「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to bring the Vt of transfer MOS to 0 V, a voltage not lower than a power supply voltage +Vt is applied to the gate through a capacitor Cg and, at the same time, transfer MOS gate potential on the next stage is controlled by its gate voltage thus enhancing charge transfer efficiency.例文帳に追加

また、トランスファーＭＯＳのVtを0Vにする為に、ゲートに電源電圧＋Vt以上の電圧を容量Cgを通して印加すると同時に、そのゲート電圧で次段のトランスファーＭＯＳゲート電位を制御しチャージトランスファー効率を高める。 - 特許庁

The gate shape structure of the input protective circuit unit is removed and the breakdown voltage of the diode does not depend upon the breakdown voltage of a gate oxide film 21 like in a conventional diode which retains the gate electrode at the same voltage as the region 33 whereby a high breakdown voltage is obtained.例文帳に追加

入力保護回路部のゲート状構造は除去されており、ゲート電極を高濃度Ｎ＋型領域３３と同電位に保つ従来のダイオードのように、ダイオードの耐圧がゲート酸化膜２１の耐圧に依存しないため、高耐圧が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a transistor having polysilicon for a gate electrode in a trench, the semiconductor device being characterized in that a step owing to a polysilicon film is not formed on a semiconductor device surface and low contact resistance is obtained in a gate contact portion for acquiring a potential of the polysilicon for the gate electrode.例文帳に追加

トレンチ内にゲート電極用ポリシリコンをもつトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン膜に起因して半導体基板表面に段差が形成されることなく、ゲート電極用ポリシリコンの電位をとるためのゲートコンタクト部で低いコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

In this cathode substrate for a three-pole structure element, a gate electrode layer 16 is formed into a mesh structure having two or more gate holes 17 on each insulation layer hole 14, the thickness of the insulation layer 13 is set not smaller than 1/2 and smaller than twice of the diameter of the gate hole 17.例文帳に追加

３極構造素子用のカソード基板において、ゲート電極層１６を絶縁層ホール１４上に２個以上のゲートホール１７を有するメッシュ構造とし、絶縁層１３の厚みをゲートホール１７の直径の１／２倍以上でかつ２倍未満とすること。 - 特許庁

To provide an automatic ticket gate and an automatic ticket gate system provided with the minimum function (a safe mode) which can operate with the minimum safe mode even when it is not possible to simultaneously use automatic ticket gates due to the failure of the software of an automatic ticket gate.例文帳に追加

自動改札機のソフトウェアの不具合で自動改札機が一斉に使用できなくなった場合であっても最小限の機能（セーフモード）で稼動可能なセーフモードを備えた自動改札機及び自動改札システムを提供する - 特許庁

One of the four retainers, WATANABE no Tsuna said it was irrational that there was an ogre at the main gate of the domain of the Emperor, and to determine if it was true or not, he rode a horse in full armor, with an ancestral sword and headed for Rajo-mon Gate alone, without any followers. 例文帳に追加

四天王の1人・渡辺綱は、王地の総門に鬼が住む謂れはないと言い、確かめるために鎧兜と先祖伝来の太刀で武装して馬に乗り、従者も従えずに1人で羅城門へ向かった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After the fire of 1717 during the Edo Period large scale reconstruction was not done, partly due to the changing historical backdrop, and Saikon-do Hall, Kodo Hall, and Nandai-mon Gate (great south gate) that were destroyed at the time were never reconstructed. 例文帳に追加

江戸時代の享保2年（1717年）の火災の時は、時代背景の変化もあって大規模な復興はなされず、この時焼けた西金堂、講堂、南大門などはついに再建されずじまいであった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The source region 8 and the drain region 9 do not overlap with the gate electrode 5, and are formed away from the end part of the gate electrode 5 by several μm or more (3 μm, for instance).例文帳に追加

ソース領域８及びドレイン領域９はゲート電極５とオーバーラップせず、ゲート電極５の端部から数μｍ以上（例えば、３μｍ）離間して形成されている。 - 特許庁

It is preferable that these laser repair spots are near the crossing spots of signal transfer line 508 and gate bias lines 505, and do not give such an influence as disconnection to the gate bias lines 505.例文帳に追加

レーザーリペア箇所は、信号転送線５０８とゲートバイアス線５０５との交差部近傍で、ゲートバイアス線５０５に対して断線などの影響を及ぼさない場所が望ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer.例文帳に追加

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an FFS mode liquid crystal display panel wherein disconnection of a gate wiring line is suppressed and a surface of a lower electrode is not damaged during formation of the gate wiring line and a common wiring line.例文帳に追加

ゲート配線の断線を抑制することができ、ゲート配線及びコモン配線の形成時に下電極の表面が荒らされることがないＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

By using an OR gate 71, setting is performed so that output signals (BAY_-ON_-EC and BAY_-ON_-GA) from the embedded controller 41 and the gate array 42 do not interfere with each other.例文帳に追加

そして、ＯＲゲート７１を用いることによって、エンベデッドコントローラ４１とゲートアレイ４２からの出力信号(BAY#ON#EC,BAY#ON#GA)が干渉しないような設定とする。 - 特許庁

Among the insulator films 5, a portion between a side face of the control gate electrode CG and a side face of the memory gate electrode MG comprises a silicon oxide film 6a, and does not have the silicon nitride film 10a.例文帳に追加

絶縁膜５のうち、制御ゲート電極ＣＧの側面とメモリゲート電極ＭＧの側面との間の部分は、酸化シリコン膜６ａからなり、窒化シリコン膜１０ａを有していない。 - 特許庁

To solve a problem wherein, in a conventional MIS transistor having an air gap and a method of manufacturing the same, the air gap is formed around a gate electrode, and thereby a stress insulation film can not be formed adjacently to the gate electrode.例文帳に追加

前記従来のエアーギャップを有するＭＩＳトランジスタ及びその製造方法では、ゲート電極の周囲にエアーギャップを設けるため、ゲート電極に近接して応力絶縁膜を形成することができない。 - 特許庁

In the safe mode processing, entry recording is performed for entry using an automatic ticket gate, and leaving recording is performed for leaving using the automatic ticket gate, and the determination of fare data for the ticket or processing using any other parameter is not performed.例文帳に追加

このセーフモード処理では、自動改札機を利用した入場時には入場記を行い、出場時には出場記録を行い、乗車券に対する運賃データの判別や他のパラメータを用いた処理を行わない。 - 特許庁

Since the fiber Bragg gratings 6a and 6b are used for the beam 4 constituting the gate opening degree sensor 1 which detects the opening degree of the gate 20, the sensor 1 is high in reliability and does not require power supply.例文帳に追加

ゲート２０の開度を検出するためのセンサ１を構成する梁４にはファイバブラッググレーティング６ａ、６ｂを用いているので、信頼性が高く、電源が不要である。 - 特許庁

Thereafter, the speed of a following vehicle is forcedly controlled (decelerated) so that the following vehicle does not collide against the gate G (gate bar 3) and a preceding vehicle, and a collision dangerous state is reported to the driver.例文帳に追加

その後も、走行制御などにより、ゲートＧ（ゲートバー３）及び先行き車両に後続車両が衝突しないように、その後続車両の速度を強制的に制御 （減速）するとともに、衝突危険状態を運転者に知らせる。 - 特許庁

The gate electrode 12 composing the TFT is made into a flat and non-linear shape and is placed on the polycrystalline thin film 3, so that either one of the ends of the gate electrode does not overlap with the grain boundary.例文帳に追加

ＴＦＴを構成するゲート電極１２を、多結晶薄膜３上において平面的に直線状でない形状に配置することにより、いずれか一方の電極端については粒界と重ならないようにする。 - 特許庁

In a trench gate MOSFET in the third generation, not contact trenches 26 and 26 but gate trenches 22 and 22 are formed at terminal parts.例文帳に追加

第３世代のトレンチゲートＭＯＳＦＥＴにおいて、終端部にコンタクトトレンチ２６，２６を形成せず、ゲートトレンチ２２，２２で終了させることを特徴としている。 - 特許庁

Since the insulator is jointed to the gate electrode and the cathode mask, the relative positional relationship between the cathode mask and the gate electrode is not to be distorted even with outside shock.例文帳に追加

また、前記絶縁体は、前記ゲート電極および前記カソードマスクと接合されていることから、外部から衝撃を与えられても、カソードマスクとゲート電極の相対位置関係が歪むことがない。 - 特許庁

In addition, since a clamp circuit 10 is provided between a gate and a source of a transistor QH, a voltage between the gate and the source does not increase beyond necessity.例文帳に追加

また、クランプ回路１０がトランジスタＱＨのゲート−ソース間に設けられているため、当該ゲート−ソース間電圧が必要以上に上昇することがなくなる。 - 特許庁

To provide a sand supplying port device for a sand tank in a frameless horizontally split molding machine wherein the lifetime of a seal member and a slide gate is prolonged, and molding sand remained on the slide gate does not splash outward.例文帳に追加

シール部材やスライドゲートの寿命が長くなり、しかもスライドゲートに残存した鋳物砂が外部に飛散したりすることのない無枠式水平割鋳型造型機におけるサンドタンクの砂供給口装置を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a means 52 for detecting the passage of a vehicle and a means 54 for detecting that the gate 14 is opened, and configured to output an abnormality decision signal when the passage of the vehicle is detected while the gate is not opened.例文帳に追加

この装置は、車両の通過を検出する手段５２と、ゲート１４が開門したことを検知する手段５４とを備え、開門状態でないにもかかわらず車両の通過が検出された場合に異常判定信号を出力する。 - 特許庁

To provide an unauthorized taking-out detection system which can securely specify a person, such as a lifter, who illegally takes out an article and passes through a gate, visually by an image, and does not require constant arrangement of a security personnel around the gate.例文帳に追加

ゲートを通過する、万引等の商品の不正持出し人を画像で視覚的に確実に特定でき、かつゲート付近に常時警備要因を配置する必要のない不正持出し検知システムを提供する。 - 特許庁

Thus, a thick film gate oxide film transistor is used for a node coming into contact with an external power source and requiring high breakdown voltage, and a thin film gate oxide film transistor is used for a transistor not coming into contact with the external power source.例文帳に追加

このように外部電源と接触しており高い耐圧が必要なノードに厚膜ゲート酸化膜トランジスタを用い、外部電源に接触していないトランジスタには薄膜ゲート酸化膜トランジスタを用いる。 - 特許庁

Grooves 35 for connecting between gates do not exist in an insulating film 34 formed between the stacked gates 33 and 32 of the selection gate transistors of the dummy NAND cells, and the stacked gates of the selection gate transistors are formed in the state of being insulated therebetween.例文帳に追加

このダミー用NANDセルの選択ゲートトランジスタの積層ゲート33、32間の絶縁膜34にはゲート間接続用溝35が存在せず、この選択ゲートトランジスタの積層ゲート間が導通しない状態に形成されている。 - 特許庁

Each of the current cells comprises a current source and an internal logic gate, and the internal logic gate determines whether or not a current is to be outputted from the current source based on the rearranged data.例文帳に追加

各電流セルは、電流源と内部論理ゲートをそれぞれ備え、内部論理ゲートが、該再配列データに基づいて、電流源に電流を出力させるか否かを決定する。 - 特許庁

To provide an EL display device which does not deteriorate in display quality even when a gate signal line selecting a write pixel row and a gate signal line specifying illumination of an EL element are driven at different frame rates, and a driving method of EL display device.例文帳に追加

書き込み画素行を選択するゲート信号線の駆動と、ＥＬ素子の点灯を指定するゲート信号線の駆動とを異なるフレームレートで動作させることができない。 - 特許庁

A first transistor 121 where the gate insulation film 130 is the thinnest and a second transistor 122 where the gate insulation film 130 is not thinnest are driven by a low voltage, and the first transistor 121 is allowed to pause appropriately although the second transistor 122 is operated constantly.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１３０が最薄の第一トランジスタ１２１と最薄ではない第二トランジスタ１２２を低電圧で駆動し、第二トランジスタ１２２は常時動作させるが第一トランジスタ１２１は適宜休止させる。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to certainly draw only the tag 12 sucked and held by the suction pad 50 from the gate 28, and height adjustment of the gate is not required with the tags 12 in any thickness.例文帳に追加

したがって、吸着パッド５０で吸着保持したタグ１２のみを確実にゲート２８から引き出すことができ、いかなる紙厚のタグ１２であってもゲート２８の高さ調整が不要になる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device of the structure in which the respective electrical characteristics of an insulated gate type transistor and an insulated gate type capacitance are not deteriorated, and a method of obtaining the same.例文帳に追加

絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量それぞれの電気的特性を共に劣化させない構造の半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

A screen intake plate 6 having an inclined screen 18 is connected with the downstream side of a river roof gate 4, and the screen intake plate 6 is stored between the roof gate 4 and a river bed when water is not taken in.例文帳に追加

河川起伏ゲート４の下流側に、傾斜したスクリーン１８を有するスクリーン取水板６を接続させ、取水しない時には該スクリーン取水板６は、前記起伏ゲート４と川床の間に格納されるようにした。 - 特許庁

At the time of injecting or discharging electrons into and from the floating gate 6 as carriers, the injection and discharge are not performed through a gate oxide film 5, but through the metallic phase of the Mott insulator 7.例文帳に追加

そして、浮遊ゲート６に対してキャリアである電子の注入又は放出を行う場合、ゲート酸化膜５を通じてではなく、モット絶縁体７の金属相を通じてキャリアの注入又は放出を行う。 - 特許庁

Since the gate marks (g2 and g3) formed when the photo-shading resin layers (20a and 20b) are subjected to gate cutting are present inside the key top (10), they can not be visually recognized from the outside of the key top (10).例文帳に追加

光遮蔽性樹脂層（２０ａ，２０ｂ）をゲートカットしたときに形成されるゲート跡（ｇ２，ｇ３）はキートップ（１０）の内側に存在するため、キートップ（１０）の外側からはゲート跡（ｇ２，ｇ３）を視認することはできない。 - 特許庁

Thus, it is not required to set a negative level to a gate and a source of a 3rd FET 7, the gate is connected to ground and the source is connected to ground via a bias resistor 12.例文帳に追加

従って、第３のＦＥＴ７のゲート及びソースの電位を負電位に設定する必要がなく、そのゲートを接地し、そのソースをバイアス抵抗１２を経て接地できる。 - 特許庁

In the manufacturing method, a cathode electrode 2, an insulation layer 4 and a gate electrode 5 are laminated on a substrate 1, polymers A, B which are not dissolved with each other are dissolved in a solvent and coated on a surface of the gate electrode.例文帳に追加

基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。 - 特許庁

To provide an information control method and an information controller which double a gate keeper K for safety, and contrive the unification of information so that each gate keeper GK may not control information individually.例文帳に追加

ゲートキーパＧＫを安全のため２重化するとともに、それに伴って各ゲートキーパＧＫが個別に情報を管理することがないように情報の一元化を図る情報管理方法および情報管理装置を提供することである。 - 特許庁

To communicate variation in a gate potential to a substrate potential without attenuation and delay to enable a high-speed operation, and to reduce a parasitic diode leakage current in the case where the gate potential does not change.例文帳に追加

ゲート電位の変動を“減衰させずに”かつ“遅延なく”基板電位に伝達させて高速動作を可能とし、かつゲート電位の変動が無い時における寄生ダイオードリーク電流を低減させる。 - 特許庁

Soemon HARA twisted his ankle when he jumped off the gate and Goro KANZAKI also lost his footing and slid down due to snow; however, their injuries were not serious and they managed to perform their duties. 例文帳に追加

原惣右衛門は飛び降りた際に足をくじき、また神崎与五郎も雪で滑り落ちたが、大事はなく働きにも影響はなかったという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An AND gate 4 takes a logical product of NOT of a SCANTEST signal for switching between normal operation and a scan test mode and a CLK signal.例文帳に追加

ＡＮＤゲート４は通常動作とスキャンテストとのモードを切り替えるSCANTEST信号の否定とCLK信号との論理積をとる。 - 特許庁

A gap between the first region and the second region is set so that an impact ionization phenomenon is caused by a difference between the first voltage and the second voltage when the first gate electrode and the second gate electrode are turned on, and so that the impact ionization phenomenon does not occur when at least one of the first gate electrode and the second gate electrode is turned off.例文帳に追加

前記第１領域と前記第２領域との間の間隔は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極がオン状態である場合に、前記第１電圧と前記第２電圧との差によってインパクトイオン化現象が発生し、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の少なくとも一方がオフ状態である場合に、インパクトイオン化現象が発生しないように設定される。 - 特許庁

Since the gate insulating layers 22b and 22c are not removed simultaneously when a native oxide layer formed on the exposed surface of the underlying gate electrode layers 23b and 23c is removed, electrical short-circuit can be prevented between the gate electrodes SG and TG of a selection gate transistor and an MOS transistor and a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

従って、後の下層ゲート電極層２３ｂ、２３ｃの露出表面に形成された自然酸化膜を除去する際にゲート絶縁層２２ｂ、２２ｃが同時に除去されることがなく、選択ゲートトランジスタ及びＭＯＳトランジスタのゲート電極ＳＧ、ＴＧと半導体基板２１との電気的ショートを防止することができる。 - 特許庁

In the field effect transistor having at least a gate insulation film, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor layer, the source electrode and/or drain electrode are disposed at a recess of the gate insulation film, and the height of the source electrode and/or drain electrode to the surface of the gate insulation film is not lower than 10 nm.例文帳に追加

少なくともゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び／又はドレイン電極がゲート絶縁膜の凹部に配置された構造を有し、ゲート絶縁膜表面に対するソース電極及び／又はドレイン電極の高さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of gate structure where resistance is low even if a gate electrode is not made to be high and the height of the electrode can be suppressed.例文帳に追加

ゲート電極の高さを高くしなくても、抵抗の低いゲート構造を得ることができ、引いてはその高さを抑制することができるゲート構造の製造方法を得る。 - 特許庁

The field plate electrode 44 is not extended onto the gate electrode 30, and in the silicide process, the metal silicide film 64 is formed on the whole of the top surface of the gate electrode 30.例文帳に追加

フィールドプレート電極４４はゲート電極３０上に延在しておらず、サリサイド工程ではゲート電極３０の上面の全面に金属シリサイド膜６４が形成される。 - 特許庁