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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > PLATING ELECTRODEに関連した英語例文

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PLATING ELECTRODEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1031



例文

The electroplating apparatus is characterized by transporting the shielding plate 7 arranged between an placed electrode 5 and the substrate 4, in parallel to and at about the same speed as the substrate 4, when transporting the substrate 4 in a plating tank 1, and by supplying a predetermined plating current.例文帳に追加

めっき槽1内を、基材4を搬送する際に、配置した電極5と基材4との間に設けられた、遮蔽板7を基材4と並行してほぼ同じ速度で搬送し、所要のめっき電流を供給する電気めっき装置。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a recess, e.g. a via hole, can be filled well with a Cu film by plating while eliminating void by preventing aggregation of a seed Cu film becoming a plating electrode.例文帳に追加

メッキ法により、ビアホール等の凹部にCu膜を埋め込む際、メッキ電極となるシードCu膜の凝集を防止し、ボイドの無い、良好な埋め込みを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gold plating bump has a hardness in the range of 70-100 Hv and thermosonic bonding is performed between the gold plating bump of the semiconductor device and the bonding electrode of a mounting board such that the amount of flattening is at least 6 μm and about 1/2.例文帳に追加

金メッキバンプの硬度を70Hv〜100Hvとし、少なくとも6μmで且つ略1/2の潰れ量となるように、半導体素子の金メッキバンプを実装基板の接合電極に超音波熱圧着する。 - 特許庁

The plating is performed by arranging towards a plating electrode side a plate with an opening at the same place as a through-hole opening in the silicon wafer by keeping a fixed distance and by making a plate opening consistent with the through-hole opening in the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハ内の貫通孔開口部と同位置に開口部を有するプレートを一定の距離をおいてシリコンウエハの貫通孔開口部にプレート開口部を合わせて、めっき電極側に向けて配置してめっきを行う。 - 特許庁

例文

Subsequently, metal plating is formed from a lower conductor 26 side of the opening 28 using the lower conductor 26 as an electrode, and the opening 28 is filled with metal plating.例文帳に追加

続いて、下部導体26を電極として、開口部28の下部導体26側から金属めっきを成長させ、開口部28に金属めっきを充填する。 - 特許庁


例文

A conductive film 12 to be arranged between a re-wiring 9 and a bump electrode is formed by a non-electrolytic plating method in a condition where an Al wiring 2 of a plating power feeding region 52 is not exposed on the external peripheral portion of a semiconductor wafer.例文帳に追加

再配線9とバンプ電極との間に配置される導体膜12を無電解めっき法によって形成するにあたり、半導体ウエハの外周部のめっき給電領域52のAl配線2が露出しない状態で行う。 - 特許庁

A plating solution 32 is constantly introduced into a plating vessel 31, a lid 36 is liftably provided in the vessel 31, and the counter electrode 39 is fixed to the lower face of the lid 36.例文帳に追加

めっき処理容器31内に常時めっき液32を収容するとともに、処理容器31内に昇降自在に蓋体36を設け、この蓋体36に下面に対向電極39を固定する。 - 特許庁

The electrode plate 6 functions as a structure capable of preventing the expansion of the surface area of the plating film formed so as to cover the own exposed surface, the expansion being caused by the progress of the plating treatment.例文帳に追加

電極板6は、自らの露出面を覆うように形成されるめっき膜の、めっき処理の進行に伴う表面積の拡大を防止し得る構造として機能する。 - 特許庁

To provide dummy balls for barrel plating which hardly cause contamination in a plating bath, have reduced deformation caused by collision and are used, e.g. when an external electrode is formed on the surface of electronic parts by electroplating.例文帳に追加

本発明はめっき浴の汚染が少なく、また衝突によるボールの変形を抑制した、電子部品の表面に形成される外部電極等を電解めっきで形成する際に用いられるバレルめっき用ダミーボールを提供する。 - 特許庁

例文

To reduce plating defects while enhancing productivity of a plating process in forming an external electrode of a chip-like electronic component such as a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサなどのチップ状電子部品の外部電極を形成するときのめっき処理の生産性を高めながらめっき不良を低減することを目的とする。 - 特許庁

例文

In the nozzle 11 for plating, a liquid flow passage 43 for flowing a plating liquid 1 to a body 42, and an electrode hole 44 for inserting an anode 41 are formed.例文帳に追加

めっき用ノズル11は、本体42にめっき液1を流す流液路43、および陽極41を挿入する電極穴44が形成されている。 - 特許庁

The chip component A includes an insulating board 10, a resistor 12, a first upper surface electrode 14, a protective film 20, a second upper surface electrode 22 formed on the protective film 20, nickel plating 24 coating the second upper surface electrode 22, and a wire bonding electrode 26 coating the nickel plating 24; and a die bonding electrode 60 on a lower surface side.例文帳に追加

チップ部品Aは、絶縁基板10と、抵抗体12と、第1上面電極14と、保護膜20と、保護膜20上に形成された第2上面電極22と、該第2上面電極22を被覆するニッケルメッキ24と、該ニッケルメッキ24を被覆するワイヤーボンディング電極26とを有し、下面側には、ダイボンディング電極60を有している。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device, the quantity of thallium to be added to a plating solution 21 is detected by monitoring the applied voltage to the plating solution 21 during the process of forming gold bump electrode by a gold electroplating technology using a non-cyanide based plating solution to restrain the plating defect such as abnormal deposition of gold due to the decrease of the concentration of thallium to be added.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液21への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液21へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 - 特許庁

To reduce the number of operators and the installation area of a device composing the lines of a plating bathtub or the like by newly composing a barrel unit, a plating bathtub and a means for connecting an electrode in the barrel unit to an external power source device and executing plating while the barrel unit is moved in the plating bathtub from the edge in order.例文帳に追加

バレルユニット、メッキ浴槽及びバレルユニット内の電極を外部の電源装置に接続する手段を新規な構成にすることで、メッキ浴槽内をバレルユニットが端から順に移動しながらメッキする構成とし、作業員の人数やメッキ浴槽等のラインを構成する装置の設置面積を削減する。 - 特許庁

When Ni plating is applied to the surface of an external electrode 6a using an Ni plating liquid in which, as inevitable impurities, Fe ions are intruded as being in an electrolytic barrel plating method, the electroplating treatment is performed using an Ni plating liquid in which the content of Fe ions are controlled to <3.00×10^-2 wt%, preferably to <2.80×10^-2 wt%.例文帳に追加

電解バレルめっき法のように不可避不純物としてFeイオンが混入したNiめっき液を使用して外部電極6a表面にNiめっきを施す場合、Niめっき液中のFeイオン含有量が、3.00×10^−2wt%未満、好ましくは2.80×10^−2wt%未満に制御されたNiめっき液を使用して電解めっき処理を施す。 - 特許庁

The electroplating device 1 includes a plating tank 20 having an incurrent pore 20f for injecting a plating solution and an opening 20a for ejecting a jet flow of the injected plating solution, and an elastic support member 33 arranged between the incurrent pore and the opening in the plating tank and supporting a soluble anode electrode 30 with an elastic force.例文帳に追加

電解メッキ装置1は、メッキ液が流入される流入孔20fと当該流入されたメッキ液の噴流を排出する開口部20aとを有するメッキ槽20と、前記メッキ槽内における前記流入孔と前記開口部との間に配置され、溶解性アノード電極30を弾性力で支持する弾性支持部材33とを備える。 - 特許庁

By dipping the processed object into the electroless nickel plating liquid in a predetermined time, a nickel protruding electrode 18 can be obtained.例文帳に追加

所定の時間、無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりニッケル突起電極18を得ることができる。 - 特許庁

Then, a cathode contact electrode 56 is formed in the contact hole by depositing Ni (nickel) with the electroless plating.例文帳に追加

次に、コンタクトホールの中に、無電解めっきでNi(ニッケル)を析出させて陰極コンタクト電極56を形成する。 - 特許庁

The platinum plating treated titanium electrode pair 14 receives the application of DC voltage by the power supply part 3 to form platinum colloid from platinum ions.例文帳に追加

白金メッキ処理チタン電極対14は、電源部3により直流電圧が印加されることで、白金イオンをコロイド化する。 - 特許庁

External electrodes 5, 5 are connected to the internal electrode 2, and terminal electrodes 7, 7 are formed on the external electrodes 5, 5 by plating.例文帳に追加

内部電極2には、外部電極5,5が接続されており、更にその上に端子電極7,7がめっきにより形成されている。 - 特許庁

An electrode layer of the biosensor is formed by electroless plating with the wiring layer and catalyst layer used as substrates.例文帳に追加

そして、バイオセンサの電極層は、これら配線層と触媒層を下地にした無電解メッキによって形成される。 - 特許庁

METHOD FOR SELECTIVELY PERFORMING PLATING ON SINTERED CERAMIC, AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE OF INK JET HEAD例文帳に追加

焼結セラミック上に選択的にめっきを形成する方法及びインクジェットヘッドの電極形成方法 - 特許庁

The gold plating layer 4 is formed on the surface of the wiring layer 3 at the pad electrode portion of the wiring layer 3 composed of copper.例文帳に追加

配線層3は、銅からなる配線層3のパッド電極部分においてその表面に金めっき層4が形成される。 - 特許庁

An electrode pad 12 is formed on the surface of a semiconductor chip 10 and an electroless Ni plating bump 13 is formed thereon.例文帳に追加

半導体チップ10の表面に、電極パッド12が形成され、その上に無電解Niメッキバンプ13が形成される。 - 特許庁

The core material is manufactured by a method including a process of nickel-plating a first core material 11 containing impurities 12 dissolving at a positive electrode potential.例文帳に追加

正極電位で溶解する不純物12を含む第1の芯材11をニッケルメッキする工程を含む方法で芯材を製造する。 - 特許庁

A cap film laminate on the upper part of the metal film constituting an electrode pad is used as an electroless plating prevention film.例文帳に追加

電極パッドを構成する金属膜の上部に積層されたキャップ膜を無電解メッキ防止膜として利用する。 - 特許庁

The negative electrode lead 11 can be manufactured by forming the nickel film on the straight angle line of the copper in a plating method.例文帳に追加

負極リード11は、銅の平角線にメッキ法によりニッケル膜を形成して製造することができる。 - 特許庁

A substantially disc-like plating material is formed by exposing a combination of the electrode tab and the anchor tab in respective constitutions.例文帳に追加

電極タブとアンカータブの組み合わせたものをそれぞれの構成で露出させて、略円板状のメッキ材料部分を形成する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a ZnO film having excellent properties as a transparent electrode by an ion-plating.例文帳に追加

透明電極として優れた性質を有するZnO膜をイオンプレーティングで成膜する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a nickel plating electrode and having a low voltage drop, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ニッケルめっき電極を備え、低VFを兼ね備えた半導体装置の製造方法、および、半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A plating resist film 25 for forming a columnar electrode is formed on the upper surface of the base metal layer 9 including the wiring 11.例文帳に追加

次に、配線11を含む下地金属層9の上面に柱状電極形成用メッキレジスト膜25を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the plating resist film 25 for columnar electrode formation and the covering film 24 are simultaneously exfoliated by using resist separation agent of monoethanolamine system.例文帳に追加

次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜25および被覆膜24をモノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて同時に剥離する。 - 特許庁

To provide electronic parts formed with electrodes on the surfaces of a ceramic material by a direct plating method and an electrode forming method for the same.例文帳に追加

ダイレクトプレーティング法によってセラミック材料の表面に電極を形成した電子部品と、その電極形成方法を得る。 - 特許庁

In the case when a part in contact with an electrode is made of Ni, especially electroless plating Ni, the electronic part is specifically useful.例文帳に追加

電極と接触する部分がNi、特に無電解めっきによるNiで形成されている場合に特に有益である。 - 特許庁

A grid electrode 56 used for the charging device 24 includes a gold plating layer on the surface and performs pressure processing by a pressure roller on the gold plated layer.例文帳に追加

帯電装置24に用いられるグリッド電極56であって、表面に金めっき層を設け、その金めっき層に加圧ローラによる加圧加工を施す。 - 特許庁

The electric conductivity cell 1C comprises the platinum plating layer P gray in color on the surface of the electrode 4.例文帳に追加

又、電極4の表面に灰色を呈する白金メッキ層Pが設けられている電気伝導率セル1Cが提供される。 - 特許庁

To form electronic parts having high adhesive strength of an electrode film and good high-frequency characteristics by electroless plating.例文帳に追加

電極膜の密着強度が高く、高周波特性の良好な、無電解めっきを用いた電子部品の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the multilayered capacitor 1, external electrodes 3A and 3B for connection with the internal electrode of an ESR control part comprises only a plating layer.例文帳に追加

積層コンデンサ1では、ESR制御部の内部電極に接続される外部電極3A,3Bがめっき層のみで構成されている。 - 特許庁

The hydrophobic particulates and large surface area electrically conductive particulates are desirably fixed so as to be dispersed over the surface of the electrode base material by a composite plating process.例文帳に追加

疎水性微粒子および大表面積導電性微粒子は、複合めっき法により電極基材の表面に分散して固定するのが望ましい。 - 特許庁

After the pattern formation is completed, on the surface of the material, an electrode is formed generally by electroless metal plating.例文帳に追加

パターン形成が完了した後、この材料の表面には一般に、無電解金属めっきによって電極が形成される。 - 特許庁

Next, a columnar electrode 10 is formed with electrolytic plating of copper on the upper surface of the wiring protecting metal film 9 on the connecting pad of the wiring 8.例文帳に追加

次に、配線8の接続パッド部上の配線保護金属膜9の上面に、銅の電解メッキにより、柱状電極10を形成する。 - 特許庁

The respective electrodes 14, 18, and 19 and dummy electrode 17 are coated with plating layers 20 and 21 in double-layer structure.例文帳に追加

各電極14,18,19とダミー電極17は2層構造のめっき層20,21によって被覆されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a solder fillet can be stably formed on an end surface of an external electrode even when plating is not performed.例文帳に追加

めっきを施さなくても外部電極の端面に半田フィレットを安定して形成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A plating tool 15 has a cathode electrode 16 which fixes a wafer WF and contacts the prescribed portion of the wafer.例文帳に追加

めっき治具15は、ウェハWFを固定しウェハの所定部に接触するカソード電極16を備えている。 - 特許庁

A grid electrode 50 used for the charging device 24 includes a gold plating layer on the surface and performs pressure processing by a pressure roller on the gold plated layer.例文帳に追加

帯電装置24に用いられるコロナ電極50であって、表面に金めっき層を設け、その金めっき層に加圧ローラによる加圧加工を施す。 - 特許庁

The fuel cell includes a current collecting member formed by plating on an electrolyte membrane or a membrane-electrode assembly.例文帳に追加

電解質膜または膜電極接合体上にメッキによって形成された集電部材を備えた燃料電池である。 - 特許庁

To improve mechanical/electrical bonding between the gold plating bump of a semiconductor device and the bonding electrode of a mounting board.例文帳に追加

半導体素子の金メッキバンプと実装基板の接合電極との機械的電気的接合を良好にすること。 - 特許庁

On the base board the metal electrode is formed directly by vacuum evaporation process, PVD, CVD, MOCVD method such as sputtering, or by plating.例文帳に追加

金属電極は、真空蒸着法、スパッタリング等のPVD、CVD、MOCVD、メッキなどの方法で、絶縁基板上に直接形成される。 - 特許庁

It is preferable that the surface electrode 2 be formed, by using an electroless plating method or a sputtering method or a vapor deposition method.例文帳に追加

表面電極2は,無電解メッキ法,スパッタ法あるいは蒸着法により形成されていることが好ましい。 - 特許庁

例文

The wiring layer or the metal pad for connection is formed by electrolytic plating while the conductive supporting body is used as an electrode.例文帳に追加

配線層や接続用金属パッドは、導電性支持体を電極として、電解メッキにより形成される。 - 特許庁

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