「Post-Bake」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The line width is controlled by compensating a heating temperature of the post-exposure bake unit for each of the transfer routes of the wafer.例文帳に追加

ウェハの搬送順路毎に、露光後ベークユニットの加熱温度を補正して、線幅を制御する。 - 特許庁

To provide an application/development apparatus capable of making the post exposure delay time of respective wafers constant without increasing the number of set of post exposure bake unit.例文帳に追加

露光後ベークユニットの台数を増加させずに、露光後遅延時間を各ウエハで一定とすることができる塗布・現像装置を提供すること。 - 特許庁

To disclose system and method for processing wafers, a combined post-exposure bake and chill unit, and an interface.例文帳に追加

ウェーハを処理するシステム及び方法、組合せ露光後ベーク及び冷却ユニット、及びインターフェイスを開示する。 - 特許庁

The heat treatment apparatus 16 is provided with a post-exposure bake plate PEB, a cooling plate CP3, and a local transfer robot LHU.例文帳に追加

熱処理部１６には、露光後ベークプレートＰＥＢと、クールプレートＣＰ３と、ローカル搬送ロボットＬＨＵとが設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: forming a resist film on a film to be processed; baking the resist film; performing immersion exposure on the resist film; performing post exposure bake on the resist film; developing the resist film; and removing an edge of the resist film after the post exposure bake.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、被加工膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をベークし、レジスト膜を液侵露光し、レジスト膜をポストエクスポージャベークし、レジスト膜を現像し、ポストエクスポージャベークした後にレジスト膜の縁を除去することを特徴とする。 - 特許庁

The substrate is conveyed in a post-exposure bake plate part PEB by way of an edge exposing part EE1, and heating is performed after being exposed.例文帳に追加

そして、その基板はエッジ露光処理部ＥＥ１を経由して露光後ベークプレート部ＰＥＢに搬入され、露光後加熱処理が施される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sufficiently excellent performance from the viewpoint of dependence on the PEB (Post Exposure Bake) time.例文帳に追加

ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）時間依存性の点で十分に優れた性能を有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sufficiently excellent performance with respect to the temperature dependency of PEB (post exposure bake).例文帳に追加

ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）温度依存性の点で十分に優れた性能を有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The pit shape is tailored to a prescribed shape in the PEB (post-exposure bake) conditions for improving the pit edge geometry by carrying out exposure registration with a multi-pulse signal.例文帳に追加

マルチパルス信号で露光記録することによって、ピットエッジ形状を改善するＰＥＢ条件で、かつピット形状を所定の形状に調整する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a lithography apparatus which can evaluate effective exposure dose variation separately for exposure dose variation and Post Exposure Bake (PEB) temperature variation.例文帳に追加

実効露光量ばらつきを露光量変動とＰＥＢ温度変動とに分離して評価できるリソグラフィ装置の評価方法を提供すること - 特許庁

To provide a positive resist composition for immersion exposure which suppresses collapse of a resist pattern and degradation of its profile due to post exposure between exposure and PEB (post exposure bake) at the time of immersion exposure, and also to provide a method of pattern formation with the composition.例文帳に追加

液浸露光時の、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The permanent resist is produced by applying the positive photosensitive composition on a substrate and subjecting the resulting coating to exposure, alkali development and post-bake at 120-350°C.例文帳に追加

永久レジストは、上記ポジ型感光性組成物を基材上に塗布し、塗布物を露光し、アルカリ現像した後に、１２０〜３５０℃の温度でポストベークして製造される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for liquid immersion exposure and improved in such problems as collapse of a resist pattern due to post exposure delay between steps of exposure and PEB (post exposure bake), deterioration in the profile and production of scum during liquid immersion exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

液浸露光時に於ける、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化、スカムの発生が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in resolution and gives a cured film with excellent dimensional stability of a contact hole diameter before and after a heat treatment (post-bake step).例文帳に追加

解像性に優れ、かつ、加熱処理（ポストベーク工程）前後のコンタクトホール径の寸法安定性に優れた硬化膜を得ることができる感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in sensitivity, limit resolution, roughness properties, exposure latitude (EL), post exposure bake (PEB) temperature dependency and depth of focus (DOF), and a resist composition.例文帳に追加

感度、限界解像力、ラフネス特性、露光ラチチュード（ＥＬ）、露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性、及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れたパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A chemically amplifying resist film is formed on a reticle substrate, the chemically amplifying resist film is preliminarily baked, a reticle pattern is drawn on the resist film, and the drawn region is subjected to PEB (post exposure bake) treatment.例文帳に追加

レチクル基板に化学増幅型レジスト膜を形成し、該化学増幅型レジスト膜をプリベークし、該化学増幅型レジスト膜にレチクルパターンを描画し、該描画領域にＰＥＢ処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for producing a color filter by which the occurrence of a failure due to foreign matter in post-bake is prevented and a higher yield and higher throughput are attained to ensure high productivity, and a color filter having colored pixel parts excellent in film properties.例文帳に追加

ポストベーク時に発生する異物故障を防止し、高歩留まり、高スループット化を達成することで、高い生産性を有するカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolution performance, small in LWR (Line Width Roughness), favorable in PEB (Post Exposure Bake) temperature dependency and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

For this regulation, prebake temperature and conditions in development processing after pattern exposure are set so that undercut parts having a proper depth and length are formed in a thin film material layer before post-bake.例文帳に追加

この調節のために、ポストベーク前の薄膜材料層に適切な奥行き長さをもったアンダーカット部分が形成されるように、プリベーク温度及び、パターン露光後の現像処理の条件を設定する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist composition for color filters which avoids occurrence of residue of pigment on a substrate in development and excels in both of adhesiveness in development and adhesiveness after post-bake.例文帳に追加

現像時に基板上に顔料の残さが発生することなく、かつ、現像時の接着性とポストベーク後の接着性、両者とも優れたカラーフィルター用感光性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In a thin film formable by applying a solution of a resin composition, and obtained by post bake below 170°C, the problem can be solved by this insulating thin film having a calorific value ≤5 J/g by DSC measurement.例文帳に追加

樹脂組成物を溶液塗布することで形成でき、かつ１７０℃以下のポストベイクによって得られる薄膜において、ＤＳＣ測定による発熱量が５Ｊ／ｇ以下である絶縁性薄膜により上記課題を解決できる。 - 特許庁

The resist film 102 subjected to pattern exposure is then subjected to post bake and developed using alkaline developer thus obtaining a resist pattern 105 composed of the unexposed part 102b of the resist film 102 and having a good cross-sectional profile.例文帳に追加

パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して、ポストベークを行なった後、アルカリ性現像液により現像を行なうと、レジスト膜１０２の未露光部１０２ｂよりなり良好な断面形状を持つレジストパターン１０５が得られる。 - 特許庁

Next, a resist 24 is accumulated in the thickness of 0.6 μm on the Pt film 23, and after performing a post-bake at a temperature of 170°C, the Pt film 23 is etched with this resist 24 as a mask to form the metallic wiring 3 and 4.例文帳に追加

次に、Ｐｔ膜２３上にレジスト２４を０．６μｍの厚みで堆積し、１７０℃の温度でポストベークを行った後、このレジスト２４をマスクとしてＰｔ膜２３のエッチングを行うことにより金属配線３、５を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for baking a resist, for reducing the time required for baking and enhancing the process ability while preventing coating defects such as coating irregularity and foaming, in baking (PAB: post applied bake) after application of a resist in the manufacture of a photomask.例文帳に追加

フォトマスク製造にて、レジストの塗布後のベーク（ＰＡＢ）にて、塗布ムラや発泡といった塗布欠陥を発生させず、ベークに要する時間を短縮し工程能力を向上させるレジストのベーク方法、ベーク装置を提供する。 - 特許庁

A post exposure bake hot plate may be configured to provide heterogeneous radiant energy flux to a radiation sensitive layer by providing adjustable spacers that adjust a separation distance between the hot plate and the layer.例文帳に追加

露呈後ベークホットプレートは、ホットプレートと放射線感受層との間の離間距離を調節する調節自在のスペーサを設けることによって、不均一の輻射エネルギ束を放射線感受層に提供するように形成されているのがよい。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity, reduces film thickness reduction in development regardless of the shelf time from exposure to post exposure bake, and excels in adhesion to a substrate in development and in chemical resistance after curing.例文帳に追加

高感度で、露光から露光後ベークまでの放置時間に関わらず現像時の膜厚減少が小さく、現像時における基板との密着性に優れ、かつ硬化後の耐薬品性に優れた感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition being used for pixel formation of a solid state imaging device, allowing a pixel excellent in resolution, and enabling suppression of occurrence of release defect in a pixel after post-bake carried out in pixel formation.例文帳に追加

固体撮像素子の画素形成に用いられ、解像性に優れた画素が形成でき、且つ、画素形成の際に行われるポストベーク後において画素の剥がれ欠陥の発生が抑制された感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for colored layer formation capable of forming pixels and a black matrix excellent in resistance to various solvents and excellent also in adhesion to a substrate even at a post-bake temperature of <200°C.例文帳に追加

２００℃未満のポストベーク温度においても、幅広い溶剤に対する耐性に優れ、しかも基板との密着性にも優れた画素及びブラックマトリックスを形成することができる着色層形成用感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

The treatment provides different portions of the exposure feature, such as different exposure features or critical dimensions, with different thermal fluxes from a thermal modification system, such as a post-exposure bake oven or hot plate configured to provide different thermal fluxes.例文帳に追加

この処理は、露呈特徴部の様々な部分、例えば様々な露呈特徴部又はクリチカル寸法に、様々な熱束を提供するように形成された露呈後ベークオーブン又はホットプレート等の熱変更システムからの様々な熱束を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent sensitivity, PEB (post exposure bake) temperature dependence and roughness characteristics and allowing formation of a pattern with a favorable feature, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ＰＥＢ温度依存性及びラフネス特性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The molecular resist is initially insoluble in a developer which may be an aqueous alkali solution or essentially consist of water, however, the resist may become soluble in a developer upon exposure to radiation having a wavelength of 193 nm or less and a post-exposure bake temperature from about room temperature to about 110°C.例文帳に追加

この分子レジストは、初めはアルカリ性水溶液または本質的に水からなる現像液に不溶であるが、１９３ｎｍ以下の波長を有する放射線と、ほぼ室温から約１１０℃の露光後加熱温度とに暴露すると、現像液に可溶になる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition obtaining an adequate residual film ratio even under ≤1,000 J/m^2 of exposure energy, and capable of forming a spacer or a protective film for a display device excellent in adhesion and rubbing resistance and further having a high elastic recovery rate even at a post-bake temperature of <200°C.例文帳に追加

１，０００Ｊ/ｍ^２以下の露光量でも十分な残膜率が得られ、２００℃未満のポストベーク温度においても、密着性、ラビング耐性に優れ、さらに高い弾性回復率を有する表示素子用スペーサーまたは保護膜を形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which solves problems in the techniques to improve the performance of microphotofabrication itself using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and to provide a positive photoresist composition for far UV exposure with low dependence on the PEB (post exposure bake) time.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、ＰＥＢ時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for this multilayered ceramic substrate bakes a resistor 14 and a capacitor 18 with a ceramic core substrate 11 at a same time, or adjusts a resistance value/a capacitance value thereof by trimming after printing to bake the resistor 14 and the dielectric 15 and electrodes 16 of the capacitor 18 to a baked ceramic core substrate 11 by post-attaching.例文帳に追加

抵抗体１４やコンデンサ１８をセラミックコア基板１１と同時焼成するか又は焼成済みのセラミックコア基板１１に後付けで抵抗体１４やコンデンサ１８の誘電体１５・電極１６を印刷して焼成した後、その抵抗値・容量値をトリミングにより調整する。 - 特許庁

To provide a photosetting color resin composition which produces no development residue, which is improved in development characteristics as development margin and development latitude, and with which a color filter having excellent adhesiveness and solvent resistance can be obtained by thermosetting treatment (post bake) in a short time and/or at low temperature.例文帳に追加

現像残渣がなく、且つ現像マージン、現像ラチチュードの現像特性が改良され、さらに短時間および／または低温での熱硬化処理（ポストベーク）で密着性、耐溶剤性に優れたカラーフィルターが得られる光硬化性着色樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide black photopolymer composition which is superior to adhesion with a substrate and storage stability and hard to arise in optical density gap with position at the time of minute pattern formation because it reduce heat flow characteristics in the post-bake while maintaining sensibility, a black matrix prepared using the black photopolymer composition, and a color filter with the black matrix.例文帳に追加

基板との密着性及び貯蔵安定性に優れ、感度を維持しつつポストベークの際の熱流れ性を低減することで、微細パターン形成時、位置による光学密度差を生じにくい黒色感光性樹脂組成物、これを用いて製造されたブラックマトリクス及び上記ブラックマトリクスを備えるカラーフィルターの提供。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics and stability with time, and can form a pattern in a favorable shape, and suppresses PEB (post exposure bake) temperature dependence, and to provide a resist film formed by using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性及び経時安定性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成することができ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A substrate carrying passage R_2 (second substrate carrying passage) dedicated to post exposure bake (PEB) is arranged independently from a passage R_1 (first substrate carrying passage) for carrying the substrate only in the forward direction and delivering the substrate to an optical lithography system, carriage on respective passages R_1 and R_2 can be carried out independently.例文帳に追加

基板を順方向に搬送して露光装置へ基板を渡す順方向専用経路Ｒ_1 （第１の基板搬送経路）とは別に露光後加熱（ＰＥＢ）を行うＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ_2 （第２の基板搬送経路）を構成することで、各々の経路Ｒ_1 ，Ｒ_2 での搬送を独立して行うことができる。 - 特許庁

The method for forming the resist pattern comprises forming the resist layer on the substrate, then forming the protective film on the resist layer by using the protective film forming material, selectively exposing the resist layer to electron beams or EUV through the protective layer, then after subjecting to PEB (post exposure bake), removing the protective film, and developing the resist layer to form the resist pattern.例文帳に追加

基板上にレジスト層を形成した後、該レジスト層上に前記保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成し、該保護膜を介して前記レジスト層を電子線またはＥＵＶにより選択的に露光し、ＰＥＢ（露光後加熱）を施した後、前記保護膜を除去し、前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。 - 特許庁