V-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8949件
The cover 13 is coupled with the cowl louver main body 11 through a thin part of which boundary part to the cowl louver main body 11 is formed roughly in a V-letter form.例文帳に追加
カバー13は、カウルルーバ本体11との境界部を概略V字状に形成してなる薄肉部を介して、カウルルーバ本体11と結合する。 - 特許庁
Also, one tape type multiple optical fiber is loosely bent and superposed, and bare optical fibers exposed at both end parts are alternately arranged in the V grooves.例文帳に追加
また、テープ型多芯光ファイバ1本を緩く折り曲げて重ね合わせ、両端部において露出した裸光ファイバをV溝に交互に配置する。 - 特許庁
In the power source board for display, the voltages of plural kinds for driving a drum motor and a Lunar light are generated on the basis of the +30 V voltage.例文帳に追加
表示用電源基板では、+30V電圧にもとづいてドラムモータおよびルナライトを駆動するための複数種類の電圧が生成される。 - 特許庁
The flame-retardant resin composition comprises (A) a thermoplastic resin, (B) a stabilized red phosphorus, and (C) a compound having a normal electrode potential at 25°C in an aqueous solution system of ≥+0.4 V.例文帳に追加
(A)熱可塑性樹脂、(B)安定化赤リン、(C)水溶液系 25℃の標準電極電位が+0.4V以上の化合物からなる難燃性樹脂組成物。 - 特許庁
On an outer peripheral surface 21a of an upper plate 20, grooves 22a, 22b, 22c, and 22d are formed in parallel so as to oppose to each V-shaped groove of a lower plate.例文帳に追加
上部プレート20の外周面21aには、下部プレートの各V溝に対向するように溝22a、22b、22c、22dが平行に形成される。 - 特許庁
It is preferable that the excitation light source in the lighting system have a light-emitting element by using a nitride-base group III-V compound semiconductor.例文帳に追加
また本発明の照明装置における励起光源は窒化物系III−V族化合物半導体を用いた発光素子を有することが好ましい。 - 特許庁
A V-groove type rotary guide for use in conveying filament yarn is provided, being such that a slit is furnished around the overall circumference of the groove bottom.例文帳に追加
糸条物の搬送に使用されるV溝型回転ガイドであって、その溝底部の全周に亘ってスリットが設けられたV溝型回転ガイド。 - 特許庁
Furthermore, when the number of ports establishing a link at a speed of 1 Gbps is three or four, the voltage value is 12 V and the cooling fan 2 rotates in a fast mode.例文帳に追加
1Gbpsでリンクを確立したポートの数が3又は4の場合、電圧値は12Vであり、冷却ファン2は高速モードで回転する。 - 特許庁
To provide a notch grinding device and a notch grinding method allowing the formation of a highly precise V-slope in chamfering a notched groove of a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウエーハのノッチ溝の面取りにおいて、高精度なV斜面を得ることができるノッチ研削措置及びノッチ研削方法を提供する。 - 特許庁
A two-dimensional image of a characteristic pattern R provided on a sample is formed in the field of view V, and the coordinate of the two-dimensional image and a stage is stored.例文帳に追加
試料上に設けられた特徴的なパターンRの二次元画像を視野V内に形成し、そのときの二次元画像とステージとの座標を記憶する。 - 特許庁
In the general formula, A is an element selected from a group composed of La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu an V.例文帳に追加
一般式におけるAは、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及びVからなる群から選ばれた元素である。 - 特許庁
To nearly symmetrize cast quality relative to the center position of a journal part, etc., in a V-shaped cylinder block and at the same time to increase strength at the center position.例文帳に追加
V型シリンダブロックにおけるジャーナル部等の中心位置に対して鋳造品質を略対称とするとともに、中心位置の高強度化を図る。 - 特許庁
A control means 33 deforms the image on the display device depending on the angle of the reflection member so as to decrease the distortion in the virtual image V due to the windshield 12.例文帳に追加
制御手段33は、フロントガラス12による虚像Vの歪みが小さくなるように、反射部材の角度に応じて表示器の画像を変形させる。 - 特許庁
The bridge 45 is formed into a roughly V shape in cross section, being expanded to the surface side of the lower duct 15 with the back side of the lower duct serving as its summit.例文帳に追加
このブリッジ45を、ロアダクト15の裏面側を頂点とし且つロアダクト15の表面側に向かって拡大した断面略V字状に形成する。 - 特許庁
An index calculating part 14 calculates a phonome index value A, based on an intensity PC of a component VC in a prescribed discrimination band out of the input voice V.例文帳に追加
指標算定部14は、入力音声Vのうち所定の弁別帯域の成分VCの強度PCに基づいて音韻指標値Aを算定する。 - 特許庁
A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C.例文帳に追加
第1のIII−V化合物半導体35上にGaAs領域37を摂氏530度以上600度以下の範囲の基板温度で成長する。 - 特許庁
A time base correction circuit 15 stores an input signal to a memory 6 and reads the stored signal in timing delayed for a predetermined time from V synchronization of the input signal.例文帳に追加
時間軸補正回路15は、入力信号をメモリ6に格納し、入力信号のV同期から所定時間だけ遅れたタイミングで読み出す。 - 特許庁
A lead/delay angle amount setting part 70 determines energization timing to each phase of a stator coil 35 so that a battery voltage Vb converges in the target voltage V.例文帳に追加
進角・遅角量設定部70はバッテリ電圧Vbが目標電圧Vに収斂するようにステータコイル35各相への通電タイミングを決定する。 - 特許庁
Under the current circumstances, there is speculation that there may be interest rate cuts in the United States and Europe. V 例文帳に追加
こうした状況でアメリカやヨーロッパでは利下げの動きというか、そういう観測も出ているんですけれども、日本としてはどう対処すべきだと思われますか。 - 金融庁
(v) In the Customer Explanation Management Rules and Customer Explanation Manual, is consistency with the Finance Facilitation Rules and Finance Facilitation Manual ensured? 例文帳に追加
(ⅴ)顧客説明管理規程及び顧客説明マニュアルは、金融円滑化管理規程及び金融円滑化マニュアルとの整合性が確保されているか。 - 金融庁
(v) In the Customer Support Management Rules and Customer Support Manual, is consistency with the Finance Facilitation Rules and Finance Facilitation Manual obtained? 例文帳に追加
(ⅴ)顧客サポート等管理規程及び顧客サポート・マニュアルは、金融円滑化管理規程及び金融円滑化マニュアルとの整合性が確保されているか。 - 金融庁
To provide a semiconductor memory device in which positive/negative charge voltage applied to a bit line of a memory cell during a manufacturing process is kept at a level of ±1 V.例文帳に追加
製造工程中にメモリセルのビット線に印加される正負チャージが±1V程度に抑制された半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁
The server uninterruptible power supply is housed in the server case 91 of the server 90, and is connected to a 12-V DC power supply line 43 of the server 90.例文帳に追加
サーバーの無停電電源装置は、サーバー90のサーバーケース91に収納されて、サーバー90の直流12Vの電源ライン43に接続される。 - 特許庁
Preferably, the cellulose nanofibers have a B type viscosity (at 60 rpm and 20°C) of 500 to 7,000 mPa-s in an aqueous dispersion of 2% (w/v) concentration.例文帳に追加
セルロースナノファイバーは、好ましくは、濃度2%(w/v)の水分散液におけるB型粘度(60rpm、20℃)が500〜7000mPa・sである。 - 特許庁
The curable composition used in aerospace comprises a polysiloxane represented by formula (1) (wherein w is a positive number; and v, x and y are each independently 0 or a positive number).例文帳に追加
式(1)で表されるポリシロキサンを含むことを特徴とする宇宙空間用硬化性組成物、その硬化物、並びに、宇宙空間用複合膜。 - 特許庁
A reading element part 13 and a recording element part 14 are disposed on a downstream side and an upstream side in a rotation direction (circumferential speed V) of the magnetic disk 2, respectively.例文帳に追加
読み取り素子部13と記録素子部14がそれぞれ磁気ディスク2の回転方向(周速V)の下流側及び上流側に配置されている。 - 特許庁
To supply a constant secondary side output voltage of 230 V AC to an imaging unit, even if an arbitrary commercial AC power supply voltage is input in a controller.例文帳に追加
任意の商用交流電源電圧を制御部に入力しても、一定の2次側出力電圧のAC230Vを撮像部に供給する。 - 特許庁
To provide a photocatalyst material having a bandgap between 750-1,008 nm (1.23-1.65 V) and stable in water under light irradiation.例文帳に追加
750nm〜1008nm(1.23〜1.65V)の間にバンドギャップを有し、かつ光照射下の水中で安定である光触媒材料を提供する。 - 特許庁
To provide an exhaust pipe cover that can prevent hot air from a radiator from being blown onto a rider in a motorcycle equipped with a V-type engine.例文帳に追加
V形エンジンを搭載した自動二輪車において、ラジエータからの熱風がライダーに当たるのを防ぐことができる排気管カバーを提供する。 - 特許庁
Namely the area of a predetermined sectional area in a display area V can be differed from the area of other sectional areas by the filling member 10.例文帳に追加
つまり、補填部材10により、表示領域Vにおける所定の区画領域の面積を他の区画領域の面積と異ならせることができる。 - 特許庁
To correct fluctuations in initial capacitance with a C-V converter circuit at the first stage to enable only sensitivity signals to be taken out and achieve a high S/N ratio.例文帳に追加
初期容量バラツキを初段のC−V変換回路において補正し、感度信号のみを取り出せ、高いSN比を得ることができるようにする。 - 特許庁
Bending is performed beforehand to the guard net 11 in an independent state to reform the guard net 11 itself into the shallow V-groove shape.例文帳に追加
保護網11には単独の状態で予め曲げ加工を施すことにより、保護網11自体に浅いV溝形状のくせ付けを施してある。 - 特許庁
In a low vehicle speed being a threshold vehicle speed VB or lower, sounds are emitted from speakers 1F, 1S, 1R, the presence of a vehicle V is informed to a surrounding pedestrian etc.例文帳に追加
しきい車速VB以下の低車速域では、スピーカ1F、1S、1Rから発音されて、周囲の歩行者等に車両Vの存在が報知される。 - 特許庁
Each V-shaped storage hole 21b, 21c-24b and 24c before stacking is set so that a tilt angle to its axial direction may become larger gradually in every core block.例文帳に追加
各積層前V字収容孔21b,21c〜24b,24cは、各コアブロック毎に軸方向に対する傾斜角度が徐々に大きくなるように設定される。 - 特許庁
In the general formula, A is an element(s) such as Al, Mn, Si, B, Ca, Ti, V, W, Mo, Zr and Zn, and n, m and x denote each a number exhibiting the oxidized state of each element.例文帳に追加
一般式中のAは、Al、Mn、Si、B、Ca,Ti,V,W,Mo,Zr,Znなどの元素、n、m、xは各々各元素の酸化状態を示す数字を示す。 - 特許庁
If determining that the supply voltage exceeds 100 V (YES in S13), the fixing device exerts control so that an output power has a constant value (S14).例文帳に追加
供給電圧が100Vを超えていると判断すれば(S13において、YES)、出力電力が一定の値となるよう制御する(S14)。 - 特許庁
A leading-out guide plate 114 of a V shape in cross section is fixed to the top edge on a side wall facing an overflow port 110a of a first separation vessel 110.例文帳に追加
第1分離槽110の越流口110aに臨む側壁の上縁には、断面への字状の導出案内板114が固定されている。 - 特許庁
The positive electrode terminal 16 of this housing part 15 is cut in V-shape and a support part 17 that contacts the side wall 12W of the protrusion 12 is formed.例文帳に追加
この収容部15の正極端子16はV字状にカットされており、突部12の側壁12Wに当接する支持部17が形成されている。 - 特許庁
A voltage V1 in a moment the discharge is started, therefore, is equal to a voltage between terminals of each one of the capacitors 6-8 (theoretically 1/3 of 10 V).例文帳に追加
従って、放電が開始された瞬間の電圧V1は、コンデンサ6乃至コンデンサ8のそれぞれの両端電圧値(理論上は、10Vの1/3)となる。 - 特許庁
The stainless steel has a composition containing C, Si, Mn, P, S, Cr, NI, Al and N, also containing, if necessary, Nb, V, Ti and Zr, and further containing Ca, Mg, La and Ce, and further, the ratio of martensite in the tempered structure is regulated to ≥95%.例文帳に追加
C,Si,Mn,P,S,Cr,Ni,Al,Nを含み、所望によりNb,V,Ti,Zrを含み、さらにCa,Mg,La,Ceを含み、焼戻し後の組織のマルテンサイト率を95%以上とするステンレス鋼。 - 特許庁
Water in the duct body 7, flowing down along a V rib 19 or the like to go into the puddle parts 9, 10, is discharged to the outside air side from the drain holes 17, 18.例文帳に追加
ダクト本体7内の水はVリブ19等に沿って流下し、水溜り部9,10に入り水抜き孔17,18から外気側に排出される。 - 特許庁
In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加
MgNiの他にCo,Mn,Al,Fe,Cu,Mo,W,Cr,V,Ti,Zr,Sn,Th,Si,Zn,Li,Cd,Na,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Mm,Pd,Pt,Caからなる群から選択された少なくとも1つの変性剤元素を含む。 - 特許庁
To provide a pachinko game machine, having an accessory device for making the possibility of V prize remaining in a winning game ball for a long time as much as possible.例文帳に追加
入賞した遊技球になるべく長い時間、V入賞の可能性を残すことのできる役物装置を持つパチンコ遊技機を提供する。 - 特許庁
(1) The Merchandise Marks Act, 1889 (Act IV of 1889) and the Trademarks Act, 1940 (Act V of 1940) here-in-after referred to as repealed Acts are hereby repealed. 例文帳に追加
(1)1889年商品標章法(1889年法律第4号)及び1940年商標法(1940年法律第5号)は、以後廃止された法律といい、ここに廃止される。 - 特許庁
To provide a method of fabricating semiconductor device in which crystallinity of group III-V compound semiconductor crystal containing nitrogen atoms and arsenic atoms can be made excellent.例文帳に追加
窒素原子および砒素原子を含むIII−V族化合物半導体結晶の結晶性を良好にできる半導体デバイスの作製方法を提供する。 - 特許庁
To achieve a predetermined life in a short wavelength semiconductor laser using a III-V compound semiconductor which includes indium and nitrogen.例文帳に追加
インジウムと窒素とを含むIII −V族化合物半導体を用いた短波長半導体レーザ装置において、所定の動作寿命を達成できるようにする。 - 特許庁
The light emitting layer includes particles comprising V type hydroxy Galium phthalocyanine, x-polymorphic phase metal-free phthalocyanine, or chlorogallium phthalocyanine dispersed in a matrix.例文帳に追加
光発生層は、マトリックス中に分散した、V型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、x−多形相無金属フタロシアニン、又はクロロガリウムフタロシアニンを含む粒子を含む。 - 特許庁
A holding route 41 for holding waste tickets in an almost V-shaped overlapped condition is formed corresponding to the waste ticket lever 31 at the lower part of the waste ticket lever 31.例文帳に追加
廃券レバー31の下方には、廃券を概略V字状積み重ね状態で保持する保持通路41が廃券レバー31に対応して設けられている。 - 特許庁
At last in a downloading process of A/V client software, non-compatibility among participants is prevented and participation of low storage devices such as handheld devices are enabled.例文帳に追加
最後に、A/Vクライアントソフトウェアのダウンロードプロセスは、参加者間の非互換性を回避し、かつハンドヘルドデバイスといった低格納デバイスによる参加を可能にする。 - 特許庁
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