「PLATING ELECTRODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electroless plating solution which hardly eludes a ceramic layer when performing the electroless plating on an external electrode of a ceramic electronic component such as a multilayer chip capacitor, and a ceramic electronic component manufacturing method.例文帳に追加

積層チップコンデンサ等のセラミック電子部品の外部電極に無電解めっきを施す際にセラミック層を溶出させにくい無電解めっき液の提供、及びセラミック電子部品の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an electrode assembly mounted on a plating apparatus repeatedly and stably forming a plating film having excellently uniform film thickness distribution and composition distribution.例文帳に追加

より均一性に優れた膜厚分布および組成分布を有するめっき膜を繰り返し安定して形成可能なめっき装置に搭載される電極組立体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a chip varistor which can improve fixing force of a plating layer formed on an external electrode and minimize lowering of an insulation resistance after plating treatment.例文帳に追加

外部電極上に形成されためっき層の固着力を向上させ、さらに、めっき処理後の絶縁抵抗の低下を極力防止することのできるチップバリスタの製造方法を得る。 - 特許庁

The laminated chip component comprises two plated layers of Sn-Bi eutectic alloy plating on the outermost surface of an external electrode terminal, and Sn-based alloy plating for the undercoat.例文帳に追加

外部電極端子最外表面がＳｎ−Ｂｉ共晶合金めっきで、かつその下地がＳｎ系合金めっきで構成された２層めっきである積層型チップ部品とする。 - 特許庁

The first external electrode 13 comprises at least one plating film including a first plating film 13a disposed directly on an outer surface of the ceramic element assembly 10.例文帳に追加

第１の外部電極１３は、セラミック素体１０の外表面の直上に形成されている第１のめっき膜１３ａを含む少なくともひとつのめっき膜からなる。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming an electrode 4 for electrolytically plating on a bottom between opposed wall surfaces off the form 6 by electroless plating on the layer 3.例文帳に追加

そして、触媒金属層３の上であって型枠６の相対向する壁面間の底部に電解めっき用電極４を無電解めっきにより形成する。 - 特許庁

Thus, the anode electrode and the semiconductor device are separated into different baths, so that the number of particles in a plating film formed on the semiconductor device can be reduced, and the plating film having reduced defects can be deposited.例文帳に追加

これにより、アノード電極と半導体装置を別の浴に分離するので、半導体装置上に形成するめっき膜中のパーティクル数を減少させることができ、欠陥の少ないめっき膜を成膜することができる。 - 特許庁

The contact etching/plating process is performed in local etching/plating cells 12, 14 in closed or open cavities between the master electrode 8 and the substrate 9.例文帳に追加

密接エッチング／めっきプロセスは、マスター電極（８）と基材（９）の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング／めっきセル（１２，１４）中で実施される。 - 特許庁

The second external electrode 14 comprises at least one plating film including a second plating film 14a disposed directly on the outer surface of the ceramic element assembly 10.例文帳に追加

第２の外部電極１４は、セラミック素体１０の外表面の直上に形成されている第２のめっき膜１４ａを含む少なくともひとつのめっき膜からなる。 - 特許庁

The core body for a secondary battery electrode is composed of: a perforated steel plate; a plating layer formed on the steel plate and composed of a Ni-Fe alloy; and a conductive carbon fiber layer formed on the plating layer.例文帳に追加

穿孔された鋼板と、前記鋼板上に形成されたNiまたはNi-Fe合金からなるめっき層と、前記めっき層上に形成された導電性の炭素繊維層と、から構成された二次電池電極用芯体。 - 特許庁

To provide a cathode electrode which does not stick or include materials to be contaminants to a wafer on or into the wafer during a plating treatment, is low in electric resistance and is adequate for plating the wafer.例文帳に追加

ウェーハに対して汚染物質となるものを、めっき処理時にウェーハへ付着又は混入させることがなく、さらに、電気抵抗的にも低い、ウェーハめっき用に好適なカソード電極を提供する。 - 特許庁

Therefore, when the plating resist film 25 is peeled off after the formation of a columnar electrode 12, no resist residue of the plating resist film 25 therefore is left among the wiring 11.例文帳に追加

したがって、柱状電極１２形成後にメッキレジスト膜２５を剥離するとき、配線１１間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のレジスト残渣が発生しないようにすることができる。 - 特許庁

The master electrode 8 is put in close contact with the substrate 9 and the etching/plating pattern is directly transferred onto the substrate 9 by using a contact etching/plating process.例文帳に追加

マスター電極（８）は基材（９）と密接して置かれ、エッチング／めっきパターンが、密接エッチング／めっきプロセスを使用して直接的に基材（９）上に転写される。 - 特許庁

To prevent both the etching residue of a plating base film and an excessively etched electrode pad in removing the plating base film used for bump formation by etching.例文帳に追加

バンプ形成に用いためっき下地膜をエッチングによって除去する場合に、めっき下地膜のエッチング残りや、電極パッドの過剰エッチングを共に防止する。 - 特許庁

The core body for a secondary battery electrode is composed of: a perforated steel plate; a plating layer formed on the steel plate and composed of a Ni-Fe alloy; and a conductive carbon fiber layer formed on the plating layer.例文帳に追加

穿孔された鋼板と、前記鋼板上に形成されたNiまたはNi-Fe合金からなるめっき層と、前記めっき層上に形成された導電性の炭素皮膜と、から構成された二次電池電極用芯体。 - 特許庁

Then, the surface of the conductive material seed 54 is covered with a resist mask 56, and a spiral coil 32b is laminated by an electrolytic plating by using the conductive material seed 54 as an electrode (first plating step).例文帳に追加

次に、導電性材料リード５４の表面をレジストマスク５６で覆い、導電性材料シード５４を電極として、電解メッキ法によりスパイラルコイル３２ｂを積層する（第１メッキ工程）。 - 特許庁

To provide a ceramic laminated electronic component and its manufacturing method, capable of proper plating film formation and soldering by preventing a plating liquid from entering an element body and a base material electrode.例文帳に追加

素体および下地電極にめっき液が侵入することを防止して、めっき膜の形成およびはんだ付けを良好に実施することが可能なセラミック積層電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the surface of the magnetic material seed 62 is covered with a resist mask 60, and an RS fragment 26b is laminated by the electrolytic plating method by using the magnetic material seed 62 as an electrode (second plating step).例文帳に追加

さらに、磁性材料シード６２の表面をレジストマスク６０で覆い、磁性材料シード６２を電極として、電解メッキ法によりＲＳ素片２６ｂを積層する（第２メッキ工程）。 - 特許庁

Next, plating is applied to the pad 22 with an electrolytic plating method by allowing a current to flow in the pad 22 via the first terminal electrode 18 and the first wiring 30.例文帳に追加

次に、第１の端子電極１８及び第１の配線３０を介してパッド２２に電流を流し、電解メッキ法によってパッド２２をメッキする。 - 特許庁

An Ni-P film and an Au film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic element assembly through a pretreatment stage 11, an autocatalytic Ni plating stage 12 and a substitution Au plating stage 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、置換Ａｕめっき工程１３を経て、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

A conductor 16 is packed in the through-hole 10x by electrolytic plating which uses the metal foil 14 as a plating feeder electrode, and then the metal foil 14 is delaminated from the board 10.例文帳に追加

さらに、金属箔１４をめっき給電電極に利用する電解めっきにより、スルーホール１０ｘ内に導電体１６を充填した後に、基板１０から金属箔１４を剥離する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic electronic component capable of efficiently making a plating film grow when forming an external terminal electrode on a surface of a ceramic element by direct plating and having high productivity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セラミック素体の表面に、直接めっきにより外部端子電極を形成する場合において、めっき膜を効率よく成長させることが可能で、生産性の高い積層セラミック電子部品、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plating device where the passivation of an anode electrode can be prevented, and the reduction of current efficiency and the reduction of the film deposition rate in a plating film can be prevented; and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加

アノード電極の不動態化を防止することができ、電流効率の低下およびめっき皮膜の成膜速度の低下を防止することができるめっき装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first conductive film is used as an electrolytic plating base film, that is, a plating electrode when forming a second conductive film on top of the first conductive film.例文帳に追加

この第１導電膜は、この第１導電膜に積層して第２導電膜を形成するときに、電解めっき下地膜、つまりめっき電極とされる。 - 特許庁

The plating which is formed on the surface of such a electrode, is formed on the part of electroconductive material and just imitates the state forming the plating only on the fine grooves and pores formed on a substrate.例文帳に追加

このような電極の表面に形成されるメッキは導電性材の部分に形成され、ちょうど被処理基板に形成された微細な溝や孔にのみメッキを形成する状態を模擬する。 - 特許庁

To selectively form a rear electrode plating layer on the rear side of a semiconductor wafer, without having to use a resist in a plating process, when manufacturing a semiconductor device from the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、めっき工程においてレジストを用いることなく、裏面電極のめっき層を半導体ウェハの裏面側に選択的に形成する。 - 特許庁

On the Al electrode 3, the Ni plating layer 5 is selectively deposited, so the Ni plating layer 5 is not formed at a part of a peripheral pressure-resisting structure 4 portion.例文帳に追加

Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that includes a process capable of easily and certainly insulating and isolating a plating lead used in a plating treatment process from an electrode in a substrate and a wiring pattern.例文帳に追加

メッキ処理工程で用いられたメッキリードを基板内の電極や配線パターン部から容易且つ確実に絶縁分離することができる工程を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In a developing section 32, an unexposed part of a resist film 25 for plating is swollen and dissolved through a surface in contact with a developing solution to form an opening for forming a columnar electrode in the resist film 25 for plating.例文帳に追加

現像部３２では、メッキレジスト膜２５の非露光部は現像液と接触する表面から膨潤して溶解され、メッキレジスト膜２５に柱状電極形成用の開口部が形成される。 - 特許庁

Subsequently, the mask 32 is removed, and the metallic plating filled into the opening 28 is connected by plating to the upper conductor 24, using the upper conductor 24 or the lower conductor 26 as an electrode.例文帳に追加

続いて、マスク３２を除去し、上部導体２４または下部導体２６を電極として、開口部２８に充填された金属めっきと上部導体２４とをめっき接続する。 - 特許庁

An Ni-P coated film and an Au coated film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic body through a pre-treatment step 11, an autocatalytic Ni plating step 12 and a displacement Au plating step 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、及び置換Ａｕめっき工程１３により、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming plating of a chip component capable of reducing variation of thickness of a plating film formed on a terminal electrode even when the number of terminal electrodes electrically connected to one another through wires in the chip component varies.例文帳に追加

チップ部品の内部の配線により互いに導通している端子電極の数にばらつきがあっても、端子電極に形成されるめっき膜の厚みのばらつきを低減することができるチップ部品のめっき形成方法を提供する。 - 特許庁

Distance between positive and negative electrode terminal is set to 0.5 mm-5 mm, thickness of the Ni plating layer 0.05-2.0 μm and the thickness of the Sn plating layer 0.3-5.0 μm.例文帳に追加

正負極端子同士の極間距離を０．５ｍｍ〜５ｍｍとし、Ｎｉめっき層の厚さを０．０５〜２．０μｍ、Ｓｎめっき層の厚さを０．３〜５．０μｍとする。 - 特許庁

The dummy cathode electrode 22 is provided to be exposed at a position to be in contact with the plating solution 100 prior to the body 40 to be plated when the holder 20 is immersed in the plating solution 100.例文帳に追加

ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。 - 特許庁

Subsequently, metallic plating is grown from a lower conductor 26 side of the opening 28, using the lower conductor 26 as an electrode, and the metallic plating is filled into the opening 28.例文帳に追加

次に、下部導体２６を電極として、開口部２８の下部導体２６側から金属めっきを成長させ、開口部２８に金属めっきを充填する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a plating device with which the remarkable reduction of an electroplating liquid is made possible, and a plating film with a uniform film thickness can be formed on the whole surface of the substrate to be plated such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

電解メッキ液の大幅な節減ができ、半導体ウエハのような被メッキ基板の全表面にわたって膜厚が均一なメッキ膜を形成できるメッキ装置の電極構造を提供する。 - 特許庁

The plating device is provided with an adhered liquid removing means which removes the adhered liquid 11 stuck to the cathode electrode pin 6 on plating in contact with the wafer which is arranged on a wafer supporting board 5.例文帳に追加

ウエハ支持盤５に設けられたウエハと接触するカソード電極ピン６にメッキ時付着した付着液１１を除去する付着液除去手段を有する。 - 特許庁

In the plating device, plating is formed in a stage wherein ultrasonic waves are applied to an electroplating liquid and a wafer stage, a stage wherein the pressure inside a bathtub is reduced, and a stage wherein the wafer stage and an anode electrode are rotated.例文帳に追加

本発明のメッキ装置は、電解メッキ液及びウエハステージに超音波を印加した状態、バス槽内を減圧した状態、ウエハステージ及びアノード電極を回転した状態で、メッキを形成することを特徴とする。 - 特許庁

A bottom wall of a plating tank 41 is formed as an inclined surface 43, the friction material 21 is installed on the inclined surface 43, and a plating electrode 44 is disposed facing the friction material 21.例文帳に追加

この場合、めっき槽４１の底壁が傾斜面４３として形成されて、傾斜面４３に摩擦材料２１が設置されると共に、めっき用の電極４４が摩擦材料２１に対向して配設される。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring of a thin-film magnetic head for sure preventing of stripping of a mask pattern needed, when selective plating is conducted and a plating electrode.例文帳に追加

選択めっきを行う際に必要となるマスクパターンとめっき電極との剥離を確実に防止する薄膜磁気ヘッドの配線方法を提供すること。 - 特許庁

A plating solution 7 is poured into the upper part of the cylindrical body 1 so that the inner surface of the upper part and the electrode 25 in the upper part can be immersed in the plating solution 7.例文帳に追加

筒状体１の上側部分は、めっき液７を注入し、上側部分の内面と上側部分内の電極棒２５をめっき液７に浸す。 - 特許庁

Then metal plating is grown from the edge end of the feeding film from the opening by using the feeding film for an electrode, and the metal plating closely adhered to the lower layer wire is filled in the opening to form the conductor.例文帳に追加

そして給電膜を電極として開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、導体部を形成する。 - 特許庁

When one or more plated layers 33 are formed, a plating metal is stored in the plating reservoir, and a level difference formed between a soldered electrode part and a protective layer by the plated layers 33 can be reduced to a certain degree.例文帳に追加

１層以上のメッキ層３３を形成する際に、メッキ溜まりＳにメッキ金属が溜まり、メッキ層３３によって半田付け電極部と保護層との間に形成される段差をある程度小さくすることができる。 - 特許庁

The substrate is immersed in an electrolytic solution; and the electrode pad for plating is energized to subject the top end of the columnar structure to electrolytic plating to form a hemispheric dome structure on the top end of the columnar structure.例文帳に追加

この後、基板を電解液に沈め、メッキ用電極パッドに通電し、柱構造先端に電解メッキを行い、柱構造先端に半球状のドーム構造を形成する。 - 特許庁

To provide a plating apparatus which removes adhered liquid stuck to a cathode electrode pin in contact with a wafer on plating and improves the quality of the plated wafer.例文帳に追加

ウエハと接触するカソード電極ピンにメッキ時付着した付着液を除去し、メッキ処理したウエハの品質を向上させるメッキ装置を提供する。 - 特許庁