「PLATING ELECTRODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

After a hole 10 in a desired shape is formed inside a substrate 1, the substrate is immersed in an electroless plating liquid 11 and irradiated with condensed laser light 12 along a desired pattern to precipitate and fix a metal in the irradiated region to form a metal electrode.例文帳に追加

基板１内部に所望形状の空孔１０を形成した後、この基板を無電解メッキ液１１中に浸し、所望のパターンに応じてレーザ光１２を集光照射することによって該照射領域に金属を析出、固定し、金属電極を形成することを特徴とする電極形成方法。 - 特許庁

The reference marks 11 to 14 are made visible by forming the transparent patterns constituting the reference marks 11 to 14 and subjecting these patterns to a partial plating treatment in a deposition stage for ITO electrode films of a glass plate 15 constituting the liquid crystal display cell 10.例文帳に追加

基準マーク１１〜１４は、液晶表示セル１０を構成するガラス板１５のＩＴＯ電極膜の成膜工程で、基準マーク１１〜１４を構成する透明のパターンを形成し、このパターンに部分的なメッキ処理を施すことで、視認可能としたものである。 - 特許庁

A laminated ceramic capacitor 1 is equipped with a sintered laminate 2, outer electrodes 5 formed on the surface of the sintered laminate 2, and an Ni plating film 6 which is formed on the surface of the outer electrode 5 and whose electrodeposition stress is 50 kgf/mm2 or below.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサ１は、焼結積層体２と、焼結積層体２の表面に形成された外部電極５と、外部電極５の表面に形成された電着応力が５０ｋｇｆ／ｍｍ^２以下のＮｉめっき膜６とを備えている。 - 特許庁

Further, a negative voltage is applied to the object via the holder, positive voltage is applied to a positive electrode arranged inside the plating liquid, and, further, as the holder is rotated to a prescribed direction together with the object, an electroplating layer is formed on the surface of the object.例文帳に追加

また、保持具を介して被めっき物に負電圧を印加し、めっき液内に配置された正電極に正電圧を印加するとともに、保持具を被めっき物とともに所定方向に回転しながら被めっき物の表面に電解めっき層を形成する工程を行う。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a lamination ceramic electronic component wherein sticking of mutual ceramic sintered bodies is eliminated at the time of hardening the resin which carried out impregnation to the ceramic sintered bodies, and further solder plating treatment to an external electrode is enabled surely.例文帳に追加

セラミック焼結体に含浸させた樹脂の硬化処理時にセラミック焼結体どうしのくっつきを解消し、さらに、外部電極上へのめっき処理を確実に行うことのできる積層セラミック電子部品の製造方法を得る。 - 特許庁

The positive electrode active material is a thin membrane, formed of an oxide containing at least iron, as a main component, in vapor- or liquid-phase deposition on a substrate using a spattering, reactive deposition, vacuum deposition, chemical deposition, flame spraying or plating method.例文帳に追加

正極活物質が、スパッタリング法、反応性蒸着法、真空蒸着法、化学蒸着法、溶射法、またはめっき法などにより、気相または液相から基板上に堆積して形成した少なくとも鉄を含む酸化物を主成分とする薄膜であることを特徴としている。 - 特許庁

In pretreatment at the time of forming a plating substrate by DC sputtering on an insulating base material 4 composed of a polyamide resin, the insulating base material 4 is fitted to an electrode 2, and moreover, plasma bombardment is applied on the surface of the insulating base material 4 by using gaseous nitrogen as reverse sputtering gas.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂からなる絶縁性基材４にＤＣスパッタリングによりメッキ下地層を形成する際の前処理において、絶縁性基材４を電極２に取り付けるとともに逆スパッタガスに窒素ガスを用いて絶縁性基材４の表面にプラズマボンバードを施す。 - 特許庁

The Ag bump 3 where the Ni/Au plating layers 4 and 5 are formed on a surface, and a chip electrode 7 made of Al of a semiconductor chip 8 is aligned for thermocompression bonding, thus allowing the semiconductor chip 8 to be subjected to flip chip packaging on the wiring board 1.例文帳に追加

Ｎｉ／Ａｕメッキ層４，５が表面に形成された前記Ａｇバンプ３と半導体チップ８のＡｌからなるチップ電極７と位置合わせをして熱圧着することにより半導体チップ８を配線基板１上にフリップチップ実装する。 - 特許庁

Before the wire bonding is performed on an electrode forming nickel plating on a thin film metal barrier used as the uppermost surface layer on a substrate such as an IC board, acid radical and hydroxyl group forming oxidation product of nickel being a trace quantity on the surface layer of the electrode are reduced and removed.例文帳に追加

ＩＣ基板等のサブストレート上の最表層としてなる薄膜金属のバリアにニッケルめっきを形成して成る電極にワイヤボンディングを行なうに先立ち、前記電極の表層部に微量なるニッケルの酸化生成物を形成する酸基および水酸基を還元して取り除くことを特徴とするワイヤボンディング前処理方法。 - 特許庁

One end of a base metal layer 26, formed by electroless plating etc., of fourth wiring 24 of the printed wiring board 21 is connected to a land 13a of second wiring 13 provided on a lower surface of a sealing film 12 including a columnar electrode (projection electrode) 11 of the semiconductor construction 1 through electric conduction holes 33 and 35 of a film substrate (insulating substrate) 22.例文帳に追加

半導体構成体１の柱状電極(突起電極)１１を含む封止膜１２の下面に設けられた第２の配線１３のランド１３ａに、プリント配線板２１の第４の配線２４の無電解メッキ等により形成された下地金属層２６の一端部をフィルム基板（絶縁性基板）２２の導通用孔３３、３５を介して接続する。 - 特許庁

When development is carried out, the section corresponding to the columnar electrode formation region as the non-exposure section in the plating resist film 25 for columnar electrode formation is formed with an opening, and the thickness of the region as the semi-exposure section other than the peripheral section of the opening is turned to be almost the half of the thickness of the peripheral section of the opening.例文帳に追加

現像を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、非露光部である柱状電極形成領域に対応する部分に開口部が形成され、開口部の周囲部以外であって半露光部である領域における厚さが開口部の周囲部の厚さのほぼ半分程度と薄くなる。 - 特許庁

At the position of an external electrode on the side face of a chip body, a conductive elastic resin film 9 covering the external electrode is formed to extend up to a part of the mounting surface of the chip body, and a metal plating film 10 for soldering is formed on the surface of the conductive elastic resin film.例文帳に追加

前記チップ体における側面のうち前記外部電極の箇所に，この外部電極を覆い隠すようにした導電性弾性樹脂膜９を，当該導電性弾性樹脂膜が前記チップ体における実装表面の一部にまで延びるように形成し，この導電性弾性樹脂膜の表面に，半田付け用の金属メッキ膜１０を形成する。 - 特許庁

To prevent bubbles, etc. from entering openings for vertical continuity which is formed in a base plate when forming a lower-layer interconnection by electrolytic plating, in a semiconductor apparatus wherein a semiconductor structure having a columnar electrode is mounted face down on the base plate and the lower-layer interconnection is formed below the base plate in such a state that it is electrically connected to the columnar electrode of the semiconductor structure.例文帳に追加

ベース板上に柱状電極を有する半導体構成体がフェイスダウンとされた状態で設けられ、ベース板下に下層配線が半導体構成体の柱状電極に電気的に接続されて設けられた半導体装置において、下層配線を電解メッキにより形成するとき、ベース板に形成された上下導通用の開口部内に気泡などが全く入り込まないようにする。 - 特許庁

A resist layer 21 having an opening broader than a width of the base electroconductive layer 20 on the base electroconductive layer 20 is formed on the front-face substrate 2, and is electroplated with the transparent electrode 9 and the base electroconductive layer 20 as plating electrodes, so that a main electroconductive layer 22 is formed on the transparent electrode 9 and the base electroconductive layer 20.例文帳に追加

その後、下地導電層２０の幅よりも広い開口を下地導電層２０上に有するレジスト層２１を前面基板２上に形成し、透明電極９および下地導電層２０をめっき電極として電気めっきを行うことにより透明電極９および下地導電層２０上に主導電層２２を形成する。 - 特許庁

In the laser trimmable capacitor solving the purpose, a dielectric (2) is composed of an organic film such as PPS, syndiotactic polystyrene or the like, and the substrate (5) consists of the organic film such as polyimide while an external electrode (4) and a lower electrode (3) are formed by the plating of the substrate (5) comprising the organic film.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明に係るレーザートリマブルコンデンサは、誘電体（２）がＰＰＳ、シンジオタクチックポリスチレンなどの有機フィルムからなり、基板（５）がポリイミドなどの有機フィルムからなると共に、外部電極（４）および前記下部電極（３）が、前記有機フィルムからなる基板（５）をメッキすることにより形成される。 - 特許庁

A barrel plating method comprises arranging the main part of an electrode body 51 of a cathode in a barrel 40, using a barrel unit having a freely rotatable barrel body 40, accommodating a chip component group 10 in the barrel body, moving the chip component group with respect to the electrode body 51 by rotating the barrel body 40.例文帳に追加

バレル筒体４０内にカソードとなる電極体５１の主要部を配置するとともに、バレル筒体４０を回転自在に有するバレルユニットを用い、バレル筒体内にチップ部品群１０を収納し、バレル筒体４０を回転させて電極体５１に対してチップ部品群を移動させてバレルめっきを行う。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a base 18 on which an LED chip 11 is mounted; a case 16 including a reflector surface 17 which is formed through surface process such as silver plating or the like, a first electrode 12; a second electrode 13; a first lead 14; a second lead 15; and a heat-proof transparent glass cover 20.例文帳に追加

半導体発光装置は、LEDチップ１１が搭載された基台部１８と、銀メッキ等の表面処理が施されて形成されたリフレクタ面１７を有するケース１６と、第１の電極部１２、第２の電極部１３、第１のリード１４、第２のリード１５、及び耐熱性透明ガラス蓋２０とを具備して構成されている。 - 特許庁

An Au electrode 2 which is made by pattering an Au film formed by plating method is formed on the surface of the compound semiconductor substrate comprising GaAs and the like, and a wiring 4 is formed on a rear area including the inside of a via hole 3 which is formed from the rear side of the semiconductor substrate 1 such that it exposes one portion of the surface of the Au electrode 2.例文帳に追加

ＧａＡｓ等からなる化合物半導体基板１の表面にメッキ法により形成されたＡｕ膜をパターニングしてなるＡｕ電極２が形成され、半導体基板１の裏面からＡｕ電極２の表面の一部を露出させるように形成されたビアホール３内を含む裏面領域に配線４が形成されている。 - 特許庁

A method for manufacturing a negative electrode active material for a nonaqueous secondary battery comprises: covering, by a plating method, a core particle made of a compound containing a substance which reacts with lithium with a conductive coating layer containing a magnetic metal material as a main component; and recovering the resultant negative electrode active material covered with the conductive coating layer while utilizing the difference of magnetization.例文帳に追加

本発明の非水系二次電池用負極活物質製造方法は、リチウムと反応する物質を含む化合物からなるコア粒子にめっき法で磁性金属材料を主成分とする導電性被覆層を被覆し、前記導電性被覆層が被覆された負極活物質を磁性差を利用し回収する。 - 特許庁

An electrode cap and a resistor assembly element are integrated to form a resistor, after a resistance value is adjusted and an insulating protective film is formed, flaws and dirt sticking to the electrode cap surface made of Sn/Sn alloy plating during a manufacturing process and an oxidized layer formed on the surface are removed by hydrochloric acid to cleans them, and an oxidation preventing film is formed on the cleansed surface.例文帳に追加

電極キャップと抵抗体を一体化して抵抗器を形成し、抵抗値調整、絶縁保護膜を形成した後に、Ｓｎ／Ｓｎ合金メッキからなる電極キャップ表面に製造工程で付いた傷や汚れや表面に形成された酸化層を塩酸系溶液で除去して清浄にし、清浄にした表面に酸化防止膜を形成する。 - 特許庁

The electroplating device comprises: a liquid tank storing a plating liquid for treating the objects to be plated; a negative voltage applying part installed in the liquid bath and applying negative voltage to the objects to be plated; a positive electrode part installed in the liquid bath and to which positive voltage is applied; and a plurality of auxiliary electrode parts installed in the positions surrounding the objects to be plated dipped into the liquid bath.例文帳に追加

被めっき物を処理するためのめっき液を貯留する液槽と、液槽内に設置され、被めっき物に負の電圧を印加する負電圧印加部と、液槽内に設置され、正の電圧が印加される正電極部と、液槽内の、浸漬された被めっき物を取り囲む位置に設置された複数の補助電極部とを含む電解めっき装置である。 - 特許庁

To provide electronic parts with a high reliability which prevent plating liquid from passing through an external electrode and from penetrating into a ceramic element and prevent humidity in an outside environment from inwardly penetrating, and which don't produce any solder sticking failure and any solder splitting failure resulting from the fact that a glass component deposits on a front surface of the external electrode, and to provide a method of manufacturing the electronic parts.例文帳に追加

めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止するとともに、ガラス成分が外部電極の表面に析出して、はんだ付き性不良やはんだ爆ぜ不良を生じたりすることがなく、信頼性の高い電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The anisotropic conductive film contains as a conductive component micro metal powder 3 manufactured by a micro electroforming method of forming a micro metal thin film 30 on a micro electrode surface 1a having a given plane shape of a mold M corresponding to its plane shape by electric plating with the surface as a negative electrode, and then peeling it off.例文帳に追加

本発明の異方導電膜は、金型Ｍの、所定の平面形状を有する微小電極表面１ａの表面に、当該表面を陰極とする電気めっきによって、その平面形状に対応した微小な金属薄膜３０を形成したのち、はく離する微細電鋳法によって製造した微細な金属粉末３を、導電成分として含むものである。 - 特許庁

Besides, the package board producing device is provided with a process for contacting the electrode pins 2p at the adapter part 2 of the package board producing device 1 to all the through hole plating parts of the fused wiring board 10 and a process for supplying the current between the electrode pins 2p while cutting off the connecting lines excepting for one composing of the prescribed wiring pattern.例文帳に追加

また、本発明の実装基板製造方法は、実装基板製造装置１のアダプター部２の電極ピン２ｐをヒューズド配線基板１０の全てのスルーホールメッキ部１１ａに接触させる工程と、所定の配線パターンを構成する以外の接続ラインを切断する態様で、電極ピン２ｐ，２ｐ間に電流を供給する工程とを含んでいる。 - 特許庁

An electrode is formed at a desired part of a textile fabric or a non-woven fabric made of a conductive fabric having a metal film formed by electroless plating or electroplating on the surface of mixed fabric made by synthetic fiber or a mixture of synthetic fiber and natural fiber, and the electrode is formed by sewing a metal thread on the textile fabric or the non- woven fabric.例文帳に追加

本発明の可撓性面状発熱体は、無電解メッキ法又は電気メッキ法により、合成繊維又は合成繊維と天然繊維との混紡からなる混紡繊維の表面に金属皮膜を設けた導電性繊維からなる編織布又は不織布の所望の箇所に電極が設けられ、該電極が編織布又は不織布に金属糸を縫い付けることによって形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

A package board producing device 1 is provided with an adapter part 2 having electrode pins 2p in contact with all the through hole plating parts of a fused wiring board 10 and a control part 3 for supplying a current between the electrode pins 2p while cutting off connecting lines excepting for one composing of the prescribed wiring pattern.例文帳に追加

本発明の実装基板製造装置１は、ヒューズド配線基板１０の全てのスルーホールメッキ部１１ａに接触する電極ピン２ｐを有するアダプター部２と、所定の配線パターンを構成する以外の接続ラインを切断する態様で、電極ピン２ｐ，２ｐ間に電流を供給する制御部３とを具備している。 - 特許庁

This method for producing metal-coated carbon fibers, comprising bringing a carbon fiber multifilament into contact with the peripheral surfaces of electrode rolls to plate the carbon fiber multifilament in an electric plating tank, is characterized in that the arithmetic average roughness (Ra) of an electrode portion contacting with the carbon fiber multifilament is 0.01 to 25μm.例文帳に追加

炭素繊維マルチフィラメントを電極ロール周面に接触させ電気メッキ槽内でメッキする金属被覆炭素繊維の製造方法において、電極ロールの炭素繊維マルチフィラメントと接する部分の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０１〜２５μｍである、金属被覆炭素繊維の製造方法である。 - 特許庁

The insoluble electrode to be conducted by being immersed into an acidic plating solution is equipped with the electrode plate 21 having a projecting surface region 25 clad with the platinum or metal containing the platinum on the surface of a substrate and the conducting plate 30 having a recessed surface region 34 clad with the platinum or the metal containing the platinum on the surface of the substrate.例文帳に追加

酸性のメッキ液に浸漬されて通電される不溶性電極に関し、基体の表面に白金又は白金を含む金属が被覆された凸面領域２５を有する電極板２１と、基体の表面に白金又は白金を含む金属が被覆された凹面領域３４を有する通電板２１とを備える。 - 特許庁

The method includes a first step of arranging a mask on a part of a surface of the electrolyte membrane or the membrane-electrode assembly, a second step of forming a current collecting member by plating on the surface of the electrolyte membrane or the membrane-electrode assembly after the mask is arranged, and a third step of removing the mask.例文帳に追加

また、電解質膜または膜電極接合体の表面の一部にマスクを設置する第１工程と、マスク設置後の電解質膜または膜電極接合体の表面上にメッキにより集電部材を形成する第２工程と、マスクを除去する第３工程と、を含む、燃料電池の製造方法である。 - 特許庁

A frame-shaped raised insulating layer 14 is formed in a region surrounding a resistor 13 on an insulating board 12, a surface electrode 17 is formed on a part of the insulating layer 14 so as to set the level of the top surface of a plating layer 21 on the surface electrode 17 equal to or higher than that of the top surface of an overcoat layer 16 on the resistor 13.例文帳に追加

絶縁性基板１２上で抵抗体１３を包囲する領域に枠状の嵩上げ絶縁層１４を形成し、この絶縁層１４上の一部に表面電極１７を形成することにより、表面電極１７上のめっき層２１の上面の高さを抵抗体１３上のオーバーコート層１６の上面の高さと同等以上に設定しておく。 - 特許庁

In an electroplating apparatus, wherein an upper electrode and a lower electrode are arranged in a long plating tray 2 in the transfer direction of a metal band plate, and the band plate is transferred while being supported by a support roll 3, long holes are each provided directly above a through hole through which the shaft of the support roll 3 penetrates, in both side walls of the tray 2.例文帳に追加

金属帯板の送り方向に長いメッキトレイ２内に上電極、下電極が配置され、帯板がサポートロール３に支持されながら送られるようにした電気メッキ装置において、前記トレイ２の両側壁で、前記サポートロール３の軸が貫通する孔の直上に長孔が設けられる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device wherein the electrode of the semiconductor and a connection terminal for an outer circuit and/or the semiconductor electrodes themselves are connected via the connecting material comprises the steps of connecting the electrode to the connecting terminal with the connecting material and coating at least the junction of the electrode with the connecting material and/or the connecting terminal with the connecting material by the plating material.例文帳に追加

半導体の電極と外部回路に対する接続用端子及び／又は半導体の電極同士が接続材料を介して接続される半導体装置の製造方法であって、前記電極と前記接続用端子とを接続材料で接続する工程と、少なくとも前記電極と前記接続材料との接合部及び／又は前記接続用端子と前記接続材料との接合部をめっき材料によりコーティングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The sheet capacitor includes: an etched aluminum foil 1 with an enlarged surface area; an acrylic-based polymer dielectric material consisting of an acrylic-based polymer electrodeposited on the top face of the etched aluminum foil; and an opposite electrode formed on the acrylic-based polymer dielectric material by the sputtering method or ion plating method.例文帳に追加

表面積を拡大させたエッチドアルミニウム箔１と、該エッチドアルミニウム箔の表面に、アクリル系ポリマーを電着形成してなるアクリル系ポリマー誘電体と、前記アクリル系ポリマー誘電体上にスパッタリング法またはイオンプレーティング法により形成した対向電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A mixed gas with a siloxane gas as a plasma gas organic material is introduced into the treatment chamber 1, high frequency power is fed to an electrode 7 for plasma generation, and a polymerized film of silicon oxide with siloxane as a binder is formed on the surface of a base material 9 by an ion plating method.例文帳に追加

処理室１内にプラズマガス有機材料であるシロキサンガスとの混合ガスを導入し、プラズマ発生用電極７に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、イオンプレーティング法により基材９の表面に、シロキサンをバインダーとした酸化シリコンの重合膜を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated electronic component having high sealing performance while contributing to miniaturization even when an external terminal electrode connecting inner conductors electrically is formed by direct plating, with respect to the laminated electronic component having a component body in which a plurality of function layers are laminated, and the plurality of inner conductors formed inside the component body.例文帳に追加

複数の機能層が積層された部品本体と、部品本体内部に形成された複数の内部導体とを有する積層電子部品において、内部導体を電気的に接続する外部端子電極を直接めっきにより形成するにも関わらず、小型化に寄与しつつ、かつシール性能の高い積層電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a photosetting resin composition that is halogen-free, has high sensitivity, soldering heat resistance, electroless gold plating resistance, moisture resistance, and electrode corrosiveness resistance, and considers environmental issues, to provide a dry film and hardened product thereof, and to provide a printed wiring board in which a hardened coating such as solder resist is formed by them.例文帳に追加

ハロゲンフリーであると共に、高感度ではんだ耐熱性、無電解金めっき耐性、耐湿性、耐電極腐食性に優れ、環境問題に配慮した光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム及び硬化物、並びにそれらによりソルダーレジスト等の硬化皮膜が形成されてなるプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that a cathode with low hydrogen overvoltage obtained by a dispersion electroplating method of electroplating an base material for the electrode, with the use of a plating bath containing nickel in which carbonaceous fine particles are dispersed, causes increase of the hydrogen overvoltage because of slight deterioration in the cathode in an early stage of electrolysis operation, and consequently increase of a driving voltage of the electrolysis and power consumption.例文帳に追加

炭素質からなる微粒子を分散させたニッケルを含むめっき浴を用いて、電極基材に電気めっきを施す分散めっき法により得られる低水素過電圧陰極が有する、電解運転初期に若干の劣化を起こすため水素過電圧が上昇し、その結果、電解槽の運転電圧が上昇し電力消費量が増大するという問題の解決。 - 特許庁

An electrode foil (anode foil 2) is produced by: forming a zirconium layer with the thickness of 3-10 nm on a roughened surface of an aluminum foil by displacement plating using an aqueous solution; and then subjecting the aluminum foil to a chemical conversion treatment to form an aluminum oxide film 3 having a thickness thicker than that of the zirconium layer and containing zirconium.例文帳に追加

この目的を達成するため本発明の電極箔（陽極箔２）は、アルミニウム箔の粗面化された表面に、水溶液を用いた置換メッキにより厚み３ｎｍ以上１０ｎｍ以下のジルコニウム層を形成し、その後アルミニウム箔を化成して、ジルコニウム層よりも厚く、かつジルコニウムを含有する酸化アルミニウム皮膜３を形成したものである。 - 特許庁

An IC chip for oscillation circuit is placed on the connecting electrode 8, a crystal vibrating portion (non-illustrated) is further connected thereon and a portion of the plating wiring pattern 11 is half cut and removed, so that a number of electrically independent piezoelectric oscillators are configured while being aligned on the one ceramic substrate 3.例文帳に追加

接続電極８上に発振回路用のＩＣチップを載置し、さらにその上方に水晶振動部（図示なし）を接続すると共に、メッキ配線パターン１１の部分をハーフカットして除去すると、１枚のセラミック基板３上に電気的に独立した多数個の圧電発振器が整列した状態で構成される。 - 特許庁

To stabilize an etching step for a surface oxide film on an Al pad, regardless of the condition of the surface oxide film thereon and form a fine projecting electrode in the air through electroless plating.例文帳に追加

スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜を除去後、Ａｌ電極パッド上へ直接Ｎｉメッキを行い突起電極の形成を行う場合、スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜の除去後直接、不活性雰囲気中へ移動し、メッキ工程を行わなければならなく、大掛かりな装置が必要となる。 - 特許庁

The MEA structure of a fuel cell is so made that one or a plurality of sheets of very thin metal nets are pasted and crimped on both faces of an ion exchange resin polymer film, to a platinum catalyst layer is formed by plating or metal-vapor depositing platinum or a platinum alloy with the metal net as an electrode, and side ends of the metal nets are used as electric paths.例文帳に追加

イオン交換性樹脂高分子膜の両面に、ごく薄い金属網を各１枚または複数枚張り付けて圧着し、前記金属網を電極として、白金または白金合金をメッキまたは金属蒸着させて白金触媒層を形成させ、金属網の側端を電路とした燃料電池のＭＥＡ構造とした。 - 特許庁

By plating active materials 6 on the surface of the conductive layer 5 of the collector and introducing them on the surface of the conductive particles 3 and/or into gaps among the conductive particles 3, the active materials 6 in the shape of fine particles or thin films can be efficiently dispersed to structure the electrode 10 with high capacity and excellent cycle characteristics.例文帳に追加

該集電体の導電性層５表面に対して活物質６をメッキして導電性粒子３の表面及び／又は導電性粒子３間の間隙に活物質を導入することにより、微粒子状或いは薄膜状の活物質６を効率良く分散させることができ、高容量でサイクル特性に優れた電極１０を構成することができる。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

The equipment thereby uniforms plated film thickness on the treated surface of the substance, because the electrical resistance of the plating liquid and electrolysis diaphragm between a surface of the anode electrode and each part of the conductive layer of the substance to be treated, is higher, and the passing current is lower, as the site is nearer to circumference of the substance.例文帳に追加

これにより、アノード電極表面から被処理体の導電層各部位表面までのメッキ液および電解隔膜の電気抵抗は、被処理体の周縁に近いものほど大きくなり、被処理体の周縁に近いほど流れる電流を減少させ、結果として、被処理体の処理面に形成されるメッキ形成膜厚を均一化させる。 - 特許庁

The method of manufacturing an inkjet head includes a step of forming an insulation layer, which is denser than a piezoelectric member, in a region of the piezoelectric member other than a drive part for ejecting ink, and a step of forming an electrode for applying a drive voltage to the drive part by performing electroless plating of the drive part and the insulation layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドの製造方法は、圧電部材のうち、インクを吐出させる駆動部以外の領域に対して、前記圧電部材よりも緻密な絶縁層を形成し、前記駆動部および前記絶縁層に対して無電解メッキを行うことにより、前記駆動部に駆動電圧を印加するための電極を形成することを特徴とする。 - 特許庁