「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gate is then converted to a tapered gate and is given paths going through the bottom gate input(s) that are not timing critical.例文帳に追加

ゲートは次にテーパ付きゲートに変換され、タイミング・クリティカルでない底部ゲート入力を通る経路を与えられる。 - 特許庁

In the AND gate 72, a part of the active period of the enable pulse EN is used as a signal of the active period of a gate pulse GATE so that gate pulses GATE of each stage are not overlapped one another by taking logical product of the output pulses OUT1, OUT2.例文帳に追加

ＡＮＤゲート７２は、出力パルスOUT1，OUT2の論理積を取ることで、各段のゲートパルスGATEが互いにオーバーラップしないように、イネーブルパルスＥＮのアクティブ期間の一部をゲートパルスGATEのアクティブ期間の信号として用いる。 - 特許庁

The first segment 21 has a girder height, in which the segment 21 is not brought into contact with a gate 6 for the opening section 3 when the gate 6 is pulled up, and is arranged so as not to be brought into contact with the gate 6 when the gate 5 is pulled up.例文帳に追加

第１セグメント２１は、開口部３のゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しない桁高さを備え且つゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しないように配置されている。 - 特許庁

The gate and bridge in the design do not represent any actual buildings.例文帳に追加

デザインの中の門と橋は実在のどの建造物も表していない。 - 浜島書店 Catch a Wave

To provide a gate apparatus which requires only a small setting space and does not generate noise.例文帳に追加

設置スペースが小さく騒音が発生しないゲート装置を提供する。 - 特許庁

If we let you go with nothing, a curse will be placed on our family and our clan. The one who has come as a killer does not consider it as a sanmon gate (temple gate), but handles it as ana-mon (hole gate) which is a nohozu mon (sloppy gate). If midomo (I) become the Nio-mon (Nio Gate, a gate to prevent devils), it is all right. Once I refuse it, my life will be a Torano-mon gate (Tiger Gate). Mon ga mogaite-mo mon kanawanu (No matter how hard I may struggle, I cannot attain my desire). Shall I give my head or take me up? Give an answer. Come on, come on....Nan-mon (South Gate), Nan-mon.' 例文帳に追加

「うぬその儘に帰りなば、一家一門たたりが行く、討手に参った某を、山門とも思わずに、穴門すったるのほうず門、身共が仁王門になればよし、いやじゃなんぞともんすが最後、おのが命を寅の門、もんもがいても、もん叶わぬ、首を渡すか腕廻すか、返答はサア、サア、・・・・南門、南門。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since it is not needed to anodically oxidize the gate electrode and the gate bus line, it is not needed to form a short circuit line.例文帳に追加

ゲート電極及びゲートバス配線を陽極酸化する必要がないため、短絡配線を形成する必要はない。 - 特許庁

A first gate electrode 105A having a first gate length (relatively short gate length) is fully silicided, and a second gate electrode 105B having a second gate length (relatively long gate length) is not fully silicided.例文帳に追加

第１のゲート長（相対的に短いゲート長）を持つ第１のゲート電極１０５Ａがフルシリサイド化されているのに対して、第２のゲート長（相対的に長いゲート長）を持つ第２のゲート電極１０５Ｂはフルシリサイド化されていない。 - 特許庁

Specifically, a NOT gate 12 to which the power source VCC2 is supplied to operate and a NOT gate 13 to which the power source VCC1 is supplied to operate are connected in series and an input terminal of the NOT gate 13 is pulled down by a resistance element 14.例文帳に追加

具体的には、電源ＶCC２が供給されて動作するＮＯＴゲート１２と電源ＶCC１が供給されて動作するＮＯＴゲート１３とを直列に接続し、ＮＯＴゲート１３の入力端子を抵抗素子１４でプルダウンする。 - 特許庁

A first transfer gate TG1 for inputting first and first inversion clock gate signals ZG1, XG1 and a second transfer gate TG2 for inputting second and second inversion clock gate signals ZG2, XG2 are not turned on simultaneously.例文帳に追加

第１及び第１反転クロックゲート信号ZG1 ，XG1 を入力する第１トランスファーゲートTG1 と第２及び第２反転クロックゲート信号ZG2 ，XG2 を入力する第２トランスファーゲートTG2は同時にオンしない。 - 特許庁

Each gate electrode g2 and each gate electrode g3 are connected to a second gate wiring layer G2 and a third gate wiring layer G3 not via the air bridge, respectively.例文帳に追加

各ゲート電極ｇ２および各ゲート電極ｇ３はエアブリッジを介さずにそれぞれ第２ゲート配線層Ｇ２および第３ゲート配線層Ｇ３に接続される。 - 特許庁

To detect abnormality of element characteristics accurately when the gate-emitter leak current increases due to deterioration of insulation at the gate of an IGBT and the ON or OFF gate voltage is not applied between the gate and the emitter.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲートの絶縁が劣化し、ゲート−エミッタ間の漏れ電流が増加し、オン時のゲート電圧、あるいはオフ時のゲート電圧がゲート−エミッタ間に印加されていない場合の素子特性の異常を精度良く検知する。 - 特許庁

The gate body structure includes a gate insulating film comprised of an oxide that does not contain nitrogen, and a gate conducting film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

前記ゲート構造物は、窒素を含まない酸化物で構成されるゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート導電膜を有する。 - 特許庁

A field effect transistor, provided with a gate electrode having a gate length of not more than 0.2 μm, is provided with a substrate 1, a gate insulating film 2 and a gate electrode 6.例文帳に追加

０．２μｍ以下のゲート長を有するゲート電極を備える電界効果トランジスタであって、基板１とゲート絶縁膜２とゲート電極６とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

The gate threshold voltage is detected at the time of turn-off, a determination is made whether that voltage is higher than a predetermined value or not, and then gate drive conditions such as the gate on resistance at the time of next turn on or the gate on power supply voltage are switched.例文帳に追加

ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。 - 特許庁

To provide a mold assembly for injection molding, wherein a gate is arranged at an arbitrary position of the back side of a molded article without damaging the appearance of the molded article due to a gate cut trace or a gate trace and after-working of the gate is not needed.例文帳に追加

成形品の外観をゲート切断傷跡およびゲート跡により損なうことなく、成形品裏側の任意の位置にゲート配置可能で、かつゲートの後加工が不要な射出成形金型装置を提供する。 - 特許庁

To provide a security gate which makes the shape of the whole gate simple by miniaturizing a gate body and does not impair the design of a building to which the gate is installed.例文帳に追加

ゲート本体の小型化によりゲート全体をシンプルな形状とし、据え付ける建築物のデザイン性を損なわないセキュリティゲートを提供する。 - 特許庁

As a result, the surface area of the molten steel between the scum gate and the drum circumferential surface, and the distance between the lower end of the scum gate and the drum circumferential surface are not increased.例文帳に追加

その結果、スカム堰とドラム周面間の溶鋼表面積、及びスカム堰下端とドラム周面との距離は拡大しない。 - 特許庁

Then, after forming a gate insulation film by laminating on each gate wiring silicon nitride within a temperature range not lower than 300°C and during a term not shorter than 5 minutes, each semiconductor layer and resistive contact layers are formed successively on the gate insulation film.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜を３００℃以上の温度範囲で５分以上の間窒化ケイ素を積層して形成し、その上部に半導体層及び抵抗性接触層を順次に形成する。 - 特許庁

The Karamete-mon Gate building itself was often inconspicuous, being small and narrow and in some instances, the Karamete-mon Gate was built according to the specification of a compact Kabuki-mon gate and not a Yagura-mon gate, but it was very securely designed to be adequately guarded by a small number of people, in contrast to a large koguchi (castle entrance), such as the Ote-mon Gate. 例文帳に追加

建物自体は、小型で狭く目立たない仕様であることも少なくなく、櫓門ではなく小型の冠木門を建てるのみということもあったというが、きわめて厳重で大手門などの大きな虎口に比べて少人数で警備できるように設計してあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Yoshitomo and TAIRA no Yorimori (younger brother of Kiyomori) had a fierce battle at the Ikuho-mon Gate; Yorimori could not break through the gate and pulled back his troops. 例文帳に追加

郁芳門では義朝と平頼盛（清盛の弟）が激戦し、頼盛は突破できず兵を退いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, not only the memory gate electrodes MG1, MG2 and MG, but also control gate electrodes CG1, CG2 and CG are formed in a sidewall shape.例文帳に追加

さらに、メモリゲート電極ＭＧ１、ＭＧ２、ＭＧだけでなく、コントロールゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２、ＣＧもサイドウォール形状にする。 - 特許庁

The overlapped area between the gate pattern having the opening and the drain is kept so as not to change the capacitance (Cgd) between the gate and drain.例文帳に追加

開口部を備えたゲートパターンとドレインの間の重複領域は、ゲート−ドレイン間の容量（Ｃｇｄ）を変化させないように保持できる。 - 特許庁

Since an electrode for the gate load resistance is not provided, contact resistance which was existed between the electrode 23 of the gate load resistance and a p-type gate layer 13 is not generated.例文帳に追加

ゲート負荷抵抗用の電極が無くなるので、ゲート負荷抵抗の電極２３とｐ型ゲート層１３との間に存在した接触抵抗が無くなる。 - 特許庁

Concerning a semiconductor element having a gate length which is not shorter than the critical gate length and not longer than the upper-limit gate length, the impurity concentration distribution of the semiconductor element is led out based on the representative impurity concentration distribution.例文帳に追加

限界ゲート長以上であり、かつ上限ゲート長以下の長さのゲート長を有する半導体素子について、代表不純物濃度分布に基づいて、当該半導体素子の不純物濃度分布を導出する。 - 特許庁

Then, when determined that the condition of opening the second ETC gate 44 is not satisfied, the fact that the second ETC gate 44 may not to be opened is displayed or notified by voice and a route to a manual gate 46 is guided.例文帳に追加

そして、第２ＥＴＣゲート４４を開く条件を満たさないと判定した場合には、第２ＥＴＣゲート４４が開かない可能性がある旨の表示や音声告知を行うとともに、手動ゲート４６への経路案内を行う。 - 特許庁

In passing a ticket gate, the portable terminal or portable telephone is directed to the ticket gate to make radiocommunication with the ticket gate, and if the ticket information stored in the IC card is acceptable or not is determined to determine if the passenger is allowed to pass or not.例文帳に追加

改札機通過の際には、改札機に携帯端末又は携帯電話をかざすことで改札機と無線通信を行ない、ＩＣカードに格納されている切符情報の正否を確認することで通過の確認をする。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

The memory cell 111 is provided with a floating gate 103, a control gate 105 and a select gate 107 and the reference voltage generation circuit 1' comprises a pseudo cell 1 which is not equipped with the floating gate 103 and the control gate 105 of the memory cell 111 and is equipped with a gate 13 corresponding to the select gate 107.例文帳に追加

メモリセル１１１は、浮遊ゲート１０３と制御ゲート１０５とセレクトゲート１０７とを備え、前記基準電圧発生回路１′は、前記メモリセル１１１における前記浮遊ゲート１０３および制御ゲート１０５は備えず、前記セレクトゲート１０７に相当するゲート１３を備えた疑似セル１から成る。 - 特許庁

To provide a gate door structure including: a lock unit and a gate door structure with excellent operability, not susceptible to limitation of face and depth dimensions of a vertical frame of a gate door, attaining not only unconventional and high design but also good harmony with design of a gate door, and having safety.例文帳に追加

門扉の縦枠の見付けや見込み寸法の制限を受けることがなく、それ自体が斬新でデザイン性が高いだけでなく、門扉のデザインとうまく融合することができ、しかも安全性と操作性にも優れた錠ユニットと門扉構造とを備えた門扉構造を提供する。 - 特許庁

As shown in the above, social status was regulated and the gate was extremely narrow, although it wasn't always true that the gate was not open to the common people, considering the operational aspect. 例文帳に追加

このように、身分制限があり、運用面において庶民にも全く開放されていなかったわけではなかったが、極めて狭き門であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The distance between the gate insulating film and the latch-up suppression region is not less than a maximum depletion layer width in which the trench gate forms on the base layer.例文帳に追加

そして、該ゲート絶縁膜と該ラッチアップ抑制領域との距離は、該トレンチゲートが該ベース層に形成する最大空乏層幅以上とする。 - 特許庁

In an LDD region 108, there are two parts that overlap and do not overlap with the gate electrode 105 via a gate insulating film 103.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１０８はゲート電極１０５にゲート絶縁膜１０３を介して重なる部分と重ならない部分とを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a complementary semiconductor device which does not cause the depletion of a gate electrode and the deterioration of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化とゲート絶縁膜の劣化を生じさせない相補型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To introduce a prepayment system in an ETC system which does not require stopping of a vehicle at a toll gate and lengthening of an island of the toll gate.例文帳に追加

料金所ゲートで車両をストップさせたり、料金所のアイランドを長くすることなく、ＥＴＣシステムに前納方式を導入する。 - 特許庁

Moreover, the ECU 11 obtains an ETC gate pass-through signal from the ECU 21 and determines whether or not the vehicle is passing through the gate.例文帳に追加

さらに、ＥＣＵ１１はＥＣＵ２１からＥＴＣゲート通過信号を取得して自車両がゲートを通過しているか否かを判定する。 - 特許庁

When the IDms coincide, the gate is opened to allow the user to pass through, and when the IDms do not coincide, the gate is closed to limit the passage of the user.例文帳に追加

ＩＤｍが一致する場合は扉を開いてユーザの通行を許可し、一致するものが無い場合は、扉を閉じてユーザの通行を制限する。 - 特許庁

Thereby the first wiring has GOLD structure when gate voltage is applied thereto and has LDD structure when the gate voltage is not applied thereto.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

Consequently, if gate voltage is applied to the first wiring, a GOLD structure is obtained, and if gate voltage is not applied to the first wiring, the LDD structure is obtained.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

There are many structures transferred from other castles in Hikone-jo Castle such as tenshu from Otsu-jo Castle, Sawaguchi Tamon-yagura (corridor-style gate acted as a stonehouse and defense post at the entrance to the second enclosure) (not existent) and Taiko-yagura Mon (Drum Tower Gate) from Sawayama-jo Castle, nishi no maru sanju yagura (three-storied tower located at the northwest corner of nishi no maru) from Odani-jo Castle and Taiko-mon Gate (Drum Gate) from Kannonji-jo Castle or not known from where. 例文帳に追加

彦根城の建築物には、大津城からの天守を始め、佐和山城から佐和口多門櫓（非現存）と太鼓櫓門、小谷城から西ノ丸三重櫓、観音寺城からや、どこのものかは不明とされているが太鼓門、等の移築伝承が多くある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The control gate electrode 14 and the floating gate electrode 15 of the storage circuit part 1 are not silicided, and the control gate electrode 14 and the floating gate electrode 15 do not cause a short circuit by the metal silicide film 24.例文帳に追加

記憶回路部１のコントロールゲート電極１４とフローティングゲート電極１５はシリサイド化されておらず、コントロールゲート電極１４及びフローティングゲート電極１５同士が金属シリサイド膜２４による短絡を生じない。 - 特許庁

A gate voltage control unit 6 holds an initialized gate voltage, when the drain voltage is not larger than a previously set first reference voltage, and controls the gate voltage so as to make the gate voltage proportional to the drain voltage, if the drain voltage becomes not smaller than the first reference voltage.例文帳に追加

ゲート電圧制御部６は、ドレイン電圧が予め設定した第１の基準電圧以下の時は初期設定したゲート電圧を保持し、ドレイン電圧が第１の基準電圧以上になるとゲート電圧をドレイン電圧と比例させて制御する。 - 特許庁

The circuit change is performed by giving the structure data to an input inversion portion by a programmable NOT gate for an N-operation, a fundamental circuit where a two input NAND gate or a two input OR gate is a tree structure of a binary tree and is connected by installing the programmable NOT gate between respective connection lines, and an output inversion portion by the programmable NOT gate for the N-operation.例文帳に追加

この回路変更は、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる入力反転部と、２入力ＮＡＮＤゲートまたは２入力ＯＲゲートが、二分木の木構造で、それぞれの接続線の間にプログラマブルＮＯＴゲートを介在させて接続された基本回路と、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる出力反転部とに、構成データを与えることにより行う。 - 特許庁

An island of a shift section and a light-emitting section and an island of gate load resistance are not separated but integrated.例文帳に追加

シフト部／発光部の島とゲート負荷抵抗の島とを分離せずに一体化する。 - 特許庁