「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In an internal-combustion engine including an exhaust turbo supercharger and an external EGR device, the back pressure is enhanced to promote the reflux of an EGR gas by not fully closing but leaving a waste gate valve open on usual time, opening an EGR valve in the transition period of acceleration, and throttling the waste gate valve.例文帳に追加

排気ターボ過給機及び外部ＥＧＲ装置を備える内燃機関にあって、平時にウェイストゲート弁を全閉せずに開いておき、加速する過渡期にＥＧＲ弁を開弁するとともに、ウェイストゲート弁の開度を絞る操作を行うことで背圧を高め、ＥＧＲガスの還流を促進するようにした。 - 特許庁

A sacrifice film having a film thickness not to influence photolithography in patterning is formed on the gate electrode material, the sacrifice film is patterned by etching, and the gate electrode material is patterned by using the patterned sacrifice film 8a for a mask to form gate electrodes 11 and 12.例文帳に追加

パターニング時におけるフォトリソグラフィに影響を与えない膜厚を有する犠牲膜をゲート電極材料上に形成し、エッチングにより犠牲膜をパターニングするとともに、パターニングされた犠牲膜８ａをマスクに用いてゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１１，１２を形成する。 - 特許庁

Since the not-solidified state of separation surfaces of the synthetic resin is thus kept, the synthetic resin pushed into the cavity S and the gate 13A on rising of the gate cutting member 17 is fused thoroughly with the synthetic resin present before the synthetic resin is pushed into the cavity S and the gate 13A.例文帳に追加

従って、合成樹脂の分離面部位は固まらない状態が維持されているので、ゲートカット部材１７が上昇することにより、キャビティＳ内及びゲート１３Ａ内へと押し込まれた合成樹脂とキャビティＳ内及びゲート１３Ａ内に押し込まれる前からあった合成樹脂とが綺麗に融合する。 - 特許庁

To provide a gate cutting device which has a sprue and a runner, can completely cut off gate parts connected to products when each product is taken out from an integrated molding having the products through gates, can cut the gate parts while preventing the occurrence of cracking in the products, and does not produce fine powder.例文帳に追加

スプールとランナーを備え、さらにゲートを介して複数の製品を有する一体成型体から各製品を取り出す際に、製品に連なるゲート部を完全に切除可能とすると共に、製品にヒビや割れを生じずに切断可能であり、さらに、微粉末をも生じない構成のゲートカット装置を提供することである。 - 特許庁

Seventeen-year-old Tadamasa, staying at Edo-jo Castle on duty, did not let Yorinobu in the gate and told him "Security is tight due to an emergency, therefore I can not let you in. Please talk with the shogun's council of elders." 例文帳に追加

17歳であった忠昌は江戸城の勤番として城内に詰めていたが、門を通さず、非常の固めであれば、お通しし難く、老中に掛け合って頂きたいと述べた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When a voltage is not applied to the gate electrode 11, the 2DEG layer is not formed along the interface between the electron travelling layer 3 and the continuous growth inhibition layer 5.例文帳に追加

ゲート電極１１に電圧が印加されていない時に電子走行層３と連続的成長阻止層５との界面に沿って２ＤＥＧ層が形成されない。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an extension region may not extend in the lower part of a gate electrode and a junction leakage current may not be generated when a shared contact is formed.例文帳に追加

エクステンション領域がゲート電極の下側に広がることがなく且つシェアードコンタクトを形成する際に接合リーク電流が発生するおそれがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The insulated gate type bipolar transistor does not increase a first side current sharply even when it becomes the threshold voltage, and does not need to insert a diode, etc. into the secondary coil side.例文帳に追加

前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、スレッシュホールド電圧になっても、一次側電流を急激に増加させるようなことがなく、二次コイル側にダイオード等を挿入する必要がなくなる。 - 特許庁

The drain current value is read at the gate voltage which is not higher than the threshold voltage in the initial state, prior to the semiconductor layer 17 receiving light and is not higher than the voltage ar light reception.例文帳に追加

ドレイン電流値の読み出しは、半導体層１７が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。 - 特許庁

When the spacer member 8 is formed of poly-Si, it is not tapered reversely and etching residue is not generated at the time of patterning the control gate 7.例文帳に追加

このように、スペーサ部材８をｐｏｌｙ−Ｓｉで形成すれば逆テーパ形状が発生せず、コントロールゲート７をパターニングする際にエッチング残りが発生しない。 - 特許庁

In this method, since the thick gate oxide film 8 is not formed in the second element active region, it is unnecessary to remove it, and a large level difference is not formed either in the element isolated region 2.例文帳に追加

この方法では、第２の素子活性領域内には厚いゲート酸化膜８が形成されないため、それを除去する必要がなく、素子分離領域２に大きな段差が形成されることもない。 - 特許庁

To prevent a personal effects management gate for detecting the subject of detection including soft magnetic material from being saturated with detection signals regardless of the amount of magnetic material to be detected and whether or not there is magnetic material that is not the subject of detection.例文帳に追加

軟磁性体を含む検知対象物を検出する携行物管理ゲートにおいて、検知対象となる磁性体の量や検知対象外の磁性体の有無に関わらず検知信号が飽和をすることを回避する。 - 特許庁

To provide a resin molding in which a second transmission part is integrally molded around a first transmission part to be injection-molded, the cutting trace of the gate of the first transmission part is not recognized visually, and appearance quality is not deteriorated.例文帳に追加

射出成形される第１の透過部の周囲に第２の透過部を一体成形した樹脂成形品であっても、第１の透過部のゲートの切断跡が視認されず、外観品質を低下させることのない樹脂成形品を提供する。 - 特許庁

Any contact trench is not formed at the terminal parts so that any electric field can not be imposed, and the concentration of the electric field at the corner parts of the gate trenches generated due to the asymmetrical extension of depletion layers can be relaxed.例文帳に追加

終端部にはコンタクトトレンチを形成しないので電界はかからず、空乏層の延びが非対称になることに起因して発生するゲートトレンチのコーナー部での電界集中を緩和できる。 - 特許庁

The lower sidewall 43 facing the upper sidewall 42 is formed not only to be not parallel to the upper sidewall 42 but also as an inclined wall inclining downward and outward by the inclination angle of θ with respect to the vertical line or gate plate body 30.例文帳に追加

また、上側壁４２と向き合う下側壁４３は、上側壁４２に対し非平行であるばかりでなく、鉛直線又はあおり板本体３０に対し傾斜角θ２だけ外下がりに傾斜する傾斜壁として設けられている。 - 特許庁

Since the molded product 4 is held to the core 2 by the undercut shapes 5a, 5b, it is not shifted into the cavity 1 side with the tension breaking force at the cutting-off of the gate when the molds are opened and also, the deformation is not developed.例文帳に追加

成形品４はアンダーカット形状５ａ、５ｂによりコア２に保持されているので、型開き時のゲート切断時の引張破断の力によりキャビティ１側に移動したり、変形が生じたりすることがない。 - 特許庁

First inspection: Gamma ray inspection Inspection with the all quantity gate type radiation inspection equipment by inspection and quarantine staff(sample survey with portable monitors when the equipment mentioned above is not available).Opening of the containers is not conducted in principle.例文帳に追加

一次検査：γ線検査検験検疫関係者により全数ゲート式放射線検査機器による検査（設置がない場合は携帯式放射線検査機器によるサンプル調査）コンテナの開梱等は原則しない。 - 経済産業省

However, at the transfer gates the combined use of two IC cards is not accepted even when they're interoperable; therefore, if you want use different cards such as ICOCA, Suica or TOICA for transfer to the JR Line, or use PiTaPa for Nankai Electric Railway or Kintetsu Railway, you should go out through the normal ticket gate and then go in through the normal ticket gate for the line to which you want to transfer. 例文帳に追加

ただし、乗り換え改札口では相互利用できるICカードの2枚タッチができないため、JRにはICOCAやSuica、TOICAを、南海や近鉄にはPiTaPaを、と使い分けたい場合は、一旦通常の改札口を出場の上、改めて乗り換え先の通常の改札口から入場しなければならない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When any signal to be monitored in the RTL is not included in the gate level netlist, the signal extracted from the equivalent signal extraction part 190 is used as the signal to be monitored, and the gate level netlist is simulated.例文帳に追加

ＲＴＬ内で監視対象とされた信号がゲートレベルネットリストに含まれない場合に、等価信号抽出部１９０により抽出された信号を監視対象の信号としてゲートレベルネットリストのシミュレーションを行う。 - 特許庁

This technique utilizes a damascene gate process to obtain a MOSFET structure wherein the thickness of an oxide on source/drain regions is not related to the thickness of a gate oxide and a disposable spacer technique to form a super halo doping profile.例文帳に追加

この技法は、ソース／ドレイン領域上の酸化物の厚さがゲート酸化物の厚さとは無関係なＭＯＳＦＥＴ構造を得るためのダマシン・ゲート・プロセスと、スーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを形成するためのディスポーザブル・スペーサ技法とを利用する。 - 特許庁

Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加

これにより、酸素濃度調整薄膜４に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Ｖｔを低減したＭＩＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

An area of a PMOSFET around a gate, which is at least not affecting the characteristic of the transistor, is covered with a resist 10, and oblique ion pouring for drain engineering is effected under a gate electrode 7 on a P-well area 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴの、少なくともトランジスタ特性に影響を与えないゲート周りの領域をレジスト１０で覆い、Ｐウェル領域１の上であって、ゲート電極７の下にドレインエンジニアリングのための斜めイオン注入を行なう。 - 特許庁

The gate electrode 8b for diode is formed in a region where a p-type body layer 3a is formed, and has such a structure that a trench 6b in which the gate electrode 8b for diode is arranged does not reach an n^- type drift layer 2.例文帳に追加

そして、ダイオード用ゲート電極８ｂについては、ｐ型ボディ層３ａが形成されている領域に形成されるようにし、ダイオード用ゲート電極８ｂが配置されるトレンチ６ｂがｎ^-型ドリフト層２まで達しない構造とされるようにする。 - 特許庁

To provide a stable SiC-MOSFET having a threshold voltage not being temporally varied even when channel resistance is restrained and thereafter a high electric field is applied to a gate electrode during operation at high temperature, in an insulated gate type semiconductor device using a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗を抑制した上で、高温下における動作時にゲート電極に高電界を印加しても、閾値電圧が経時的に変動しない安定したSiC-ＭＯＳFETを提供する。 - 特許庁

When a period wherein the voltage of not less than a gate trigger is applied to the gate of the thyristor exceeds a pre-set limit period, a control means controls the operation of the switching circuit so that the thyristor and the first input line are conducted.例文帳に追加

制御手段は、サイリスタのゲートにゲートトリガ以上の電圧が印加された期間が予め設定された制限期間を超えた場合に、サイリスタと第１入力ラインとを導通させるように、スイッチ回路の動作を制御する。 - 特許庁

When the mode is change to the PW mode after the measurement in the CW mode in the set state, a PW cursor as shown in the figure is set so as to be superposed on the CW cursor 100, and a PW gate as not shown in the figure is set at the same position as the CW gate C_G.例文帳に追加

この設定状態でＣＷモードによる測定が行われた後にＰＷモードへ切り換えられると、ＣＷカーソル１００に重なるように図示しないＰＷカーソルが設定され、ＣＷゲートＣ_Ｇと同じ位置に図示しないＰＷゲートが設定される。 - 特許庁

The sub stack body 6 including: an insulating layer 5X which is arranged adjacent to a gate insulating layer 4; and a semiconductor layer 5Y which is not arranged adjacently, is disposed on the gate insulating layer 4 in the same process as that of a main stack body 5 of a TFT 11.例文帳に追加

この副積層体６は、ゲート絶縁層４に隣接する絶縁層５Ｘおよびそれに隣接しない半導体層５Ｙを含んでおり、ゲート絶縁層４の上にＴＦＴ１１の主積層体５と同一工程において形成されている。 - 特許庁

To provide an active matrix display device which is not likely to cause peeling of a conductive layer formed on a gate insulating film while using a top gate film transistor using a polycrystal semiconductor in a channel area, and to provide a method for manufacturing the display.例文帳に追加

チャネル領域に多結晶半導体を使用したトップゲート型薄膜トランジスタを使用しながらもゲート絶縁膜上に形成する導電層の剥離を生じ難いアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the management server 1 requests a test operation with the set patterns for each of the automatic ticket gate machines 2, and infers a program that causes the failure on the basis whether the failure occurs or not in the test operation, which is notified from the automatic ticket gate machines 2.例文帳に追加

そして、自動改札機２毎に、設定パターンでのテスト稼働を要求し、自動改札機２から通知された、テスト稼働における障害の発生有無に基づいて、今回発生した障害の原因であるプログラムを推定する。 - 特許庁

A signal propagation inspection means 1c allocates the signal value generated by the signal value generation means 1b to gate input connected to the signal line by which the signal value is generated and checks whether or not the other input of a gate performs signal propagation only with the signal value.例文帳に追加

信号伝搬検査手段１ｃは、信号値生成手段１ｂより生成され信号値を、その信号値が生成された信号線と接続されているゲート入力に割り当て、その信号値でのみゲートの他の入力が信号伝搬するか調べる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device for controlling threshold voltage with sufficient accuracy, by appropriately setting increment for an initial control gate voltage and a control gate voltage when a stage progress stepwisely, so as not to be different in stages in completing writing for each state.例文帳に追加

書き込みを完了する段階が状態毎に異ならないように初期の制御ゲート電圧及び段階が進む場合における制御ゲート電圧の増分の設定を適切に行い、閾値電圧を精度よく制御することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An XOR circuit 30 determines whether an output of a positive logic gate circuit 10 which selects one of logic signals A, B and an output of a negative logic gate circuit 20 which selects one of inverses A_, B_ of the signals are matched or not.例文帳に追加

論理信号Ａ，Ｂの一方を選択する正論理ゲート回路１０の出力と、その反転信号Ａバー，Ｂバーの一方を選択する負論理ゲート回路２０の出力とが一致するか否かをＸＯＲ回路３０で判定する。 - 特許庁

Also, by the operation of the solenoid 44, the opening/closing lid 32 is opened/closed linked with the opening/closing of the return gate 27 when a jammed coin is present at the coin inspection part 23 and only the return, gate 27 is opened/closed when the jammed coin is not present at the coin inspection part 23.例文帳に追加

また、ソレノイド４４の動作により、検銭部２３に詰まり硬貨があるときは、返却ゲート２７の開閉に連動して開閉蓋３２が開閉し、検銭部２３に詰まり硬貨がないときは、返却ゲート２７のみ開閉する。 - 特許庁

An automatic ticket gate system 3 through which the employees pass subtracts a traffic fare from the electronic value balances of the credit cards 1a to 1c for performing prepaid settlement, and when the electronic value balance is not more than the charge judgment value, the automatic ticket gate system performs credit settlement for charging electronic values of the same value as the charge value.例文帳に追加

従業者が通過する自動改札システム３は、クレジットカード１ａ〜１ｃの電子バリュー残高から乗車料金を差し引いてプリペイド決済を行い、電子バリュー残高が補充判定額以下になるときは、補充額と同額の電子バリューを補充するクレジット決済を行う。 - 特許庁

Thereby, a potential difference V_gs between a gate and a source of a transistor T_WS can be smaller as compared with a case that the voltage of the gate line WSL is V_off1 (V_off in Fig.18 (not shown)) in the Vth correction preparation period.例文帳に追加

これにより、Ｖｔｈ補正準備期間においてゲート線ＷＳＬの電圧がＶ_ｏｆｆ１（図１８ではＶ_ｏｆｆ）となっている場合と比べて、トランジスタＴ_ＷＳのゲート−ソース間の電位差Ｖ_ｇｓを小さくすることができる。 - 特許庁

In the insulating film 8 among electrodes, the film thickness of at least a part among an area excluding a corner 3c not in contact with the gate insulating film 2 among corners 3c and 3d belonging to the first gate electrode 3 is smaller than that of at least a part of an area covering the corner 3c.例文帳に追加

また、電極間絶縁膜８は、第１のゲート電極３が有する角部３ｃ，３ｄのうちゲート絶縁膜２と接触していない角部３ｃ以外を覆っている部分の少なくとも一部の膜厚が、角部３ｃを覆っている部分の少なくとも一部の膜厚よりも薄く形成されている。 - 特許庁

A first transfer electrode 6 of the vertical charge transfer register 4 does not extend to the read-out gate 130 side, and the side 18 of a light shielding film 14 composed of a metallic material is arranged on the read-out gate 130 through an insulation film 126.例文帳に追加

垂直電荷転送レジスター４の第１の転送電極６は読出しゲート部１３０側には延出せず、金属材料による遮光膜１４の側部１８が読出しゲート部１３０の上に絶縁膜１２６を介して配置されている。 - 特許庁

In this medium processing device, a gate which opens insertably by using medium rigidity of prescribed specifications is prepared at the medium insertion part of the card-type medium and the gate is made so as not to effectively open by medium rigidity thinner than the medium of prescribed specification.例文帳に追加

カード状媒体の媒体挿入部に、仕様規定媒体の剛性を利用して挿入可能に開口するゲートを設け、仕様規定媒体より薄い媒体の剛性ではゲートが有効に開口しないようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing light diffusion plate capable of economically molding a large-size light diffusion plate by using a mold for injection molding having a multi-pinpoint gate and capable of treating an obtained molding so that a pinpoint gate trace does not exert an optical influence on a display screen.例文帳に追加

多点ピンポイントゲートを有する射出成形用金型を用いて大型の光拡散板を経済的に成形し、得られた成形品をピンポイントゲート跡が表示画面に光学的影響を与えないように処理することができる光拡散板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Ions of impurities are implanted to the surface layer of the substrate using the gate electrode as a mask on a condition that an angle is not more than 7° formed between a line image vertically projecting the progressing direction of an ion beam on the substrate surface and both edges of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとして、基板の表層部に、イオンビームの進行方向を基板表面に垂直投影した線像と、ゲート電極の両側の縁との成す角度が７°以下になる条件で、不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A staff in charge of the entrance for reading an item described on the ticket to confirm the item does not have to be arranged because the facility is provided with an entrance gate device and the entrance gate device reads the information from the IC chip to control the entrance of the ticket bearer.例文帳に追加

施設には入場ゲート装置を設けて、この入場ゲート装置がＩＣチップから情報を読み込んでチケット持参者の入場をコントロールするため、チケットに記載された事項を読み取って確認する入口担当係員を配置する必要がなくなる。 - 特許庁

By this ticket issue system, preceding to issue a railroad ticket at a ticket machine 1 or to issue a liquidation ticket at a liquidation machine 2, ticket information recorded on the ticket is transmitted to an automatic ticket gate 3, and the automatic ticket gate 3 judges whether passage must be permitted or not supposing that these tickets are thrown in.例文帳に追加

券売機１での乗車券の発行や、精算機２での精算券の発行に先だって、券に記録した券情報を自動改札機３へ送信し、自動改札機３において、これらの券が投入された場合を想定して通行を許可するか否かを判定する。 - 特許庁

This automatic ticket gate 11 judges whether the passage through the passage way of the automatic ticket gate 11 is permitted or not on the basis of the ticket information stored in the inserted ticket 8, when two sheets of slips, that is, the ticket 8 and a member card 7 are inserted.例文帳に追加

自動改札機１１は、乗車券８、および会員カード７の２枚の券が本体に投入されると、投入された乗車券８に記憶されている乗車券情報に基づいて自動改札機１１の通路の通行可否を判断する。 - 特許庁

The gate impurity region 6 (impurity region 2) has such a concentration profile as not varying the gate capacity (effective impurity concentration of channel and channel resistance) for a conventional FET having an impurity concentration optimized by a constant value.例文帳に追加

また、ゲート不純物領域６（不純物領域２）は、不純物濃度を一定値で最適化した従来のＦＥＴに対し、ゲート容量値（チャネルの実効不純物濃度およびチャネル抵抗）を変化させない濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

To solve a problem that the capacitive voltage conversion sensitivity of capacitive voltage conversion circuits is dispersed for each JFET by the dispersion of the drain current and a good angular velocity signal is not obtained in a source follower circuit connected with gate resistors between gate sources via JFETs.例文帳に追加

容量電圧変換回路を、ＪＦＥＴ２１，３１を用いてゲート・ソース間にゲート抵抗２１ｄ，３１ｄを接続した構成のソースホロア回路では、ドレイン電流のバラ付きにより容量電圧変換感度がＪＦＥＴ毎にバラ付き、良好な角速度信号が得られない。 - 特許庁