「NOT-AND gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, only a portion of the silicon substrate 1 which is exposed by not being covered by a gate structure 50 and the side wall spacer 9 is selectively removed and thereby a recess 11 is formed in the top face of the silicon substrate 1 in that part.例文帳に追加

これにより、ゲート構造５０及びサイドウォールスペーサ９によって覆われずに露出している部分のシリコン基板１のみが選択的に除去され、その部分におけるシリコン基板１の上面内にリセス１１が形成される。 - 特許庁

When laser light irradiating parts 13 and 14 are set to exclude pixel electrode short circuit parts 10 and 12, as shown on the drawing, the part on a gate line 1 or a source line 3 where no pixel electrode 5 exist is not irradiated directly with laser light.例文帳に追加

図示のように、レーザー光照射部位１３および１４を、画素電極ショート部位１０および１２を避けて設定すると、ゲート配線１やソース配線３上の、画素電極５が存在しない部分に直接レーザー光が照射されることがない。 - 特許庁

An active area 14 for displaying image to a viewer is formed within the pixel forming area 12, and a part of the pixel forming area 12 which includes at least one source line and/or gate line does not constitute the active area 14.例文帳に追加

ここで視聴者に対して画像を表示するアクティブ領域１４が上記画素形成領域１２内に形成されており、且つ、少なくとも一つの上記ソースラインおよび／またはゲートラインを含む上記画素形成領域１２の一部はアクティブ領域１４を構成していないことを特徴とする。 - 特許庁

The gate electrode G, however, is not protruded horizontally on the surface protective film 113 in the source electrode side of the opening, resulting in suppressing on of increase in unnecessary capacitance and obtaining satisfactory high frequency and high output characteristics.例文帳に追加

他方、前述の開口部のソース電極側においては、ゲート電極Ｇが表面保護膜１１３の上に水平に張り出してはいないので、不要な容量の増加を発生させず、良好な高周波特性および高出力特性を得ることができる。 - 特許庁

Thus, even if the extended length L1 of the semiconductor layer 7 from the edge of the gate electrode 2 changes between shots, display defects such as uneven shot and luminance do not occur, because the TFT leakage current and transmittance of panel are almost constant.例文帳に追加

これにより、写真製版装置のアライメントズレによりゲート電極２からの半導体層７パターン延在量Ｌ１にショット間で差が生じても、光によるＴＦＴリーク電流やパネル透過率はほぼ一定であるため、ショットムラや輝度ムラ等の表示不良が発生しない。 - 特許庁

The Nch insulation gate type field effect transistor NT1 is provided at the output side of the scan flip flop 10 and is turned off, when a test enable signal Test Enable has been disabled and does not output any output signals.例文帳に追加

Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１はスキャンフリップフロップ１０の出力側に設けられ、テストイネーブル信号Ｔｅｓｔ Ｅｎａｂｌｅがディセーブル状態のときにオフし、出力信号を出力しない。 - 特許庁

A timing controller 200 supplies a prescribed timing signal to a NAND circuit 102, a shut-down terminal of the charge pump circuit 110, and a gate shading circuit 120 including capacitance 122, resistance 124, a NOT circuit 126, and a transistor 128.例文帳に追加

タイミングコントローラ２００は、ＮＡＮＤ回路１０２、チャージポンプ回路１１０のシャットダウン端子、ならびに容量１２２、抵抗１２４、ＮＯＴ回路１２６、およびトランジスタ１２８を含むゲートシェーディング回路１２０に、所定のタイミング信号を供給する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that improves driving characteristics and reliability, a method for manufacturing the thin film transistor, and a display device including the thin film transistor by forming a semiconductor layer located over a metal pattern such as a gate electrode or a light shielding member by using polycrystalline silicon that does not include incomplete crystal growth region.例文帳に追加

不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide: an injection molding mold for molding light guide plate pieces for composing a light guide plate, which does not require a finishing treatment of a gate such as deformation, and composing the light guide plate by easily connecting the pieces with each other; a method for molding the light guide plate pieces; and the light guide plate.例文帳に追加

導光板を構成するための導光板ピースを変形などゲート仕上げ処理の不要な導光板ピースを成形することができ容易に互いに接合して導光板を構成することができる射出成形金型、導光板ピースの成形方法、および導光板を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a brick for improving its yield without producing an industrial waste to manufacture the brick capable of executing a fence having not uniform profile, a much change in an execution and an appearance of softness and old taste, gate posts or the like.例文帳に追加

外形が一様でなく、施工においては、変化に富み、柔らかみと古びた趣のある外観を有する塀や門柱等の施工が可能な煉瓦を製造するにあたって、産業廃棄物を出さないようにするとともに歩留まりをよくした煉瓦の製造装置を提供する。 - 特許庁

Since the electrons are emitted from both sides of the cathode electrode and the gate, an effective area as the emitter out of the whole substrate area is not only widened in double, but also a life of the carbon nanotube emitter can be made longer and efficiency of a planar light emitting device can be improved.例文帳に追加

本発明は、陰極及びゲート両側で交互に電子が放出されるので、全体基板面積のうちエミッターの有効面積を二倍に広め発光領域が広くなる効果が得られるのみならず、炭素ナノチューブエミッターの寿命を長くし、面発光装置の効率を向上させる。 - 特許庁

At the start of the LDO, only an embedded FET 7 is connected to the operation amplifier 2, and when the LDO output voltage is not lower than a prescribed voltage V2 (V2>V1), a second comparator 5 starts to operate, and a gate of the external FET 1 is connected to the operation amplifier 2 only after a switch 6 is turned on.例文帳に追加

ＬＤＯ立ち上げ時は内蔵ＦＥＴ７のみがオペアンプ２と接続しており、ＬＤＯ出力電圧が所定の電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）以上になると第２のコンパレータ５が動作し、スイッチ６をＯＮすることにより初めて外付けＦＥＴ１のゲートがオペアンプ２に接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gasket for a medical instrument, the medical instrument using it as well as a syringe and the gasket for the medical instrument which have the stable quality, not interrupting their molded forms and functions regardless of the limited gate position.例文帳に追加

制限されたゲート位置に関わりなく、成形品形状、機能を妨げることなく、安定した品質を有する医療器具用ガスケット、それを用いた医療器具、シリンジ並びに医療器具用ガスケットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon monocrystal wafer and its manufacturing method which do not deteriorate a GOI even when a thickness of a gate oxide film is thin, namely a few nm, and an evaluation method which can evaluate no GOI deteriorations more easily than a TDDB method, etc.例文帳に追加

ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a valve gate of a hot runner for injection molding which does not require boring a through hole in a manifold block, can be disposed just under a nozzle, requiring a reduced height space, facilitates easy assembly and maintenance, decreases pressure loss, prevents a material from leaking, requires reduced costs and has other advantages.例文帳に追加

射出成形用ホットランナ金型のバルブゲートで、マニホールドブロックの貫通加工不要、ノズル直下への配置可能、高さスペースの薄小化、組立メンテの容易、圧力損失の低減、材料洩れ防止、安価などの効果を得る。 - 特許庁

As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.例文帳に追加

このため、図２（ｂ）〜（ｈ）の製造工程図に示す通り、半導体層４と第二アンダーコート絶縁膜３との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁

The charge held by the hold capacitances 10 and 20 makes it possible to apply a voltage corresponding to the charge held by the hold capacitances 10 and 20 to a gate of an electric current control TFT 83 even during the period when a scanning signal is not provided to the pixel circuit 70G in one vertical scanning period.例文帳に追加

保持容量１０及び２０が保持する電荷によれば、１垂直走査期間において走査信号が画素回路７０Ｇに供給されていない期間においても、保持容量１０及び２０に保持された電荷に応じた電圧を電流制御ＴＦＴ８３のゲートに印加することが可能である。 - 特許庁

The second commutation switch turn-off controlling switch element Q4 is turned on by a flyback voltage application circuit 26 when a flyback voltage of the transformer T is raised to a value not lower than a prescribed value, and quickly discharges the charge of the capacity between the gate and the source of the commutation switch element Q3.例文帳に追加

第２の転流スイッチターンオフ制御用スイッチ素子Ｑ４は、フライバック電圧印加回路２６によって、トランスＴのフライバック電圧が所定値以上に上昇したときにオンして、転流スイッチ素子Ｑ３のゲート・ソース間容量の電荷を速やかに放電させる。 - 特許庁

To provide a seal plate used for a valve device such as a gate valve making a sealing member not rolling, shifting, slipping out easily, facilitating replacement and disposal of the sealing member and demonstrating high sealing performance without increasing use cost.例文帳に追加

ゲート弁などの弁装置に利用されるシールプレートとして、封止部材が転動したりずれたり抜け出したりし難いとともに、封止部材の交換や廃棄も容易であり、使用コストを増大させずに高い封止性能を発揮できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device, having capacity contact holes in which the gate electrode and the capacity electrode will not short-circuit, even when W silicide is exposed to the inner surface of the capacity contact hole due to misalignment and good hold characteristics can be sustained.例文帳に追加

容量接続孔を有する半導体装置で、目ずれが生じて容量接続孔内面にＷシリサイドが露出した場合でも、ゲート電極と容量電極とが短絡せず、良好なホールド特性を保持できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a trap type gate door in which the rotary regions of both arm members can be superposed without requiring the avoidance of the mutual rotary regions of both arm members, housing spaces among supports are not limited by a pair of the arm members and the danger of the pinching of a hand and a finger can be prevented.例文帳に追加

両アーム部材の互いの回動領域を避ける必要がなく、両アーム部材の回動領域を重ねることができ、而して、一対のアーム部材により支柱間の収容空間が制限されることがなく、しかも、手や指の挟み込みという危険をなくし得る跳ね上げ式門扉を提供すること。 - 特許庁

If the separated gate electrode is made a focusing electrode lead-out part 5b, when an airtight container is formed, a structure can be made so that a seal glass 9 and the focusing electrode layer 7 do not directly contact, and a variety of problems occurring in a nitride process can be solved.例文帳に追加

前記切り離されたゲート電極を、集束電極引出部５ｂとすると、気密容器を形成する際に、シールガラス９と集束電極層７が直接接触しないような構造にでき、窒化工程において発生する種種の問題点を解消することができる。 - 特許庁

When a certain section on a railroad line stops a service, an automatic ticket gate 4 decides whether or not a passenger using an IC card boarding ticket 2 is the object of transfer by using a no-service section and a transfer transport section distributed from a railroad undertaker server 1, and executes fare adjustment with a getting-on fee (fare) corresponding to the result.例文帳に追加

鉄道路線のある区間が不通になった場合、自動改札機４が鉄道事業者サーバ１から配信された不通区間と振替輸送区間を用いて、ICカード乗車券２を利用した乗客が振替対象で有るかを判定してその結果に応じた乗車料金（運賃）での精算を行う。 - 特許庁

The contents of the deterioration determining bit are read at the same time every time when reading the word data, and when the sense amplifier detects as if the electrons were not accumulated on the floating gate even though they are accumulated thereon, it is determined as the end of the life for rewriting the word memory cell, and the use of the word is stopped thereafter.例文帳に追加

劣化判定ビットの内容を、そのワードのデータ読出しの都度、同時に行い、浮遊ゲートに電子が蓄積されているにも関わらず、蓄積されていないようにセンスアンプで検出された時にそのワードのメモリセルの書換え寿命と判定して、以後、そのワードの使用を止める。 - 特許庁

A transfer circuit 20 is configured to transfer signal charges of an accumulating region 15 to a floating diffusion region 30 when in operation, and to interrupt the transfer of the signal charges when not in operation by means of a transfer gate 21 which is turned on and off in response to a transfer control signal TG.例文帳に追加

転送回路２０は、転送制御信号ＴＧに応答してオンオフする転送ゲート２１によって、作動時に蓄積領域１５の信号電荷をフローティングディフュージョン領域３０へ転送する一方で非作動時に信号電荷の転送を遮断するように構成される。 - 特許庁

When the motor is not operated (step 100) if the DC motor is rotated with an external force (step 140), it is judged that a user is about to use the motor, and a gate signal is outputted to a triac via the drive circuit 24, and the DC motor is made to start (step 150).例文帳に追加

また、運転中ではないときに（ステップ１００）、直流モータが外部の力により回転されると（ステップ１４０）、使用者が使用しようとしていると判断して、駆動回路２４を介してトライアックにゲート信号を出力し、直流モータをスタートさせる（ステップ１５０）。 - 特許庁

Especially, a sheet of an ejector plate 150 having runner lock pins 153a, 153b and 153c for breaking a gate, and an ejector rod 163 (not illustrated) for ejecting the molded article 18 from the cavity 33 is arranged on the outer face side of the first mold 140.例文帳に追加

特に、前記第１金型１４０の外面側に、ゲートブレークさせるランナーロックピン１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃと、前記キャビティ３３から成形品１８を突き出すためのエジェクタロッド１６３（図７）と、を持つ１枚のエジェクタプレート１５０を、配置した。 - 特許庁

Since it is unnecessitated to install the gate 34 for using the right at a place away from a position, where a starting prize-winning port 31 and a specific prize-winning port 29 being targets for acquiring the right are arranged, it is not required to remarkably change a target place between a normal time and a time when the right is generated.例文帳に追加

権利行使用のゲート３４を、権利獲得のために狙う始動入賞口３１及び特定入賞装置２９などが配されている位置から離れた場所に設置して狙いにくくする必要もないから、通常時と権利発生時とで狙い場所を大きく変更する必要もない。 - 特許庁

In addition, it is not necessary to perform even a temporary fixing of the operating button 4 and the cover body 5 for stably fitting the operating button 4 to the stem 3 since a positional relation between the operating button 4 and the cover body 5 is kept constant by the gate spring 6 of the resilient member until they are assembled to each other.例文帳に追加

また、組み付けるまでは、操作ボタン４とカバー体５との位置関係を弾性部材のゲートバネ６が一定に保つので、ステム３へ操作ボタン４を安定して嵌合させるために操作ボタン４とカバー体５とを一時的に固定する必要もない。 - 特許庁

At the time of mold closing, the contact area of the center pin 72 and the core pin 82 is reduced by the hollow part 83 not only to reduce heat conduction but also to obtain an air heat insulating effect by the hollow part 83 and the lowering of the temperature on the side of the gate 73 is prevented.例文帳に追加

型閉時に、中空部８３によりセンターピン７２とコアピン８２との接触面積が減少して熱伝導が小さくなると共に、中空部８３によりエアー断熱効果が得られ、ゲート７３側の温度低下を防止できる。 - 特許庁

A molten transparent second resin (here, it is thermosetting resin) is charged in a cavity constituted of machined surfaces 12, 31 from the outside via a runner and a gate (not shown), while heating a 2nd mobile mold 30 and a fixed mold 10 at the curing temperature of the thermosetting resin by a non-illustrated heater.例文帳に追加

第２の可動型３０と固定型１０を不図示のヒータで熱硬化性樹脂の硬化温度に加熱しながら、不図示のランナー及びゲートを介して、外部より溶融した透明の第２の樹脂（ここでは熱硬化性樹脂）を加工面１２，３１により構成されるキャビティ内に充填する。 - 特許庁

Then external light which contributes to display is not transmitted through a pixel electrode 13 and a gate insulating film 4 at all as compared with a case wherein a reflective plate made of high-reflective-index metal such as aluminum-based metal is provided on a top surface of the active substrate 1, so the reflection factor is improved and coloration is eliminated.例文帳に追加

そして、アクティブ基板１の上面にアルミニウム系金属等の高反射率金属からなる反射板を設けた場合と比較すると、表示に寄与する外光が画素電極１３及びゲート絶縁膜４を全く透過しないので、反射率が向上し、色づきがなくなるようにすることができる。 - 特許庁

To provide a switching device which can secure a discharge path such that a capacitive element is not overcharged in a constitution where a parallel circuit of a resistive element and a capacitive element is provided between the collector and gate of a semiconductor switching element.例文帳に追加

抵抗素子と容量素子との並列回路が半導体スイッチング素子のコレクタ−ゲート間に設けられている構成において、容量素子が過充電されないように放電経路を確保することができる、スイッチング装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A control signal indicating whether each corresponding part is operating or not is output to a control device 32 from a device that generates vibration due to its operation and adversely affects a measured length such as gate valves 14, 21, vacuum pumps 13, 16 and a load lock mechanism 20.例文帳に追加

ゲートバルブ１４、２１、真空ポンプ１３、１６、ロードロック機構２０といったように、その動作によって振動が発生し、測長値に悪影響を及ぼす装置からは、各部分が動作中であるか否かを示す制御信号が制御装置３２に出力される。 - 特許庁

Furthermore, even if the voltage of the output terminal is almost zero, the gate voltage of the transistor 9 is not zero, voltage between the drain and source of the transistor 6 is secured to enable saturation operation, and a filter operation is therefore becomes possible, even when the voltage of the output terminal is zero.例文帳に追加

さらに出力端子の電圧がほぼ０のときでも，トランジスタ９のゲート電圧は０では無く，トランジスタ６のドレインソース間電圧が確保され飽和動作させることが出来るので，出力端子の電圧が０の場合でもフィルタ動作が可能となる。 - 特許庁

The mold 11 for injection molding the gasket for the secondary cell to be caulked and fixed to an electrode can of the cell comprises a gate 18 of a disc structure for not bringing about the weld between a material reservoir 17 and a product cavity space 19 in the mold 11.例文帳に追加

二次電池の電極缶にカシメ固定される二次電池用ガスケットを射出成形する金型１１における材料溜り部１７と製品キャビティ空間部１９との間に、ウェルド部を発生させないディスク構造のゲート部１８を設けることにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin-film transistor 30n of the semiconductor device 10x, the surface of a gate electrode 3n is covered with a silicon oxide film 3s formed by being oxidized, and edge parts 3w, 3x, 3y and 3z are rounded, so there is not an edge part where electric field is concentrated.例文帳に追加

半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。 - 特許庁

Further, upon readout operation, the concentration of impurities in the drain diffused layer is set on the surface of the semiconductor substrate, so that a depletion layer 9 generated in the connecting part of the semiconductor substrate and the drain diffused layer do not reach the parts immediately below the edge and the sidewall of the floating gate electrode.例文帳に追加

また、読み出し動作時に、半導体基板表面において、半導体基板とドレイン拡散層との接合部分に生じる空乏層９が浮遊ゲート電極のエッジおよびサイドウォール直下に達しないように、ドレイン拡散層の不純物濃度が設定されている。 - 特許庁

Consequently, since it is not necessary to move the article-holding mechanism vertically in order to open and close the column gate 22, the gaps of respective article columns 20 in the vertical direction can be made small, and the number of array of the article column 20 in the vertical direction can be increased.例文帳に追加

従って、コラムゲート２２を開閉するために商品把持機構を上下動させる必要がないので、各商品コラム２０の上下方向の間隔を小さくすることができ、商品コラム２０の上下方向の配列数を多くすることができる。 - 特許庁

To provide a mono gate memory device which solves a problem of excess erasing while using a SONOS cell, and does not exert an influence on a logic circuit property by executing a logic circuit process after forming an ONO structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＮＯＳセルを使用しながら過剰消去の問題点を解決し、ＯＮＯ構造を形成してから論理回路プロセスを遂行して論理回路特性に影響を及ぼさなくしたモノゲートメモリデバイスと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an implement and structure for erecting a support of a temporary gate door having sufficient strength in erection for withstanding not only the load of a beam and a plurality of doors suspended from the beam but also the load caused by disaster such as storm, earthquake or the like.例文帳に追加

梁や梁に吊り下げる複数枚の扉の荷重に充分に耐えられるのは勿論、暴風や地震等の災害時にかかる荷重にも充分に耐えられるだけの立設強度を有する仮設門扉の支柱立設具及びその支柱立設構造を提供する。 - 特許庁

A boosting circuit 2 raises a supply voltage +B given to a node N1, and the raised voltage is not only dropped and adjusted by a voltage adjustment circuit 4 with respect to DC but also applied to a gate electrode of a n-channel MOS transistor Tr1 through a low pass filter circuit LPF.例文帳に追加

昇圧回路２が、ノードＮ１に与えられる電源電圧＋Ｂを昇圧して電圧調整回路４により直流的に降圧調整されると共にローパスフィルタ回路ＬＰＦを通じてｎチャネル型のＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲート電極に電圧が印加される。 - 特許庁

Thus, failures which occur because coverage is not sufficient, and as an example, a first insulating film 204 cracks, as infiltration of an etching liquid from that part erodes a glass substrate 201, resulting in leakage between a source wiring 210 and a gate electrode 202a1, are reduced.例文帳に追加

これによって、第１の絶縁膜２０４に亀裂が生じるなど、カバーレッジが十分でない場合に、この部分からエッチング液の染み込みによってガラス基板２０１が侵食され、ソース配線２１０とゲート電極２０２ａ１とがリークするような不良の低減が可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high withstand voltage semiconductor device in which a gate electrode, a low concentration impurity layer and a high concentration impurity layer do not deviate at positions, in the method for manufacturing the semiconductor device for forming the low concentration impurity layer and the high concentration impurity layer.例文帳に追加

低濃度不純物層と高濃度不純物層を形成する高耐圧半導体装置の製造方法において、ゲート電極と低濃度不純物層及び高濃度不純物層に位置ずれが生じることのない高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁