「M10」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The MOS transistor M10 is wired to a source, a gate, and a body to function as a constant current source, and has electric characteristics that a source potential becomes higher than the silicon substrate potential, so a saturation current decreases.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１０は、ソース、ゲート及びボディが結線されて定電流源として機能し、ソース電位がシリコン基板電位よりも高くなることで飽和電流が減少する電気的特性をもっている。 - 特許庁

A differential amplifier circuit of an input stage is configured with a twin differential form comprising first and second differential amplifier circuits 11, 12, and first and second common source amplifiers M5, M10 extract respective differential outputs.例文帳に追加

入力段の差動増幅回路を第１の差動増幅回路１１と第２の差動増幅回路１２とのツイン差動形式にて構成し、それぞれの差動出力を第１および第２のソース接地アンプＭ５，Ｍ１０により取り出す。 - 特許庁

With a movement of the tap position from P10 to P12 through a drag operation of the pointing device, the reverse display M10 of the corresponding increase/decrease table components is changed to M12.例文帳に追加

ポインティングデバイスのドラッグ操作によりタップ位置がＰ１０からＰ１２に移動するにともない、対応する増減表成分の反転表示Ｍ１０からＭ１２へ変更される。 - 特許庁

Utterance states M1 to M10 by conference attendants are displayed on a display means while updated based upon information stored in the storage means according to the lapse of time from the start of the conference.例文帳に追加

この記憶手段に記憶された情報に基づき、会議参加者毎の発話状況Ｍ１〜Ｍ１０を、会議開始からの時間の経過に応じて更新しながら表示手段に表示させる。 - 特許庁

That is, the contributing point is added on points M2, M4, M6, M8 and M10 on an outline of the silhouette image photographed and obtained from the respective viewpoints P1 to P3, and the contributing point is not added to other points.例文帳に追加

すなわち、各視点Ｐ１〜Ｐ３から撮影され取得されたシルエット画像の輪郭に表れる点Ｍ２、Ｍ４、Ｍ６、Ｍ８およびＭ10には、寄与ポイントを与え、その他の点には、寄与ポイントを与えないようにする。 - 特許庁

The variable high-level reference voltage VHV is applied to a source terminal of a PMOS transistor M10, and the variable low-level reference voltage VLV is applied to a source terminal of an NMOS transistor M11.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＭ１０のソース端子には可変高位基準電圧ＶＨＶが印加され、ＮＭＯＳトランジスタＭ１１のソース端子には可変低位基準電圧ＶＬＶが印加される。 - 特許庁

By adding a MOS switch (a transistor M10) that is a phase compensation release means, zero is generated in time of a heavy load to secure a frequency characteristic (stability) optimum in time of both a light load and the heavy load.例文帳に追加

さらに、位相補償解除手段であるＭＯＳスイッチ（トランジスタＭ１０）を付加することにより、重負荷時にゼロを生成して、軽負荷時と重負荷時共に最適な周波数特性（安定性）が確保される。 - 特許庁

A computer controlling energization of a spill solenoid valve and determining the injection quantity of fuel calculates a basic injection quantity Q from an accelerator opening ACCP and a rotational speed NE (M10).例文帳に追加

スピル電磁弁を通電制御して燃料の噴射量を決定するコンピュータは、アクセル開度ＡＣＣＰ、回転速度ＮＥから基本噴射量Ｑを演算（Ｍ１０）する。 - 特許庁

Source terminals of transistors (M9, M11) are connected to drain terminals of transistors (M5, M7), and source terminals of transistors (M10, M12) are connected to drain terminals of transistors (M6, M8).例文帳に追加

トランジスタ（Ｍ９、Ｍ１１）のソース端子は、トランジスタ（Ｍ５、Ｍ７）のドレイン端子に接続され、トランジスタ（Ｍ１０、Ｍ１２）のソース端子は、トランジスタ（Ｍ６、Ｍ８）のドレイン端子に接続されている。 - 特許庁

The operational amplifier is structured such that an output transistor M8 is connected in parallel with respect to the output transistor M7, and a current source transistor M10 is connected in parallel to a current source transistor M9.例文帳に追加

出力トランジスタＭ７に対して並列に出力トランジスタＭ８を接続すると共に、電流源トランジスタＭ９に対して並列に電流源トランジスタＭ１０を接続するようにしている。 - 特許庁

The source of a detection transistor M10 as a P channel MOSFET is connected to a power source line Lvcc to which a power supply voltage Vcc as the object of monitor is applied.例文帳に追加

ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴである検出トランジスタＭ１０は、監視対象の電源電圧Ｖｃｃが印加される電源ラインＬｖｃｃにソースが接続される。 - 特許庁

Further, a switch circuit 31 is provided between the gates of the output transistors M7 and M8, while a switch circuit 32 is provided between the gates of the current source transistors M9 and M10.例文帳に追加

そして、出力トランジスタＭ７とＭ８のゲート間には切換回路３１を、電流源トランジスタＭ９とＭ１０のゲート間には切換回路３２をそれぞれ設けるようにしている。 - 特許庁

Transistors M18 and M19 are controlled in the ON state, from the time when the input signals change until the expiration of a predetermined time and a large current is fed via the transistors M10 and M11.例文帳に追加

入力信号が変化した時から所定時間が経過するまでの期間、トランジスタＭ１８、Ｍ１９がＯＮ状態に制御され、トランジスタＭ１０、Ｍ１１を介して大きな電流が流れる。 - 特許庁

In a turbo charger model M10, a turbine model M11 calculates the turbine power Lt from the exhaust characteristic, and a shaft model M12 converts a turbine power Lt calculated by the turbine model M11 to compressor driving force Lc using the conversion efficiency.例文帳に追加

ターボチャージャモデルＭ１０において、タービンモデルＭ１１は、排気特性からタービン動力Ｌtを算出し、シャフトモデルＭ１２は、タービンモデルＭ１１で算出したタービン動力Ｌtを予め求めておいた変換効率を用いてコンプレッサ駆動力Ｌcに変換する。 - 特許庁

The prick lifting device K14 pricks the upstream end of the veneer lifted by the adsorption lifting device K12 with a needle member and lifts the upstream end of the veneer to a part between expanded arms M14 and M16 in the locus of the clamp M10 of the conveyor M.例文帳に追加

刺衝起曲装置Ｋ１４は、吸着起曲装置Ｋ１２が持ち上げた単板の上流端を裏面側から針部材で刺し、搬送コンベヤＭのクランプＭ１０の軌跡内の拡開したアームＭ１４，Ｍ１６間まで単板の上流端を持ち上げる。 - 特許庁

The phase correcting circuit 40 includes the output transistor M10, a phase correcting transistor M11 for constituting a current mirror and an I-V converting resistor R4, and generates a feedback voltage proportional to the output voltage at their connecting points.例文帳に追加

位相補正回路部４０は、出力トランジスタＭ１０とカレントミラーを構成する位相補正用トランジスタＭ１１とＩ−Ｖ変換用抵抗器Ｒ４とを含み、これらの接続点に出力電圧に比例するフィードバック電圧を発生させる。 - 特許庁

The gas concentration sensor 100 and the sensor control circuit M10 in the connector 300 are electrically connected by a signal line H1 and the heater 103 and the heater control circuit M20 in the connector 300 are electrically connected by a signal line H2.例文帳に追加

ガス濃度センサ１００とコネクタ３００内のセンサ制御回路Ｍ１０とは信号線Ｈ１により電気的に接続され、ヒータ１０３とコネクタ３００内のヒータ制御回路Ｍ２０とは信号線Ｈ２により電気的に接続される。 - 特許庁

When the voltage Vcn of the noise reducing terminal Cn is boosted to a predetermined voltage and more, a transistor M10 to be a driving transistor is turned off to restrict the rise of an output voltage Vout, so that the circuit connected to the post stage of the regulator 100 is prevented from being broken.例文帳に追加

ノイズ低減用端子Ｃｎの電圧Ｖｃｎが所定電圧以上となった場合に、駆動用トランジスタであるトランジスタＭ１０をオフさせて、出力電圧Ｖｏｕｔの上昇を制限することにより、レギュレータ１００の後段に接続された回路が破損することを防止する。 - 特許庁

A bit line BL0 is grounded via the MOS transistor Q0 and a bit line XBL0 is grounded via a MOS transistor Q0' for simultaneously bringing potential of output lines OUTH, OUTL of the memory cells M00, M10 to Mn0 into ground potential.例文帳に追加

メモリセルＭ００、Ｍ１０・・・・Ｍｎ０の出力線ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬの電位を同時に接地電位にするために、ビット線ＢＬ０はＭＯＳトランジスタＱ０を介して接地され、ビット線ＸＢＬ０はＭＯＳトランジスタＱ０’を介して接地されている。 - 特許庁

This electromagnetic contactor is structured such that, in turning on the electromagnetic contactor M10, sub-contact points 10 are turned on first to carry excessive start current, thereafter the current is reduced, and the sub-contact points 10 are mechanically automatically turned on immediately after main contact points 11 are turned on and stabilized.例文帳に追加

電磁接触器Ｍ１０の投入時に最初に副接点１０をオンとして過大な起動電流を流し、この後、電流が低下して主接点１１がオンとなり安定した直後に副接点１０を機械的に自動でオフとする構成とする。 - 特許庁

With such a constitution, a magnetic flux M10' intruding into the room from the opening 47 formed in the room 43 and directed toward the wall of the room 43 cancels the leakage magnetic flux M3 passing through the wall of the room 43 each other.例文帳に追加

このような構成により、シールドルーム４３に形成された開口４７から同シールドルーム内へ入り込み、シールドルーム４３の壁に向かう磁束Ｍ１０´と、シールドルーム４３の壁を貫通する漏れ磁束Ｍ３とが打ち消しあう。 - 特許庁

An in-building communication control section 13 transmits the control request message M10 whose protocol is converted into the in-building communication protocol to an in-building network 4 via an in-building communication interface 14 and the remote server 2 can control the in-building apparatus 50.例文帳に追加

建物内制御用プロトコルに変換された制御要求メッセージｍ１０は、建物内通信制御部１３から建物内通信インタフェース１４を介して建物内ネットワーク４に送信され、建物内機器５０の制御を行うことができる。 - 特許庁

To realize strong crimping capable of ensuring gas tightness between a metal shell and an insulator, in a spark plug where the nominal designation of a mounting threaded portion formed on the metal shell is M10 or M12 and the width between any two opposite surfaces of a fitting part to a wrench in the metal shell is no greater than 14 mm.例文帳に追加

主体金具に形成された取付用ねじ部の呼びがＭ１０またはＭ１２であって、かつ、主体金具におけるレンチとの嵌合部の対向二面幅が１４ｍｍ以下のスパークプラグにおいて、主体金具と絶縁碍子との間の気密性を確保できる強固なかしめを実現する。 - 特許庁

Alternatively, the cross-section variable mechanism A6 is arranged in the passage and the pressure applied to the material M10 being flowing through the passage is increased in the part where the cross-section variable mechanism A6 is arranged and decreased between the part where the cross-section variable mechanism A6 is arranged and the extrusion outlet A5a.例文帳に追加

断面積可変機構Ａ６を流路の途中に設け、流路を流れる素材Ｍ１０にかかる圧力を、断面積可変機構Ａ６が設けられた部分で上昇させ、断面積可変機構Ａ６が設けられた部分から押出口Ａ５ａまでの間に下降させるようにしてもよい。 - 特許庁

When the keyword is set by pull-down menus M10, M12 and an "OK" button (step S20), the next image is selected (step S24), returns to the processing in the step S18, and becomes a state for setting the keyword to the next image selected in the step S24.例文帳に追加

プルダウンメニューＭ１０、Ｍ１２及び「ＯＫ」ボタンによりキーワードが設定されると（ステップＳ２０）、次の画像が選択されて（ステップＳ２４）、ステップＳ１８の処理に戻り、ステップＳ２４において選択された次の画像に対してキーワードを設定する状態になる。 - 特許庁

A power supply generating part 19 generates an auxiliary power supply for operating the isolation circuit 16 from the power supply to supply current to the stepping motor M10, and a reference potential at a connection point D12 between the MOSFET13 and the switching circuit 11.例文帳に追加

電源生成部１９は、ステッピングモータＭ１０に電流を供給するための電源からアイソレーション回路１６を動作させるための補助電源、及び、ＭＯＳＦＥＴ１３とスイッチング回路１１との接続点Ｄ１２における基準電位を生成する。 - 特許庁

The control device further sets target throttle valve opening TAt on the basis of the set delay time TD (A30), and estimates future throttle valve opening TAe on the basis of the target throttle valve opening TAt (M10), and estimates the future cylinder air volume KL on the basis of the estimated throttle valve opening TAe (M20).例文帳に追加

更に、制御装置は、設定された遅延時間TDに基づいて目標スロットル弁開度TAtを設定し（Ａ３０）、目標スロットル弁開度TAtに基づいて将来のスロットル弁開度TAeを推定し（Ｍ１０）、推定されたスロットル弁開度TAeに基づいて将来の筒内空気量KLを推定する（Ｍ２０）。 - 特許庁

A scientific electronic calculator temporarily displays a symbol mark M10 on a display screen W12 along with preset computing prerequisites I10 if a user has performed key operations according to a predetermined procedure on the display screen W10 that shows computing results.例文帳に追加

関数電卓は、演算結果を表示した表示画面Ｗ１０において予め定められた手順によるキー操作がユーザーによりなされた場合に、設定されている演算前提条件Ｉ１０と併せてシンボルマークＭ１０を表示画面Ｗ１２に一時表示させる。 - 特許庁

When currents of P-channel transistors M4 and M5 are set equal, gate/back-gate voltages of P-channel transistors M11-M20 become equal to that of the P-channel transistor M10, and Vout becomes a reference voltage of which the temperature coefficient is approximately zero.例文帳に追加

ＰチャネルトランジスタＭ４とＭ５の電流を等しく設定すると、ＰチャネルトランジスタＭ１１〜Ｍ２０のそれぞれのゲート・バックゲート間の電圧はＰチャネルトランジスタＭ１０と等しくなり、Ｖｏｕｔは温度係数がほぼゼロの基準電圧となる。 - 特許庁

By loading negative feedback with N-channel transistor differential couples M6 and M7 and differential amplifiers which are active loads M1 and M2 of the P-channel transistors, a gate/back-gate voltage of a P-channel transistor M10 becomes equal with VD1-VD2.例文帳に追加

Ｎチャネルトランジスタ差動対Ｍ６及びＭ７と、Ｐチャネルトランジスタの能動負荷Ｍ１及びＭ２なる差動アンプで、負帰還をかけることにより、ＰチャネルトランジスタＭ１０のゲート・バックゲート間電圧がＶＤ１−ＶＤ２と等しくなる。 - 特許庁

A first torque steering reduction torque target value (M5) to the drive force distribution-caused torque steering or the traction control-caused torque steering is corrected in accordance with a second torque steering reduction torque target value (M9) to the drive shaft-caused torque steering to compute the torque steering reduction torque target value (M10).例文帳に追加

駆動力配分起因トルクステアやトラクション制御起因トルクステアに対する第１トルクステア低減トルク目標値（Ｍ５）を、ドライブシャフト起因トルクステアに対する第２トルクステア低減トルク目標値（Ｍ９）に応じて修正してトルクステア低減トルク目標値を演算する（Ｍ１０）。 - 特許庁

In model MD6, a fifth moldability detection process determines a moldability surface, that is, fifth moldability M10 by establishing parting line PL dividing a surface in which an undercut is caused by an unmoldability section detection process and which is detected as unmoldability section M8 into cavity direction KH1, core direction KH2, and standard sliding direction KH3.例文帳に追加

モデルＭＤ６では、第５成形可能部検出処理が、成形不能部検出処理によりアンダーカットが発生して成形不能部Ｍ８と検出された表面を、キャビティ方向ＫＨ１、コア方向ＫＨ２及び標準スライド方向ＫＨ３とに分けるバーティングラインＰＬを設定することで成形可能な表面、つまり第５成形可能部Ｍ１０と判別する。 - 特許庁

The estimation devise estimates cylinder air quantity KL with using a first air model M10 constructed under an assumption that thermal energy (thermal transmission energy) transmitted from a wall surface of an intake passage to air in the intake passage is zero when temperature Tim, Tst of wall surfaces of the intake passage is low and throttle valve opening TAe is large (when conditions of quantity of operation state are satisfied).例文帳に追加

推定装置は、吸気通路の壁面の温度Tim,Tstが低く且つスロットル弁開度TAeが大きいとき（運転状態量条件が満足されるとき）、吸気通路の壁面から吸気通路内の空気へ伝達される熱エネルギー（熱伝達エネルギー）が０であるという仮定の下で構築された第１空気モデルＭ１０を使用して筒内空気量KLを推定する。 - 特許庁

An intersection determination means M10 determines whether there is an intersection at which the vehicle should stop ahead of the vehicle, and, when there is the intersection, the drive assist means M6 is refrained from performing the drive assist targeted to the object vehicle present at or farther than the intersection, thereby inhibiting the needless drive assist which may become meaningless by the vehicle stopping at the intersection.例文帳に追加

交差点判定手段Ｍ１０が自車前方の道路に自車が一時停止すべき交差点が存在するか否かを判定し、前記交差点が存在する場合には、運転支援手段Ｍ６は前記交差点以遠に存在する対象車両についての運転支援を抑制するので、自車が前記交差点で一時停止することで無意味になる運転支援が無駄に行われるのを防止することができる。 - 特許庁

This circuit comprises a first N-channel MOS transistor M2, first inverters M5 and M8 of CMOS structure, second inverters M7 and M9 of CMOS structure, a first P-channel MOS transistor M10, a depression type second N-channel MOS transistor M4, and a depression type third N-channel MOS transistor M7.例文帳に追加

第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍ２）と、ＣＭＯＳ構成の第１のインバータ（Ｍ５，Ｍ８）と、ＣＭＯＳ構成の第２のインバータ（Ｍ７，Ｍ９）と、第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍ１０）と、デプレッション型の第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍ４）と、デプレッション型の第３のＮチャネルＭＯＳトランジスタ（Ｍ７）とを有する。 - 特許庁

An adhesive 22 is extruded from an extruder M10 and stuck to the back surface 10b of the carpet layer or the waterproof layer 30 and the back surface 10b of the carpet layer and the waterproof layer 30 are bonded together while forming the adhesive layer 20 in the mesh shape or the line shape to manufacture the floor mat 100.例文帳に追加

また、前記カーペット層の裏面１０ｂまたは前記防水層３０に対して接着剤２２を押出機Ｍ１０から押し出して付着させ、前記接着層２０を網目状または線状に形成しながら前記カーペット層の裏面１０ｂと前記防水層３０とを接着してフロアマット１００を製造する。 - 特許庁

In this case, collision with a second obstacle due to avoiding the collision with the first obstacle is prevented by determining the degree of a second risk for the own vehicle colliding with the second obstacle which exists in the going back direction by the degree of risk determining means M5 and varying the proceeding direction of the own vehicle by the proceeding direction varying means M10 according to the degree of the second risk.例文帳に追加

このとき、危険度判定手段Ｍ５が自車がその逆進方向に存在する第２障害物に衝突する第２危険度を判定し、その第２危険度に応じて進行方向変更手段Ｍ１０が自車の進行方向を変更するので、自車が第１障害物との衝突を回避するために第２障害物と衝突することが未然に防止される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an output MOS transistor M2, a sense MOS transistor M3, a voltage conversion circuit 20 which converts a sense current of the sense MOS transistor M3 into a sense voltage, and a control MOS transistor M10 which receives a voltage across the voltage conversion circuit 20 at its gate and source, and has its drain connected to the gate of the output MOS transistor M2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、出力ＭＯＳトランジスタＭ２と、センスＭＯＳトランジスタＭ３と、センスＭＯＳトランジスタＭ３のセンス電流をセンス電圧に変換する電圧変換回路２０と、電圧変換回路２０の両端の電圧をゲートとソースに受け、ドレインが出力ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続された制御ＭＯＳトランジスタＭ１０を備える。 - 特許庁