「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, an Ni interconnection which is hardly diffused is used for the gate electrode (G) on a channel region and a low-resistance Ag interconnection is used for the gate interconnection (GL) which does not overlap the channel region, to reduce interconnection resistance.例文帳に追加

例えば、チャネル領域上のゲート電極（Ｇ）部を拡散し難いＮｉ配線で構成し、チャネル領域とは重ならないゲート配線（ＧＬ）部は、抵抗の低いＡｇ配線を用い、配線の低抵抗化を図る。 - 特許庁

To provide a CMIS device having a gate electrode in which gate depletion does not take place at low resistance, operation is stabilized at high temperatures and work function is controlled.例文帳に追加

低抵抗でゲート空乏化が起こらず、高温において安定であるとともに、仕事関数が制御されたゲート電極を有するＣＭＩＳデバイスを提供する。 - 特許庁

When the leak between the adjacent gate wirings 300a and 300b does not exist, only a plurality of TFTs arranged along an extending direction of the odd number gate wiring 300a are turned on.例文帳に追加

隣り合うゲート配線３００ａ，３００ｂ間でリークのない場合は、奇数ゲート配線３００ａの延びる方向に沿って配列する複数のＴＦＴのみがオン状態になる。 - 特許庁

The gate of a P-MOS TR M2 is connected to the gate of the TR M2, the source is connected to the power supply (Vcc) terminal (not shown) and the drain is connected to one terminal of a resistor R1.例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳトランジスタＭ３のゲートはトランジスタＭ２のゲートに、それのソースは電源（Ｖｃｃ）端子（図示せず）に、それのドレインは抵抗Ｒ１の一端に、それぞれ接続されている。 - 特許庁

This semiconductor device contains a source and a drain that are formed on a semiconductor substrate, and a gate electrode that is formed via a gate insulation film on the semiconductor substrate, the end part of the gate electrode is separated from that of the drain, and the end part of the drain is not located under the gate electrode in a memory cell by a MOS transistor.例文帳に追加

半導体基板に形成されたソース及びドレインと、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、ゲート電極の端部とドレインの端部とが離間して配置され、かつドレインの端部がゲート電極の下に位置していないＭＯＳトランジスタによってメモリセルが構成される。 - 特許庁

A channel region 52 having gate electrode 32 brought in a Schottky- contact therewith is not separated by the transistors 6 and 7 and formed as a common continuous region.例文帳に追加

ゲート電極３２がショットキー接触するチャネル領域５２は各トランジスタ６、７で分離せず、連続した共通の領域で構成する。 - 特許庁

At that time, the output of the power generator 1 is low and a thyristor rectifier 5 is not gate controlled and is in an open state.例文帳に追加

この時点で発電機１の出力は低く、サイリスタ整流器５はゲート制御されず、開放の状態にある。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device, wherein a defect and impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer, on a substrate having the insulating surface.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、ゲート絶縁膜/半導体層界面の欠陥や不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

This impurity diffused layer 56 is constituted, and the periphery can be surrounded by the gate electrode material layer, and a region brought into contact with a field oxide film does not exist at all.例文帳に追加

上記不純物拡散層は、周囲をゲート電極材料層で囲まれ、フィールド酸化膜と接する領域が全く存在しない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin fil which is not corrosive and has a dielectric constant and insulation performance suitable as the gate part of an FET (field effect transistor).例文帳に追加

腐食性がなく、かつ、ＦＥＴのゲート部として好適な誘電率と絶縁性能を有する薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

At this point, the gate electrode 121 partially superposes LDD regions 111a and 111b, and regions which it does not superpose on these regions.例文帳に追加

その際、ＬＤＤ領域１１１a、１１１dはゲート電極に重なる領域と重ならない領域とを有する。 - 特許庁

Namely, the gate 133, 145 becomes heavy against the power to open and close which assures that it will not be opened and closed improperly.例文帳に追加

即ち、門扉１３３、１４５が開閉させようとする力に対して重くなっており、不用意に開閉してしまうことない。 - 特許庁

To provide a platform gate system high in freedom of a stopping position of a train and not to shorten getting-on-and-off time of a passenger.例文帳に追加

列車の停止位置の自由度が高く、また、乗客の乗降可能時間を短縮しないプラットホームゲートシステムを提供する。 - 特許庁

Therefore, the first and second gate materials are made only in an activating region 8, and they do not exist on the element isolation region 4.例文帳に追加

このため、活性化領域８にのみ第１、第２のゲート材が形成され、素子分離領域４上には存在しない。 - 特許庁

To provide a liquid crystal driving device which improves uniformity of a screen and does not have a gate printed circuit board and a driving method therefor.例文帳に追加

画面の均一度を改善したゲート印刷回路基板のない液晶駆動装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the insulated gate semiconductor device, an amorphous structured SiO_2 film 4 is interposed between a high dielectric film 3 containing Hf as its constituent element and a gate electrode 5 comprising polycrystal silicon or metallic silicide, and the film 4 can achieve structural relaxation of re-netwoking with the gate electrode 5 to a degree of not causing a level of producing the Fermi level pinning in a band gap of the gate electrode 5.例文帳に追加

Ｈｆを構成元素として含む高誘電体膜３と多結晶シリコンまたは金属シリサイドからなるゲート電極５との間に、ゲート電極５のバンドギャップ内にフェルミレベルピンニングを発生させる準位を発生させない程度にゲート電極５との再ネットワークの構造緩和ができるアモルファス構造のＳｉＯ_2 膜４を介在させる。 - 特許庁

In the turbine housing, unnecessary moment does not operate on the waste gate valve 8A because exhaust pulsating pressure from a second waste gate port 9C and exhaust pulsating pressure from a first waste gate port 9B uniformly operates alternately on a central portion of a valve face 8A3 of the waste gate valve 8A and on a concentric portion therearound.例文帳に追加

第２ウェイストゲートポート９Ｃからの排気脈動圧と第１ウェイストゲートポート９Ｂからの排気脈動圧とがウェイストゲートバルブ８Ａのバルブ面８Ａ３の中央部とその周囲の同心状の部位とに交互に均一に作用するため、ウェイストゲートバルブ８Ａには不要なモーメントが作用しなくなる。 - 特許庁

Consequently, oxidation of polysilicon composing the gate electrode 9 in wet atmosphere can be controlled, and such a matter that the gate electrode 9 is oxidized entirely and does not play a role as a gate electrode 9 or a matter that ohmic contact cannot be taken with the gate electrode 9 can be prevented from occurring.例文帳に追加

このため、ゲート電極９を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制でき、ゲート電極９がすべて酸化されてしまってゲート電極９の役割を果たさなくなったり、ゲート電極９とのオーミックコンタクトが取れなくなるという問題が発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor device which can reduce the convergence of an electric field on a gate edge without subjecting the gate edge to rounding oxidation, even when the gate insulating film of an MOSFET is formed of such a material that the gate edge can not be subjected to the rounding oxidation because of the limitations of heat resistance and oxidation resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜を耐熱性、耐酸化性の制限によりゲートエッジの丸め酸化を行うことができない材料で形成した場合でも、ゲートエッジの丸め酸化を行うことなく、ゲートエッジでの電界集中を緩和することができ、高い信頼性のある半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A high reliability semiconductor device is realized by forming gate electrodes to be of a laminated structure, and separately making a TFT (n-channel TFT in a drive circuit), having a low density impurity area superposed on the gate electrode via a gate insulating film and a TFT (TFT in a pixel part) having a low density impurity area not superposed on the gate electrode in each circuit.例文帳に追加

ゲート電極を積層構造とし、それぞれの回路においてゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（駆動回路におけるｎチャネル型ＴＦＴ）とゲート電極と重ならない低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（画素部におけるＴＦＴ）とを作りわけることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

A gate electrode is of a laminated structure, and the semiconductor device with high reliability is realized, by independently preparing a TFT (a n-channel TFT) having a lightly-doped region that is superimposed on the gate electrode via a gate insulating film, and a TFT (TFT in a pixel part) that does not overlap with the gate electrode in each circuit.例文帳に追加

ゲート電極を積層構造とし、それぞれの回路においてゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（駆動回路におけるｎチャネル型ＴＦＴ）とゲート電極と重ならない低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（画素部におけるＴＦＴ）とを作りわけることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

The second control part 15 determines whether there is an ETC gate within a predetermined relative distance or not based on GPS data acquired from a GPS antenna 16 and ETC gate positional data previously stored in an ETC gate positional data storage memory 17, and if there is the ETC gate within the predetermined relative distance, supplies electric power to a third control part 20 serving as an ETC main body.例文帳に追加

第２制御部１５は、ＧＰＳアンテナ１６から得られるＧＰＳデータとＥＴＣゲート位置データ格納メモリ１７に予め格納されているＥＴＣゲート位置データとに基づいて所定の相対距離内にＥＴＣゲートがあるかどうかを判定し、所定の相対距離内にＥＴＣゲートがあれば、ＥＴＣ本体である第３制御部２０に電源を供給する。 - 特許庁

The unnecessary light is intercepted by an optical gate unit 104 so as not to be outputted by providing the optical gate unit 104 at an output part of the wavelength variable light source 101 and switching and controlling the optical gate unit 104 by an optical gate controlling signal while the wavelength variable light source 101 outputs the unnecessary light when the wavelength variable light source 101 switches the wavelength in the device with built-in the wavelength variable light source.例文帳に追加

波長可変光源１０１の出力部に光ゲート器１０４を設けて、波長可変光源１０１が波長切り替え時に、波長可変光源１０１が不要光を出力している間、光ゲート制御信号によりその光ゲート器１０４を切替え制御することで、その不要光を光ゲート器１０４により遮断し、装置外部へ出力しない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming the gate insulating film on a silicon substrate, the step of forming a gate electrode made of a laminated structure of a polysilicon or a metal film or a silicon film and a metal film on the gate insulating film, and the step of forming an insulating film substantially not containing an Si-H bond on the gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコンあるいは金属膜もしくはシリコン膜と金属膜の積層構造からなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にＳｉ−Ｈ結合を実質的に含まない絶縁膜を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The man climbed the gate easily without any foothold, and went up to the tower with Haseo lifted on his shoulder because Haseo could not climb. 例文帳に追加

男は何の手がかりもなく門をするすると昇り、昇れずにいた長谷雄を担ぎ上げて楼場に昇った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is said to have been relocated to its current site after the Onin War, having originally stood as the gate at the mansion of TAIRA no Norimori (and TAIRA no Shigemori) but this is not known for sure. 例文帳に追加

平教盛の館門（平重盛の館門とも）を応仁の乱後に移築したものと伝えるが定かでない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Additionally, since the school's founding they have been determined not to create an official school song, school badge and school gate. 例文帳に追加

また、大学設置当初より、公式な校歌・校章・校門の類を制定・整備しないことを貫いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While he was thinking that Kaneie came to pay a visit even though they did not get along, the carriage passed the gate and went to Kinri (the Imperial Palace). 例文帳に追加

仲の悪い兄弟だが見舞いに来たかと思ったところ、兼家の車は門前を通り過ぎて禁裏へ行ってしまった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Afterward, he was granted the rank of Jusanmi (Junior Third Rank) after several positions such as a Junior Assistant Governor-General of Dazai-fu (the local government office in the Kyushu region), a Captain Gate guard, the Chief of Bureau of Palace Storehouses, and the Minister of the Sovereign's Household, but he did not have any official positions when he died. 例文帳に追加

その後、大宰府や衛門府、内蔵寮、宮内省などを務めて従三位に列したが、散位官のまま死去した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The ticket gate is provided not on the aforementioned expanse, as in Demachiyanagi Station and Kurama Station, but on the north side, to the left when facing the expanse from the tracks. 例文帳に追加

改札口は出町柳駅や鞍馬駅のように頭端部ではなく、頭端部に向って左側の北側にある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Yodo domain, however, did not want to fight the new government's forces, and secured the castle gate, refusing the former Shogunate forces entry to the castle. 例文帳に追加

しかし淀藩は新政府と戦う意思がなく、城門を固く閉じ旧幕府軍の入城を拒んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To prevent increase of harmonic current distortion and not to make a gate trigger mode of triac become a mode of undesirable polarity.例文帳に追加

高調波電流歪み率の増大を防止するとともに、トライアックのゲートトリガモードを好ましくない極性のモードにしない。 - 特許庁

A level latch 2 is a transparent latch for guaranteeing hold time which latches an Enable signal gated at the NOT of the AND gate 4.例文帳に追加

レベルラッチ２はＡＮＤゲート４の否定でゲートされたEnable信号をラッチするホールドタイム保証用トランスペアレント・ラッチである。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to separately install any metal layer enabling soldered joint at the upper part of the gate electrode and the source electrode just like a conventional technology.例文帳に追加

そのため、従来の技術のように、ゲート電極およびソース電極の上部に別途はんだ接続が可能なメタル層を設ける必要がない。 - 特許庁

The shortest distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109 is not more than an alignment accuracy or (F/3).例文帳に追加

ゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の最短距離は、アライメント精度である（Ｆ／３）以下である。 - 特許庁

Thus, no radio wave leaks outside the gate 4 during the inspection, and any unnecessary wireless IC tag 30 is not mistakenly read.例文帳に追加

これにより、検品中、電波がゲート４外部に漏洩することがなく、不要な無線ＩＣタグ３０を誤って読み取ることがない。 - 特許庁

When this timing signal is high, the charge pump circuit 110 operates normally, and the gate shading circuit 120 does not operate.例文帳に追加

このタイミング信号がハイのとき、チャージポンプ回路１１０は通常動作をし、ゲートシェーディング回路１２０は作動しない。 - 特許庁

The ratios of the number of grooves 11 in a screw rotor 2 to the numbers of teeth 12 of the gate rotors 5 and 6 are not coprime.例文帳に追加

スクリューロータ２の溝１１の数とゲートロータ５、６の歯１２の数の比が互いに素でない。 - 特許庁

To provide a resin-molded lens which is a lens having improved appearance and does not scratch switch knobs even though gate traces are generated.例文帳に追加

見栄えの良いレンズであって、しかもゲート痕が発生してもスイッチノブにキズが付くことがない樹脂成型レンズを提供する。 - 特許庁

The source-drain electrodes 6 and 7 are arranged in such a manner that they do not exist in an area wherein a gate electrode 22 is provided.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極６、７は、ゲート電極２２の配設された領域上に存在しないよう配置されている。 - 特許庁

A switching controller adjusts the output timing of gate signals G1 and G4 so that noise components may not arise in common mode voltage.例文帳に追加

スイッチング制御装置は、コモンモード電圧にノイズ成分が発生しない様に、ゲート信号Ｇ１、Ｇ４の出力タイミングを調整する。 - 特許庁

To this end, an upper electrode is not brought into shared contact and is connected with the gate electrode pattern 7b via the resistor R1.例文帳に追加

これに伴い、上部の電極は、シェアードコンタクトとせず、抵抗体Ｒ１を介してゲート電極パターン７ｂと接続する構成とする。 - 特許庁

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material.例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。 - 特許庁

As a result, an AND gate 37 does not output the acceleration detection signal of the front acceleration sensor 31 as a determination output signal.例文帳に追加

その結果、ＡＮＤゲート３７は前側加速度センサ３１の加速度検出信号を判定出力信号として出力しない。 - 特許庁

When the power supply voltage is not supplied, the ground potential is input to the gate of the transistor and the off state is maintained.例文帳に追加

電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。 - 特許庁