「Masks」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

If an inversion state of the reference voltage Vf being lower than the power supply divided voltage Vd occurs although the power supply voltage V does not reach the power supply level L when the power source rises or recovers from a low level, a mask processing unit 26 masks the inversion state and when the inversion state is canceled, a mask signal MSK is generated for canceling the mask.例文帳に追加

マスク処理部２６は、電源の立ち上げまたは低位レベルから回復する際に、電源電圧Ｖが電源レベルＬに到達していないにもかかわらず、参照電圧Ｖｆが電源分圧Ｖｄを下回る逆転状態が生じた場合は、逆転状態をマスクし、逆転状態が解消したらマスク解除を行うためのマスク信号ＭＳＫを生成する。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

A device is equipped with: a plurality of select switches Tx1 to Tx3 for selecting a plurality of electroluminescence elements; a select signal generating circuit which outputs select signals x1 to x3 for sequentially driving the select switches Tx1 to Tx3, and a mask signal-INL generating circuit which masks the select signals x1 to x3 and eliminates the overlap period between successive select signals.例文帳に追加

複数のエレクトロルミネセンス素子を選択する複数の選択スイッチＴｘ１〜Ｔｘ３と、選択スイッチＴｘ１〜Ｔｘ３を順次駆動する選択信号ｘ１〜ｘ３を出力する選択信号発生回路と、選択信号ｘ１〜ｘ３をマスクするマスク信号−ＩＮＬ発生回路とを備え、選択信号間のオーバラップ時間をなくすようにした。 - 特許庁

The integrated circuit patterns are transferred to pattern transfer regions 12a to 12e of the product mask Md 4 by reduction stepping processing using plural sheets of the IP masks and thereafter the connection between the patterns of the pattern transfer regions 12a to 12e adjacent to each other is performed by the light shielding patterns 2j consisting of organic films formed by exposure processing using energy beams.例文帳に追加

複数枚のＩＰマスクを用いた縮小投影露光処理によって製品マスクＭｄ４のパターン転写領域１２ａ〜１２ｅに集積回路パターンを転写した後、互いに隣接するパターン転写領域１２ａ〜１２ｅのパターン間の接続をエネルギービームを用いた露光処理によって形成された有機膜からなる遮光パターン２ｊで行うようにする。 - 特許庁

The first priority encoder circuit of the associative memory is equipped with a priority modification part which masks hit flags of higher order side flag registers corresponding to words of higher order than the top priority word specified by a top priority specification part 31 on the priority defined fixedly in a priority encoder 35 and transmits the purport that hit flags are not stored in flag registers corresponding to high order words to the priority encoder 35.例文帳に追加

プライオリティエンコーダ３５において固定的に定められている優先順位上、最優先指定部３１で指定された最優先のワードよりも上位のワードに対応する上位側フラグレジスタのヒットフラグをマスクして、プライオリティエンコーダ３５に上位のワードに対応するフラグレジスタにはヒットフラグが格納されていない旨伝達する優先順位変更部を備える。 - 特許庁

To provide a small-blackboard type rotary multiplication instruction tool which can immediately present intended problems by presenting problems of multiplication and the answers to them with large characters concretely in the form of 'a multiplicand by a multiplier make a product' by using two rotary dials and also presenting all problems consisting of multiplication by using three character masks.例文帳に追加

本発明は、２枚の回転文字盤を使用し、かけ算九九の問題とその答が大きな文字で被乗数×乗数＝答の形で具体的に提示できるようにし、３枚の文字マスク使用で、九九で構成される全ての問題が提示でき、意図する問題が即座に提示できるようにした小黒板形式の回転式九九指導教具の提供が目的である。 - 特許庁

A method for manufacturing the think steel plate, having an average grain size of 10 μm or less, for shadow masks or aperture grills adjusted to the final wall thickness in the cold rolling process and after introducing a combination of individual cold rolling whose mutual rolling directions are different more than 30 degrees in the cold rolling process, an annealing process follows.例文帳に追加

冷間圧延工程にて最終板厚に調整されるシャドウマスク用あるいはアパーチャグリル用薄板の製造方法であって、その冷間圧延工程の中には、お互いの圧延方向が３０°以上の関係となる個々の冷間圧延の組合わせを導入し、その後に焼鈍を行なう、平均結晶粒径が１０μｍ以下の薄板の製造方法である。 - 特許庁

In the exposure method where a mask formed with a desired pattern and an auxiliary pattern having dimensions smaller than those of the desired pattern is illuminated and light passed through the masks are projected to a body exposed through a projection optical system, the body is exposed at a position shifted from a best image focusing position when the auxiliary pattern is resolved.例文帳に追加

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを照明して当該マスクを経た光を投影光学系を介して被露光体に投影し露光する露光方法において、前記補助パターンが解像されてしまう場合に、最良結像フォーカス位置からずれた位置で前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁

This equipment is provided, for instance, with a means for laying the mask for screen printing on the surface to be printed, a means for filling the printing material in a space set by the surface to be printed whereon the mask for screen printing is laid and by the opening, and a means for separating the masks sequentially after the filling operation by the filling means.例文帳に追加

このスクリーン印刷装置は、例えば、前記スクリーン印刷用のマスクと被印刷面とを重ねる手段と、前記スクリーン印刷用のマスクが重ねられた被印刷面と前記開口とによって規定される空間に印刷材料を充填する充填手段と、前記充填手段による充填動作の後に、前記各マスクを順次分離する分離手段と、を備える。 - 特許庁

In the manufacture managing method of the semiconductor manufacturing plant, a new added value rate expressed by an expression (3): [added value rate=(unit price of semiconductor product - direct material cost - expense arising from outside manufacture) ÷ number of masks of semiconductor product] is calculated at every semiconductor product, and manufacture priority of a plurality of semiconductor products is decided using the added value rate as an index.例文帳に追加

半導体製造工場の製造管理方法においては、半導体製品毎に、以下の数式（３）で表される新たな付加価値レートを算出し、付加価値レート＝（半導体製品の単価−直接材料費−外注加工費）÷半導体製品のマスク枚数・・・（３） この付加価値レートを指標として複数の半導体製品の製造優先順位を決定するものである。 - 特許庁

In this manufacturing method, when a group of resist patterns are formed, a first photo mask 1 composed of a phase shift mask is used for exposure by circular illumination, and a second photo mask 6 composed of a chrome mask is used for exposing by oblique incidence deformation illumination, thus allowing accurate transfer in both the patterns to be transferred by the first and second photo masks 1 and 6.例文帳に追加

一群のレジストパターンを形成する際、まず、位相シフトマスクで構成される第１のフォトマスク１を用いて円形照明により露光し、次いでクロムマスクで構成される第２のフォトマスク６を用いて斜入射変形照明により露光することにより、第１のフォトマスク１で転写されるパターンおよび第２のフォトマスク６で転写されるパターンの両者において高精度な転写が可能となる。 - 特許庁

The ND filter wherein a layer which has a first area having a fixed transmittance and a second area having a continuously changing transmittance is formed on na substrate is manufactured by depositing raw material of the layer on the substrate through masks 4a, 4b, and 4c having parts which are brought into close contact with the substrate to cover the substrate and parts which are held in positions spaced from the substrate by prescribed gaps.例文帳に追加

透過率が一定な第１の領域と、透過率が連続的に変化する第２の領域とを有する層を基板３に形成するＮＤフィルターを、前記基板に密着して前記基板を覆う部分と前記基板から所定の間隔離れた位置に保持され前記基板を覆う部分とを有するマスク４ａ、４ｂ、４ｃを介して、前記層の原材料を前記基板に堆積させるようにして製造する。 - 特許庁

The illumination is optimized by defining a transmission cross coefficient ("TCC") function determined correspondingly by a lighting pupil and a projection pupil according to a lighting device, by expressing at least one impulse function for resolvable features of at least one of masks which should be printed to a substrate, and by further making an interference map of a specified order based on at least one impulse function and the TCC function.例文帳に追加

照明装置に対応して照明ひとみおよび投影ひとみに従って決定される透過交差係数（「ＴＣＣ」）関数を定義し、基板に印刷すべきマスクの少なくとも１つの解像可能な特徴を少なくとも１つのインパルス関数で表し、さらに少なくとも１つのインパルス関数およびＴＣＣ関数に基づいて所定の次数の干渉マップを作ることで、照度を最適化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the problems are prevented such as a short circuit, an adhesion failure, and focus deviation etc., due to over-etching of wiring because the areas of overlapping regions for connection are randomly different, in a method for forming fine wiring which is a test pattern and wide leads connected to it on a semiconductor substrate by double exposure using two masks.例文帳に追加

テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described.例文帳に追加

さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 - 特許庁

The antiallergenic composition containing zirconium hydroxide and having pH of ≤7 reduces allergenic ability of allergens such as mite, cedar pollen, and imparts performance to reduce allergenic ability with wash durability to fiber and textile product such as carpet, Tatami mat, bedding, curtain, clothing, stuffed toys, masks, filter materials, and dust collection bags of a vacuum cleaner without discoloration.例文帳に追加

水酸化ジルコニウムを含有しｐＨが７以下であることを特徴とする抗アレルゲン組成物により、ダニやスギ花粉等のアレルゲンのアレルゲン性を低減化させることができ、またカーペット、畳、寝具類、カーテン、衣料品、ぬいぐるみ、マスク、フィルター材料、電気掃除機の集塵袋等の繊維または繊維製品に変色することなく洗濯耐久性のあるアレルゲン性を低減化させる機能を付与することができる。 - 特許庁

The image processing device at least two Laplacian filters (222, 224) having masks differed in size to filter an original image signal; at least two multiplication units (262, 264) which multiply outputs of at least two Laplacian filters by coefficients; and an addition unit (272) which adds one or both of the outputs of the at least two multiplication units to the original image signal, and outputs the result.例文帳に追加

画像処理装置は、互いに異なるサイズのマスクを有し、元の画像信号を濾波する少なくとも２つのラプラシアン・フィルタ部(222,224)と、その少なくとも２つのラプラシアン・フィルタの出力にそれぞれの係数を乗算する少なくとも２つの乗算部(262,264)と、その少なくとも２つの乗算部の出力の１つまたは全てとその元の画像信号とを加算して出力する加算部(272)と、を具える。 - 特許庁

When the obtained necessity information instructs to perform masking, the masking target determination unit determines whether or not each character string included in the electronic document 110 is a masking target character string on the basis of character string definition information of each type of masking target character strings stored in a masking target determination dictionary 105, and masks a masking target character string determined as the masking target character string.例文帳に追加

そして、マスキング対象判定部は、取得された要否情報がマスキングすることを指定している場合、マスキング対象判定辞書１０５に格納されているマスキング対象文字列の種別毎の文字列定義情報に基づいて電子文書１１０に含まれる各文字列がマスキング対象文字列であるか否かを判定し、マスキング対象文字列であると判定されたマスキング対象文字列をマスキングする。 - 特許庁

"functional design" means any design applied to any article, whether for the pattern or the shape or the configuration thereof, or for any two or more of those purposes, and by whatever means it is applied, having features which are necessitated by the function which the article to which the design is applied, is to perform, and includes an integrated circuit topography, a mask work and a series of masks works;例文帳に追加

「機能的意匠」とは，物品に応用される意匠であって，その模様，形状若しくは輪郭の何れかに係るものであるか又はこれらの目的の2 以上に係るものであるかを問わず，かつ，如何なる方法によって応用されているかを問わず，当該意匠が応用される物品が果たす機能によって必要とされる特徴を有するものであり，集積回路の回路配置，マスクワーク及び連続マスクワークを含む。 - 特許庁

This is a manufacturing method for a blank of a double-sided masks which manufactures a bank of a double-sided mask of a structure having a pattern made of a light shielding metal film on both sides of a transparent base plate, and characterized in forming a light shielding metal film layer on a rear glass plate of a mask having a pattern already formed on its one side.例文帳に追加

透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、一方の面にパターンがすでに形成されたマスクの裏面のガラス上に遮光用金属膜の層を形成して、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランク及び両面マスクの製造方法。 - 特許庁

Relevant companies were advised to take corrective measures under the name of the Chief of the Tomioka Labour Standards Inspection Office, for having violated the Industrial Safety and Health Act by not banning workers from smoking in workplace where the risk of inhaling or ingesting radioactive materials existed, when it was reported that a driver of a crane vehicle had smoked without wearing masks while engaging in tasks at the TEPCO's Fukushima No. 1 Nuclear Power Plant on June 15, 2011. (June 22, 2011)例文帳に追加

東電福島第一原発における平成23年6月15日の作業で労働者がクレーンの運転席でマスクを外し喫煙していたことを受け、関係事業者に対し、放射性物質を吸入摂取するおそれのある作業場で労働者が喫煙することを禁止していなかった労働安全衛生法違反について富岡労働基準監督署長名で是正を勧告（平成23年6月22日） - 厚生労働省

The method includes the steps of (a) forming a thin film on a substrate by coating it with an organometallic compound, (b) removing the film of the organometallic compound of the unexposed part with solvent, after decomposing the organometallic compound by exposure with masks to induce difference in solubility between exposed and unexposed parts and (c) forming a metal or metal oxide pattern reducing or oxidizing the exposed part.例文帳に追加

（ａ）有機金属化合物を基板上にコートして薄膜を形成する段階と、（ｂ）マスクを用いた露光によって前記有機金属化合物を分解させて露光部と非露光部との溶解度差を誘発させた後、溶媒を用いて前記非露光部の有機金属化合物薄膜を除去する段階と、（ｃ）前記露光部を還元または酸化処理して金属または金属酸化物パターンを形成する段階とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting diode array includes steps of: laminating a semiconductor layer on a substrate 1; forming a plurality of resist layers 100 to align along an X direction on a light emission part forming region 11 of the semiconductor layer; and forming a plurality of mutually-separated island-like light emission parts 10 formed on the semiconductor layer by mesa-etching with the resist layers 100 as masks.例文帳に追加

この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

In this synchronous type semiconductor memory element, the memory element is set by the last data strobe trailing pulse DSFP corresponding to a write-in command, and an alignment hold signal reset by a data input clock DINCLK corresponding to the write-in command is added and generated, the alignment hold signal masks an effect that the data strobe trailing pulse DSFP is applied to a data alignment part in a period in which a glitch occurs.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る同期式半導体メモリ素子は、該当書き込みコマンドに対応する最後のデータストローブ立ち下がりパルスＤＳＦＰによってセットされ、該当書き込みコマンドに対応するデータ入力クロックＤＩＮＣＬＫによってリセットされる整列保持信号を追加生成し、前記整列保持信号は、グリッチが発生する期間において、データストローブ立ち下がりパルスＤＳＦＰがデータ整列部に印加されることをマスキングする。 - 特許庁

The equipment for measuring wave aberration of an optical system using a light passed through the optical system comprises a first mask generating a wavefront including wave aberration of the optical system and a spherical wave from that light, a second mask generating a wavefront including wave aberration of the optical system from that light, and a means for switching the first and second masks.例文帳に追加

光学系を透過した光を用いて、当該光学系の波面収差を測定する収差測定装置であって、前記光から前記光学系の波面収差を含む波面及び球面波を生成する第１のマスクと、前記光から前記光学系の波面収差を含む波面を生成する第２のマスクと、前記第１のマスク及び前記第２のマスクを切り替える切り替え手段とを有することを特徴とする収差測定装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises processes for: alternately laminating multiple semiconductor layers with different etching rates; patternizing the laminated semiconductor layers through the dedicated masks; selecting and etching at least one kind of semiconductor layer to form an air gap and forming a mesa structure made up of residual semiconductor layers; and evaporating the materials with good thermal conductivity to pad the air gap.例文帳に追加

半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、所定のマスクを用いて、積層された半導体層をパターニングする工程と、少なくとも１種以上の半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、エアギャップが埋め込まれるように、伝熱特性の良好な物質を蒸着する工程とを含む。 - 特許庁

An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

In relation to countermeasures against the new type of influenza, has the FSA taken any specific measures, such as expanding the parking space for bicycles used by employees commuting by bicycle and stockpiling more masks? Also, what specific requests, if any, has the FSA made to financial institutions with regard to the continuation of over-the-counter services in the event of a widespread outbreak of infection, although the BOJ (Bank of Japan) may be mainly responsible for such affairs. 例文帳に追加

新型インフルの対策のところで、金融庁として何か具体的に、例えば自転車通勤の駐輪場を広げるとか、マスクの備蓄を増やすとか、何か具体的にとっていることがあればということと、金融機関の事業の継続の要請の中で、日銀が主な仕事かもしれませんが、窓口の業務の継続であるとか、感染が広がった場合の窓口業務の維持などについてどのような要請を行っているか、もう少し具体的なところがあれば教えてください。 - 金融庁

Though the style of Shimotsuki kagura varies from one region or shrine to another, it is basically conducted in the following order: prior to the ceremony, water drawn from a specific river or waterfall is boiled in a large pot and offered before the gods; after the yudate prayer, participants are splashed with hot water purify them; the kagura then begins with the reading of a list of invited deities; before midnight, the unmasked Torimonomai (dance of symbolic offerings) is performed; prayers are offered in praise of the deities; the invited gods are seen off at midnight; a naorai (feast) is held; after midnight is the Kamiasobi (kagura), with the dancers wearing Oni (demon) or Okina (old man) masks; a blessing ceremony is held. 例文帳に追加

霜月神楽の方法はそれぞれの地域・神社によって差異はあるものの基本的には儀式に先立って特定の川や滝から汲んだ水を釜で沸かした湯を神前に供えて、祈祷の湯立を行った後に参加者に振り掛けることで祓禊となし、招待神の名前が書かれた神名帳を読上げるところから始まり、前夜の素面による採物舞の神招き、神讃めの願上、夜半の招待神の神送り、直会（なおらい）、後夜の鬼や翁などの面形舞の神遊び、祝福の式の順序で行われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

3 Labour Bureaus of Iwate, Miyagi, and Fukushima Prefectures carried out intensive patrols to prevent work-related injuries during the work of the clearing of rubbles that had been going into full-scale operation. (From July 6 to 8; from August 24 to 26, 2011) In addition, group guidance is planned to be given to local construction companies contracted to work on the clearing of rubbles, regarding the: 1) full implementation of education on safety and health; 2) full enforcement of prevention measures against heat stroke; and 3) full implementation of wearing of anti-dusk masks.例文帳に追加

岩手、宮城、福島の３労働局が、本格化しているがれき処理作業における労働災害を防止するための集中パトロールを実施（平成23年7月6日～7月8日、8月24日～8月26日）また、がれき処理作業を請け負う地元の建設事業者を対象として、①安全衛生教育の実施の徹底、②熱中症予防対策の徹底、③防じんマスクの着用の徹底等を内容とする集団指導を実施岩手県：宮古市（平成23年7月14日）、釜石市（平成23年7月15日）、陸前高田市（平成23年7月15日）宮城県：気仙沼市（平成23年7月15日） - 厚生労働省

This mask is provided with at least two unit masks supported by a frame along the edge part and provided with a plurality of patterned opening parts, and a plurality of pixels constructed of a combination of red R, green G, and blue B are deposited on a transparent board from a deposition source via the opening parts.例文帳に追加

縁部に沿ってフレームにより支持されて、複数のパターン化した開口部を具備して上記開口部を通じて蒸着源から赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の組合わせよりなる複数の画素を有する有機発光膜を透明基板に蒸着させるものであって、上記開口部は上記透明基板側幅が上記蒸着源側幅より大きく形成されており、上記透明基板側開口部の幅をＷｓ１、上記蒸着源側開口部の幅をＷｓ２、上記有機発光膜の互いに隣接する画素間の距離をＰｐ、上記蒸着される有機発光膜のうち一画素の発光膜幅をＷｅｌとする時、上記Ｗｓ１はＷｓ１＝Ｐｐ＝Ｗｅｌの式を満足する少なくとも２つの単位マスクを具備する。 - 特許庁