「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

First gate electrodes 1-4, which contribute to the operation of the transistor and second gate electrodes 19, 20 which do not contribute to the operation of the transistor, have the same length and are disposed with the same pitch along the gate length direction.例文帳に追加

トランジスタの動作に寄与する第１ゲート電極１〜４およびトランジスタの動作に寄与しない第２ゲート電極１９，２０は、いずれも同一長さであり、また、ゲート長さ方向に沿って同一ピッチで配置されている。 - 特許庁

Thereby, not only the process margin of a gate pattern and a field poly pattern is assured, but also the gate pattern or gate length and, further, the length of the field poly pattern is shortened.例文帳に追加

これにより、ゲートパターン及びフィールドポリパターンの工程マージンが確保できるだけではなく、ゲートパターンまたはゲート長さ、さらに、フィールドポリパターンの長さが縮められる。 - 特許庁

The semiconductor device as an embodiment of the present invention has the planar type MOSFET which has a first gate electrode and a first gate insulating film making the first gate electrode not cause Fermi-level pinning, and the fin type MOSFET which has a second gate electrode and a second gate insulating film making the second gate electrode cause Fermi-level pinning.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させない第１のゲート絶縁膜と、を有するプレーナ型ＭＯＳＦＥＴと、第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させる第２のゲート絶縁膜と、を有するフィン型ＭＯＳＦＥＴと、を有する。 - 特許庁

A transfer gate electrode connected to the respective photoelectric conversion elements of the light receiving part is turned to the 2-layer structure of a first transfer gate electrode and a second transfer gate electrode, and the second transfer gate electrode is constituted of a laminated part stacked with the first transfer gate electrode and a non-laminated part not stacked with the first transfer gate electrode.例文帳に追加

受光部の各光電変換素子に接続した転送ゲート電極は、第１転送ゲート電極と、第２転送ゲート電極の２層構造とするとともに、第２転送ゲート電極は、第１転送ゲート電極と積重した積層部と、第１転送ゲート電極と積重しない非積層部とから構成する。 - 特許庁

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

We entered inside (the premises of the Honno-ji Temple) across the bridge; the gate was open and not even a mouse was to be seen. 例文帳に追加

そこより(本能寺の)内へ入りましたが、門は開いていて鼠ほどのものもいませんでした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a result, polarities of the signal VDn and the VCOM are not inverted even between adjacent gate lines.例文帳に追加

従って、隣り合うゲート線間においても、信号ＶＤｎ及びＶＣＯＭの極性は反転させない。 - 特許庁

In the display device, a gate signal line is covered with an insulating film, and a liquid crystal part is not directly contacted.例文帳に追加

ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit and a display device that do not cause the deterioration of image quality.例文帳に追加

画質の不良が生じないゲート駆動回路及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gate type car washing device allowing an easy manual car washing operation and not elongating a car washing time.例文帳に追加

手洗い作業が容易になり洗車時間も長く掛からない門型洗車装置を提供する。 - 特許庁

An island of shift section/light-emitting section and an island of a gate load resistance are not separated but integrated.例文帳に追加

シフト部／発光部の島とゲート負荷抵抗の島とを分離せずに一体化する。 - 特許庁

The MDD area 9 and the gate structure 4 are not mutually overlapped in planar view.例文帳に追加

ＭＤＤ領域９とゲート構造４とは、平面視上互いにオーバーラップしていない。 - 特許庁

A part of the gate insulating film, of the gate insulating films 110, formed between the gate electrode 111 positioned within the trench 104 and the lateral surface of the semiconductor substrate 100 contains aluminum, while a part of the gate insulating film, of the gate insulating films 110, formed between the gate electrode 111 and the upper surface of the semiconductor substrate 100 does not contain aluminum.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１０のうち、トレンチ１０４内に位置するゲート電極１１１と半導体基板１００の側面との間に形成されている部分は、アルミニウムを含有している一方、ゲート絶縁膜１１０のうち、ゲート電極１１１と半導体基板１００の上面との間に形成されている部分は、アルミニウムを含有していない。 - 特許庁

A card terminal 1 disposed at the entrance gate of the other company reads the ID from the ID card 3 and makes the management server 2 collate the ID, and permits the entrance to the gate when the ID accords with the ID registered when left the gate of the employee's company, and prohibits the entrance to the gate when not according.例文帳に追加

他社の入門所に配置されたカード端末１は、ＩＤカード３からＩＤを読取り、そのＩＤを管理サーバ２に照合させ、自社の退門時に登録したＩＤと一致するとき入門を許可し、不一致のとき入門を不許可とする。 - 特許庁

A common electrode part 21C covers regions partially superposed on the pixel electrode layers 19A and 19B, a region superposed on the gate line GL and regions which are not superposed on the gate line GL and extended to both sides of the gate line GL on the insulating film 20 in the vicinity of the gate line GL.例文帳に追加

ゲート線ＧＬ近傍の絶縁膜２０上では、共通電極部２１Ｃが、各画素電極層１９Ａ，１９Ｂの一部と重畳する領域、ゲート線ＧＬと重畳する領域、及びゲート線ＧＬと重畳せずにゲート線ＧＬの両側に延びる領域を覆っている。 - 特許庁

The clamp circuit 20 interrupts the flow of carries from the gate to the drain when a voltage between the gate and the drain of the FET 10 is not higher than a predetermined clamp voltage, and permits the flow of carriers from the gate to the drain when the voltage between the gate and the drain is higher than the predetermined clamp voltage.例文帳に追加

クランプ回路２０は、ＦＥＴ１０のゲート−ドレイン間電圧が所定のクランプ電圧以下のとき、ゲートからドレインへ向かうキャリアの流れを遮断し、ゲート・ドレイン間電圧がクランプ電圧を超えるとき、ゲートからドレインへ向かうキャリアの流れを許す。 - 特許庁

A thick gate insulating film and a remarkably thin gate insulating film are formed, and ion implantation of a first conductive type which does not penetrate the thick gate insulating film and oblique ion implantation of the opposite conductivity type which also penetrates the thick gate insulating film are performed before formation of the sidewall.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜と著しく薄いゲート絶縁膜を形成し、サイドウォール形成前、厚いゲート絶縁膜は貫通しない第１導電型のイオン注入と、厚いゲート絶縁膜も貫通する逆導電型の斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

A gate output determination part 71 determines whether one of the gate drivers 30a and 30b is faulty or not based on output timing of gate signals Gout_A and Gout_B outputted from the gate drivers 30a and 30b.例文帳に追加

ゲート出力判定部７１は、ゲートドライバ３０ａ・３０ｂのうちの一方が故障しているか否かを、ゲートドライバ３０ａ・３０ｂから出力されるゲート信号Ｇｏｕｔ_Ａ・Ｇｏｕｔ_Ｂの出力タイミングに基づいて判定する。 - 特許庁

Then, the gate voltage of the N-type transistor is turned to a high voltage and the gate voltage of the P-type transistor is turned to a low voltage when transferring voltage signals, and the gate voltage of the N-type transistor is turned to a GND level and the gate voltage of the P-type transistor is turned to an intermediate voltage when not transferring the voltage signals.例文帳に追加

そして、電圧信号の転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧を高電圧、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を低電圧とし、また、電圧信号の非転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧をＧＮＤレベル、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を中間電圧にする。 - 特許庁

The second LDD region is self-aligned to the gate and spaced laterally apart from the gate such that the gate does not overlap the second LDD region.例文帳に追加

第２のＬＤＤ領域は、ゲートに自己整合され、かつゲートから横方向に離隔され、その結果ゲートは第２のＬＤＤ領域に対して重ならない。 - 特許庁

At such a time, when a gate driving signal is at a low level (level for turning off each MOS), a high-level signal is input to the ON fault detection AND gate 27 via a NOT gate 28.例文帳に追加

このとき、ゲート駆動信号がローレベル（各ＭＯＳをオフさせるレベル）であれば、ＮＯＴゲート２８を介してＯＮ故障検出ＡＮＤゲート２７にはハイレベル信号が入力される。 - 特許庁

To provide an ultra-miniature waveguide optical gate switch that is not affected by an error on manufacture, concerning the waveguide optical gate switch and multistage waveguide optical gate switch.例文帳に追加

導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。 - 特許庁

When the pin gate is not penetrated in the second rough machining, the tensile stress improvement process of the third pin gate electrode 13 and the third rough machining process using the third pin gate electrode 13 are executed.例文帳に追加

２回目の荒加工工程でピンゲートが貫通しないときは、３本目のピンゲート電極１３の引張応力化工程と３本目のピンゲート電極１３を用いた３回目の荒加工工程とを実施する。 - 特許庁

The conductive layer 41 for repairing gate disconnection is provided so as not to come in contact with the source signal wirings 17 and at least two parts of the conductive layer 41 for repairing gate disconnection are electrically connected to the gate signal wirings 15.例文帳に追加

ゲート断線修復用導電層４１がソース信号配線１７に接触しないように設けられ、ゲート断線修復用導電層４１の少なくとも２箇所がゲート信号配線１５と電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a gate locking device for a load-carrying platform, by which a gate for the load-carrying platform can be locked by simple operation only by opening and closing a gate lock handle while a section difficult to be painted is not formed in the case of painting.例文帳に追加

ゲートロックハンドルを開いて閉じるだけの簡単な操作で荷台用ゲートをロックすることができると共に、塗装に際して塗装困難な部分を生じないで済むような荷台用ゲートロック装置を提供する。 - 特許庁

If the channel width is not zero, a gate in which a shift power source is included is used as a gate and a gate shift voltage modulates the channel width properly.例文帳に追加

チャネル巾がゼロでない場合は、ゲートにシフト電圧源を含ませたものをゲートとし、ゲートシフト電圧は、チャネル巾を適宜調節するものである。 - 特許庁

The on-vehicle device is also provided with a toll gate detecting part for judge-determining whether own vehicle is positioned in the vicinity of a toll gate or not, and conducts switching to supply the local oscillation signal to the ETC transception part when coming to the vicinity of the toll gate (S13).例文帳に追加

車載装置は、さらに、自車が料金所の近くであるかどうかを判定する料金所検出部を備え、料金所の近くへ来ると、ＥＴＣ送受信部へ局部発振信号を供給するように切り替える（Ｓ１３）。 - 特許庁

To provide a crossing gate and a lighting device for the crossing gate in which existence of the crossing gate 3 positioned at a non-shutting position is easily recognized when a train does not approach at night.例文帳に追加

夜間において列車が接近していないときの非遮断位置にある遮断機３の存在がわかりやすい遮断機および遮断機用照明装置を供給することにある。 - 特許庁

Since the first gate 64 is not turned before the first gate portion 58 and the second gate portion 64 are aligned in the register correcting position, inclination of the edge of the sheet material P during conveyance can be corrected independently of rigidity of the sheet material P.例文帳に追加

このように、第１ゲート部５８と第２ゲート部６４がレジ補正位置で揃わないと第１ゲート６６が回動しないため、シート材Ｐの剛性に関わらず、搬送中のシート材Ｐの先端部の傾きを補正することができる。 - 特許庁

This through chucker mechanism for the game machine has a passing gate for game balls which has a passing sensor inside, a wind mill element which is provided under the passing gate, and a shell which prevents game balls not passing through the passing gate from reaching the wind mill element.例文帳に追加

内部に通過センサを有する遊技球の通過ゲートと、該通過ゲートの下方に設けられた風車体と、該通過ゲートを通過しない遊技球が該風車体に達することを防止する殻体とを有することを特徴とする。 - 特許庁

When the disconnection failure has occurred, the gate signal B is not influenced by the gate capacitor 27, rapidly becomes large without causing a delay, and when the timer signal D is in a Hi-level, the gate signal reaches the reference voltage V_ref.例文帳に追加

一方、断線故障が発生している場合、ゲート信号Ｂは、ゲートコンデンサ２７の影響を受けず、遅れを発生せず急速に大きくなり、タイマ信号ＤがHiレベルにあるときに、基準電圧Ｖ_refに達する。 - 特許庁

In such a case, the insulation pattern 66 makes contact not only with a bottom edge of a floating gate but also with a sidewall of the floating gate, and a corner part of the floating gate is surrounded with the insulation layer.例文帳に追加

本発明で前記絶縁膜パターンは前記浮遊ゲートの下部面縁部だけではなく前記浮遊ゲートの側壁にも接触されて浮遊ゲートの角部分が絶縁膜で囲まれることが特徴である。 - 特許庁

This back gate voltage control circuit 31 fixes the back gate level of the TR P4 to an analog power supply level when the analog circuit is in use and fixes the back gate level to an open level or a digital power supply level when not in use.例文帳に追加

このバックゲート電圧制御回路31は、アナログ回路使用時には、Ｐ４のバックゲート電位をアナログ電源電位に固定し、未使用時にはオープンあるいはデジタル電源電位に固定するように動作する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which does not generate lowering of the reliability of operating characteristics of a transistor and lowering of the reliability of a gate oxide film, even if a dual gate oxide film process is applied to an STI(shallow trench isolation) structure.例文帳に追加

STI(Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜(dual gate oxide)工程を適用してもトランジスタの動作特性低下とゲート酸化膜の信頼性低下を発生させない半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an automatic ticket examination gate capable of not impairing the convenience of the automatic ticket examination gate corresponding to a portable terminal and the convenience of a portable terminal having a multi-function independently of the arrangement state of a ticket examination gate for exit.例文帳に追加

出場予定の改札ゲートの整備状況にかかわらず、携帯端末に対応する自動改札ゲートの利便性、さらに、多機能を有する携帯端末の利便性をも損なわない自動改札ゲートを提供する。 - 特許庁

The pulse time difference encoding circuit comprises a pulse circulation circuit having a series connection of 2^n-1 NOT gates and one NOR gate where 2^n-2 NOT gates excepting the final stage and the NOR gate are connected in ring, delay time is equalized in all NOT gates and delay time of the NOR gate is set two times as long as that of the NOT gate.例文帳に追加

直列接続された２^ｎ−１個のノットゲートと１つのノアゲートとを有し、最終段を除く２^ｎ−２個のノットゲートとノアゲートとがリング状に接続され、全てのノットゲートの各遅延時間は等しくされ、ノアゲートの遅延時間はノットゲートの遅延時間の２倍とされたパルス周回回路を備える。 - 特許庁

When the game ball B is guided into a second gate guidance route 50 without winning in the first gate 12, hitting against adjustment pins 10A and 10B of the first gate 12, the possibility that the game ball B wins in the second gate 13 located lower than the first gate 12 becomes higher than when the game ball B is not guided into the second gate guidance route 50.例文帳に追加

遊技球Ｂが第１ゲート１２の調整釘１０Ａ，１０Ｂに当たって第１ゲート１２に入賞せずに、第２ゲート誘導経路５０に導入された場合、第２ゲート誘導経路５０に遊技球Ｂが導入されない場合よりも、第１ゲート１２よりも下方に位置する第２ゲート１３に遊技球Ｂが入賞する可能性が高くなる。 - 特許庁

To provide a gate valve that solves the problem in maintaining vacuum by blocking and does not cause any problem when passing an ordinary film through the gate valve by reducing adhesive force of the film, even when using the gate valve in which the film sticks to an inner surface of an elastic cylinder, and a gate valve passing method of the film.例文帳に追加

フィルムが弾性筒体の内面に貼着するゲートバルブの使用でも、遮断による真空確保の問題を改善し、かつフィルムの貼着力を小さくし、通常のフィルム通過に問題を派生させないゲートバルブおよびフィルムのゲートバルブ通過方法を提供する。 - 特許庁

The gate driving module is connected with gate driving signal input lines (253 etc.), and gate driving signal by-pass lines (254 etc.), and it is made possible to easily inspect whether or not the gate driving signals are effective by providing either or both of the lines with a pattern having a width larger than each line.例文帳に追加

ゲート駆動モジュールにはゲート駆動信号入力線（２５３等）及びゲート駆動信号バイパス線（２５４等）が接続されており、これらの一方あるいは両方に各線より大きな幅寸法のパターンを設けゲート駆動信号の有効可否を容易に検査することができるようにした。 - 特許庁

At least a part of the film thickness of the gate oxide film of the transistor with a voltage applied between a gate-source and a gate-drain in the logic circuit, a transistor in a shift register, and an analog circuit limited to not more than the power source voltage is set to identical to the thickness of the gate oxide film of the amplifying transistor of the pixel.例文帳に追加

論理回路、シフトレジスタ中のトランジスタ、アナログ回路中でゲートソースおよびゲートドレイン間に印加される電圧が電源電圧以下に限定されるトランジスタの少なくとも一部のゲート酸化膜厚を、画素の増幅トランジスタのゲート酸化膜厚と同一にする。 - 特許庁

Consequently, the length of a gate can be set at right angles with respect to the sidewall 12b, and then when the gate is formed, application of lithography for prescribing the gate length is not necessary, so that a fine gate can be formed easily without using special exposure apparatus for fine processing.例文帳に追加

このため、側壁１２ｂに垂直な方向をゲート長方向にすれば、ゲートの形成に際してゲート長を規定するためのリソグラフィを行う必要がなく、微細加工用の特別な露光装置を用いることなく微細なゲートを簡便に形成することができる。 - 特許庁

The adjustment of the work function of the gate electrode is accomplished by not only introducing some additional materials in the gate electrode but utilizing the effects of the stepwise mode deposition and the change in thickness of the lower gate part in the gate electrode, in combination with the effect provided by incorporating the pulse of the additional material.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数の調整は、ゲート電極内にいくらかの追加材料を導入することだけでなく、段階的モードの堆積およびゲート電極の下側ゲート部分の厚さ変化の効果を追加材料のパルスの組み入れが提供する効果と組み合わせて利用することで為され得る。 - 特許庁

When the disconnection failure does not occur in the second gate signal line 22, a gate signal B is delayed with respect to a drive signal A by a gate capacitor 27, and the gate signal B reaches a reference voltage V_ref after a timer signal D has fallen to a Lo-level.例文帳に追加

第２ゲート信号線路２２に断線故障が発生していない場合、ゲート信号Ｂは、駆動信号Ａに対してゲートコンデンサ２７によって遅延し、ゲート信号Ｂが基準電圧Ｖ_refに達するのが、タイマ信号ＤがLoレベルに立下がった後になる。 - 特許庁

To provide a gate resin piece removing and post-processing method constituted so as not to complicate a mold structure or a gate structure, not to require two processes, that are, a demagnetizing process and a magnetizing process and to prevent the re-adhesion of gate shaving refuse to a resin magnet molded product.例文帳に追加

金型構造やゲート構造を複雑にすることなく、脱磁工程と着磁工程の２つの工程を必要としない、ゲート削り屑が樹脂磁石成形品に再付着することがないような、ゲート樹脂片除去・後加工方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby the potential difference Vsf between a source and a floating gate 15 is not reduced in the case that quantity of electrons accummulated in the floating gate 15 is reduced with the progress of erasing operation and floating gate potential Vf is increased, and erasing operation time is not increased.例文帳に追加

これにより、フローティングゲート１５に蓄積されている電子量が消去動作の進行と共に減少してフローティングゲート電位Ｖｆが大きくなっても、ソース−フローティングゲート間の電位差Ｖｓｆが小さくならず、消去動作時間が延びないようにできる。 - 特許庁