「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a storage device which can achieve further microfabrication by optimizing a memory cell structure.例文帳に追加

メモリセルの構造を最適化することにより、更なる微細化を可能にする記憶装置を提供する。 - 特許庁

The drivers 14, 15 alternatively drive the memory cell, and are constituted so that a potential having a reverse code to a potential being impressed on the gate of the selection gate transistor in the memory cell becoming the read-out object is impressed on the source line connected to the memory cell becoming the read-out object, at the read-out operation.例文帳に追加

上記ドライバ１４，１５は、メモリセルを選択的に駆動し、読み出し時に、読み出しの対象となるメモリセルに接続されているソース線に、上記読み出しの対象となるメモリセル中の上記選択ゲートトランジスタのゲートに印加されている電位とは逆符号の電位を印加するように構成されている。 - 特許庁

To suppress a control circuit area except a memory cell from being increased in an EEPROM which can store multi-level data.例文帳に追加

多値記憶可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、メモリセル以外の制御回路面積の増大を抑える。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell, in which efficient writing operation is actualized, even if the writing current is smaller.例文帳に追加

より小さな書込電流であっても効率的な書き込み動作が可能な磁気メモリセルを提供する。 - 特許庁

Next the data of a page size recorded at a prescribed address of a memory cell array 221 is read to a sense amplifier 223.例文帳に追加

次にメモリセルアレイ２２１の所定のアドレスに記録されたページ単位のデータをセンスアンプ２２３に読み出す。 - 特許庁

To reduce electric power in an IC and a computer system by reducing a leakage current in a semiconductor memory cell.例文帳に追加

半導体メモリ・セルにおける漏洩電流を低減し、ＩＣ及びコンピュータ・システムの電力を低減する。 - 特許庁

Transistors form a cross coupling random access memory cell and perform a comparison of contents of the two legs during the evaluation.例文帳に追加

トランジスタは交差結合型ランダムアクセスメモリセルを形成し、評価の間２つの枝の内容を比較する。 - 特許庁

In memory cell transistors Q13 and Q14, shift of threshold voltage in the transistors is not caused.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＱ１３およびＱ１４については、トランジスタのしきい値電圧のシフトが発生しない。 - 特許庁

To provide a technology for preventing drain-disturb phenomenon, related to a short channel non-volatile memory cell.例文帳に追加

短チャネルの不揮発性メモリセルにおいて、ドレインディスターブ現象を防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁

Two storage sites within a memory cell can be simultaneously selected during read, program and erase.例文帳に追加

メモリセル内の２つの蓄積サイトを、読み出し、プログラム、及び消去の間に同時に選択することができる。 - 特許庁

The memory cell is connected with a first bit line 2a, a second bit line 2b and a word line 3.例文帳に追加

このメモリセルには、第１のビット線２ａ、第２のビット線２ｂ、およびワード線３が接続されている。 - 特許庁

Before activation of a control signal instructing a memory cell for operation, an address signal is transmitted to a decoder.例文帳に追加

メモリセルの動作を指示する制御信号の活性化前に、アドレス信号がデコーダまで伝達される。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory providing the high integration of a cell, and its writing method.例文帳に追加

セルの高集積化を図ることが可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To increase data input/output speed under environment in which speed of a memory cell array access clock is restricted.例文帳に追加

メモリセルアレイアクセスクロックの速度が制限される環境下でデータ入出力速度を増加させること。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a memory cell array 20 is divided into four blocks, that is, blocks A-D.例文帳に追加

半導体装置１は、メモリセルアレイ２０が四つのブロック、すなわち、ブロックＡ〜Ｄに分割されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer.例文帳に追加

フォノンブロック絶縁層を有する不揮発性メモリセルのための装置および関連の方法を提供する。 - 特許庁

Data are written in a memory cell of this word line by supplying write-in voltage to a word line WL 3.例文帳に追加

ワード線ＷＬ３に書込電圧を供給することにより、このワード線のメモリセルにデータを書込む。 - 特許庁

The memory cell MC stores two or more data with a threshold voltage of n values (n is a natural number of 1 or larger).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ｎ値（ｎは１以上の自然数）の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

An ATD signal is made a series of operation trigger when read-out or write-in of a memory cell is performed.例文帳に追加

ＡＴＤ信号は、メモリセルの読み出しまたは書き込みをする際の一連の動作のトリガーとなる。 - 特許庁

The error correction circuit corrects the error of holding data of the memory cell detected by the sense amplifier.例文帳に追加

誤り訂正回路は、前記センスアンプにより検知された前記メモリセルの保持データの誤りを訂正する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device without degrading performance of read/write operations to an FBC (Floating Body Cell).例文帳に追加

FBCに対するリード／ライト動作の性能を低下させることがない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enable a fine memory cell to be designed by eliminating mask shift (alignment shift) to a field oxide film.例文帳に追加

フィールド酸化膜に対するマスクズレ（アライメントズレ）をなくすことにより微細なメモリセルの設計を可能にする。 - 特許庁

Each of the batteries and the memory corresponding to the battery are integrally formed as a battery cell.例文帳に追加

また、前記電池と当該電池に対応する前記メモリとは、電池セルとして一体に形成されている。 - 特許庁

Data are thereafter written to the selected MLC memory cell in relation to the selected non-sequential encoding scheme.例文帳に追加

その後、選択された非連続エンコーディングスキームに関して、選択されたＭＬＣメモリセルにデータが書込まれる。 - 特許庁

To provide a means for accurately calibrating a sense amplifier for reading data of a memory cell on a chip.例文帳に追加

メモリセルのデータ読み出し用のセンス増幅器をチップ上で正確に較正する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a single/poly 2 transistor (2T) PMOS memory cell which does not require the addition of a surplus mask step.例文帳に追加

余分なマスクステップを追加する必要がないシングルポリ・２トランジスタ（２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセルを提供する。 - 特許庁

To reduce manufacturing cost of a mask ROM by preventing an increase in area of a memory cell array region of the mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭのメモリセルアレイ領域の面積増加を防ぎ、製造コストの低減を実現する。 - 特許庁

To provide a large-capacity and inexpensive memory cell array of a nonvolatile variable-resistance element excelling in current controllability.例文帳に追加

電流制御性に優れ、大容量で安価な不揮発性可変抵抗素子のメモリセルアレイを実現する。 - 特許庁

To stably measure a current flowing during a writing operation in a memory cell without requiring fine voltage control.例文帳に追加

メモリセルに書込み動作時に流れる電流を電圧の細かな制御なしに安定して測定する。 - 特許庁

The memory cell circuit includes a storage circuit, first transistors (Q21, Q41) and second transistors (Q22, Q42).例文帳に追加

メモリセル回路は、記憶回路と、第１トランジスタ（Ｑ２１、Ｑ４１）と、第２トランジスタ（Ｑ２２、Ｑ４２）とを具備する。 - 特許庁

A readout circuit discriminates whether the data of the real memory cell are erased or not by the impression of the erase pulse.例文帳に追加

読み出し回路は、消去パルスの印加によりリアルメモリセルのデータが消去されたか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a memory cell that is extremely compact, while avoiding an increase of complexity in a manufacturing method thereof.例文帳に追加

製造方法の複雑さが増加することを避けつつ、非常にコンパクトであるメモリセルを提供する。 - 特許庁

A memory cell consisting of one transistor 8 and one capacitor 9 is connected to the digit line BLT0.例文帳に追加

デジット線ＢＬＴ０に１個のトランジスタ８と１個のキャパシタ９とからなるメモリセルが接続されている。 - 特許庁

To provide an excellent semiconductor device in which both memory cell transistors and select transistors exhibit proper characteristics.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To avoid data holding failure which is easily caused especially in a low temperature region when holding data of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ保持時に、特に低温度領域において発生し易いデータ保持不良を回避する。 - 特許庁

To keep high speed synchronous read-out even when data are read out over a memory cell of the other group.例文帳に追加

他のグループのメモリセルに跨ってデータ読み出しをする場合にも、高速シンクロナス読み出しを維持する。 - 特許庁

Each battery pack comprises a memory device that stores characteristic data indicating the characteristic of the secondary battery cell.例文帳に追加

各々のバッテリパックは、二次電池セルの特性を示す特性データを記憶する記憶装置を有する。 - 特許庁

Thus, the element isolation region for the memory cell region and the one for the peripheral circuit region can be formed.例文帳に追加

このことにより、メモリセル領域用と周辺回路領域用の素子分離領域が形成できる。 - 特許庁

A memory cell array operates at a low frequency being one-eighth of an actual data output frequency.例文帳に追加

メモリセルアレイの動作としては、実際のデータ出力周波数の８分の１の低い周波数で動作する。 - 特許庁

As a result, destruction of data held in the unprogrammed memory cell is prevented by a simple circuit.例文帳に追加

この結果、プログラムされないメモリセルに保持されているデータが破壊されることを、簡易な回路で防止できる。 - 特許庁

The power voltage Vcc2 is determined in consideration of the reliability of the tunnel insulation film of the MTJ memory cell.例文帳に追加

電源電圧Ｖｃｃ２は、ＭＴＪメモリセルのトンネル絶縁膜の信頼性を考慮して定められる。 - 特許庁

Between adjoining memory cell rows, the repeated unit 140a is deviated by 1/2 pitch (half pitch).例文帳に追加

隣接するメモリセル列間で、繰り返し単位１４０ａは、１／２ピッチ（ハーフピッチ）分だけずらして配置される。 - 特許庁

The memory cell array MCA is arranged in the 2nd region and composed of cells having MTJ elements.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＣＡは、第２領域内に配設され、ＭＴＪ素子を有する複数のセルから構成される。 - 特許庁

The ECC block tests each memory unit (101) by using the entire number of ECC bits usable in an ECC cell.例文帳に追加

ECCブロックは、ECCセル内で使用可能なECCビットの全数を使用することによって各メモリユニット(101)をテストする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device for suppressing fluctuation in micro-processing of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの微細加工のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁