「Masks」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A resume signal mask circuit 120 is provided between a circuit block 101 and the resume signal hold circuit 110, and masks the signals while the circuit block 101 is in the stand-by mode so that no signal can be input to the circuit block 101.例文帳に追加

復帰信号マスク回路120は、回路ブロック101と復帰信号保持回路110との間に配置され、回路ブロック101がスタンバイモードであるときに回路ブロック101に信号が入らないようにマスクする。 - 特許庁

Exposure using masks having the same shape is carried out a plurality of times for one photoresist layer, and images formed on the photoresist layer through the plurality of times of exposure are partially superposed on one another.例文帳に追加

同一の形状を有するマスクを用いた露光を、一のフォトレジスト層に対して複数回行い、なおかつ、各露光により上記フォトレジスト層において形成される像を、部分的に重ね合わせる。 - 特許庁

In addition, the leakage current is prevented by forming the semiconductor layer containing an active and ohmic contact layer in an island shape in the gate electrode 125 using the respective masks with data wiring, source, and drain electrode 132, 134.例文帳に追加

また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 - 特許庁

Thus, cost reduction by the reduction of a number of masks and simplification of a manufacturing process can be achieved, and a problem of an increase in resistance due to non-uniform doping in a capacitor can be also resolved.例文帳に追加

これにより、マスク数の低減によるコストの節減及び製造工程の単純化を実現することができ、またキャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加の憂慮も解消することができる。 - 特許庁

Photoresists 3a and 3b, where the photoresist patterns are drawn, are irradiated with light beams 11a to 11d, 12a, and 12b for heating through masks 5a and 5b forming opening parts corresponding to the photoresist pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターンを描画しているフォトレジスト３ａ，３ｂに対して、該フォトレジストパターンに対応した開口部を構成するマスク５ａ，５ｂを介して加熱用の光１１ａ〜１１ｄ，１２ａ，１２ｂを照射する。 - 特許庁

To provide an array substrate for a liquid crystal display device and a method for manufacturing the array substrate, for attaining improvement in productivity by simplifying the manufacturing processes and reducing the number of masks.例文帳に追加

本発明は、製造工程を単純化してマスク数を低減させることにより、生産性の向上を図る液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

Since the surface of the reflection layer has the rugged surface in the nano-level, it is not needed to increase optical masks in surplus, the reflection layer has a scattering effect and its cost can be reduced.例文帳に追加

反射層の表面がナノレベルのでこぼこ面となるものであるため、製造過程では、光マスクを余分に増加することを必要とせず、反射層は散乱効果を有し、コストを削減できる。 - 特許庁

After side walls 20 are formed on side walls of the gate electrode 17, source/drain regions 21, 22 are formed by impurity implantation and heat treatment with the side wall 20 and gate electrode 17 as masks.例文帳に追加

ゲート電極１７の側壁にサイドウォール２０を形成した後、サイドウォール２０及びゲート電極１７をマスクとした不純物注入及び熱処理によりソース／ドレイン領域２１，２２を形成する。 - 特許庁

To decrease such an abnormality in machining as a dog ear when a groove to be machined having a V-shaped section one side of which is nearly vertical is machined with a laser beam while relatively moving two masks.例文帳に追加

２枚のマスクを相対的に移動させながら、片側が垂直に近い三角断面形状をした加工溝をレーザー加工する場合において、ドッグ・イアのような加工異常を低減する。 - 特許庁

Then, basic dither masks BD0 to BD4 considered to obtain excellent dot dispersibility even if the assumed positional deviation arises are formed for every assumed positional deviation assumption pattern.例文帳に追加

そして、想定した位置ずれ想定パターン毎に、想定する位置ずれが生じた場合においても良好なドット分散性が得られるように考慮した基本ディザマスクＢＤ０〜ＢＤ４を生成する。 - 特許庁

Clock failure alarm mask means 32 masks a clock failure detection signal 211 which is reported from a clock selection/distribution unit 2 while a clock output of an active-system clock generating device is stopped.例文帳に追加

クロック障害アラームマスク手段３２は、現用系クロック生成装置のクロック出力がストップされている時間にクロック選択／分配部２から報告されるクロック障害検出信号２１１をマスクする。 - 特許庁

To reduce the number of masks by forming a plurality of layers made of the same material on the same layer and further forming contact holes and via holes simultaneously in a polycrystalline silicon thin film transistor for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスターにおいて、同一物質の複数層を同一な層に形成し、また、コンタクトホールとビアホールを同時に形成して、マスクの数を減らすことである。 - 特許庁

With the insulating film 22 and the resist film 24 remaining in the DRAM region as masks, a conductive layer 21 is etched to form a gate electrode in the DRAM region, as well as a peripheral circuit region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域上に残存する絶縁膜２２とレジスト膜２４とをマスクとして導電層２１をエッチングして、ＤＲＡＭ領域上、および周辺回路領域上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

To obtain a preparation which comprises diphenhydramine or its acid addition salt as the pharmaceutical component of hypnotic/sedative action, has no discoloration, is stable, masks bitterness in administration and causes quick and secure effect.例文帳に追加

ジフェンヒドラミンまたはその酸付加塩を睡眠・鎮静作用の薬効成分として含有する、変色がなく安定で、服用時の苦味を隠蔽し、効果の発現が速やかで確実な製剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a proximity scanning exposure apparatus and a proximity scanning exposure method in which the unevenness in seams between adjoining exposure regions can be prevented upon performing proximity exposure, using a plurality of masks.例文帳に追加

複数のマスクを使用して近接露光する際に、隣り合う被露光領域での繋ぎムラの発生を防止することができる近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法を提供する。 - 特許庁

The inserted operation masks the target address by applying the determined mask to the target address to thereby ensure that the operation which causes the jump is directed to a memory location which lies in the one or more identified memory ranges.例文帳に追加

挿入された操作は、決定されたマスクを目標アドレスへ適用し、これによってジャンプを引き起こす操作が、１つ以上の識別されたメモリ範囲の中にあるメモリ場所へ向けられる。 - 特許庁

In the forming method, aperture masks 17, 17A, 17B made of glass on which a pattern having openings 18a-18e corresponding to the pattern of the black membrane 3 is formed, is used on the optical system 9 on which the laser beam L is irradiated.例文帳に追加

レーザ光Ｌを照射する光学系９に、黒色膜３のパターンに対応した開口部１８ａ〜１８ｅのパターンが形成されたガラス製のアパチャマスク１７、１７Ａ、１７Ｂを用いる。 - 特許庁

A mask blank 100 used for manufacturing substrate digging type phase shift masks has a configuration in which a light shielding film 8, and an etching mask film 5 are sequentially superposed on a translucent substrate 1.例文帳に追加

基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランク１００であって、透光性基板１上に、遮光膜８と、エッチングマスク膜５とが順に積層された構造である。 - 特許庁

Then high-concentration n-type impurity regions 151 which become parts of bit lines BL are formed on a substrate 10 by performing ion implantation by using regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

次に、ＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入し、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる高濃度Ｎ型不純物領域１５１を形成する。 - 特許庁

Tabular masks 21 having a plurality of through holes 24 formed corresponding to a plurality of connectors 43 are arranged to overlap each other on the printed surface 42 of the approximately polygonal wiring board 41.例文帳に追加

略多角形状の配線基板４１の被印刷面４２上に、複数の接続端子４３に対応して形成された複数の貫通孔２４を有する平板状のマスク２１を重ねて配置する。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

The second film is removed by using the third film and the resist layer as masks until the first film is exposed in the sparse part R1 but the second film remains in the dense part R2.例文帳に追加

次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。 - 特許庁

Thereafter, a second sidewall is formed on the side of the first sidewall, and an impurity is implanted into the surface of the substrate by using the first and second sidewalls and the gate electrode as masks to form a second impurity diffused layer.例文帳に追加

その後、第１側壁の側面に、第２側壁を形成し、第１及び第２側壁及びゲート電極をマスクとして、基板表面に不純物を注入し、第２不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To decrease manufacturing processes and masks in a method of manufacturing a semiconductor device formed a plurality of MOS transistors having different breakdown voltage characteristics on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一の半導体基板上に耐圧特性の異なる複数のＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置の製造方法において、製造工程の削減とマスクの削減を実現するものである。 - 特許庁

Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8.例文帳に追加

そして、フォトレジスト法によりレジストマスク８を導電性保護膜７上に形成し、レジストマスク８間の開口部を通じて導電性保護膜７及び上部電極６にイオンをドープする。 - 特許庁

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following 例文帳に追加

（二）　マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

At first he was a craftsman for dyeing goods at a Koya dye shop but later became a disciple of Toyokuni UTAGAWA the first, and although he had a good talent which was said to exceed his master, in the end he retired to run a business for selling the masks of Kabuki actors and died young. 例文帳に追加

初めは紺屋の染物職人であったが、初代歌川豊国の門下となり師を超えると言われた才能を持ちながら、最期は引退、歌舞伎役者の仮面売りを営み早世。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Also, the offshoot of the Mochizuki clan which ruled 'Mochizukinomaki', a Maki thought to have been the head of Juroku (one of the Noh drama masks which features a boy) Maki, became Omimochizuki clan, the head of Koga Gojyusanke (Koga 53 families)(Koga ninja families). 例文帳に追加

また信濃十六牧の筆頭とされる「望月の牧」を支配した望月氏の支流は、飼養牧のあった甲賀の地で甲賀五十三家（甲賀流忍者）筆頭の近江望月氏となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A standoff space of components on a board can be markedly increased, by selectively omitting or selectively removing solder masks under a component package.例文帳に追加

ボード上の構成要素のスタンドオフ空間は、構成要素パッケージの下にあるはんだマスクを選択的に省略することによって、または選択的に除去することによって、著しく拡大することができる。 - 特許庁

The special geometrical array in this form of the columnar structure shadow masks 52, 54 and 56 relating to such subpixel electrodes 32, 34 and 36 indicates the constitution characteristic of the simple and exact array for formation of the color organic light emitting display having plural light emitting pixels.例文帳に追加

シャドーマスクの柱状構造体は、カラー転換層又は個別の赤、緑及び青発光性層を有する高解像度フルカラー有機発光ダイオードディスプレイの製作に於いて特に有用である。 - 特許庁

By controlling the distribution of the dummy pattern PD1 and PD2, the division in the device pattern PM kept as minimum to make the pattern density in a plurality of complementary masks almost equal to one another.例文帳に追加

ダミーパターンＰＤ１，ＰＤ２の振り分けを調整することにより、デバイス本体パターンＰＭの分割を最小限に保持し、複数のコンプリメンタリーマスクにおけるパターンの密度をほぼ等しくする。 - 特許庁

A mask circuit masks at least a part of the data being transmitted by the reception data transmission line after the fact that the load has exceeded the reference load is detected by the load monitoring circuit until it is not detected any more.例文帳に追加

マスク回路は、負荷が基準負荷を超過したことが負荷監視回路に検出されてから検出されなくなるまでに受信データ伝送路により伝送されるデータの少なくとも一部をマスクする。 - 特許庁

To provide a simple and convenient holding device capable of holding various sizes of framed metal masks, as well as accurately positioning a laser beam focus on a processed surface even though the dimensional accuracy is poor.例文帳に追加

種々の大きさのフレーム付きメタルマスクを保持でき、また、寸法精度が悪くても加工表面にレーザ光の焦点を精度よく位置させることができる簡便な保持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

An original-edition conveyor 30 has a mask transfer mechanism 8 for holding and transferring the mask 1 by holding sections 8a and 8b to hold the two masks 1 and a controller 11 for controlling the mechanism 8.例文帳に追加

原版搬送装置３０は、２枚のマスク１を保持可能な保持部８ａ，８ｂでマスク１を保持して搬送するマスク搬送機構８と、搬送機構８を制御するコントローラ１１とを備える。 - 特許庁

When judging that the held jobs are stored, the image forming device masks the buttons of items relating to equipment setting which will influence the held jobs so as to make setting infeasible (S2504).例文帳に追加

また、ホールドジョブが格納されていると判断した場合には、そのホールドジョブに影響の与える機器設定に関する項目のボタンについては、設定不可となるようにマスク処理する（Ｓ２５０４）。 - 特許庁

In this case, what is necessary is just to form the black masks 23 used in common as the reflection layers on the upper surface of the counter substrate 22, so that the number of manufacturing steps is not increased and cost increase is prevented.例文帳に追加

この場合、対向基板２２の上面に反射層を兼ねたブラックマスク２３を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。 - 特許庁

To obtain an excellent quantum communicator which detects a classical channel of a strong light intensity, masks a gate bias of a quantum channel, and does not cause a performance degradation due to an excessive noise.例文帳に追加

光強度の強い古典チャネルが入射されたことを検出して、量子チャネルのゲートバイアスにマスクを掛け、過剰な雑音による性能劣化が生じない、良好な量子通信装置を得る。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display wherein a fabricating process is simplified with a smaller number of masks to enhance yield and a numerical aperture is secured to enhance luminance and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

マスク数を減少させて製造工程を単純化して収率を向上させると同時に、開口率を確保して輝度を向上し得る液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask video display device is disposed at a position, crossing the optical paths of the beam fluxes for illumination generated from a generator of the beam fluxes for illumination and masks the beam fluxes for illumination with mask video patterns.例文帳に追加

マスク映像表示装置は、照明用光線束発生装置から発生した照明用光線束の光路を横切る位置に設けられ、マスク映像パターンで照明用光線束をマスクする。 - 特許庁

The electronic masks are provided with electronic openings 62, 68 having outlines 64, 70 defined to be matched substantially with the outline of the determined object viewed from one out of the light source and the image sensor.例文帳に追加

電子マスクは、光源および画像センサの一方から見た判別されたオブジェクトの輪郭と概ね一致するように定義された輪郭（６４、７０）を有する電子開口部（６２、６８）を備えている。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array and a method for manufacturing the thin film transistor array by which the number of masks and the frequency of photolithographic processes are reduced so that the process can be simplified and cost can be reduced, and a sealing performance is improved.例文帳に追加

マスク数やフォトリソグラフィ法の回数を減らし、プロセスの簡略化及びコストの低減ができ、封止性能を向上する薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The resist 104 is left unremoved, a resist 106 is applied, an exposure and development process are carried out to form an opening, and then ions are implanted using the resists 104 and 106 and a gate electrode 105 as masks.例文帳に追加

レジスト１０４を残したまま、レジスト１０６を塗布した後、露光・現像を行って開口部を形成し（図２（ｅ））、レジスト１０４，１０６及びゲート電極１０５をマスクにイオン注入を施す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display device having a thin film transistor (TFT), in which material use efficiency is improved with few masks and a threshold is hardly deviated and high-speed operation is possible.例文帳に追加

本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The similarity is calculated by transferring the comparison masks on the image and a pixel value of a comparison pixel Q (Fig. (c)) corresponding to a position of the comparison mask the similarity of which is maximized is provided to the blank pixel P.例文帳に追加

比較マスクを画像上で移動させて類似度の算出を行い、類似度が最大となった比較マスクの位置に対応する比較画素Ｑ（図（ｃ））の画素値を、空白画素Ｐに与える。 - 特許庁