「MASK ROM」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a fabrication method of nonvolatile mask ROM semiconductor memory, in which client information data is programmed (written) continuously onto a wafer regardless of the density of the code data thereof.例文帳に追加

不揮発性メモリであって、顧客情報データのコードデータの疎及び密に影響されずに、連続してウエハ上にプログラム（書き込む）されるマスクＲＯＭ型半導体メモリの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds.例文帳に追加

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。 - 特許庁

In the apparatus, a control program and a program to install the constants into a FROM 4 are stored in a mask ROM 3, a program related to a vehicle control and the constants are stored in the FROM 4.例文帳に追加

マスクＲＯＭ３には、制御プログラムや制御定数をＦＲＯＭ４にインストールするためのプログラムを記憶させ、ＦＲＯＭ４には、車両制御に係わるプログラムや制御定数を記憶させておく。 - 特許庁

To provide an effective mask ROM and a production method therefor, with which a product corresponding to the specifications of each users can be provided by performing wiring with the same aluminum reticle, even when the specifications of each of users are different.例文帳に追加

ユーザーのスペックが異なる場合も同じアルミレチクルで配線を行い、かつ、各ユーザーのスペックに対応した製品を得ることができる有効なマスクＲＯＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To shorten precharging and discharging time of a bit wire and to reduce power consumption by reducing TAT and suppressing the increase of the capacity of the bit wires in the mask ROM of multilayer wiring structure.例文帳に追加

多層配線構造のマスクＲＯＭにおいて、ＴＡＴを短縮し、かつビット線の容量の増加を抑えてビット線のプリチャージ時間とディスチャージ時間が速くかつ消費電力を少なくする。 - 特許庁

A CPU 1 executes the first operating system from the mask ROM 4 when it is started, the first operating system reads the second operating system from the AND type flash memory 5 and executes it in place of itself.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、起動時に、マスクＲＯＭ４から第１オペレーティングシステムを実行し、第１オペレーティングシステムは、ＡＮＤ型フラッシュメモリ５から第２オペレーティングシステムを読み出して自らの代わりに実行させる。 - 特許庁

The improvement is adaptable for SRAM, DRAM, mask ROM, etc., and by integrally forming the memory circuit with the display device, a configuration of the more multi-functional display device is attainable.例文帳に追加

本発明はＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、マスクＲＯＭなどに適応が可能であり、本発明のメモリ回路を表示装置と一体形成することで、より多機能な表示装置を構成することが可能になる。 - 特許庁

Therefore, since electric potential is not generated between drain and source of a memory transistor MTij in a standby state, a leakage current is prevented, and consequently power consumption of the mask ROM is reduced.例文帳に追加

このため、スタンバイ状態におけるメモリトランジスタＭＴｉｊのドレイン・ソース間に電位差は生じないためリーク電流を防止し、マスクＲＯＭの消費電力を低く抑える事が可能となる。 - 特許庁

This memory circuit can be applied to an SRAM, a DRAM, a mask ROM and the like and a display device having multiple functions can be formed by forming the memory circuit integrally with the display device.例文帳に追加

本発明はＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、マスクＲＯＭなどに適応が可能であり、本発明のメモリ回路を表示装置と一体形成することで、より多機能な表示装置を構成することが可能になる。 - 特許庁

Through these procedures, the element 42b and the other element 42a are formed making use of the step of EEPROM memory cell 41 so as to realize a semiconductor device equipped with the EEPROM together with the mask ROM.例文帳に追加

このように、ＥＥＰＲＯＭメモリセル４１の工程を利用して素子４２ｂ及び一方の素子４２ａを形成し、ＥＥＰＲＯＭと共にマスクＲＯＭを備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

A CPU circuit section and an I/O circuit section being peripheral of internal circuits are manufactured on one chip by wafer process (S1a), while a mask ROM circuit section is manufactured on the other chip by wafer process (S1b).例文帳に追加

ＣＰＵ回路部と内蔵周辺Ｉ／Ｏ回路部とをウエハプロセス（Ｓ１ａ）によって１つのチップ上に製造すると共に、マスクＲＯＭ回路部をウエハプロセス（Ｓ１ｂ）によって別のチップ上に製造する。 - 特許庁

To mount together a depression type MIS transistor, a transistor constituting a mask ROM and a submicron CMOS without increasing the process man-hour of the depression type MIS transistor as much as possible.例文帳に追加

デプレッション形ＭＩＳトランジスタのプロセス工数をできるだけ増やさずに、デプレッション形ＭＩＳトランジスタとともに、マスクＲＯＭを構成するトランジスタ、さらにはサブミクロンＣＭＯＳを同一半導体基板上に混載すること。 - 特許庁

To unnecessitate a mask ROM for storing the rewrite program of a nonvolatile memory built in a semiconductor integrated circuit and further to easily change the pulse width of each of various control signals required for writing into the nonvolatile memory.例文帳に追加

半導体集積回路に内蔵された不揮発性メモリの書き換えプログラムを記憶するためのマスクＲＯＭを不要とし、更に、不揮発性メモリの書き込みに必要な各種制御信号のパルス幅を容易に変更する。 - 特許庁

The test mode is activated, the block select signal is activated in order to read the contents of the mask ROM cell rows out, and they are compared with an expected value to conduct a short-circuit test of wires for an address signal.例文帳に追加

試験モードを活性化しブロック選択信号を順次活性化してマスクＲＯＭセル行の内容を読み出し、これを期待値と比較することにより、アドレス信号の配線のショート等の試験が行われる。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

Next, a resist film 8a is re-deposited on the second resist film 13, openings 3a as a ROM code mask are formed and code injection is made through the openings 3a and the holes 13a.例文帳に追加

引続いて第２のレジスト膜１３上に再度レジスト膜８ａを堆積し、レジスト膜８ａにＲＯＭコードマスクとしての開口部３ａを形成し、開口部３ａ及びホール１３ａを通してコード注入を行う。 - 特許庁

To provide a non-volatile one-chip microcomputer in which the terminal specifications are made uniform to those of a mask ROM plate by using a second power supply terminal special for an internal circuit both as a reload power supply terminal and a general terminal.例文帳に追加

内部回路専用の第２の電源端子を、書き換え電源端子と汎用端子とに兼用可能とすることで、端子仕様をマスクＲＯＭ版と同一にした不揮発性ワンチップマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

To provide a mask ROM allowing a layer of a program layer to be freely changed, allowing a product to be delivered in a short period without needing to change layout design and the like of a peripheral circuit, and having a high yield.例文帳に追加

プログラム層のレイヤを自在に変更でき、しかも、周辺回路のレイアウト設計等を変更する必要がなく、短期間で製品の納入が可能であり、かつ、歩留りが高いマスクＲＯＭを実現すること。 - 特許庁

To reduce the area of a mask ROM, by providing a mechanism which can output both binary logical values from one memory cell, according to the address region and enabling one memory block to be shared in two address region.例文帳に追加

１つのメモリセルからアドレス領域に応じて２値の両論理値が出力できる機構を設け、一つのメモリブロックが２つのアドレス領域で共有できるようにし、マスクＲＯＭの面積を低減すること。 - 特許庁

A tag control part 20 in each tag device, is incorporated therein with an non-volatile read-only memory part 42 composed of a mask ROM, EPROM and the like, and inherent identification codes are stored in the memory part 42a.例文帳に追加

タグ装置のタグ制御部２０は、マスクＲＯＭやヒューズＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ等により構成された不揮発性読出専用の記憶部４２ａが備えられ、その記憶部４２ａに固有の識別符号が記憶されている。 - 特許庁

Related to a mask for forming a positive resist pattern which is used for ion-implantation into an arbitrary cell transistor of a mask ROM, the size of adjoining opening pattern is larger than that of non-adjoining opening pattern, among opening patterns so provided as to correspond to the positive resist pattern.例文帳に追加

マスクＲＯＭにおける任意のセルトランジスタにイオン注入するために用いられる、ポジ型レジストパターンを形成するためのマスクにおいて、前記ポジ型レジストパターンに対応して設けられる各開口パターンのうち、開口パターンが隣接していないもののサイズを、開口パターンの隣接しているものより大きくする。 - 特許庁

In a contact mask switching system mask ROM, a storage state is switched by determining whether a contact hole and an electrode that is to be buried into the contact hole are formed in a memory transistor MTij and a bit line fixing circuit, which fixes the potential of a bit line that is not selected, is provided.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール及びこのコンタクトホールに埋め込まれる電極がメモリトランジスタＭＴｉｊに形成されるか否かにより、その記憶状態を切り換えるコンタククトマスク切り換え方式のマスクＲＯＭにおいて、選択されていないビット線の電位を固定するビット線固定回路を設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In the contact program type mask ROM where the drain contact of a part of cell transistors in a memory cell array is connected to a bit line 1 through a repeating pattern 3 and a via plug 2, adjacent via plugs are connected to a bit-line direction wiring layer 3a in common when a plurality of via plus connected to the same bit line are continuously adjacent in the bit line direction.例文帳に追加

メモリセルアレイにおける一部のセルトランジスタのドレインコンタクトが中継用パターン部３とビアプラグ２を経てビット線１に接続されるコンタクトプログラム方式のマスクROM において、同一ビット線に接続される複数のビアプラグがビット線方向に連続して隣り合う場合に、隣り合うビアプラグがビット線方向の配線層３ａにより共通に接続されている。 - 特許庁

Only the changed part of a file system stored in a mask ROM4 being a read only memory is written in a flash ROM 5 being a storage device capable of reading and writing in which the position information of each file is stored in the file system, and the position information of the changed file is updated to a file writing position on the flash ROM 5.例文帳に追加

読み出し専用の記憶装置であるマスクＲＯＭ４に格納されているファイルシステムのうちの変更された部分だけを、ファイルシステムにおける各ファイルの位置情報が格納されている読み書き可能な記憶装置であるフラッシュＲＯＭ５に書き込み、その変更されたファイルの位置情報をフラッシュＲＯＭ５上のファイル書き込み位置に更新する。 - 特許庁

To standardize a sub-microcomputer with a built-in mask ROM in which a control program for processing input signals of a plurality of panel keys of an operation panel of an electronic device having specifications different in every model and every destination is stored.例文帳に追加

モデル毎、仕向け先毎に異なる仕様の電子装置の操作パネルの複数のパネルキーの入力信号を処理する制御プログラムが格納されたマスクＲＯＭを内蔵するサブマイコンを共通化することができるようにする。 - 特許庁

Consequently, the value of the PC 15a is set in a specified address in the EEPROM 11b and a performance program is switched from a processing program in a mask ROM 11a to a program for addition and correction in the EEPROM 11b.例文帳に追加

これにより、ＰＣ１５ａの値は、ＥＥＰＲＯＭ１１ｂ内の所定のアドレスにセットされ、実行プログラムは、マスクＲＯＭ１１ａ中の処理プログラムから、このＥＥＰＲＯＭ１１ｂ内の追加・修正用のプログラムへ切り換えられる。 - 特許庁

When deciding that the pixel block is completely included in the mask area, the decision part 242 connects a second switch 243 to a ROM 241 and transmits data composed of "0, EOB" to the endoscope processor 300 instead of the compressed pixel block data.例文帳に追加

画素ブロックがマスク領域に完全に含まれると判定したとき、判定部２４２は第２のスイッチ２４３をＲＯＭ２４１に接続し、圧縮画素ブロックデータの代わりに「０、ＥＯＢ」からなるデータを内視鏡プロセッサ３００に送信する。 - 特許庁

To provide a computer system capable of flexibly changing the contents of a file system stored in a read only memory such as a mask ROM, and for improving the using efficiency of the capacity of the storage device in which the file system is stored.例文帳に追加

マスクＲＯＭ等の読み出し専用の記憶装置に格納されたファイルシステムの内容を柔軟に変更でき、しかもファイルシステムを格納する記憶装置の容量の利用効率を改善する計算機システムを提供する。 - 特許庁

To provide a mask ROM which can perform accurate ion implantation of r a desired channel region alone, thus realizing fine machining and reduce TAT through ion implantation after gate electrode formation.例文帳に追加

所望のチャネル領域のみにイオンを正確に注入でき、したがって、微細化を達成でき、しかもゲート電極形成後にイオン注入できてＴＡＴを短縮することができるマスクＲＯＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device enabling reduction of through-current and high-speed access by changing over a pre-charge path to a sense node and a bit line according to the polarity of read-out data in mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭにおいて、読み出しデータの極性に応じてセンスノードおよび、ビット線へのプリチャージ経路を切り替えることで、貫通電流を削減するとともに高速アクセスを可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the adjacent coincidence is detected, a storage data selecting section 17 selects either an output SROM of a mask ROM 11 or correction data SCDT in byte unit in accordance with the address signal SAD and a correction address SCAD.例文帳に追加

記憶データ選択部１７は、隣接一致が検出されたとき、マスクＲＯＭ１１の出力ＳＲＯＭおよび修正データＳＣＤＴのいずれかを、バイト単位で、アドレス信号ＳＡＤおよび修正アドレスＳＣＡＤに応じて、選択する。 - 特許庁

The microprocessor 15 controls the disk control circuit 16 based on a control program stored in the mask ROM 17 so that recording/reproducing processing can be performed to a flexible magnetic disk 22a by a recording and reproducing circuit 10 and a spindle circuit 11 and an actuator circuit 12.例文帳に追加

マスクＲＯＭ１７に格納された制御プログラムに基づいて、マイクロプロセッサ１５がディスク制御回路１６を制御し、記録再生回路１０とスピンドル回路１１とアクチュエータ回路１２とによって、フレキシブル磁気ディスク２２ａに対して記録／再生処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of easily grasping the size of a resist pattern by an optical proximity effect even when the code pattern arrangement of a mask ROM is especially diversified and the number of code data of a cell part is enormously increased, a method for manufacturing the semiconductor device and a reticule.例文帳に追加

特にマスクＲＯＭにおいて、コードパターン配置が多様化し、セル部コードデータの数が膨大になっても、光近接効果によるレジストパターン寸法を容易に把握することができる半導体装置、半導体装置の製造方法あるいはレチクルを提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a mask ROM in which a buried layer can be patterned easily in the boundary at the end of a segment select region and a memory cell array region while enhancing uniformity of polishing in a polishing process at the time of forming an isolation film.例文帳に追加

素子分離膜形成の際、進行される研磨工程での研磨均一度を向上させながらセグメントセレクト領域とメモリセルアレイ領域の末端の境界部で埋没層を容易にパターニングすることのできるマスクＲＯＭ製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method for a semiconductor device in which a period until shipping of products of semiconductor devices in which software desired by a user is selected and a mask ROM circuit based on a program code is formed can be shortened and the semiconductor device.例文帳に追加

顧客の要望するソフトウェアが確定し、プログラムコードに基づくマスクＲＯＭ回路が形成された半導体装置の製品出荷までの期間を短縮することができる半導体装置の製造方法および半導体装置が得られるようにすること。 - 特許庁

The mask ROM executes writing of data by accumulating charges excited through radiation of the ultraviolet ray or electron beam to the area near the gate electrode 4a within the gate insulating film 3 on the semiconductor substrate 1, in order to change the threshold value of the transistor Tp.例文帳に追加

マスクＲＯＭ部は、データの書き込みが、紫外線又は電子ビームを半導体基板１におけるゲート電極４ａの近傍部分に照射されて励起された電荷をゲート絶縁膜３に蓄積して、トランジスタＴｐのしきい値を変化させることにより行なわれる。 - 特許庁

To dispense with dedicated data buses for downsizing of a memory control circuit and reduce manufacturing cost, in a method for controlling memory in a system in which mixing memory consisting of SDRAM or S mask ROM and a circuit, the clock cycle of which is double when the clock cycle of the control circuit of the memory is set as 1.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭ又はＳマスクＲＯＭからなるメモリと、このメモリの制御回路のクロック周期を１とした場合にクロック周期が２倍となる回路とが混在するシステムにおけるメモリ制御方法において、専用のデータバスをなくし、メモリ制御回路の小形化、低コスト化を図る。 - 特許庁

When the abnormality is also present in the USB communication program, a UART communication program stored in a mask ROM is executed, and the print control program, the USB communication program and a rewriting program are downloaded from a maintenance computer by communication through a UART interface (S90, S100).例文帳に追加

ＵＳＢ通信プログラムにも異常がある場合には、マスクＲＯＭに記憶されたＵＡＲＴ通信プログラムを実行して、ＵＡＲＴインターフェイスを介した通信によりメンテナンスコンピュータから印刷制御プログラム、ＵＳＢ通信プログラム及び書き換えプログラムをダウンロードする（Ｓ９０，Ｓ１００）。 - 特許庁

The first memory array block consists of mask ROM cells to be programmed with predetermined data during a semiconductor manufacturing process, and the second memory array block consists of (EEPROM) cells or flash memory cells to be programmed or erased with predetermined data after the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

第１群のメモリアレイブロックは半導体製造工程中に所定データでプログラムされるマスクＲＯＭセルで構成され、第２群のメモリアレイブロックは半導体製造工程後に所定データでプログラムされるか、または消去されるＥＥＰＲＯＭセルまたはフラッシュメモリセルで構成される。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device and a manufacturing method therefor by eliminating or minimizing steps on a substrate while suppressing short channel effects in a semiconductor device having a high-density mask ROM section using a flat cell structure.例文帳に追加

フラットセル構造を用いた高密度のマスクＲＯＭ部を有する半導体装置において、ショートチャネル効果を抑制しつつ、基板段差をなくすか又は最小限にとどめることにより、ワード線の加工を容易にし、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a data register 13, the start address of the update area of a mask instruction ROM is set through DTI, TMS, and TCK being JTAG terminals in a debug event point register 14, and address break is set in a debug control register 15, and an update program is set in a debug instruction memory 16.例文帳に追加

データレジスタ１３においては、ＪＴＡＧ端子であるＴＤＩ、ＴＭＳ、ＴＣＫを介して、デバッグイベントポイントレジスタ１４にマスク命令ＲＯＭの更新エリアのスタートアドレスが設定され、デバッグコントロールレジスタ１５にアドレスブレークが設定され、デバッグインストラクションメモリ１６に更新プログラムが設定される。 - 特許庁

Execution of a program (task, subroutine) of a new version and utilization of updated data of a new version can be performed by adding version information to a mask ROM 2 and an external EPROM 5 which are built in a one-chip microcomputer 6 respectively and comparing those version numbers.例文帳に追加

ワンチップマイクロコンピュータ６に内蔵されたマスクＲＯＭ２と外部ＥＰＲＯＭ５に夫々バージョン情報を付加し、それらのバージョン番号を比較することにより、常に新しいバージョンのプログラム（ＴＡＳＫ，サブルーチン）を実行することや、新しいバージョンの更新データを利用することができるようにする。 - 特許庁

In this mask ROM, its overhead is reduced by using a selection transistor being same for two banks, its overhead is reduced by using only one sense amplifier 210 per one block, and the memory cell is divided into plural banks by using word line recorders 220 being of odd numbers and even numbers.例文帳に追加

本マスクＲＯＭは、２つのバンクに同一の選択トランジスタを使用してそのオーバヘッドを減少させ、ブロック当たり１つのセンス増幅器２１０だけを使用してそのオーバヘッドを減少させ、そして奇数及び偶数のワードラインデコーダ２２０を使用してメモリセルを複数のバンクに分割する。 - 特許庁

This is a high function type portable telephone which has a ROM card 12 having recorded music, a function of playing it back, a head phone 9, a microphone 5 fitted with a cord combinedly serving as an antenna to connect with this and a mask, a circuit for removing low frequency components, and a function of receiving a radio.例文帳に追加

携帯電話機に予め音楽を録音したＲＯＭカード１２と、これを再生する機能と、ヘッドホーン９と、これに接続するアンテナ兼用のコードとマスク付のマイクロホン５と、低周波成分を除去するための回路とラジオを受信する機能を有する高機能形携帯電話機。 - 特許庁

The method avoids only the defect portion to execute alternatively a corrected module by using a part of a flash memory to store the module in which the defect of the program is corrected to an arbitrary address when the defect occurs in the control program stored in a mask ROM in a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵ内のマスクＲＯＭに格納される制御プログラムに不具合が発生した場合、フラッシュメモリの一部を使用して、制御プログラムの不具合を修正したモジュールを任意のアドレスへ格納することで、不具合部分のみを回避して代わりに修正モジュールを実行する。 - 特許庁