「Masks」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a scan exposure apparatus in which masks can be replaced while reliably preventing interference with an air pad by a mask replacing mechanism having a relatively simple configuration, and to provide a substrate for a liquid crystal display.例文帳に追加

比較的簡単な構成のマスク交換機構により、エアパッドとの干渉を確実に防止しつつ、マスクの交換を行なうことができるスキャン露光装置および液晶ディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a display device that correctly recognizes a nonimage part, masks the nonimage part with a gray band of a prescribed luminance level and reduces baking even though the nonimage part has attached information, for example, a logo mark of a broadcasting station or the like.例文帳に追加

無画部に例えば放送局のロゴマークなどの付加情報があっても、無画部を正しく認識し、無画部を所定輝度レベルのグレー帯でマスクして、焼き付きを低減する表示装置を提供する。 - 特許庁

The thresholds of the first and second threshold masks are determined by the threshold of a basic mask stored in a basic mask memory 14 and a first and second correction values settable by a setting changer 16.例文帳に追加

第１及び第２の閾値マスクの閾値は、基本マスク記憶部１４に記憶している基本マスクの閾値と、設定変更部１６に設定可能な第１及び第２の修正値とにより定められる。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus with a mask positioning mechanism for directly locating a substrate and masks by a CCD camera, and performing the positioning with high accuracy when the mask is positioned.例文帳に追加

マスクの位置合せに際し、ＣＣＤカメラによる基板及びマスクの直接読み取りを可能として、高精度での位置合せを行うことができるマスク位置合せ機構付き成膜装置を提供する。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

In this exposure method, multiple exposures of mask pattern images are made on a prescribed position on a wafer by using plural masks having the same mask pattern, and a desired circuit pattern is obtained.例文帳に追加

本発明の露光方法では、同一のマスクパターンを有する２枚以上複数枚のマスクを用いて、ウェハ上の所定の位置にマスクパターン像を多重露光し、所望の回路パターンを得ることを特徴とする。 - 特許庁

To eliminate or reduce contaminating a photosensitive surface of a substrate by falling of particulates onto a substrate, when a mask is loaded, which mechanically masks the substrate and forms an region excluded from exposure.例文帳に追加

基板を機械的にマスクして露光除外領域を形成するマスクをロードする際に基板に微粒子が落下して基板の光感応性表面を汚染することを除去または軽減する。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

To avoid the need to relate the origins of apparatuses which measure heights of substrates or masks on a plurality of stations in a lithographic projection apparatus having a plurality of substrate tables or mask tables.例文帳に追加

複数の基板テーブルまたはマスクテーブルがあるリソグラフィ投影装置に於いて、複数のステーションでこの基板またはマスクの高さを測定する装置間の原点を関係付ける必要をなくすること。 - 特許庁

Thereafter, P-type impurity ions 8 for element-isolating memory cells are implanted using the gate electrode 3 and the side wall oxide film 7 as masks for the formation of P-type impurity regions.例文帳に追加

その後、ゲート電極３及びサイドウォール酸化膜７をマスクとしてメモリセルの素子分離のためのＰ型不純物のイオン注入８をすることによって、Ｐ型不純物領域９を形成する。 - 特許庁

The flying toner particle is photographed two times with a prescribed time interval, a plurality of shapes of particles is extracted from one of the two obtained still picture images, and masks are prepared to correspond respectively thereto.例文帳に追加

飛翔するトナー粒子の撮影を所定の時間間隔をおいて２度行い、得られた二つの静止画像の一方から複数の形態の粒子と抽出し、それぞれに対応するマスクを作成する。 - 特許庁

When the initialization is completed, the CPU 33 masks the control signal output from the hardware control circuit 65 to the triac 43 and performs the software control of the triac 43 in place of the hardware control.例文帳に追加

初期化が終了すると、ＣＰＵ３３は、ハードウェア制御回路６５がトライアック４３へ出力する制御信号をマスクして、ハードウェア制御に代えてトライアック４３のソフトウェア制御を実行する。 - 特許庁

In drawing data D3, masks M having the same layout pattern P2 are designated by the same identifier id2, which reduces the burden of creating the drawing data D3.例文帳に追加

また、描画データＤ３中においても、同一のレイアウトパターンＰ２を有するマスクＭは同一の識別子ｉｄ２で指定されるため、描画データＤ３の作成にかかる負担も低減させることができる。 - 特許庁

Women, as well as boys and girls, may also perform the dance, in which case they may put on maetengan (a charm of the front of cap) with kazashi (snapped branch of flower or tree put in the hair or the cap) in it and wear stage makeup as in Kabuki dance, without wearing Bugaku masks. 例文帳に追加

女性や少年少女が舞う場合もあり、その場合は、舞楽面を着けずに山吹の挿頭花を挿した前天冠を着け、歌舞伎舞踊と同様の舞台化粧をする場合がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Multipleclients can select for the same events on the same window with the followingrestrictions: Multiple clients can select events on the same window becausetheir event masks are disjoint. 例文帳に追加

以下の制限付きで、複数クライアントが同じウィンドウの同じイベントを選択することができる。 \\(bu 5複数クライアントが同じウィンドウのイベントを選択できるのは、イベントマスクが互いに共通部分を持たないからである。 - XFree86

At the time of ritual of Denpo Kanjo in the Heian period, people who put on Juniten's masks and costumes appeared in the 'March of Juniten' but it was changed to Byobu of Juniten after medieval times. 例文帳に追加

平安時代の伝法灌頂の儀式の際には「十二天行道」として十二天の面をかぶり、装束を着けた人間が登場したが、中世以降は十二天屏風にとって代わられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It outputs a low level of output signal b for a specified time from start of a timer 15 at start of a power unit, and masks the output of an alarm signal by the detection of short voltage at start.例文帳に追加

電源装置の起動時には、タイマ１５が起動から所定時間ローレベルの出力信号ｂを出力し、立ち上がり時の不足電圧検出によるアラーム信号の出力をマスクする。 - 特許庁

Even if structures are formed on a plurality of substrates, masks consistent with the substrates are not required, thus making it possible to prevent the substrate from being contaminated with fine particles reflected at sites other than the substrate.例文帳に追加

また、複数基材上に構造物を形成させる場合においても、基材に対応したマスクは必要なく、基材以外の箇所で反射した微粒子による基材の汚染を防ぐことができる。 - 特許庁

An opening 21K is provided at a part corresponding to the arrangement region of a common pad 12 provided on one face of a light transmission substrate 10 out of black masks 21 provided on one face of a light transmission substrate 20.例文帳に追加

光透過性の基板２０の一面に設けられたブラックマスク２１のうち、光透過性の基板１０の一面に設けられたコモンパッド１２の配設領域に対応する箇所に、開口２１Ｋを設ける。 - 特許庁

To provide a mask manufacturing system capable of suppressing detection of pseudo errors in the inspection step of mask patterns, where the error is negligible, when manufacturing a semiconductor device, and capable of reducing the time for developing masks.例文帳に追加

マスクパターンの検査工程において半導体装置製造時に無視可能な疑似エラーの検出を抑制可能で、かつマスク開発時間の短縮が可能なマスク製造システムを提供する。 - 特許庁

To provide a configuration and a method for manufacturing a liquid crystal device by which the number of processes or the number of masks required to manufacture a liquid crystal device having switching elements and storage capacitances can be decreased.例文帳に追加

スイッチング素子および保持容量を備えた液晶装置を製造するのに必要な工程数やマスク枚数を減らすことのできる構成、および液晶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The masks 23L, 23R include slits 24L, 24R opened along perpendicular directions of the reference lines 21L, 21R, and having respective widths wider than the reference lines 21L, 21R.例文帳に追加

マスク２３Ｌおよび２３Ｒは、基準線２１Ｌおよび２１Ｒの垂線方向に開いたスリット２４Ｌおよび２４Ｒであって、基準線２１Ｌおよび２１Ｒより幅広のスリット２４Ｌおよび２４Ｒを備える。 - 特許庁

With the detected positions of the reference marks 50, 51 as criteria, ultraviolet rays are radiated from mirrors 22, 23 onto a dry film resist layer 55, and marks drawn on photo-masks 24, 25 are printed on the dry film resist layer 55.例文帳に追加

該基準マーク５０、５１の検出位置を基準として、ミラー２２、２３から紫外線をドライフィルムレジスト層５５上に照射し、フォトマスク２４、２５に描かれたマークをドライフィルムレジスト層５５上に焼き付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which suppresses the variation of the threshold of a gate electrode due to the fining without increasing the numbers of masks and processes such as lithography.例文帳に追加

マスク数やリソグラフィなどのプロセス数を増やすことなく、微細化に伴うゲート電極のしきい値のばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection mask capable of preventing decrease in the reflectance derived from the deposition of the oxide generated on the surfaces of a reflecting multi-layer film and a protective film in a process of manufacturing the masks.例文帳に追加

マスク製造過程で反射多層膜や保護層の表面に生成した酸化物等の堆積に由来する反射率の低下を防止することができる反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for detecting a line in an image includes using one or more masks for detecting lines in one or more directions within a first direction, a second direction perpendicular to the first direction, and third and fourth directions diagonal to the first and second directions, and further includes one or more additional masks for detecting lines in one or more added directions.例文帳に追加

画像中の線を検出する方法は、第１の方向と、第１の方向と直交する第２の方向と、当該第１の方向および第２の方向に対して斜めである第３の方向および第４の方向とのうち、１つまたは複数の方向の線を検出する１つまたは複数のマスクを用いることを含み、１つまたは複数の追加される方向の線を検出する１つまたは複数の追加マスクをさらに含む。 - 特許庁

The pattern measuring device carries out exposure simulation on data of outlining the pattern edges of a first mask image and a second mask image formed based on charged particle beam irradiation on two masks used for double exposure, and superposes two outlines to which exposure simulation is performed, based on coordinate information of design data of the masks.例文帳に追加

上記目的を達成するために、以下に二重露光に用いられる２つのマスクに対する荷電粒子ビーム照射に基づいて、形成される第１のマスク画像と、第２マスク画像のパターンエッジを輪郭線化したデータについて、露光シミュレーションを実行し、当該露光シミュレーションが行われた２つの輪郭線を、前記マスクの設計データの座標情報に基づいて、重ね合わせるパターン測定装置を提案する。 - 特許庁

After an N type LDD region is formed by implanting N type impurities into the semiconductor layer using the first and second gate electrodes as masks (step S6), the N type LDD region is inverted into a P type high concentration impurity layer by implanting P type impurities into the region for forming the P type TFT using the first and second gate electrodes as masks (step S7).例文帳に追加

そして、第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにして半導体層にＮ型不純物を注入してＮ型ＬＤＤ領域を形成した後に（ステップＳ６）、Ｐ型ＴＦＴを形成すべき領域に第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにしてＰ型不純物を注入し、Ｎ型ＬＤＤ領域をＰ型高濃度不純物層に反転する（ステップＳ７）。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa.例文帳に追加

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。 - 特許庁

As it became clear that workers at the TEPCO's Fukushima No.1 Nuclear Power Plant had used masks without radiation filter during their tasks on 13th, TEPCO was instructed to fully enforce appropriate use of the masks including in cooperative companies. (June 13, 2011)例文帳に追加

東電福島第一原発で13日の作業で労働者が使用するマスクにフィルターを付け忘れていたことを受け、東京電力に対し、マスクの適切な使用について協力会社を含め再度徹底するよう指導（平成23年6月13日）し、関係事業者に対し、有効な呼吸用保護具を労働者に着用させていなかった労働安全衛生法違反について富岡労働基準監督署長名で是正を勧告（平成23年6月22日）。 - 厚生労働省

To provide a screen printing equipment, in which snapping-off properties after pattern printing is improved irrespective of the sort of masks and consequently the development of poor printing can be suppressed, and its screen printing method.例文帳に追加

マスクの品種に関わりなくパターン印刷後の版離れ性を向上させて印刷不良の発生を抑制することができるスクリーン印刷装置及びスクリーン印刷方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An interrupt mask circuit 152 masks the generated interrupt if the group of the group number held in the interrupt group setting register 154 is designated to be masked in the interrupt group mask register 103.例文帳に追加

割り込みマスク回路１５２は、割り込みグループ設定レジスタ１５４が保持するグループ番号のグループが、割り込みグループマスクレジスタ１０３によってマスクすべきと指定されているときには、発生した割り込みをマスクする。 - 特許庁

First and second halftone phase shifting masks 10, 20 having light transmitting parts 12, 22 for holes corresponding to the above holes of the respective groups are used to expose one resist film twice for patterning.例文帳に追加

そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部１２及び２２を有する第１及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び２０を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を２回行なう。 - 特許庁

A master mask having a pattern size larger than an objective mask is first produced, and a plurality of identical masks are produced from the master mask by reduced projection and subjected to a die-to-die comparison with one another.例文帳に追加

対象となるマスクよりも大きいパターンサイズを有するマスターマスクを先に製作し、マスターマスクから、縮小投影によって、複数の同じマスクを製作し、これらの間で、Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ比較法を行う。 - 特許庁

To reduce the storage sites of printing masks, the space for printing the printing mask and the cost for manufacturing the printing mask by directly applying a solder paste on a printed wiring board without using the printing mask.例文帳に追加

印刷マスクを使用しないでプリント配線基板上にはんだペーストを直接塗布することによって、印刷マスクの保管場所や印刷マスクを印刷するスペース、印刷マスクの製作費用などを削減する。 - 特許庁

The method includes: injecting boron into an NMOS region RN using a resist mask 31 and other resist masks as an injection mask; and forming p-type impurity regions which become a halo region of access transistor and drive transistor.例文帳に追加

レジストマスク３１と他のレジストマスクを注入マスクとして、ＮＭＯＳ領域ＲＮにボロンを注入することにより、アクセストランジスタおよびドライブトランジスタのハロ領域となるｐ型不純物領域が形成される。 - 特許庁

The mask processing part 34 masks a reset signal XRST based on the access control clock FCK from the access control part 36, and supplies the masked reset signal MXR to the access control part 36.例文帳に追加

マスク処理部３４は、アクセス制御部３６からのアクセス制御用クロックＦＣＫに基づいてリセット信号ＸＲＳＴのマスク処理を行い、マスク処理後のリセット信号ＭＸＲをアクセス制御部３６に供給する。 - 特許庁

Two rectangular sheets of metal masks 10 of the same size are connected to each other in right and left adjacency through a fixing mask 20 to function as a sheet of metal mask 30-2 with an area twice as large as the above.例文帳に追加

矩形状で同一サイズの２枚のメタルマスク１０を、固定用マスク２０を介して左右に隣接して繋ぎ合わせ、前記メタルマスクの２倍の面積を有する１枚のメタルマスク３０−２として機能させたこと。 - 特許庁

After the electrical characteristic of a semiconductor wafer are evaluated by using a TEG formed in a scribe region of the semiconductor wafer (Step S11), an insulating mask layer which masks the TEG is formed (Step S12).例文帳に追加

半導体ウェハーのスクライブ領域に形成されたＴＥＧを用いて前記半導体ウェハーの電気的特性を評価したのち（ステップＳ１１）、このＴＥＧをマスクする絶縁性のマスク層を形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

Before a return from interrupt handling caused by the interrupt request generation by the module to the preceding processing, the first interrupt controller masks the interrupt request generation notification to the second interrupt controller.例文帳に追加

前記モジュールによる割り込み要求の発生に起因する割り込み処理から元の処理に復帰する前に、第１の割り込みコントローラに第２の割り込みコントローラへの割り込み要求発生の通知をマスクさせる。 - 特許庁

To reduce undercut caused by wet etching and to improve the working precision at the time of forming a surface wave element aluminum vapor deposition film or aluminum alloy vapor deposition film electrode by applying lithography technology to a thin film formed on the film surface on a substrate and executing etching with the formed resist pattern and a thin film fine pattern as masks.例文帳に追加

表面波素子、中でも表面波共振器電極形成プロセスでは、アルミニウム電極、アルミニウム蒸着膜厚が１μｍから２μｍで、線幅２μｍから５μｍに対して厚い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a liquid crystal display device and an electronic equipment having a wide viewing angle and a smaller number of manufacturing steps or masks compared with conventional ones and requiring a low manufacturing cost.例文帳に追加

広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造工程数やマスク数が少なく、製造コストが低い半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器を提供することを課題とする - 特許庁

A plurality of glass masks 14 each having an exposure pattern 12 formed thereon are connected and fixed while the patterns 12 are positioned so as to obtain the glass mask having the plurality of patterns 12 as a whole.例文帳に追加

それぞれに露光用のパターン１２が形成された複数のガラスマスク体１４を互いのパターン１２同士を位置決めした状態で連結し固定してなることで、全体として複数のパターン１２を有するものとする。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPU section acquires lightness values D from RGB information of a plurality of pixels included in the prescribed processing mask MSK and temporarily stores the lightness values in a main storage section while being associated with pixels included in the processing masks MSK.例文帳に追加

ＣＰＵ部は、規定した処理マスクＭＳＫに含まれる複数の画素のＲＧＢ情報から明るさＤを取得し、処理マスクＭＳＫに含まれる画素と対応付けて、明るさを主記憶部に一時的に格納する。 - 特許庁