「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A bias circuit used for a receiving amplifier that does not have any excessive input protection circuits includes a gate bias circuit 8 connected to a gate terminal of a receiving transistor 2 constituting the receiving amplifier, and a drain bias circuit 9 connected to a drain terminal of the receiving transistor 2.例文帳に追加

過入力保護回路を有さない受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、受信用増幅器を構成する受信用トランジスタ２のゲート端子に接続されたゲートバイアス回路８と、受信用トランジスタ２のドレイン端子に接続されたドレインバイアス回路９とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor power converter where voltage/current surge does not occur, when ON/OFF of a switching element is switched, by monitoring a change of gate voltage supplied to a gate of the switching element and stepwisely switching the gate voltage at optimum timing, when ON/OFF of the switching element is switched.例文帳に追加

スイッチング素子のオンオフ切り替え時において、スイッチング素子のゲートに供給されるゲート電圧の変化を監視し、最適なタイミングで段階的にゲート電圧を切り替えることによって、スイッチング素子のオンオフ切り替え時における電圧・電流サージを発生させない半導体電力変換装置を提供する。 - 特許庁

A water gate control system is capable of controlling an opening of a water gate in each water area, so that water consumption does not exceed contracted water consumption contracted with an agricultural water managing association, by detecting fluctuation of the water consumption generated in any of demand area systems with a flow rate monitoring and controlling device installed on a water gate in a water area of agricultural irrigation channel.例文帳に追加

農業用水路等の水域の水門ゲートに流量監視制御装置を設置して、いずれかの需要エリア系統に生じた使用水量の変動を検知することで、農業用水管理組合等との契約使用水量を超過しないように、各水域の水門ゲートの開度を制御することができる水門ゲート制御システムを提供する。 - 特許庁

Electrical signals being supplied or not supplied from the photodiodes 13 to a control circuit 16 turn a transistor 17 on or off, to discharge electricity from the gate of a field effect transistor 15 or charge the gate of a field effect transistor 15 with electricity, and a gate/source voltage of the field effect transistor 15 becomes below or higher than a threshold voltage VTN.例文帳に追加

受光ダイオード１３から制御回路１６への電気信号の供給／非供給によりトランジスタ１７がオン／オフされ、電界効果トランジスタ１５のゲート電荷が放電／電界効果トランジスタ１５のゲートに電荷が充電され、電界効果トランジスタ１５のゲート・ソース間電圧が閾値電圧ＶＴＮ以下／以上になる。 - 特許庁

When the low-side MOSFET 103 is in an on-state by the negative voltage generation capacitor 104, a positive voltage applied between the gate and the source of the low-side MOSFET 103 does not drop lower than a voltage VD of a gate driving DC power supply which is supplied from a gate power input terminal 119.例文帳に追加

また、負電圧生成用コンデンサ１０４によってローサイドＭＯＳＦＥＴ１０３がオン状態であるときに、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート−ソース間に印加される正電圧がゲート電源入力端子１１９から供給されるゲート駆動用直流電源の電圧ＶＤから低下しない。 - 特許庁

The GOI evaluation method of the silicon wafer is provided, which determines quality of electric characteristics of a gate oxidation film by at least forming the gate oxide film on the silicon wafer, by performing X-ray diffraction measurement to silicon wafer surface layer part directly under the formed gate oxide film, and whether or not half width of a rocking curve to be obtained by measurement is 0.00110° or less.例文帳に追加

少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 - 特許庁

The wiring circuit board has an emitter pattern connected to the emitter of the power semiconductor element and a gate pattern connected to the gate of the power semiconductor element, the gate pattern having an induction causing pattern extending in parallel to a direction where the current of the main electrode terminal flows while not shielded by the emitter pattern.例文帳に追加

そして、該配線回路基板は、パワー半導体素子のエミッタに接続されるエミッタパターンと、パワー半導体素子のゲートに接続されるゲートパターンとを備え、該ゲートパターンは、該エミッタパターンによりシールドされず該主電極端子の電流の流れる方向と平行方向に伸びる誘導発生用パターンとを有する。 - 特許庁

Even when a large current is made to flow through the nMOS14 and a parasitic diode 41 in the circuit 12 is forward- biased, since the diode 51 is made to be reverse-biased and a current is not allowed to flow through the diode 41, the potential of the gate terminal of the nMOS14 is not clamped and the gate terminal and the drain terminal of the MOS14 become the same potential.例文帳に追加

パネル放電の際に大電流がｎＭＯＳ１４に流れ、バッファ回路１２内の寄生ダイオード４１が順バイアスされても、逆阻止ダイオード５１が逆バイアスされることにより、寄生ダイオード４１には電流が流れないので、ｎＭＯＳ１４のゲート端子の電位はクランプされず、ゲート端子とドレイン端子とが同電位になる。 - 特許庁

However, since a potential difference between the source and the gate of a P channel type MOS transistor 40p is not large so much, the P channel MOS transistor 40p is not turned on soon and an output of the a CMOS inverter 40 of the last stage does not become a high level soon.例文帳に追加

しかし、Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタ４０ｐのソース−ゲート間の電位差があまり大きくないため、Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタ４０ｐはすぐにオンにならず、最終段ＣＭＯＳインバータ４０の出力がすぐにハイレベルにならない。 - 特許庁

According to Act 5 of "Tales of Ise," the time when ARIWARA no Narihira and a niece of Nobuko, FUJIWARA no Takaiko fell in love in secrecy was when Takaiko lived in this residence and before she was sent to court to marry the emperor, so as Narihira could not enter the house from the main gate, it seems that he crept into the house from a the torn wall or a hole a kid kicked down and made (...as he could not enter the house from the gate, he sneaked in from part of a collapsed wall made by a child). 例文帳に追加

『伊勢物語』第五段によると在原業平と順子の姪である藤原高子が密かに恋に落ちたのは、高子が入内前、この邸にいた時で、門からは入れない業平は、子どもが踏みあけておいた塀の崩れから忍び込んだらしい（「…門よりもえ入らで、童べの踏みあけたる築地のくづれより通ひけり」）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Meanwhile, the generation of defects which can not be restored by heat treatment is prevented by performing the surface treatment process continuously in the same chamber using a plasma gas including a halogen having an atomic weight not less than Cl and a rare gas having an atomic weight not less than Ar after the gate oxide film exposure time.例文帳に追加

一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でＣｌ以上の原子量を持つハロゲンとＡｒ以上の原子量を持つ希ガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。 - 特許庁

meanwhile, when the registration number displayed on the license plate of the vehicle entering the parking lot is not registered in the customer table 13a of the customer management device 1, or when the registration number is registered, but the transaction total amount for the first period associated thereto does not reach predetermined determination amount, the gate opening and closing device 2 issues a parking ticket and then opens the entrance gate 2a.例文帳に追加

一方、駐車場に入場する車両のナンバープレートに表記されている登録番号が、顧客管理装置１の顧客テーブル１３ａに登録されていなかったり、登録されているが対応付けられている第１の期間の取引合計金額が予め定めた判定金額に達していなければ、ゲート開閉装置２が駐車券を発券し、その後、入口ゲート２ａを開する。 - 特許庁

When the user who must buy the ticket for passing the ticket gate enters the ticket gate without carrying the ticket, and there is any user who does not need the ticket and enters the ticket gate while carrying the ticket among users satisfying predetermined conditions, the ticket information associated with the user carrying the ticket is associated with the user who has entered the gate without carrying the ticket.例文帳に追加

自動改札機１は、改札通路を通行する際に、乗車券が必要である利用者が、乗車券を所持せずに改札通路に進入した場合、予め定められた条件を満たす利用者の中に、乗車券を必要としない利用者であって、且つ乗車券を所持して改札通路に進入した利用者がいれば、この利用者に対応づけられている乗車券情報を、乗車券を所持せずに改札通路に進入した利用者に対応づける。 - 特許庁

In the epitaxial crystal growth layer 2, a part of a region where a gate electrode 7 is arranged, becomes a smooth first region where a bunching step is not formed on the surface, and the entire region where the gate electrode 7 is not arranged, becomes a second region where the bunching step is formed on the surface.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長層２において、ゲート電極７が配置されている領域の一部は、表面にバンチングステップが形成されない平滑な第１領域となっており、ゲート電極７が配置されていない領域の全部は、表面にバンチングステップが形成された第２領域となっている。 - 特許庁

At the time, since a special passing gate 670 is provided in a right playfield 20d, even when an assistant of a hall makes a game ball pass through the special passing gate 670, only drawing by a normal symbol drawing means 920 is performed, the expectation value of the game ball is not affected, and the player does not suffer disadvantages involuntarily.例文帳に追加

このとき、右遊技領域２０ｄに特殊通過ゲート６７０が設けられることで、ホールの店員が特殊通過ゲート６７０に遊技球を通過させたとしても、普通図柄抽選手段９２０による抽選が行われるのみであり、遊技球の期待値に対し影響が与えられることがなく、遊技者が意図せず不利益を被ることがない。 - 特許庁

To provide a semiconductor nonvolatile memory device in which occurrence of defective holding characteristics caused by self-bias of the floating gate can be prevented, exclusive capacity for filling injected electric charges is not required, whole circuit constitution can be simplified, chip area is reduced, and lower cost can be realized, without causing excessive write in which electric charges are injected excessively in a floating gate is not caused.例文帳に追加

過剰にフローティングゲートに電荷が注入される過剰書き込みを発生させることなく、フローティングゲートの自己バイアスによる保持特性不良の発生をなくすことができるとともに、注入電荷充填用の専用容量を不要として全体の回路構成を簡略化することができ、チップ面積を削減して、より低コスト化を実現することができる半導体不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In particular, the image data processing circuit 4 converts the input pixel data changed by update into output pixel data which synchronously vary with driving of the corresponding gate lines Y, and converts the input pixel data not changed by update into output pixel data which does not synchronously vary with driving of the corresponding gate lines Y.例文帳に追加

特に、画像データ処理回路４は更新により変化した入力画素データの各々を対応ゲート線Ｙの駆動に同期して変化する出力画素データに変換し、更新により変化しない入力画素データの各々を対応ゲート線の駆動に同期して変化しない出力画素データに変換するように構成される。 - 特許庁

Not only impurities such as moisture in the oxide semiconductor layer but also those existing in a gate insulating layer are reduced, and impurities such as moisture existing in interfaces between the oxide semiconductor layer and films provided over and under and in contact with the oxide semiconductor layer are reduced.例文帳に追加

また、酸化物半導体層中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 - 特許庁

When the outputs of the inverters INVA2, INVB2 are coincident, an EX-NOR circuit 30, a D-latch 31 and an AND gate 32 add the output of the delay circuit 33 to a D-FF23 and a delay circuit 34, and if not coincident, turn off the outputs.例文帳に追加

EX-NOR回路３０、Dラッチ３１、アンドゲート３２は、インバータINVA2、INVB２の出力が一致している時、遅延回路３３の出力をD-FF23および遅延回路３４へ加え、一致していない時はオフとする。 - 特許庁

Diffusion layers 13, 13b and 13c of memory cells and select gate transistors inside the NAND cell unit are buried in the substrate 12 and do not touch the surface of the substrate 12.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルユニット内のメモリセル及びセレクトゲートトランジスタの拡散層１３，１３ｂ，１３ｃは、基板１２中に埋め込まれ、基板１２の表面に接触していない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a MOS transistor and a memory element on an SOI substrate and can protect not only a gate insulating film, but also a BOX layer against plasma damage and electrostatic damage.例文帳に追加

ＳＯＩ基板にＭＯＳトランジスタやメモリ素子を有し、プラズマダメージや静電ダメージからゲート絶縁膜だけでなく、ＢＯＸ層をも保護することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an MIS field effect transistor using metallic oxide the defect of which is not caused easily and which resists hydrogen and water as a gate insulating film, and to provide a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

欠陥が誘起され難くかつ水素や水分の耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁膜として用いたＭＩＳ型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The transparent conductive film 2 and the gate metal film 3 which are not covered with the resist patterns 4 are removed, and resist patterns 4 are removed in parts of pixel electrodes 2a as shown by (d), and remaining parts 4c are left in the other parts.例文帳に追加

レジストパターン４で覆われていない透明導電膜２およびゲートメタル膜３を除去し、（ｄ）で示すように、画素電極２ａの部分でレジストパターン４を除去し、他の部分には残存部４ｃを残す。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin composition excellent in mechanical strength, heat resistance, transparency and antistatic properties and giving a molded article which does not suffer from delamination or flow marks near a gate and is excellent in appearance.例文帳に追加

機械的強度、耐熱性、透明性及び帯電防止性に優れ、且つ成形品のゲート近傍での層状剥離及びフローマークの発生がなく成形外観に優れたポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

When a through-mode is set by switches 7 and 8 and check data is inputted in place of the display data from the control section, the monitor data indicating whether the shift register 5 is faulty or not is obtained from the AND gate 12 at prescribed timing.例文帳に追加

スイッチ７，８により，スルーモードとし，制御部から表示データの代わりにチェックデータを入力すると，所定のタイミングでアンドゲート１２から，シフトレジスタ５が故障しているか否かを示す監視データが得られる。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin composition excellent in mechanical strength, heat resistance and molding properties and giving a molded article which does not suffer from delamination or flow marks near a gate and is excellent in external appearances as well as in permanent antistatic properties.例文帳に追加

機械的強度、耐熱性、成形性に優れ、成形品のゲート近傍での層状剥離及びフローマークの発生がなく成形外観に優れ、且つ永久帯電防止性に優れたポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Consequently, 1st and 2nd MOS TR output currents I1 and I2 become equal at the drain side of the 4th MOS TR Q4, and the gate voltage of a 5th MOS TR Q5 will not rise unwillingly.例文帳に追加

そのため第４ＭＯＳトランジスタＱ４のドレイン側において第１、第２ＭＯＳトランジスタ出力電流Ｉ_１、Ｉ_２が等しくなり、第５ＭＯＳトランジスタＱ５のゲート電圧は不本意に上昇しない。 - 特許庁

One fixed tag is arranged at a position on each gate with which the other gates can not communicate, and interrogators 10 and 11 each synchronously read the fixed tag and a movable tag at a reception means more than once per unit time.例文帳に追加

各ゲートに１台ずつ固定タグを他のゲートからは通信できない位置に設置し、質問器１０、１１において、受信手段によって固定タグおよび移動タグを単位時間あたりに複数回同時期に読出すようにする。 - 特許庁

Furthermore, a light shielding film 11A is arranged to cover a non-pattern formation region 51 which is in a region between the pixel region 10P and the perpendicular driving circuit 40 and in which the gate line GL and the sustaining capacity line SC are not formed.例文帳に追加

そして、画素領域１０Ｐと垂直駆動回路４０の間の領域であって、ゲート線ＧＬ及び保持容量線ＳＣが形成されていない非パターン形成領域５１を覆う遮光膜１１Ａが配置されている。 - 特許庁

For the thin-film transistor of the pixel part, the high resistance impurity region and the gate electrode are not overlapped, a leakage current is suppressed and the ratio of the on-current and an off-current is improved.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲイト電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

To provide a formation method of a gate electrode that does not require a large-scale device, is superior in the utilization ratio of raw materials and handling, and can reduce wastes, and to provide a manufacturing method of a device.例文帳に追加

本発明の目的は、大掛かりな装置を必要とせず、原料の使用効率及び取扱いに優れ、廃棄物を減少させることのできる、ゲート電極の形成方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When drain voltage is not less than reference voltage in a situation where the driving signal of a high level is inptuted to the AND circuit, gate voltage becomes high, and a part between a source and a drain of the transistor is easily conducted.例文帳に追加

ＡＮＤ回路にハイレベルの駆動信号が入力される状況下、ドレイン電圧が基準電圧以上である場合は、ゲート電圧が高くなり、トランジスタのソース・ドレイン間が導通し易くなる。 - 特許庁

Moreover, since there is not a part where control electrodes including wirings and terminals and the gate wirings are overlapped, short circuits can be improved and the manufacturing yield of the device becomes satisfactory.例文帳に追加

また、配線、端子を含む制御電極とゲート配線とが重なる部分が無いため、短絡を改善でき液晶表示装置の製造歩留まりが良好となる。 - 特許庁

For the thin-film transistor of the pixel part, the high resistance impurity region and the gate electrode are made so as not to overlap, a leakage current is suppressed and the ratio of the on-current and an off-current is improved.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲイト電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

Also, since a resistor Rg is connected to the gate of the N type FET 20, signals do not flow from the capacitors C40 and Csg or the capacitors Cc and Cdg to a terminal G in terms of AC and the loss of output signals is prevented.例文帳に追加

またＮ型ＦＥＴ２０のゲートに抵抗Ｒｇを接続しているため、ＡＣ的にコンデンサＣ４０およびＣｓｇ、またはコンデンサＣｃおよびＣｄｇから端子Ｇへ信号が流れず、出力信号の損失を防ぐことができる。 - 特許庁

In a thin-film transistor in the pixel part, the high-resistance impurity region and the gate electrode do not overlap to suppress a leak current and to improve the ratio between the ON-state current and OFF-state current.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲート電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

To provide a slide gate plate with which oxidation of a sliding surface is restrained and the sealing property can be improved, and the crack from grooves arranged at different positions on the upper and the lower surfaces of a lower plate does not occur and further the mechanical strength caused by the formation of the groove does not decrease.例文帳に追加

摺動面の酸化を抑制するとともに、シール性の向上ができ、また、下プレートの上下面の異なる位置に設けられた溝からの亀裂の発生、さらに、溝の形成により機械的強度が低下することがないスライドゲートプレートを提供する。 - 特許庁

This multilevel design Chinese style gate with a tiled roof that is high in the middle but low on the left and right sides has a form that is not generally seen in Japanese shrine and temple architecture. 例文帳に追加

瓦屋根の中央部分を高く、左右の部分を低く、段差を設けているのは中国風で、日本の一般的な社寺建築には見かけない形式である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

His first reference on historical material concerned his involvement in working with Unkei and other sculptors, on the statue of Kongo Rikishi (Nio) at Nandaimon gate of To-ji Temple during 1197 and 1198, but the statue does not existent any more. 例文帳に追加

建久8-9年（1197-1198年）、東寺南大門の金剛力士（仁王）像（現存せず）の造立に運慶らとともに携わったのが、史料上の初見である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Masamune could not stay in the battle field anymore and then ran way to Osaki because Shigenaga HONJO went out of the Nishi-mon (West gate) of the Fukushima-jo Castle and set fire to Masamune DATE's encampment to burn provisions. 例文帳に追加

更に本庄繁長が福島城の西門から打ち出て、伊達政宗の陣屋に火をかけ小荷駄を燃やしたため、政宗はもはや戦場にとどまることができず、大崎へと逃げ帰っていった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thus, the N+ source drain regions 9 are not formed below the dummy gate electrode 20 and the widths of the N+ source drain regions 9 become narrow and the conductance of the access transistor drops.例文帳に追加

その結果、ダミーゲート電極２０の下方にはＮ＋ソースドレイン領域９は形成されずＮ＋ソースドレイン領域９の幅が狭くなり、アクセストランジスタのコンダクタンスは低下する。 - 特許庁

The silicide layer 140 is not formed in the region of a photo diode and the transistor of the pixel array 10, and a gate electrode 122_10 of the transistor is formed of a metal material.例文帳に追加

画素アレイ部１０のフォトダイオードおよびトランジスタの領域にはシリサイド層１４０を形成しないが、トランジスタのゲート電極１２２_10 は金属材で形成する。 - 特許庁

A side wall spacer of the second MISFET coats the side surface of the gate electrode, and does not extend to the surfaces of a source region and a drain region.例文帳に追加

第２のＭＩＳＦＥＴのサイドウォールスペーサは、ゲート電極の側面を覆い、ソース領域及びドレイン領域の表面上までは延在していない。 - 特許庁

The auxiliary cathode electrode 42 and a cathode region are electrically connected with each other, not via the cathode electrode 42, and the inductance of the wiring connecting the cathode region to a gate drive circuit is made small.例文帳に追加

補助カソ−ド電極４２とカソード領域との間はカソ−ド電極４３を介することなく電気的に接続しカソード領域をゲート駆動回路に接続する配線のインダクタンスを小さくする。 - 特許庁

To provide a parking fee management system in which a parking fee does not become unfair depending on a distance between a parking place and an entering and leaving gate.例文帳に追加

駐車場所と入出ゲートとの間の距離の大小によって、駐車料金に不公平を生ずることのない駐車料金管理システムを提供する。 - 特許庁