「Overetching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Overetching is effected, by changing the etching gas into a gas containing the chlorine and the oxygen but which does not contain fluorine.例文帳に追加

エッチングガスを塩素及び酸素を含むがフッ素を含まないガスに変更してオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

To eliminate the difference in the thickness of a flattened film between an array portion and a pad portion by preventing an overetching phenomenon of source/drain electrodes.例文帳に追加

ソース/ドレーン電極の過エッチング現象を防止し、アレイ部とパッド部との間の平坦化膜の厚さの差を除去する。 - 特許庁

Thereafter, the energy of the argon gas is reduced, and overetching is conducted under etching conditions which can secure a selection ratio with the gate 4.例文帳に追加

その後、アルゴンガスのエネルギを減少させゲート４との選択比の確保できるエッチング条件にてオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

Under etching condition of high selectivity to a silicon nitride film, an upper layer of a silicon oxide film 14 is etched with sufficient overetching amount.例文帳に追加

そして、対シリコン窒化膜高選択性のエッチング条件で、シリコン酸化膜１４上層を充分なオーバーエッチ量によりエッチングする。 - 特許庁

To prevent the semiconductor layer of a photodiode region from being damaged by a sidewall overetching process, thereby also preventing the generation of dark current.例文帳に追加

側壁オーバーエッチング工程によりフォトダイオード領域の半導体層が損傷することを防止し、これにより、暗電流の発生も防止する。 - 特許庁

By this setup, silicon removed from the silicon substrate 1 due to overetching and the formation of silicide can be reduced in amount.例文帳に追加

これにより、オーバーエッチングおよびシリサイド化によってシリコン基板１から消失するシリコンの量を低減させることができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a DRAM which can prevent overetching of polysilicon forming a storage node.例文帳に追加

ストレージノードを形成するポリシリコンの過エッチングを防止できるＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the bottoms of the contact holes 11 are recessed from the surface of a silicon substrate 1 through overetching of the stopper film 9.例文帳に追加

この際、ストッパー膜９のオーバーエッチングによって、コンタクトホール１１の底面をシリコン基板１の表面よりリセスする。 - 特許庁

To provide a compact piezoelectric vibration element with small frequency deviation from a predetermined frequency due to overetching.例文帳に追加

小型で、オーバーエッチングにより所定の周波数からの周波数偏差の少ない圧電振動素子を得る。 - 特許庁

To prevent remaining of unetched parts and overetching, even when simultaneously patterning a high concentration region and a low concentration region.例文帳に追加

高密度領域と低密度領域とを同時にパターニングする場合であっても、エッチング残りやオーバーエッチングを防止する。 - 特許庁

To realize working, without overetching or insufficient shaping in defect correction on a mask using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いたマスクの欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工を実現する。 - 特許庁

Further, overetching with proper depths is practiced after the dry-etching to remove side wall adhering films 55 remaining on the side walls of a circuit pattern completely.例文帳に追加

また、ドライエッチング後に適切な量のオーバーエッチングを行ってパターンの側面に残った側壁付着膜５５を完全に除去する。 - 特許庁

To improve the throughput of a removing process without overetching or leaving an unetched part of a fine working device using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いた微細加工装置のオーバーエッチや削り残しのない除去加工のスループットを向上させる。 - 特許庁

The end point of cleaning can be surely detected, so that the substrate holder 3 can be protected against overetching and can be prolonged in service life.例文帳に追加

クリーニングの終点が確実に検出できるため、基板ホルダ３のオーバーエッチを防止でき、基板ホルダ３の長寿命化が図れる。 - 特許庁

After that, the pin hole 5 including a part 6 that is subjected to the overetching is measured and evaluated by a particle inspection machine and an SEM.例文帳に追加

その後、オーバーエッチングされた部分６を含むピンホール５をパーティクル検査機やＳＥＭによって計測し評価する。 - 特許庁

To provide an etching method for making constant a shape of an etching trench formed by an overetching.例文帳に追加

この発明はオーバエッチングによって形成されるエッチング溝の形状を一定にすることができるようにしたエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.例文帳に追加

半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁

A storage node 116 is formed by overetching a second conductive film 110 on an uppermost part layer on a multilayer insulation film 108 comprising nitrogen components.例文帳に追加

窒素成分を含む多層絶縁膜１０８の最上部層上の第２導電膜１１０をオーバーエッチングしてストレージノード１１６を形成する。 - 特許庁

To prevent overetching in glass caused when a black defect in a chromium mask is corrected by a photomask defect correcting device using a charged particle beam.例文帳に追加

荷電粒子ビームフォトマスク欠陥修正装置のクロムマスクの黒欠陥修正時に発生するガラスのオーバーエッチの問題点を克服する。 - 特許庁

In a second etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride is used, and at the same time, overetching is conducted by low substrate bias power.例文帳に追加

第２プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用い、かつ、低い基板バイアス電力によりオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

The cobalt silicide film 21 is used as an etching resistance film when forming contact holes 25, 26, and 27, to prevent overetching.例文帳に追加

コバルトシリサイド膜２１をコンタクトホール２５、２６、２７を形成する際の、耐エッチング膜として用いることで、オーバーエッチングを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which prevents a loss of a drain contact plug caused by an etching gas during a metal wiring overetching process.例文帳に追加

金属配線オーバーエッチング工程の際にエッチングガスによるドレインコンタクトプラグの損失を防止するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a process without overetching or insufficient etching and a process with high accuracy in surplus defect correction of a photomask by using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いたフォトマスクの余剰欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工や高精度な加工を実現する。 - 特許庁

In the upper layer overetching step, as its etching conditions, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 is made to nearly match the etching rate of the AlCu layer 15.例文帳に追加

この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 - 特許庁

The CMP slurry is formulated with an oxidizer, capable of oxidizing a metal undergoing planarization and yielding a complexing agent which complexes with the oxidized metal, thereby minimizing overetching.例文帳に追加

ＣＭＰスラリーは、平坦化される金属を酸化することができ、また酸化された金属と錯体を形成する錯化剤を生ずることができる酸化剤を使用して処方され、それによりオーバーエッチィングを最小限度に抑える。 - 特許庁

In a trench etching step, overetching is prolonged, and the width of the trench near the joint with the buried oxide film is made larger than the width of the trench in an opening.例文帳に追加

そして、トレンチエッチ工程においてオーバーエッチを長くして、埋め込み酸化膜との接合部近傍でのトレンチの幅を、開口部でのトレンチの幅よりも広くする。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant.例文帳に追加

フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

For the array substrate manufactured by conventional four-mask processes, a trouble such that a pixel electrode is opened due to a step formed by overetching the gate insulation film at the lower part occurs on the side of the drain electrode.例文帳に追加

従来の４マスク工程で製作されたアレー基板は、ドレイン電極の側面において、その下部のゲート絶縁膜がオーバーエッチングされてあらわれる段差により画素電極がオープンされる不良が発生した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing technology which allows an opening check to be executed at forming vias, possibly lessens overetching, but avoids poor etching.例文帳に追加

ビアホール加工に際して開口チェックが実行でき、オーバーエッチングを出来るだけ少なくすると共に、エッチング不足を防止できる半導体デバイス製造技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an HBT with its speed increased by improvements relative to short-circuiting between the base electrode and the emitter electrode forward mesa section and relative to overetching of the backward mesa section B for a reduction in capacitance between the base electrode and the collector electrode.例文帳に追加

ベース電極とエミッタ電極間の順メサ部の短絡と、逆メサ部Ｂの部のオーバエッチングを改善し、ベースコレクタ間容量を低減して、高速化を図ったＨＢＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which etching residues can be removed without greatly overetching a film to be etched formed covering a step, and a ground oxide film can be made thin.例文帳に追加

段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify the fabrication process of a constriction type LED by decreasing the number of times of epitaxial growth process, and to prevent overetching of an underlying layer at the time of removing the constriction layer partially by etching.例文帳に追加

狭窄型ＬＥＤにおいて、エピタキシャル成長工程の回数を減らして製造プロセスを簡単化するとともに、狭窄層を部分的にエッチング除去する際に、その下層に対するオーバーエッチングを有効に防止する。 - 特許庁

In other words, side etching will not advance very much in the depth direction, even if overetching is applied, and side etching can be controlled easily and a stable form is obtained.例文帳に追加

つまり、オーバーエッチングを加えても、サイドエッチングが深さ方向に対して極端に進むことはなく、サイドエッチングの制御が容易になり、安定した形状を得ることができる。 - 特許庁

In a third plasma etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride and chlorine is used, and at the same time, the substrate bias power is set to 0 W for conducting overetching.例文帳に追加

第３プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素の混合ガスを用い、かつ、基板バイアス電力を０ｗとして、オーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

Overetching unifies dimensions worked from the reference mask, can obtain uniform working accuracy, can manufacture a small resonative bar, and can stably supply the small oscillating piece at a low cost.例文帳に追加

オーバーエッチングにより基準マスクから加工される寸法に統一され、均一な加工精度を得ることができ、小型振動片の製造を可能とし、安価に安定して供給する事ができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which decreases a plug loss by shortening the overetching time when etching back metal such as tungsten to form metal plugs.例文帳に追加

Ｗ等のメタル材料をエッチバックしてメタルプラグを形成する際、オーバーエッチング時間を短くしてプラグロスを小さくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board which can in the case where the wiring board is manufactured, facilitate work and moreover, effectively prevent the unsatisfactory state of an overetching, etching residues and the like, and the manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

配線基板を製造する場合に、作業が容易でしかもオーバーエッチングやエッチング残り等の不具合を効果的に防止できる構造の配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric element in which the risk of disconnection is reduced when etching a hollow part of a protective film owing to a decrease in overetching of an upper electrode, thus reducing cost by a thinned upper electrode.例文帳に追加

保護膜の中抜き部をエッチングする際に、上部電極のオーバーエッチングが減少して断線の危険性が少なくなり、上部電極の薄膜化によりコストの低減した圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of correcting defects of an EUV mask, which enables correction with high precision while suppressing overetching of an absorption layer film material in a step of correcting defects of the EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスクの欠陥修正工程において吸収層膜材の過度のエッチングを抑制し、高精度な修正が可能となるＥＵＶマスクの欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing overetching when a CVD oxide film is to be opened and for stabilizing breakdown voltage and current amplification factor.例文帳に追加

ＣＶＤ酸化膜を開口する時のオーバーエッチングを防止し、耐圧や電流増幅率の安定化が図れる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To nearly equally perform overetching to a p-type MOS region and an n-type MOS region when gate electrodes are formed in a semiconductor device having a p-type MOS (p-channel MOS transistor) and an n-type MOS (n-channel MOS transistor).例文帳に追加

ｐＭＯＳ（ｐチャネルＭＯＳトランジスタ）とｎＭＯＳ（ｎチャネルＭＯＳトランジスタ）とを有する半導体装置で、ゲート電極形成時に、ｐＭＯＳ領域とｎＭＯＳ領域にほぼ同等のオーバーエッチングを施す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of controlling etching of a gate electrode easily and realizing a transistor element which is manufactured as designed avoiding overetching.例文帳に追加

ゲート電極のエッチングの制御を容易にし、オーバーエッチングを回避した設計どおりのトランジスタ素子を実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加

化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁

When exposure of the AlCu layer 15 is detected, the upper layer main etching step is terminated and an upper layer overetching step is started.例文帳に追加

そして、ＡｌＣｕ層１５が露出したことが検出されると、上層メインエッチング工程が終了され、上層オーバエッチング工程が開始される。 - 特許庁

Thus, the control gate electrode 13 is not side-etched, even if a significant overetching takes place, when the first conducive film 8 is removed.例文帳に追加

このようにすれば、第一の導電膜８を除去する時にかなりオーバーエッチしてもコントロールゲート電極１３がサイドエッチされることがなくなる。 - 特許庁