「Masks」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In this state, the squeegees 26 are moved along the outer surfaces of the masks 21, and the soldering paste 47 is packed in the through holes 24 to form a printing layer 46.例文帳に追加

この状態でスキージ２６をマスク２１の外面に沿って移動させ、はんだペースト４７を貫通孔２４内に充填してはんだ印刷層４６を形成する。 - 特許庁

Shielding masks 20 and 21 intercept pathes between the substrates 11 and a vapor deposition source 12 to limit a range of an incidence angle of a vapor deposition material to be deposit on the substrates 11.例文帳に追加

遮蔽マスク２０及び２１は、基板１１と蒸着源１２との間を遮り、基板１１に付着する蒸着材料の入射角の範囲を制限する。 - 特許庁

To provide an exposure method, capable of highly accurately aligning a mask when performing exposure by using a complementary divided mask or a combined mask, consisting of a plurality of masks.例文帳に追加

相補分割マスク、又は複数枚のマスクからなる組み合わせマスクを用いて露光する際に、高精度でマスクをアライメントできるようにした露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask inspection method and an inspection apparatus for the mask, in which a pattern connecting portion can be easily verified, when forming a pattern using two or more charged particle beam masks.例文帳に追加

２以上の荷電粒子線マスクを用いてパターン形成を行う場合に、パターン接続部の確認が容易なマスクの検査方法および検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a laminate electronic component, which can prevent lamination misalignment in patterns for cut masks from each other from being generated and at the same time, can prevent the partial adhesion failure of ceramic green sheets to each other from being generated.例文帳に追加

カットマーク用パターンの積層ズレを防止できるとともに、グリーンシートの部分的な密着不良を防止できる積層型電子部品の製法を提供する。 - 特許庁

The effect of an aspect ratio can be reduced because the aspect ratio affects only each of the unit masks 12, 14, and thereby, the finer pitch of the through-holes 121, etc., can be attained.例文帳に追加

アスペクト比の影響が個々の単体マスク１２，１４にしか及ばないので、アスペクト比の影響を低減でき、これにより透孔１２１，…のファインピッチ化を図ることができる。 - 特許庁

After that, the resistor film TM and the conductor film DM are patterned by using the hard mask layer M1 and the photoresist mask layers PM2 as masks.例文帳に追加

そして、ハードマスク層Ｍ１およびフォトレジストマスク層ＰＭ２をマスクとして用いて、抵抗体膜ＴＭおよび導電体膜ＤＭについてパターン加工を実施する。 - 特許庁

A process of forming the pattern 5 on the substrate 6 is simulated on the basis of the design data of the mask patterns 3, 4 formed on at least one of the masks 1, 2.例文帳に追加

少なくとも１枚のマスク１，２に形成されているマスクパターン３，４の設計データに基づいて基板６上にパターン５を形成するプロセスのシミュレーションを実行する。 - 特許庁

To provide a method of making a liquid crystal display to prevent a color filter substrate separating from a thin-film transistor substrate using fewer masks and the liquid crystal display.例文帳に追加

マスクの数を減らしながら、カラーフィルター基板と薄膜トランジスター基板が分離されることを防止できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By combining one of threshold groups BDr0 to BDr4 with one of threshold groups BD10 to BD14 constituting the basic dither masks BD0 to BD4, the optimum dither mask is formed.例文帳に追加

そして、基本ディザマスクＢＤ０〜ＢＤ４を構成する閾値群ＢＤｒ０〜ＢＤｒ４の一つと、ＢＤｌ０〜ＢＤｌ４の一つとを組み合わせて、最適ディザマスクを生成する。 - 特許庁

By distributing alignment marks to each complementary split mask, positional deviation between masks is averaged, thereby manufacturing a semiconductor device having little positional deviation between patterns of adjacent layers.例文帳に追加

各相補分割マスクにアライメントマークを分配することにより各マスク間の位置ズレが平均化し、隣接するレイヤのパターン間に大きな位置ズレのない半導体デバイスが得られる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device including an oxide semiconductor with high productivity and at low cost by reducing the number of exposure masks to simplify a photolithography process.例文帳に追加

露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。 - 特許庁

The cylinder 6 is actuated to reciprocate the piston rod 6a for horizontal displacement, thereby displacing relative position of two masks 2 and 3 in horizontal direction.例文帳に追加

該シリンダー６を作動してそのピストンロッド６ａを進退させることによって水平方向にずらし、二枚のマスク２、３の相対位置を水平方向にずらすものである。 - 特許庁

The clock enabler 300 masks a clock 304 by an OR circuit 320 by using an enable signal (latch output signal 311) corrected by a latch circuit 310.例文帳に追加

クロックイネーブラ３００は、ラッチ回路３１０において補正されたイネーブル信号（ラッチ出力信号３１１）を使用して、論理積回路３２０によってクロック３０４をマスクする。 - 特許庁

A mask circuit masks a portion of an access address in order to access the stack cache area with access to the first data cache area disabled during the assertion of the stack hit signal.例文帳に追加

マスク回路は、スタックヒット信号のアサート中に、第１データキャッシュ領域のアクセスを禁止してスタックキャッシュ領域をアクセスするために、アクセスアドレスの一部をマスクする。 - 特許庁

Thereafter, a first roughening processing step of roughening the semiconductor chips 10 and 20 and the one surface 30a of the first heat sink 30 is performed by using the semiconductor chips 10 and 20 as masks.例文帳に追加

その後、半導体チップ１０、２０をマスクとして、半導体チップ１０、２０および第１ヒートシンク３０の一面３０ａを粗化する第１粗化処理工程を行う。 - 特許庁

A resist 2 is applied on the surface of a substrate 1 having a cylindrical microlens pattern of high sag accurately formed by using a plurality of gray scale masks (f).例文帳に追加

複数のグレースケールマスクを使用することにより、精度良く形成された高サグ量のシリンドリカルマイクロレンズパターンを有する基板１の表面にレジスト２を塗布する（ｆ）。 - 特許庁

By removing the photoresist pattern and the channel protecting pattern, the low-resistance semiconductor layer is exposed to the external to dry-etch it, by using the source and drain electrodes as masks.例文帳に追加

フォトレジストパターン及びチャンネル保護パターンを除去し低抵抗半導体層を露出させて、ソース、ドレイン電極をマスクとして、低抵抗半導体層をドライエッチングする。 - 特許庁

Further, the three character masks are used and one of the multiplicand, multiplier, and product is made unknown to freely present all problems of multiplication in a collection of problems.例文帳に追加

また、３枚の文字マスクの使用で被乗数，乗数，答のどれかを未知数にし、問題集等にある九九で構成される全ての問題が自在に提示できるようにする。 - 特許庁

The first thick photoresist layer 123A and the first thin photoresist layer 123B are used as a mask to etch the semiconductor layer 111, whereby the number of photo masks for use is reduced.例文帳に追加

次に第１厚フォトレジスト層１２３Ａと、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとをマスクとして、半導体層１１１をエッチングすることで、フォトマスクの使用枚数を削減する。 - 特許庁

To provide a piston working jig which simultaneously and in short time masks a part not requiring treatment and fixes a piston when conducting a surface treatment.例文帳に追加

表面処理を行う場合に、処理の不要な部分のマスキング及びピストンの固定を同時に且つ短時間で確実に行えるピストン加工治具を提供すること。 - 特許庁

It was also performed at the consecration ceremony of the Great Buddha in the Nara period (in 752), and the gigaku masks supposed to have been used for this performance exist in Shoso-in Temple. 例文帳に追加

奈良時代の大仏開眼供養（西暦752年/天平勝宝4年）でも上演され、正倉院には、その時使用されたと思われる伎楽面が残されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To change yourself for example by becoming 'okame' (plain-looking woman) or 'hyottoko' (clown) by wearing their masks at festivals is a natural human desire, which has something in common with wearing costumes at Halloween. 例文帳に追加

人にとって潜在的にある願望として、祭りなどで、「おかめ」や「ひょっとこ」になったり、縁日でお面を被る行為は、ハロウィンの仮装とも合い通じる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

any of a group of compounds that are inactive precursors of enzymes and require some change (such as the hydrolysis of a fragment that masks an active enzyme) to become active 例文帳に追加

酵素の不活性前駆体である化合物の総称で、活性化するにはいくらかの変化（活性酵素にマスクをかける断片の加水分解などの）を必要とする - 日本語WordNet

Hotokemai is a dance performed wearing masks representing Dainichi Nyorai, Shaka Nyorai and Amida Nyorai to Etenraku music that is reputed to have been transmitted from Tang Dynasty China during the Nara period. 例文帳に追加

仏舞は大日如来、釈迦如来、阿弥陀如来の三像の面を着け、越天楽の譜に合わせて優雅に舞うもので、奈良時代に唐から伝えられたものと言われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An outline extraction circuit 32 extracts the outline of an object from the images stored in the memory 30, and a mask processing circuit 36 masks the areas excluding the extracted outline area.例文帳に追加

輪郭線抽出回路３２はメモリ３０の画像から対象物の輪郭線を抽出し、マスク処理回路３６は抽出された輪郭線領域以外をマスクする。 - 特許庁

To provide a substrate board storage case for storing substrate boards such as mask-blanks or photo-masks, which is capable of preventing deposition of dust to the stored substrate boards.例文帳に追加

マスクブランクス又はフォトマスク等の基板を収納するものであって、収納した基板に塵埃が付着するのを防止できる基板収納ケースを提供すること。 - 特許庁

Then, etching is carried out after mask is peeled, and the thin plated layers 7 and the base layers 6 under the masks 11 are removed so that conductive patterns 2 can be divided by a dividing process.例文帳に追加

分断工程にて、マスク剥離後にエッチングを行い、マスク１１下の薄付けめっき層７及び下地層６を除去して導体パターン２同士を分断する。 - 特許庁

To provide a method of identifying an extreme interaction pitch region, a method of designing mask patterns, a method of manufacturing masks, a device manufacturing method, and a computer program.例文帳に追加

極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラムを提供すること。 - 特許庁

Plural kinds of the metal masks 1A, 1B, where stiffening parts 4A, 4B formed bridging the transparent trenches having different positions, are prepared concerning one kind of printing pattern.例文帳に追加

１種の印刷パターンについて、透溝に橋を架設するように設けられる補強部４Ａ、４Ｂの位置が異なる複数種類のメタルマスク１Ａ、１Ｂを用意しておく。 - 特許庁

To provide a laser marking device which does not have many masks corresponding to marking patterns, has a durability, and has a reflection means to cope with a high powered laser beam.例文帳に追加

マーキングパターンに対応したマスクを多数有することなく、かつ寿命が長く、ハイパワーのレーザ光にも対応し得る反射手段を備えたレーザマーキング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk having excellent performance by suppressing the adverse influence of masks in the case of depositing a plurality of film layers by a sputtering system.例文帳に追加

スパッタリングによって複数層の膜を順次形成する場合におけるマスクの悪影響を抑制して優れた性能の光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal plate laminate 20 made by stacking a plurality of metal plates such as shadow masks is sandwiched by an upper pressing plate 50 and a lower pressing plate 60 with a pressing force applied from above and below.例文帳に追加

シャドウマスクなどの金属板を複数枚重ねた金属板積層体２０を、上部押圧板５０および下部押圧板６０により上下から押圧して挟む。 - 特許庁

Also, masks 507 and 508 through which any ray of light is not transmitted are disposed at specific positions on the diffusion plate 302 so that any unnecessary positive reflection from a glass 303 is prevented.例文帳に追加

また、拡散板３０２上の特定位置に、光を通さないマスク５０７、５０８を施すことにより、ガラス３０３からの不要な正反射を防止している。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1, two or more of granular, beltlike or filmy metallic masks 3 having a coating ratio less than 1 are precipitated in the same epitaxial growth device, and secondary layers 4 are further grown on the layer 2 not coated with the metallic masks 3, thus constituting the compound semiconductor structure.例文帳に追加

半導体基板１に上にエピタキシャル層２を成長し、同一エピタキシャル成長装置内で２上の被覆率が１に満たない粒状、帯状あるいは膜状の金属マスク３を析出させ、金属マスク３に覆われていないエピタキシャル層２上に更に２次エピタキシャル層４を成長させることにより、化合物半導体構造を構成する。 - 特許庁

The thin and long masks 5 and the mask 4 having the pattern are used as an etching mask, and anisotropic etching of which etching speed in a widthwise direction is higher than that in a thickness direction is adopted to form a specified pattern in the ZnO layer 3 to be left, and then the ZnO layer 3 to be removed is removed and the square masks 5 are peeled.例文帳に追加

複数の細長のマスク５及び上記パターンのマスク４とをエッチングマスクとして、厚さ方向のエッチング速度よりも幅方向のエッチング速度が速い異方性エッチングにより、残存対象のＺｎＯ層３に所定のパターンを形成するとともに、除去対象のＺｎＯ層３を除去して複数の矩形マスク５を剥離する。 - 特許庁

The encoding means generates the encoded data by determining an assignment relationship of the different codes with the passes by the assigning means so that the encoded data becomes smaller than the size of original masks.例文帳に追加

ここで、符号化手段は、符号化データがオリジナルマスクのサイズよりも小さくなるように、割当手段による異なる符号とパスとの割当関係を決定して符号化データを生成する。 - 特許庁

To prevent a liquid crystal on a gate line from being deteriorated in a display device in which a source line is formed of a gate metal and a gate line is formed of a source metal in order to reduce the number of masks.例文帳に追加

マスク枚数を削減のため、ゲートメタルソース線を形成し、ソースメタルでゲート線を形成した表示装置において、ゲート線上の液晶の劣化を防止することを課題とする。 - 特許庁

A user-wearable illumination assembly 10 comprises a mounting fixture that is adapted to be coupled to a use-wearable device 11, such as eyeglasses, goggles, face masks, or other devices.例文帳に追加

ユーザーウェアラブル照明組立体１０は、眼鏡、ゴーグル、フェイスマスク、又は他の装置のようなユーザーウェアラブル装置１１に結合されるように適合されている取付固定部を備えている。 - 特許庁

To deposite a transparent conductive film on the lacking part of the transparent conductive film on a sample and deposite a transparent insulating film on the lacking part of the transparent insulating film on the sample without using masks.例文帳に追加

マスクレスで、試料２７における透明導電膜の欠損部分に透明導電膜を堆積し、および、透明絶縁膜の欠損部分に透明絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a multi-chamfered processing manufacturing method of an organic electric field light-emitting equipment by the mask vapor deposition method, in which a substrate area can be utilized efficiently, while preventing excessive increase in the number of shadow masks.例文帳に追加

シャドーマスク数の過度な増大を防ぎ、基板面積を効率的に活用することが可能な、マスク蒸着法による有機電界発光装置の多面取り製造方法を提供する。 - 特許庁

Dummy masks 20 and 21 extended by the same layout patterns as the wiring layers 15 are formed at upper sections of the wiring layers 15 coated with protective films composed of cap layers 16 and sidewall layers 17.例文帳に追加

キャップ層１６及びサイドウオール層１７から成る保護膜で被覆された配線層１５の上部に、配線層１５と同じレイアウトパターンで延びるダミーマスク層２０、２１を形成する。 - 特許庁

Ultraviolet rays are applied to a 1st and a 2nd photosensitive glass plates 1, 2 through 1st and 2nd masks 5, 6, respectively, to form 1st and 2nd latent images 11, 21.例文帳に追加

第１および第２の感光性ガラス板１、２のそれぞれに第１および第２のマスク５、６を介して紫外線を照射して第１および第２の潜像部１１、２１を形成する。 - 特許庁

Data on perpendicular lines to long sides of masks a1 and a2 and others in other directions are used in center-of-gravity calculation, and the method of least squares is used in elliptic approximation.例文帳に追加

マスクａ１、ａ２及びその他の方向に設けたマスクの長辺に対して、垂直方向の線上のデータを用いて重心計算を行い、最小二乗法を使い楕円近似を行う。 - 特許庁

The film 2 is etched with photoresists 5, 6, and 7 as masks by an etching device, so that the film 2 is patterned to a desired shape and dimension in each chip formation region of the wafer 1.例文帳に追加

エッチング装置により、ホトレジスト５，６，７をマスクとして被エッチング膜２をエッチングして、ウエハ１での各チップ形成領域において被エッチング膜を所望の形状および寸法にパターニングする。 - 特許庁