a MOSFET with low threshold voltage which has a high working speed with large leakage current.例文帳に追加

半導体集積回路装置中の複数の信号経路について、信号経路に沿って信号が伝わるディレイを鑑み、ディレイに余裕のある経路においては、高しきい値電圧のMOSFETにより構成し、逆に、ディレイに余裕のない経路においては、リーク電流は大きいが動作速度が速いような低しきい値電圧のMOSFETにより構成することである。 - 特許庁

According to the structure, reaction products resulting from etching in storage element fabrication process are prevented from adhering to the side wall to cause short circuit and leakage current.例文帳に追加

基板上に第２の絶縁膜を形成・加工して開口部を形成し、開口部内に下部電極及び強誘電体膜を形成し、強誘電体膜上に上部電極を形成する製造方法としたので、容量素子の面積を増大させることなく、平坦でエッチングダメージのない強誘電体を用いた半導体記憶素子が容易に形成できる。 - 特許庁

In preparation for future system changes, connection terminals are provided for the leakage current relay in advance to connect another capacitor to change the capacitance of the filter capacitor as the high frequency noise increases or its band is lowered when another inverter is added or the number of the inverters is increased in the future.例文帳に追加

将来のシステム変更に備え、漏洩電流継電器に付加的にコンデンサを接続可能な接続端子を予め設け、インバータの追加・台数増加による高周波ノイズ帯域およびノイズ量の変化に応じて、高周波ノイズ抑制のフイルタのコンデンサ容量を変更することを可能にする。 - 特許庁

The thin-film transistors have leakage current that rises relatively slowly with a voltage across the transistor within a range that matches exposure through an object being imaged, and rises at a relatively higher rate within a higher range to provide a protection, even when the corresponding region of the charge generator layer receives greater amounts of X-rays.例文帳に追加

該薄膜トランジスタは、画像形成中の被写体を介しての露光と一致する範囲内のトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、該電荷発生器層の対応する領域がより大きな量のＸ線を受取る場合であっても保護を与えるためにより高い範囲内において充分に一層高い割合で上昇するリーク電流を有している。 - 特許庁

By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.例文帳に追加

半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁

The present invention includes a cell array 11a, a plurality of word lines WLi, a plurality of bit lines BLi, a plurality of switching circuits SWi for column selection whose end nodes are connected to the corresponding bit lines, respectively, and a leakage current compensating circuit 12 whose output node is connected to other ends of the switching circuits.例文帳に追加

セルアレイ11aと、複数のワード線WLiと、複数のビット線BLiと、各ビット線に対応して設けられ、各一端ノードが対応するビット線へ接続されたカラムセレクト用の複数のスイッチング回路SWiと、スイッチング回路の他端ノードに共通に出力ノードが接続されたリーク電流補償回路12とを具備する。 - 特許庁

Threshold voltages (V_t) of certain transistors is lowered at low power supply voltage (VCC) levels, low temperature and/or high V_t process conditions to assure adequate transistor drive but can also be raised at high VCC levels, high temperature and/or low V_t process conditions to reduce leakage current.例文帳に追加

いくつかのトランジスタのしきい値電圧（Ｖ_t）を、低電源電圧（ＶＣＣ）レベル、低温および／または高Ｖ_tプロセス条件において下げて適切なトランジスタ駆動を確実にする一方、高ＶＣＣレベル、高温および／または低Ｖ_tプロセス条件において上昇させて漏れ電流を減少させることもできる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-junction photoelectric conversion device which restrains current leakage from an intermediate contact layer by dividing the intermediate contact layer without affecting an underlying layer so as to suppress deterioration in power generation efficiency and reduces an ineffective area generating no electric power so as to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the state where an optical leakage current is generated in a TFT optical sensor, charging into the capacitor C is started by a charging circuit 31, and the intensity of external light is detected by a determination circuit 32 by measuring an arrival time from a time when charging is started by the charging circuit 31 until a time when a voltage value of the capacitor C reaches a determination threshold voltage Vth.例文帳に追加

そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。 - 特許庁

The high voltage circuit is provided with: a 1st high voltage circuit for selectively and electrically separating the low voltage circuit from the bit line; and a 2nd high voltage circuit which is connected between the low voltage circuit and the 1st high voltage circuit and electrically separates the low voltage circuit from the 1st high voltage circuit, and thereby prevents a leakage current from flowing from the bit line to the low voltage circuit.例文帳に追加

前記高電圧回路は前記ビットラインから前記低電圧回路を選択的に電気的に分離するための第１高電圧回路と、前記低電圧回路と前記第１高電圧回路との間に連結されて前記第１高電圧回路から前記低電圧回路に電気的に分離して前記ビットラインから前記低電圧回路に漏洩電流が流れることを防止する第２高電圧回路とを具備する。 - 特許庁

The method and device for reducing leakage current in the guide wire assembly are so formed that conductor members 707 and 708 are disposed at a connector end of the guide wire 702 to come into an electrical contact with conducting wires 705 and 706 of the guide wire, signals are thus sent to an external device via the conducting wires, and the conductor members are separated by at least one insulator 709.例文帳に追加

導体部材７０７、７０８をガイドワイヤ７０２のコネクタ端に配置して前記ガイドワイヤの導線７０５、７０６との電気的接触を与え、かつ外部装置に前記導線を介して信号を伝送するようにし、かつ前記導体部材同士を少なくとも１つの絶縁体７０９により分離したガイドワイヤアセンブリにおける漏れ電流低減方法および装置である。 - 特許庁

A reference signal source 17 outputs, as a reference signal, a signal made by superimposing two signal components on each other: one is included in the measurement signal outputted by the converter 16 and caused by the leakage current of the thin-film specimen 10, and the other is caused by parasitic capacitance of a measurement system and by capacitance of the thin-film specimen 10.例文帳に追加

参照信号源１７は、電流電圧変換器１６が出力する測定信号に含まれる強誘電体薄膜試料１０の漏洩電流による信号成分と、測定系の寄生容量および強誘電体薄膜試料１０の静電容量による信号成分とを重畳した信号を参照信号として出力する。 - 特許庁

Insulation property (voltage resistance characteristic) is assured between the primary and the secondary side of the piezoelectric transformers 2, 3 and/or between the primary side and the secondary side of the balance transformer 4 and moreover an impedance Zt is arranged to the balance transformer 4 for generating a virtual voltage source to cause a current to flow in the direction cancelling the leakage currents of the primary side and the secondary side.例文帳に追加

圧電トランス２，３の１次側と２次側及び／または前記バランス用トランス４の１次側と２次側との間で絶縁（耐圧特性）を確保すると共に、前記バランス用トランス４部分に１次側と２次側の漏洩電流を打ち消す方向に電流を流す仮想電圧源を生成するインピーダンスＺｔを配置する。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁

After writing a video signal to all pixels in each subframe period, a correction voltage signal which is an alternating signal having a certain fixed frequency or more is input to a data line 18, so that the magnitude of a leakage current of each pixel TFT 11 caused by a difference in the polarity of the video signal written in a pixel electrode against a counter electrode is equalized, and flickers are greatly reduced.例文帳に追加

各サブフレーム期間で映像信号を全画素に書き込んだ後に、データ線１８にある一定以上の周波数を有する交番信号である補正電圧信号を入力することで、画素電極に書き込まれた映像信号の対向電極に対する極性の違いによる各画素ＴＦＴ１１のリーク電流の大きさを均一化させ、フリッカを大幅に低減する。 - 特許庁

To provide a hot bubble generator advantageous for simplifying a seal structure for preventing a leakage in a power supply passage, and advantageous for simplifying and miniaturizing a structure by disusing a large capacity electric heater for making hot water for generating hot bubbles, and disusing the power supply passage for carrying an electric current to the large capacity electric heater.例文帳に追加

温泡を発生させるための湯を作りだす大容量の電気ヒータを廃止することができ、大容量の電気ヒータに通電する給電経路を廃止でき、これにより給電経路における漏電を防止するシール構造の簡素化に有利であり、構造の簡素化、小型化を図るのに有利な温泡発生装置を提供する。 - 特許庁

Bus bars are covered with an insulation material, consisting of insulation paint or the like in order to prevent generation of a leakage current between a low voltage bus bar to which the maximum voltage of 14 V or 28 V is applied and a high voltage bus bar, to which a voltage which is higher than the application voltage of the low voltage bus bar but is lower than 200 V is applied.例文帳に追加

最高電圧１４Ｖあるいは２８Ｖの電圧が印加される低電圧系バスバーと、上記低電圧バスバーの印加電圧より大きく２００Ｖ以下の電圧が印加される高電圧系バスバーとの間にリーク電流が発生しないように、絶縁塗料等からなる絶縁材でバスバーを被覆している。 - 特許庁

In a solid electrolytic capacitor 5, where a lead 6 is embedded and a conductive high polymer as a solid-state electrolytic layer is formed through chemical polymerization and electrolytic polymerization, resin is applied to an area near a lead embedded part, where a current leakage occurs, after chemical polymerization and prior to electrolytic polymerization, and a resin layer 3 is formed between a chemically polymerized layer 2 and an electrolytically polymerized layer 4.例文帳に追加

リード線６が埋設され、固体電解質層としての導電性高分子を化学重合と電解重合により形成する固体電解コンデンサ５において、漏れ電流の発生するリード埋設部付近への樹脂塗布を化学重合後であって電解重合前に実施して、化学重合層２と電解重合層４との間に樹脂層３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a highly reliable three-dimensional structure large capacity semiconductor memory, for suppressing the characteristics degradation of a dielectric film due to internal stress generated within the surface of a substrate, and the increase of a leakage current at the edge of an electrode even in the case of using a high dielectric film or a ferroelectric film for the dielectric film of a capacitor.例文帳に追加

キャパシタの誘電体膜に高誘電体膜や強誘電体膜を用いた場合でも基板の面内に発生する内部応力による誘電体膜の特性劣化や、電極のエッジ部分でのリーク電流の増大を抑制し、高信頼性の３次元構造大容量半導体メモリを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide microcapsules that have high capsule strength and solvent resistance, allow production of an electrophoretic display device showing high contrast and a low leakage current even after being left to stand for a long period of time under high temperature and high humidity conditions, and can be preserved at room temperature over a long period of time in a specific form, and to provide a process for producing the microcapsules and their applications.例文帳に追加

高いカプセル強度や溶剤耐性を有する共に、高いコントラストを示し、高温高湿条件下に長時間放置した場合であっても、低いリーク電流値を示す電気泳動表示装置を作製することが可能であり、かつ特定の形態で長期間にわたって室温保存が可能であるマイクロカプセル、その製造方法およびその用途を提供すること。 - 特許庁

To provide a centrifuge intended to combine a means of reducing the leakage current and a means of preventing the electric shock with a relatively simple structure without using a high-cost insulation transformer, a double-insulation structure of the motor or a reinforced insulation structure, or allowing the motor to be charged unnecessarily.例文帳に追加

本発明の目的は、コスト高の絶縁トランスの使用やモータの二重絶縁構造または強化絶縁構造の使用をすることなく、またモータに不要な帯電をさせることもなく、比較的簡単な構成により漏洩電流の低減と感電防止手段の二重化を図った遠心分離機を提供することにある。 - 特許庁