「PLASMA- PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, a plasma processing chamber 100 configured to generate a plasma includes a bottom electrode assembly which comprises an inner bottom electrode 131 configured to receive a substrate and an outer bottom electrode 133 disposed outside of the inner bottom electrode.例文帳に追加

一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。 - 特許庁

In particular, impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are formed after the plasma processing, so that the impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are not exposed to plasma and does not change in quality, thereby achieving improvement in ON current corresponding to the semiconductor films 5b and 6b including the crystalline silicon with respect to the thin film transistors 5 and 6.例文帳に追加

特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 - 特許庁

By supplying, to an optional cavity 11 out of the plurality of cavities 11, a liquid or gas having a dielectric constant different from that of the liquid or gas of the other cavities 11, plasma density on the optional cavity 11 is changed, and plasma processing is uniformized.例文帳に追加

この複数の空洞１１のうちの任意の空洞１１に、その他の空洞１１の液体または気体と異なる比誘電率を有する液体または気体を供給することにより、任意の空洞１１上のプラズマ密度を変化させ、プラズマ処理の均一化を図る。 - 特許庁

An SOI substrate 20 is placed on the projections 3b, etching gas is introduced into the processing chamber 2, high-frequency power is applied to the lower electrode 3 to generate plasma, and an oxide film is dry-etched, in a state in which the surface of the SOI substrate facing the lower electrode 3 is exposed to the plasma.例文帳に追加

そして、突出部３ｂ上にＳＯＩ基板２０を配置して、処理室２内にエッチングガスを導入すると共に、下部電極３に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、ＳＯＩ基板２０の下部電極３側の面もプラズマに曝した状態で、酸化膜をドライエッチングする。 - 特許庁

This corrosion-resistant material is a material exposed to plasma in manufacturing a semiconductor and a polyimide substrate and in plasma- processing liquid crystal, and is made of a base material such as ceramic, glass, metal, or metal base composite material and a magnesium oxide film arranged on the surface of the base material to improve its corrosion resistance.例文帳に追加

プラズマに曝される半導体製造、ポリイミド基板製造、液晶プラズマ処理等の部材を、セラミックス、ガラス、金属あるいは金属基複合材料からなる基材とその基材表面に配向したマグネシウム酸化物膜とにより構成することによって部材の耐蝕性を向上する。 - 特許庁

The insulating film 5 is formed by cleaning a face of the diaphragm 2 of the thickness of approximately 0.8 μm by O2 plasma processing, then forming a TEOS film at 500°C or lower onto the face of the diaphragm 2 by plasma CVD, and annealing the TEOS film formed to the diaphragm 2.例文帳に追加

絶縁膜５は、厚さ約０．８μｍの振動板２の面上をＯ_2プラズマ処理によってクリーニングし、次に、プラズマＣＶＤによりその振動板２の面上に５００℃以下の温度でＴＥＯＳ膜を成膜し、そして、振動板２に成膜したＴＥＯＳ膜をアニール処理して形成した。 - 特許庁

To provide a method of surface treatment by which an antiglare layer is formed with a short processing time without necessitating a complicated process, an apparatus for plasma discharge treatment, an antiglare film and an antiglare low reflection film formed by the method of surface treatment and the apparatus for plasma discharge treatment.例文帳に追加

処理時間が短い煩雑な工程を必要としない防眩性を有する層を生成する表面処理方法、及びプラズマ放電処理装置、また、これら表面処理方法及びプラズマ放電処理装置により形成された防眩性フィルム及び防眩性低反射フィルムの提供。 - 特許庁

The substrate 6 is heated up to a temperature equal to or higher than the boiling temperature of chloride of a group III element (Ga) contained in the substrate 6, and at the same time, the radical generated in plasma of a plasma generator (electrode section 81) is brought into contact with the surface of the substrate 6, thereby processing its surface.例文帳に追加

上記基板６を、その基板６に含まれるIII族元素(Ｇa)の塩化物の沸点以上の温度に加熱し、同時に、プラズマ生成部(電極部８１)のプラズマ中で生成されたラジカルを基板６の表面に接触させることにより、基板６の表面を加工する。 - 特許庁

The plasma processing is carried out in the limited prescribed area by changing the relative position between each of the plurality of the plasma generating means and the substrate to be processed, thereby suppressing the particle generation to the minimum.例文帳に追加

必要最小限の領域と同程度の微小なプラズマを発生するプラズマ発生手段を複数設け、前記複数のプラズマ発生手段と処理基板との相対位置を変化させ、所定の領域に限定してプラズマ処理を行うことによって、パーティクルの発生を最小限に抑える。 - 特許庁

To provide a plasma processing system for forming a carbon film on the inner surface of a plastic container by using high-frequency plasma capable of simplifying the system and operating procedure, shortening work time and forming a more uniform carbon film, and to provide a method for producing a carbon film-formed plastic container.例文帳に追加

装置の簡略化、操作方法の簡略化、作業時間の短縮、より均一な炭素被膜の形成などが可能な、高周波プラズマを利用してプラスチック容器の内面に炭素被膜を形成するプラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The existence of the trouble state is judged by subjecting electromagnetic wave emission radiated by plasma discharge upon a plasma emission processing in a reaction chamber to photoelectric conversion to obtain a voltage value 31, and comparing this voltage value 31 with a predetermined non-changing fixed value Th1 along a time axis.例文帳に追加

反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値３１を取得し、この電圧値３１を時間軸に沿って非変化の所定の固定値Ｔｈ１と大小比較するなどして、異常状態の有無を判断する。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control device 30 for controlling exhaust emission by an electromagnetic wave plasma generated by irradiating an electromagnetic wave to a gas processing chamber in which the controlling effect of the exhaust emission is enhanced by suppressing the energy of the electromagnetic wave absorbed by the plasma from reducing by dew condensation water.例文帳に追加

ガス処理室に電磁波を放射して生成した電磁波プラズマにより排気ガスを浄化する排気ガス浄化装置１００において、プラズマに吸収される電磁波のエネルギーが結露水により低減することを抑制して、排気ガスの浄化効率を向上させる。 - 特許庁

A method of manufacturing an electrode and a method of processing an electrode precursor include a step of exposing a surface of the electrode precursor composed of a carbon material, a binder and a conductive assistant to a discharge plasma generated under a pressure close to atmospheric pressure, where the discharge plasma is a discharge plasma of a gas which contains hydrogen of 0.1 vol.% or more and 5 vol.% or less in the gas.例文帳に追加

炭素材料とバインダーおよび導電助剤からなる電極前駆体表面を、大気圧近傍の圧力下で発生させた放電プラズマに曝す工程を含み、該放電プラズマは、ガス中に０．１体積％以上５体積％以下の水素を含有するガスの放電プラズマであることを特徴とする、電極の製造方法および電極前駆体の処理方法である。 - 特許庁

A process gas is introduced into a processing chamber 1 from an introduction system 2 and a high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of VHF bands to a high frequency electrode 3 so that high frequency discharge take place to form a plasma for processing a substrate 9.例文帳に追加

処理チャンバー１内にプロセスガス導入系２によりプロセスガスが導入され、高周波電極３に高周波電源４がＶＨＦ帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板９が処理される。 - 特許庁

An insulating screen 250 and an insulating gate wall 251 are provided inside the gate 205 containing the gate valve 244, and the electrical impedance of the gate 205 is set higher from the viewpoint of plasma P than that of the processing chamber 201 where the insulating processing chamber wall 280 is provided.例文帳に追加

ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 - 特許庁

A region (and a neighboring region thereof) having a sidewall portion exposed between source-drain electrodes 17, of a semiconductor layer 14 formed in a lower layer of a channel protection layer 15 provided in the thin film transistor TFT is subjected to oxidation processing by oxygen plasma processing.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

Along the transporting line 1 of the atmospheric pressure plasma processing apparatus M1, a heating section 2 which heats the substrates W, a processing section 3 which forms a small thickness space 100 between the row of the setters 5 and the section 3, and a cooling section 4 which cools the substrates W are sequentially arranged.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍ１の搬送ライン１に沿って、基材Ｗを加熱する加熱部２と、セッタ５の列との間に薄厚空間１００を形成する処理部３と、基材Ｗを冷却する冷却部４が順次配置されている。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor wafer, which can planarize the entire surface with high accuracy and can process it with high throughput, and also to provide a plasma etching apparatus which can be used for processing of such a semiconductor wafer.例文帳に追加

ウエーハ表面全体にわたって高精度に平坦化することができるとともに、高いスループットで処理することができる半導体ウエーハの加工方法、及びそのような半導体ウエーハの加工に使用できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck 30 by gradually reducing a chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック３０からデチャッキングされる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a magnetic field adjusting mechanism in a simple structure capable of easily controlling the strength distribution of a high frequency magnetic field generated from an exciting coil with the high degree of freedom.例文帳に追加

励起コイルから発生する高周波磁場の強度分布を容易且つ高い自由度で制御できる、簡単な構造の磁場調整機構を備えるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is excellent in maintainability, long in service life as a whole, and capable of restraining an abnormal discharge from occurring in a gate space.例文帳に追加

メンテナンス性が高く装置全体としての寿命が長いプラズマ処理装置、さらにはゲート空間における異常放電の発生を抑制したプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The upper surface of the outer frame of the intermediate crystal plate and the lower surface of the upper crystal substrate consist of crystal element surfaces and airtightly joined by surface activated bonding using the plasma processing.例文帳に追加

中間水晶板外枠の上面及び上側水晶基板の下面は水晶素面からなり、プラズマ処理を用いた表面活性化接合により気密に接合される。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing apparatus for improving uniformity of magnetic field strength, and moreover, forming an angular magnetic field to be usable for a large angular substrate.例文帳に追加

磁場強度の均一化を向上させ得、しかも角形の磁場を形成させて角形の大形基板にも対応できる誘導結合プラズマ処理装置を提供しようとするものである。 - 特許庁

One embodiment of this invention is a method for processing substrates, and the invention provides a method including the one for the formation of correlation between at least one attribute of plasma and a dose.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、基板を処理する方法であって、プラズマの少なくとも１つの属性とドーズ量との間の相関を生成することを含む方法を提供する。 - 特許庁

This member 10 forms a gas passage F for making a plasma processing gas flow smoothly into a gap (g) between a rotating electrode 1 and a work, i.e., a substrate 2.例文帳に追加

ガス流路形成部材１０は、回転電極１および被処理物である基板２とのギャップ部ｇに対して円滑にプラズマ処理用ガスを流すガス流路Ｆを形成している。 - 特許庁

To provide a plasma doping method excellent in a uniformity of an impurity concentration introduced on the surface of a sample and providing a fast processing speed than conventional method, and to provide a device.例文帳に追加

試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法や、従来よりも早い処理速度を実現できるプラズマドーピング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An error diffusion processing circuit 3 performs the error diffusion of lower bits of 12-bit R, G, B signals to make the signals to be signals equivalent to 12 bits or 11 bits and inputs them to a PDP(plasma display panel) 4.例文帳に追加

誤差拡散処理回路３は、１２ビットのＲ，Ｇ，Ｂ信号の下位ビットを誤差拡散して、１２ビットもしくは１１ビット相当の信号としてＰＤＰ４に入力する。 - 特許庁

To provide a plasma processing unit, and its substrate mounting table, in which a self-bias voltage can be measured while using a substrate mounting table of such a structure as the surface is coated with an insulator.例文帳に追加

表面が絶縁体で被覆された構造の基板載置台を用いつつ、自己バイアス電圧を測定することの可能なプラズマ処理装置、および、その基板載置台を提供すること。 - 特許庁

Thus, the current detecting unit 17 momentarily detects the occurrence of the insulation breakdown even when the insulation breakdown of the lower electrode 12 takes place during the processing of a semiconductor substrate WF wherein plasma is generated.例文帳に追加

これにより、プラズマの生成される半導体基板ＷＦの処理中において、下部電極１２の絶縁破壊が起こったとしても、瞬時に電流検知器１７が検知する。 - 特許庁

In a space to which raw material gas is supplied, plasma is generated in the space by conducting ionization processing of the raw material gas and also conducting irradiation of light such as ultraviolet light or X-rays.例文帳に追加

原料ガスが供給された空間において、原料ガスの電離処理と、紫外線やＸ線等の光線の照射を行うことにより、該空間内にプラズマを生成させる。 - 特許庁

When plasma processing starts, a striker arm begins rotating (steps S2 and S3), and even after a striker tip 35 contacts a cathode 2, a servo motor 40 continues to drive the striker arm to rotate.例文帳に追加

プラズマ処理の開始により、ストライカアームの回動動作に移り（ステップＳ２、Ｓ３）、陰極２にストライカチップ３５が当接した後もサーボモータ４０が駆動し続けて回動動作が継続していく。 - 特許庁

To obtain high surface passivation effect and to shorten a film deposition time, with respect to film depositing processing wherein a silicon nitride thin film is deposited on a semiconductor element by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a focus ring such that: uniformity in an etching rate of a workpiece is not made worse, and generation of particles resulting from etching of the focus ring is reduced.例文帳に追加

被処理体のエッチングレートの均一性を悪化させず、フォーカスリングがエッチングされることによるパーティクルの発生を減らすことができるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。 - 特許庁

The back sheet for the solar cell has a barrier layer with gas barrier capability formed on one side or both sides of a transparent film base material, by performing a plasma processing for a polysilazane film.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面もしくは両面に、ポリシラザン膜にプラズマ処理を施して形成されたガスバリア能を持つバリア層を有することを特徴とする太陽電池用バックシート。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of attaining a desired wafer temperature distribution with low power consumption by optimizing a refrigerant circulation amount in a cycle of a direct expansion type cooling system.例文帳に追加

直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

When the work (glass substrate) 16 is conveyed to a next stage after the plasma processing, a lift frame 14 is used which comes into contact with a peripheral edge part of the work (glass substrate) 16.例文帳に追加

プラズマ処理が終了し、被加工物（ガラス基板）１６を次工程に搬送する際には、被加工物（ガラス基板）１６周縁部の周縁部に当接するリフト用フレーム１４が用いられる。 - 特許庁

To provide a plasma-processing method, where together with a sample comprising a silicon nitride film, anisotropic and precise dimension, working and superior selectivity with respect to a base-material silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an optimum processing method for swiftly recovering a plasma processor to a state that it is available for manufacturing a semiconductor device after maintenance without using a special wafer or the like.例文帳に追加

特殊なウェハ等を使用することなくプラズマ処理装置をメンテナンス後に速やかに半導体装置の製造に使える状態に回復するために最適な処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a plasma display panel capable of performing the display without performing a scan converting processing as to plural picture signals having different numbers of scanning lines and also while keeping original numbers of scanning lines as they are.例文帳に追加

走査線数が異なる複数の画像信号について、走査変換処理をすることなく、かつ本来の走査線数のまま表示できるプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The high-frequency power source 32 supplies high-frequency power to the ICP electrode 24 and the flat electrode 26, and thereby inductively-coupled plasma of the processing gas is generated in the vacuum chamber 10.例文帳に追加

高周波電源３２がＩＣＰ電極２４及び平面状電極２６に高周波電力を供給することで、真空チャンバ１０内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The control part 43 changes the chuck voltage according to each process of plasma processing composed of a plurality of processes including an etching process, and in the etching process, applies a high voltage to the electrode plate 25d.例文帳に追加

制御部４３は、エッチング工程を含む複数の工程からなるプラズマ処理の各工程に応じてチャック電圧を変更し、エッチング工程では高電圧を電極２５ｄに印加する。 - 特許庁

Since the overshoot voltage removes a deposition attached and deposited around the lower electrode, abnormal discharge after plasma ignition in the processing chamber is prevented.例文帳に追加

このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 - 特許庁