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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > NOT-AND gateに関連した英語例文

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NOT-AND gateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1036



例文

The semiconductor storage device provided with memory cells for storing the data in accordance with whether electric charges such as an electron are accumulated or not in a floating gate FG, has a feature that the data desirable to be restored are stored by making these memory cells to a first memory cell Q2 having a first charge exchange capability and a second memory cell Q3 having a second charge exchange capability.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲートFGに電子などの電荷を蓄積するまたはしないことによりデータを記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、そのメモリセルを第1の電荷交換能力を持つ第1のメモリセルQ2と第2の電荷交換能力を持つ第2のメモリセルQ3にすることで、復活させたいデータを記憶させることを特徴とする。 - 特許庁

In creating a simulation model by converting logic at the gate level into a basic primitive which can be executed by a simulator in a simulation model creating part, gates which can be deleted that do not influence the number of delay steps with respect to the basic primitive are decided and deleted at a degradation processing part 26.例文帳に追加

シミュレーションモデル作成部でゲートレベルの論理をシミュレータで実行可能な基本プリミティブに変換してシミュレーションモデルを作成する際に、縮退処理部26で基本プリミティブを対象にディレイ段数に影響をあたえることのない削除可能なゲートを判定して削除する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a minimal-width pulse signal is output from the generation means of a PWM signal in a conventional switching power supply circuit, the on/off-speed of an output transistor cannot follow the pulse signal, thus causing a gate drive loss that does not contribute to the control of an output voltage, and the wasteful consumption of a drive current.例文帳に追加

従来のスイッチング電源回路においては、PWM信号の発生手段から微小幅パルス信号が出力された場合、出力トランジスタのオン・オフ速度が、このパルス信号に追従できないため、出力電圧の制御には寄与しないゲート駆動損失が発生して、無駄な駆動電流を消費することとなってしまう。 - 特許庁

This is the active matrix type liquid crystal display device using a TFT array, a dummy passivation film 12 using the same material as a passivation film 7 in a TFT part is arranged in the neighborhood of the passivation film 7 in the TFT part at the position on a gate electrode 4 and also at the position not overlapped with a source electrode 9.例文帳に追加

TFTアレイを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、TFT部におけるパッシベーション膜7と同一の材料を用い、TFT部におけるパッシベーション膜7の近傍であって、ゲート電極4上に位置するとともに、ソース電極9とは重ならない位置にダミーパッシベーション膜12を配置する。 - 特許庁

例文

In the automatic transmission 2 for automatically changing a speed of a manual transmission 1 by actuators, the actuators 42, 43 are controlled so as to be positioned in an NR region nearer to reverse position for reverse gear which is not provided with the synchromesh than the neutral position of reverse and fifth-speed gate, when neutral is demanded by a driver.例文帳に追加

手動変速機1をアクチュエータによって自動変速する自動変速機2において、ドライバからニュートラル要求が出された時に、前記アクチュエータ42、43がリバースおよび5速ゲートのニュートラル位置よりシンクロ機構を備えていないリバースギヤ用のリバース位置寄りのNR領域に位置するように制御される自動変速機におけるニュートラル制御装置。 - 特許庁


例文

In a salicide formation process, a detecting wiring line 217 for connecting a floating diffusion 203 and a gate electrode 104g of an amplification transistor 104 is formed in the form of a high-melting-point metallic material not reacting with the silicide reaction on a non-silicon surface generated in the salicide formation process.例文帳に追加

サリサイド形成過程において、フローティングディフュージョン203と増幅トランジスタ104のゲート電極104gとを接続する検出用配線217を、サリサイド形成過程に発生する非シリコン表面上のシリサイド化反応していない高融点金属材料を利用して形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

SOI基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生MOS FETが形成されることが無いSOI型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 22 comprises a protection circuit part 55 for judging whether a calculated drive signal is outputted correctly or not, a gate drive circuit part 59 which switches to energize an assisting actuator 9 only when the calculated drive signal is correctly outputted, and a transistor 62.例文帳に追加

コントロールユニット22は、演算した駆動信号が正常に出力されているかどうかを判定するプロテクション回路部55と、演算した駆動信号が正常に出力されている場合のみアシストアクチュエータ9への通電を行うよう切り換えるゲート駆動回路部59、トランジスタ62を備えた。 - 特許庁

When a ticket bearer does not enter a specified area around the place of the event by specified time before the event starts, the ticket which is so set that the ticket can be canceled becomes void and a ticket in a waiting list becomes valid to allow an entry into the place of event through a ticket gate device 214 with the ticket.例文帳に追加

チケットの所持者がイベントの開演前の所定時刻までに会場を中心とした所定エリア内に来ないと、キャンセル可能として設定されたチケットが無効となり、キャンセル待ちのチケットがこれに応じて有効なチケットとなってチケットゲート装置214を通過して会場に入場できるようになる。 - 特許庁

例文

By providing the two input circuits, a potential level at the output portion of the MOS transistor T11a can be increased by the capacitor C during a shift operation, and even if the potential level at the output portion of the MOS transistor T11a is increased, a gate stress is not applied to the MOS transistor T14.例文帳に追加

2系統の入力回路を設けることにより、シフト動作時に、MOSトランジスタT11aの出力部における電位レベルをコンデンサCによって上昇させることができるとともに、MOSトランジスタT11aの出力部における電位レベルが上昇してもMOSトランジスタT14にゲートストレスが与えられない。 - 特許庁

例文

An axis to be effective corresponding to a designated test is preliminarily stored in the effective axis selection table memory part 11 and a signal to decide whether or not operation signals from an interface i/f 6 to the effective axis selection gate part 7 corresponding to the state a test procedure selection switch group 9 is designated.例文帳に追加

有効軸選択テーブル記憶部11では指定された検査に応じて有効とすべき軸があらかじめ記憶され、検査手技選択スイッチ群9の指定された状態に応じて、有効軸選択ゲート部7に対してインターフェースi/f6からの操作信号を、制御駆動部8に出力すべきか、否かを決めるための信号を出力する。 - 特許庁

When a vehicle sensor A 13 detects a vehicle 51 in a given position before a gate 20, a control part of a roadside device body 11 of a roadside device 10 communicates by radio with an onboard device 30 via an antenna 12 to read ID information on the onboard device 30, and determines whether charging processing has been finished or not.例文帳に追加

路側装置10の路側装置本体11の制御部は、車両センサA13によってゲート20の手前所定位置にある車両51が検出されると、アンテナ12を介して車載装置30との間で無線通信を行い、車載装置30のID情報を読み取って課金処理が未完了であるか否かを判断する。 - 特許庁

Since the call is reported by the reporting part 14 provided in the terminal 10 when a called person passes a gate facility 40, in comparison with calling by broadcasting utilizing a conventional broadcasting facility, there are merits that the call is accurately reported to the called person and uncomfortable feelings due to broadcasting for calling are not imparted to the called person.例文帳に追加

呼出対象者がゲート設備40を通過する際に端末10が具備する報知部14によって呼出を報知するので、従来の放送設備を利用した放送による呼出に比較して、呼出対象者に的確に呼出を報知することができるとともに、呼出放送によって呼出対象者に不快感を与えることが無くなるという利点がある。 - 特許庁

To provide a high-reliability toll road fee collecting method not requiring a dial call from a portable terminal or the transmission of the vehicle transit information by a telephone to a superhighway toll gate only by turning on the portable terminal for moving body communication such as a cell phone without requiring a dedicated terminal mounted on a vehicle and capable of adequately preventing the modification of a number plate.例文帳に追加

本発明は、携帯電話等の移動体通信用の携帯端末によって車両に搭載する専用端末が不要で、携帯端末の電源を入れておけば、携帯端末からのダイヤルによる発呼や、高速道路料金精算所への電話による車両通過情報伝達をしなくても良く、さらに、ナンバプレートの変造に対しても十分予防できる信頼性の高い有料道路料金徴収方法を提供する。 - 特許庁

A clamp voltage control circuit 40 controls a voltage applied to each back gate of n-channel MOS transistors(TRs) MN13 and MN14 being clamp means of differential amplifiers 30a-30c through a negative feedback loop employing an operational amplifier 20 on the basis of a constant voltage signal D not affected by fluctuation of the power supply voltage so as to keep the clamp voltage constant.例文帳に追加

クランプ電圧制御回路40が、差動増幅器30a〜30cのクランプ手段であるnチャネルMOSトランジスタMN13およびMN14の各バックゲートに印加する電圧を、オペアンプ20を用いた負帰還ループにより、電源電圧の変動に影響しない定電圧信号Dに基づいて制御することでクランプ電圧を一定に保持する。 - 特許庁

Related to a thin-film transistor substrate of 'In-Plane Switching' mode channel digging type, an etching-resistant reference surface 23, which is not etched at etching of a channel part 24, is formed on a gate insulating film 15, and a part of the etching-resistant reference surface 24 is formed under the layer of a source electrode 19.例文帳に追加

In Plane Switchingモードチャネル掘り込み型薄膜トランジスタ基板において、チャネル部24のエッチング時にエッチングされない耐エッチング性基準面23をゲート絶縁膜15上に形成し、耐エッチング性基準面23の一部をソース電極19の下層に形成する。 - 特許庁

At least one end side of a semiconductor layer 14a is arranged outside a region for forming the parasitic capacitance Cgd while one end side separates from the end side of the region for forming the parasitic capacitance Cgd, by not less than the distance of tolerance Δe in the relative position deviation of the gate electrode 14G, the semiconductor layer 14a, a source electrode 14S, and the drain electrode 14D.例文帳に追加

この半導体層14aの少なくとも一端辺を、前記寄生容量Cgdを形成する領域の端辺から、ゲート電極14G、半導体層14a、ソース電極14Sおよびドレイン電極14Dの相対的な位置ずれの許容誤差Δeの距離よりも離れて、前記寄生容量Cgdを形成する領域の外側に配置する。 - 特許庁

In a body region 30 of an insulated gate semiconductor device 20 which is constituted as a trench IGBT and in the body region 30 in a bonded part to an emitter region 32, a high concentration region 34 is formed by using P-type semiconductor whose impurity concentration is higher than that of the body region 30, so as not to be in contact with trench gates 28.例文帳に追加

トレンチIGBTとして構成された絶縁ゲート型半導体装置20のボディ領域30とエミッタ領域32との接合部分のボディ領域30内にトレンチゲート28とは接触しないようボディ領域30より不純物濃度が高いp型半導体により高濃度領域34を形成する。 - 特許庁

When the user card 10 is stolen, the monitor server 30 extracts ID by referring to a personal information database 40 based on the personal information of the user car 10 transmitted by a police station server 50, and at the time of receiving the ID from the authenticating device 20, the monitor server 30 reports it to the police station server 50 not to permit the authenticating device 20 to open the gate.例文帳に追加

ユーザ車10が盗難された場合、監視サーバ30は、警察署サーバ50が送信したユーザ車10の個人情報をもとに、個人情報データベース40を参照してIDを抽出し、認証装置20からこのIDを受信したら、警察署サーバ50に通報し、ゲート開放を不許可にする。 - 特許庁

To make people always to recognize a position of evacuation gate by adding a time display function without detracting evacuation function to evacuation light, particularly an evacuation light deployed near headliner to indicate evacuation direction, in consideration of actual condition where evacuation lights are not always conscious by many people and their whereabouts tends to go unheeded.例文帳に追加

本発明は、避難誘導灯が、常時は多くの人に意識されず、その所在が見過ごされがちになっている現状に鑑みて、この避難誘導灯、中でも天井付近に配設される避難方向を示す誘導灯に、その誘導機能を損なうことなく時刻表示機能を付加することによって、常に人々に避難口の位置を認識させられるようにしようとするものである。 - 特許庁

The converter controller 9, when receiving the VBO protection request signal 81, compares an operation control delay angle α at that time with a range of such a control delay angle where the loss of a snubber resistor does not exceed an allowable value even after continuous VBO firing operation and transmits a conduction period signal 91 corresponding thereto to the gate generation device 3.例文帳に追加

変換器制御装置9は、VBO保護要請信号81を受信すると、その時の運転制御遅れ角αと、連続VBO点弧運転を行ってもスナバ抵抗器の損失が許容値を超過しない制御遅れ角の範囲とを比較し、それに応じた導通期間信号91をゲート発生装置3に送信する。 - 特許庁

In the drain region 8D between a pair of drain contacts 10D, a high-resistance region 30D in which the on-drain silicide film 5D is not formed, is provided at least in a region between a terminal position of a drain contact 10D at the side of the gate electrode 4 and the sidewall spacer 7.例文帳に追加

一対のドレインコンタクト10D間に位置するドレイン領域8Dのうち、少なくともドレインコンタクト10Dのゲート電極4側の端部位置とサイドウォールスペーサー7との間の領域に、ドレイン上シリサイド膜5Dが形成されていない高抵抗領域30Dが設けられている。 - 特許庁

The time constant defined by the on resistor of the gate 72 and the input capacitor of the inverter 73 is made larger within the operating frequency range of a shift register so that the input potential of the inverter 73 dose not reach the threshold voltage of the inverter 73 within a skew period.例文帳に追加

トランスファーゲート72のオン抵抗と第2インバータ73の入力容量とによって規定される時定数を、シフトレジスタの動作周波数範囲内で大きくして、第2インバータ73の入力電位がスキュー期間内に第2インバータ73のスレッショルド電圧に到達させないように構成されている。 - 特許庁

When the task in execution is switched by the other task prior to the switching timing, the task scheduler 101 delays the switch until the switching timing, and turns off a corresponding clock gate (G-1) or (G-2) when there is a device group in which all the IO devices are not used.例文帳に追加

タスクスケジューラ101は、実行中タスクが前記スイッチタイミング以前に他のタスクにスイッチされようとする場合、前記スイッチタイミングまでスイッチを遅延させるとともに、全てのIOデバイスが利用されていないデバイスグループが存在すると対応するクロックゲート(G−1)あるいは(G−2)をオフにする。 - 特許庁

After a lapse of a first predetermined time from a first time point, at which the microphone collects a first clap sound and the edge pulse generator generates a first edge pulse corresponding to the first clap sound, the determination processing circuit 111 generates a first gate having a first time width for detecting whether a second clap sound is generated or not.例文帳に追加

判定処理回路111は、マイクが最初の拍手音を収音し、エッジパルス生成器が最初の拍手音に対応した第1のエッジパルスを生成した第1の時点から第1の所定の時間が経過した後に、2回目の拍手音が発生されたか否かを検出するための第1の時間幅を有する第1のゲートを生成する。 - 特許庁

A phase shifter 21 is extended in such a manner that a shifter pattern image 121 produced by illuminating the Levenson phase shift mask having the phase shifter 21 formed thereon and a trim pattern image 131 produced by illuminating a trim mask having a trim pattern 31 formed thereon do not overlap with each other at a position extended in a direction distancing from a gate electrode 11a.例文帳に追加

位相シフタ21が形成されたレベンソン位相シフトマスクが照明されることで生ずるシフタパターン像121と、トリムパターン31が形成されたトリムマスクが照明されることで生ずるトリムパターン像131とが、ゲート電極11aから離れる方向へ延長する位置にて互いに重ならないように、その位相シフタ21を延長する。 - 特許庁

The device is provided with a monitor circuit 2 monitoring the characteristics of a transistor where prescribed voltage is applied to the gate electrode, a temperature raising circuit 5 raising the temperature of the transistor, and a control circuit 4 operating the temperature raising circuit 5 when the deterioration of the characteristics of the transistor is not less than a prescribed threshold based on the characteristics of the transistor monitored by the monitor circuit.例文帳に追加

所定の電圧がゲート電極に印加されるトランジスタの特性をモニタするモニタ回路2と、トランジスタの温度を上昇させる温度上昇回路5と、モニタ回路によりモニタされたトランジスタの特性に基づいて、トランジスタの特性の劣化が所定のしきい値以上である場合に、温度上昇回路5を作動させる制御回路4とを有する。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第2サイドウォール部46の第2下部絶縁膜54は、P型半導体基板12の上表面12Aの上表面12Aの上表面12A上においてシリコン酸化膜62の分だけ第1サイドウォール部26のシリコン熱酸化膜34よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜62は第2ゲート電極42の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

A control part 1510 provided by gate-arrayed security IC determines whether or not a change is made in an operation program 1501 stored in a ROM 201, and when the change is made, the control part 1510 restores the program to the original program, whereby even if the program is altered, it is automatically restored to conduct the game progress control as usual.例文帳に追加

ゲートアレイ化されたセキュリティICが備える制御部1510は、ROM201に記憶されている動作プログラム1501に変更があるかを判定し、この変更があった場合には制御部1510が本来のプログラムに修復するので、たとえプログラムが改ざんされても自動修復して通常通りに遊技進行制御が行えるようになる。 - 特許庁

(Note 2) In principle, removal costs (costs to demolish existing buildings pertaining to rebuild or remove existing facilities, unless incurred integrally with refurbishment of facility), exterior work costs ( an outside light, a gate, a fence, a parking lot, planting, and etc. excluding those integrally developed with necessity.), costs of relocation of existing facilities and facility construction costs not directly connected with the facility itself will not apply. The same applies for survey design costs, facility costs, and facility rental charges. 例文帳に追加

(注2)原則として、撤去費(建て替えに伴う既存建物解体費、既存設備の撤去費など。ただし、既存建物の改修工事と一体的に解体や撤去を行う場合を除く。)、外構工事費(外灯、門扉、フェンス、駐車場、植栽等。建物本体と一体的に整備する必要があるものを除く。)、既存設備の移設に要する経費及び施設本体に直接関係のない施設工事費等は補助対象とはならない。調査設計費、設備費等及び施設賃借料についても同様とする。 - 経済産業省

Additionally, although the details of samurai residences are still not clear to this day, a typical residence consisted of the following up until the Muromachi period: In one building or a building with annexes, various rooms, such as a tosaburai (tosamurai), where samurai gathered, a shinden and taimen-jo (meeting place), where the samurai spent their days, Dei (Idei) as a guest room, Kumonjo (Office of Administration) and a living room, were placed with strong walls and moats surrounding the buildings, and the garden are was also smaller in comparison with Shinden-zukuri style, matching the smaller-sized buildings, and a front garden with a Chumon gate and entranceway was placed instead of the large garden typical of Shinden-zukuri style, and inside courtyard was divided into smaller sections mainly for viewing. 例文帳に追加

そのほか、武家住宅の実態は今日でも十分解明されているとはいい難いが、およそは一棟あるいは棟続きの家屋の中に武士の詰所である遠侍や表座敷としての寝殿、対面所、客間として出居、公文所、居間などの諸室を配して周囲には堅固な塀や堀をめぐらすほか、小規模な家屋に対座して庭空間も寝殿造に比して小面積で、中門や車寄せの前庭が寝殿造の広庭にとってかわり、内庭が分化して鑑賞本位になっているとみられ、この基本構成は室町まで踏襲されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The TV-adapted story differs from historical facts in that, in the TV play, even the name of Noritoshi INOKUMA is not mentioned, Karahashi no Tsubone is a naishi no jo (a woman officer who carries the Emperor's sword when accompanying him out of the Palace), Bingo KANEYASU is a watchdog at the Okunomon (Inside Gate), the destination of banishment of Tadanaga KAZANIN is Tsugaru, the punishment of court nobles was intended by Ieyasu TOKUGAWA to expel pro-Toyotomi nobles from the Imperial Court, and Ieyasu TOKUGAWA disagreed to Emperor Goyozei's proposal only to restrain the behaviors of Hirohashi no Tsubone and other court ladies and instead ordered them to be banished (this means that Emperor Goyozei's proposal for punishment had been more lenient). 例文帳に追加

ドラマ中では、猪熊教利が名前すら登場しないこと、唐橋局が掌侍であること、兼安備後が奥の門の見張り役であること、花山院忠長の配流先が津軽であること、公家の処分が徳川家康による豊臣家を支援する公家の宮中からの追放を意図したものであること、広橋局以下女官を謹慎とする後陽成帝の案に対して徳川家康が難色を示し配流となったこと(後陽成帝の処分案が手ぬるいことになる)が異なる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By letting the parent prepaid card 1 settle the amount including the fares of the child prepaid card 2 in one lump sum, the system enables going in and out the ticket gate at the station by the child prepaid card 2 that does not have a fare settlement function, and saves the trouble of buying a ticket, by possession of parent and child prepaid cards.例文帳に追加

入場者数記録・入出場記録・精算機能を可能とした親プリペイドカード1と入出場記録を可能とした子プリペイドカード2、入出場者数を入力・解析機能を備えた親子プリペイドカード対応自動改札機5を用い、親プリペイドカード1に子プリペイドカード2の分も含めた金額を一括精算させることで精算機能を持たない子プリペイドカード2による駅の改札内への入出場を可能とし、親子プリペイドカードを所持することで切符を買う手間をなくすことができる。 - 特許庁

In this removing unit, the gate cutting unit 25 having the cutting jig is mounted via a height regulating bar 22 substantially not extending directly to a lateral midway site or in a longitudinal direction by avoiding an extended end of the frame 11, and a direction of an operating surface of the unit 25 is set upward to form a substantially right angle to the direction of the surface of the molding residual mold.例文帳に追加

射出成形機50の左右方向に延出する左右フレーム11に沿って成形品を取り出すトラバースタイプの取出機において、切断治具が配設されたゲートカットユニット25を左右フレーム11の延出端を避けて左右方向途中部位に直接又は前後方向に実質的に延出しない高さ調整バー22を介して取り付け、該ゲートカットユニット25の作用面の向きを成形品残存型面の向きに対して略直角をなす上向きとした。 - 特許庁

To provide a field programmable gate array (FPGA) capable of analyzing whether an instable state caused by a different timing in synthesis and mapping depends on a design error or mapping when evaluating an FPGA that does not comprise a spare cell for circuit correction.例文帳に追加

本発明はそれぞれ設定データにより内部機能が決まる複数のセル・ロジック・アレイ・ブロック(CLAB)が各CLAB間の信号の接続を切り替えるスイッチにより接続されたフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイに関し,フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイについて評価を行う時に,合成及びマッピングの度にタイミングが異なることによる不安定な状態が設計ミスなのかマッピングによるものかを解析することができることを目的とする。 - 特許庁

例文

A multiplex transmission circuit comprising an input register (304) storing a primary data character of start-stop system to be transmitted, an inputting process of a secondary data character (302) receiving the secondary data character such as status control signals, an output registers (305), a gate (330-332) transferring primary data characters to the output register (305) from the input register (304) when the output register is open and the input register is full, a transfer device (351) transferring a secondary character with given instruction bit to the output register (305) from the secondary data input system when the input register (304) is not full, a means to output data character in the output register to output line (110). 例文帳に追加

送信する調歩式一次データキャラクタを格納する入力レジスタ(304)と、ステータス制御信号等の二次データキャラクタを受入れる二次データキャラクタ入力手段(302)と、……出力レジスタ(305)と、……出力レジスタが空で、入力レジスタが一杯の時一次データキャラクタを入力レジスタ(304)から出力レジスタ(305)へ転送するゲート手段(330~332)と、……入力レジスタ(304)が一杯でない時二次キャラクタを二次データ入力手段からマーク指示ビット等を付与して出力レジスタ(305)へ転送する転送手段(351)と、……出力レジスタ内のデータキャラクタを出力線(110)へ出力する手段とを備えた多重化送信回路。 - 特許庁

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