「PLATING ELECTRODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when the columnar electrode 9 is formed in an opening 28a of a second plating resist film 28 by electrolytic plating, a seal ring 27 of a plating tool is brought into contact with the upper surface of the seal ring contact 26 instead of the upper surface of the periphery of the second plating resist film 28.例文帳に追加

そして、第２のメッキレジスト膜２８の開口部２８ａ内に柱状電極９を電解メッキにより形成するとき、メッキ治具のシールリング２７を第２のメッキレジスト膜２８の周辺部上面ではなくシールリング接触部２６の上面に接触させる。 - 特許庁

Plating solutions (nickel plating solution and tin plating solution) prepared to 6.0 to 13.0 in a hydrogen ion index pH are made and a nickel film 4 of 0.5 to 5 μm in film thickness and a tin film 5 of 1 to 10 μm in film thickness are formed on the surface of the thin-film electrode 3 by using these plating solution.例文帳に追加

次いで、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製されためっき液（ニッケルめっき液及びスズめっき液）を作製し、該めっき液を使用して薄膜電極３の表面に膜厚０．５μｍ〜５μｍのニッケル皮膜４及び膜厚１μｍ〜１０μｍのスズ皮膜５を形成する。 - 特許庁

In an outer peripheral region of a ceramic sheet formed while package substrates 10 are not diced, two lead-out electrodes for plating (lead-out electrode 18a for plating and lead-out electrode 18b for plating) are formed surrounding those package substrates 10.例文帳に追加

パッケージ基板１０がダイシングされない状態で形成されたセラミックシートの外周領域に、これらのパッケージ基板１０を取り囲むように２つのメッキ用引出電極（メッキ用引出電極１８ａおよびメッキ用引出電極１８ｂ）が形成されている。 - 特許庁

In a substrate plating apparatus in which a substrate 2 to be plated and an anodic electrode 3 are placed opposite to each other in a plating tank 1 contg. a plating soln., an ion exchange membrane or a porous neutral diaphragm 8 is disposed between the substrate 2 and the anodic electrode 3.例文帳に追加

メッキ液を収容したメッキ槽１内にメッキを施す被メッキ基板２と陽極電極３を対向して配置した構成の基板メッキ装置において、被メッキ基板２と陽極電極３との間にイオン交換膜又は多孔質中性隔膜８を配置した。 - 特許庁

The production method of the structure includes a process of preparing an electrode and an object to be plated in a vessel containing the plating solution, and a process of forming the structure by applying voltage to the electrode, thereby plating a magnetic material including FePt from the plating solution to the object.例文帳に追加

上記のめっき液がはいった容器に電極とめっきされる対象物とを用意する工程と、前記電極に電圧を印加することによって、めっき液からＦｅＰｔを含む磁性体を前記対象物にめっきして構造体を形成する工程とを備える構造体の製造方法。 - 特許庁

Then, a base plating layer 4 is formed so as to cover the resistor 2 and the insulator layer 3, a resist pattern is formed in the non-electrode forming region of the base plating layer 4, and the surface of the base plating layer 4 exposed from the resist is electroplated with an electrode material for the formation of a pair of electrodes 5.例文帳に追加

次いで、抵抗体２と絶縁体層３を覆うように下地めっき層４を形成し、この下地めっき層４の非電極形成領域にレジストパターンを形成した後、このレジストから露出する下地めっき層４の表面に電極材料を電解めっきして一対の電極５を形成する。 - 特許庁

As an external electrode 16, plating deposit deposited starting from an exposed end of each internal electrode 5 is grown at least on an end face 12 of a component body 2, thus forming a first plating layer 18 consisting of an Ni-B plating film at first.例文帳に追加

外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｎｉ−Ｂめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。 - 特許庁

Then, either electrode consisting of a plating substrate of the object to be plated and the other electrode dipped into the copper sulfate plating bath are subjected to electric copper plating while reversing an electric current at the cycle of a positive electrolysis time of 1 to 50 msec, a reverse electrolysis time of 0.2 to 5 msec and a quiescent time of 1 to 50 msec.例文帳に追加

そして、被めっき物のめっき下地層からなる一方の電極と、硫酸銅めっき浴中に浸漬された他方の電極に対して正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ、逆電解時間０．２〜５ｍｓｅｃ、休止時間１〜５０ｍｓｅｃの周期で電流を逆転させながら、電気銅めっきを行なう。 - 特許庁

Further, electrolytic plating of copper which uses the metal film for forming wiring 7a as a plating current path is carried out to form a column-shaped electrode 8 on the upper surface of the metal film for forming wiring 7a in an opening 24 of the plating resist film for forming column-shaped electrode 23.例文帳に追加

次に、配線形成用金属膜７ａをメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２３の開口部２４内の配線形成用金属膜７ａの上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

A method for forming electrodes for a solar cell comprises steps of forming electrodes 11, 12 on a semiconductor substrate 1 by plating, and forming, by a heat treatment, layers 15, 16 of alloy comprising semiconductor metal and plating metal at interfaces between the semiconductor substrate 1 and the plating electrode 11 and between the semiconductor substrate 1 and the electrode 12, respectively.例文帳に追加

太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Plating deposit deposited starting from an exposed end of each internal electrode 5 is grown, as an external electrode 16, at least on an end face 12 of a component body 2, and a first plating layer 18 consisting of an Ni-P plating film having a percentage content of P equal to or higher than 9 wt% is formed at first.例文帳に追加

外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｐ含有率が９重量％以上のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。 - 特許庁

The producing method uses a plating die, on which an electrode region corresponding to the collector 10 and an insulation region corresponding to the holes 101 are pattern-formed, for selectively depositing a copper thin film in the electrode region with electric plating and peeling the thin film from the plating die.例文帳に追加

製造方法は、集電体１０に対応する電極領域と、孔１０１に対応する絶縁領域とをパターン形成しためっき金型を使用して、電気めっきにより、電極領域に選択的に銅の薄膜を析出させたのち、薄膜をめっき金型からはく離する。 - 特許庁

A method for forming the solar cell comprises steps of forming the electrodes 11, 12 on the semiconductor substrate 1 by plating, and forming, by heat treatment, the layers 15, 16 of alloy comprising semiconductor metal and plating metal at the interfaces between the semiconductor substrate 1 and the plating electrode 11, and between the semiconductor substrate 1 and the electrode 12, respectively.例文帳に追加

また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成する方法により製造されることを特徴とする。 - 特許庁

When performing plating wiring while using the electrode pads 4a and 4c, the electrode pad 4b is covered by an insulating layer.例文帳に追加

めっき配線を行う際には電極パッド４ａ，４ｃを用いるとともに、電極パッド４ｂを絶縁層で覆う。 - 特許庁

The p-side electrode 17p and the n-side electrode 17n each has a plating film 17c which includes at least one feeding point 12.例文帳に追加

ｐ側電極１７ｐとｎ側電極１７ｎとのそれぞれは、少なくとも一つの給電ポイント部１２を含むめっき膜１７ｃを有する。 - 特許庁

In the through-hole electrode 1a, copper paste 3 for flattening the electrode 1a is filled and gold plating is performed for the surface.例文帳に追加

スルーホール電極１ａには同電極の平坦化のための銅ペースト３が充填されており、表面に金メッキが施されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a highly reliable protruding electrode by an electroless plating method without corroding any aluminum electrode.例文帳に追加

アルミニウム電極を浸食することなく、信頼性の高い突起電極を無電解めっき法によって形成する方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the underlying electrode layer 4 is not etched at the eaves 7 of the plating electrode layer 5 but left as it is.例文帳に追加

したがって、めっき電極層５の庇７の部分では、下地電極層４はエッチングされずにそのまま残る。 - 特許庁

On the dielectric film 21 and the p side electrode 31, a base electrode 32 for plating composed of Mo and Au is formed.例文帳に追加

誘電体膜２１及びｐ側電極３１上には、ＭｏとＡｕとから成るメッキ用下地電極３２を形成する。 - 特許庁

After prescribed welding is applied on an electron gun electrode, plating is applied, and thereby, a plated layer is formed on the surface of the electron gun electrode.例文帳に追加

電子銃電極に所定の溶接を施した後、メッキ処理を施すことにより電子銃電極表面にメッキ層を形成する。 - 特許庁

To provide a plating apparatus capable of suppressing physical stress to a wafer in the connection of an energization electrode to a base electrode.例文帳に追加

通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレス軽減するめっき装置及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

Then an opening 27 for columnar electrode formation is formed in the plating resist film 26 for columnar electrode formation and the coating film 25 successively.例文帳に追加

次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５に柱状電極形成用の開口部２７を連続して形成する。 - 特許庁

The second electrode layers 11b, 13b are formed on the first electrode layers 11a, 13a by Ni plating.例文帳に追加

第２の電極層１１ｂ，１３ｂは、第１の電極層１１ａ，１３ａ上にＮｉめっきにより形成されている。 - 特許庁

The third electrode layers 11c, 13c are formed on the second electrode layers 11b, 13b by Sn plating.例文帳に追加

第３の電極層１１ｃ，１３ｃは、第２の電極層１１ｂ，１３ｂ上にＳｎめっきにより形成されている。 - 特許庁

To accurately give a proper looseness to an electrode conjugate membrane in order to prevent damage to the electrode conjugate membrane caused by tension in plating.例文帳に追加

メッキ時の引張りによる電極接合体膜の破損を防止し、そのための適度な弛みを正確に電極接合体膜に付与する。 - 特許庁

An etching or plating pattern which is defined by the conductive electrode and a master electrode 8 is replicated on an electrically conductive material and a substrate 9.例文帳に追加

伝導電極、マスター電極（８）により画定されるエッチング又はめっきパターンは、電気伝導性の材料、基材（９）上に複製される。 - 特許庁

The electrode portions 7 of the passive elements 6 are formed of gold plating, and bonding wires 8 are directly fastened to the electrode portions.例文帳に追加

受動素子６の電極部７を金メッキとし、電極部にボンディングワイヤ８を直接固着する。 - 特許庁

A hot terminal 20 comprises a base electrode film 21 and a plating film 22, and is stuck to the part of the outside surface of the substrate where the external electrode is exposed.例文帳に追加

活電端子２０は、下地電極膜２１と、メッキ膜２２とを有し、基体の外面であって、内部電極が露出する部分に付着されている。 - 特許庁

This is constituted as the battery joining to the electrode plate group by applying non-electrolyzed nickel plating to a contact position of the electrode plate group with the current collector.例文帳に追加

集電体と極板群の接触箇所に無電解ニッケルメッキを施し、極板群と接合した電池として構成する。 - 特許庁

One of the plating layers of the surface electrode and the back electrode is made thicker than the other to suppress the warpage of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面電極のめっき層と裏面電極のめっき層の一方を、他方よりも厚くすることによって、半導体基板の反りを抑制する。 - 特許庁

To provide a method for producing an electrode substrate, in which a thick film electrode layer formed by screen printing can be subjected to plating, with no migration.例文帳に追加

マイグレーションがなく、メッキが可能で、厚膜が可能な電極基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The base electrode film 31 is stuck to the outside surface of the substrate 100, and the plating film 32 is stuck to the surface of the base electrode film 31.例文帳に追加

下地電極膜３１は、基体１００の外面に付着されており、メッキ膜３２は、下地電極膜３１の表面に付着されている。 - 特許庁

To improve the service life of an electrode by suppressing and preventing the local consumption of the oxide non-soluble electrode in an electric plating device.例文帳に追加

電気めっき装置における酸化物系不溶性電極の局部消耗を抑制防止し、電極寿命を改善する。 - 特許庁

Both surfaces of the emitter electrode 6 and collector electrode 9 of the semiconductor substrate 1 are subjected to simultaneous and continuous electroless plating treatment and substitute gold plating treatment.例文帳に追加

次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 - 特許庁

The electrode 14 is composed of (a) an electroless nickel plating layer 17 and further an electroless gold plating layer 18 formed on the surface of an electrode substrate 16 consisting of a coper foil.例文帳に追加

電極１４を、銅箔からなる電極下地１６の表面に、無電解ニッケルメッキ層１７を形成し、更に無電解金メッキ層１８を形成して構成する（ａ）。 - 特許庁

To safely and efficiently remove a plating film formed on an electrode assembly in a cathode electrode device used in plating equipment for a wafer or a substrate.例文帳に追加

ウエハまたは基板用のめっき装置で用いられるカソード電極装置の電極組立体に形成されためっき膜を安全にかつ効率的に除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing includes steps of; forming the electrode on the substrate for metal plating, and providing the substrate with the electrode formed on the substrate for metal plating by using the adhesive composition layer.例文帳に追加

また、金属メッキ用基板に電極を形成する工程と、金属メッキ用基板に形成された電極を、接着組成層を利用して基板に提供する工程とを含む製造方法。 - 特許庁

A discharge electrode 100 for an ionizer is formed by laminating a foundation plating layer 3 on a tip surface of a base metal 1 constituting a needle electrode and by laminating a surface-layer metal 2 on a surface of the foundation plating layer 3.例文帳に追加

イオナイザーの放電電極１００は、針状電極を構成する基材金属１の先端部表面に下地めっき層３が積層され、その下地めっき層３の表面に表層金属２が積層されて構成されている。 - 特許庁

After applying Ni plating to the installing metal fitting 10 connected with the earth electrode 40, an Ni plating film of a part 44 opposed to at least the center electrode 30 of the earth electrodes 40 is removed by grinding.例文帳に追加

接地電極４０が接合された取付金具１０にＮｉメッキ処理を施した後、接地電極４０のうち少なくとも中心電極３０と正対する部位４４のＮｉメッキ膜を研削により除去する。 - 特許庁

A metallic plating film 8 is formed in the resist frame 7 by a frame plating method using the electrode film 4 as an electrode and the resist frame 7 is dissolved and removed to form a metallic pattern layer 9.例文帳に追加

次いで、このレジストフレーム７内に電極膜４を電極として、フレームメッキ法により金属メッキ膜８を形成し、レジストフレーム７を溶解除去することにより金属パターン層９を形成する。 - 特許庁

To control a forming region of a plating film as an external electrode with excellent accuracy in an electronic component in which the external electrode is formed by directly applying plating onto a specific region on the surface of a component body.例文帳に追加

外部電極が部品本体の表面の特定の領域上に直接めっきを施すことによって形成された電子部品において、外部電極となるめっき膜の形成領域を良好な精度をもって制御できるようにする。 - 特許庁

An insulating film is formed so as to coat a scribe line, a field plate or an open electrode 5 included on the surface of a silicon substrate 1, and then an Ni electroless plating is performed on a metal electrode 4, to form a plating.例文帳に追加

シリコン基板１の表面に有するスクライブラインやフイールドプレートあるいはオープン電極５を覆うように絶縁膜を形成した上でＮｉの無電解めっきを金属電極４に行い、めっきを形成する。 - 特許庁

An electrode 11 on a glass substrate 10 is composed of ITO and an electrode 21 on a flexible substrate 20 is formed by coating a copper line 21c sequentially with an Ni plating film 21a and an Au plating film 21b.例文帳に追加

ガラス基板１０の電極１１はＩＴＯよりなり、フレキシブル基板２０の電極２１は、銅配線２１ｃをＮｉメッキ膜２１ａ、Ａｕメッキ膜２１ｂにて順次被覆してなる。 - 特許庁

In an electrode structure 10, an Ni-plating layer 12 is formed on an underlying electrode base 11, and a Co thin film layer 13 is formed on the Ni-plating layer 12.例文帳に追加

この電極構造１０においては、電極下地１１上に、Ｎｉめっき層１２が形成されており、Ｎｉめっき層１２上にＣｏ薄膜層１３が形成される。 - 特許庁