| 意味 | 例文 |
active-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug.例文帳に追加
高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。 - 特許庁
To solve such problems that when silicon is used as a negative active material for a lithium secondary battery, an electrode having an active material layer 1 comprising spaces and columnar particles 6 can be formed on a current collector 5 having recessed and projecting parts on the surface by vapor deposition from the diagonal direction, but since spaces in the surface part are reduced, diffusion of lithium ions through an electrolyte is made insufficient.例文帳に追加
リチウム二次電池用負極活物質としてケイ素を用いる際に、表面に凹凸を有する集電体上5に斜め方向からの蒸着により空間と柱状粒子6から成る活物質層1を有する電極を形成することができるが、表面部分での空間が小さくなるため、電解液を介してのリチウムイオンの拡散が不十分となる。 - 特許庁
Allowing time is inserted between the point, when lead dioxide layer with the thickness of 50-550 μm is generated in the active substance surrounding the positive electrode lattice and the point, when total sum of lead dioxide and anglesite reaches 90 wt.% of the total amount if positive active substance, after the chemical conversion.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明の鉛蓄電池の化成方法では、正極格子周囲の活物質に厚さ150〜550μmの二酸化鉛層が生成される時点と、二酸化鉛と硫酸鉛との総和量が化成後の正極活物質の総量に対して90wt%となる時点との間に、放置を入れることにより、上記のような極板が得られる。 - 特許庁
In a nickel electrode which is formed by filling an active material made mainly of nickel hydroxide in a substrate composed of a conductive porous body, a covering layer which is made of a solid solution of cobalt hydroxide, nickel hydroxide, and a hydroxide of at least one kind of an element selected from among the group of Y, Al, Mn, and lanthanoid element is formed on the surface of the active material made of the nickel hydroxide.例文帳に追加
導電性多孔体よりなる基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填してなるニッケル極において、前記水酸化ニッケルを主体とする活物質表面に、水酸化コバルト、水酸化ニッケル、ならびに、Y,Al,Mnおよびランタノイド元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素の水酸化物の固溶体よりなる被覆層が形成されているもの。 - 特許庁
A compound which has an average molecular weight of 350-5,000,000 and a residue capable of forming a hydrogen bond (hereinbelow referred to as a compound S) is added to a substrate to which the physiologically active substance has been immobilized through a hydrophilic high-molecular layer formed of a hydrophilic polymer to provide a substrate enhanced in the stability of the physiologically active substance.例文帳に追加
生理活性物質を、親水性高分子から形成される親水性高分子層を介して固定した基板に、平均分子量が350より大きく500万より小さく、且つ、水素結合を形成しうる残基を有する化合物(以下、化合物Sとする)を上記基板に含有させることより生理活性物質の安定性を向上させた基板を提供できる。 - 特許庁
A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.例文帳に追加
分離絶縁膜14の下のSOI層13にまで達する第1のコンタクト45aと、活性領域21の上面まで達する第1のコンタクト42aとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁
A first reflection film 12, an active layer 13 and a second reflection film 14 are formed in one surface of a substrate 11 and electrode layers 15, 16 are formed in a front surface of the second reflection film 14 and a rear surface of the substrate 11, respectively.例文帳に追加
基板11の一表面に第1の反射膜12と、活性層13と、第2の反射膜14とが形成され、その第2の反射膜14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。 - 特許庁
The layers 11 and 15 have a bandgap larger than energy equivalent to a light emitting wavelength of the active layer 13, and have a refractive index larger than those of the layers 12 and 14.例文帳に追加
第1光ガイド層11および第2光ガイド層15は、活性層13の発光波長に相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有し、かつ第1キャリア閉じ込め層12および第2キャリア閉じ込め層14よりも大きな屈折率を有する。 - 特許庁
A semiconductor device 100 is provided with a first substrate 101, with which a passive element 107 is formed on one side and a shielding layer 113 is formed on the other side; and a second substrate 117, with which an active element 119 is formed on one side.例文帳に追加
半導体装置100は、一方の面に受動素子107が形成され且つ他方の面にシールド層113が形成された第1の基板101と、一方の面に能動素子119が形成された第2の基板117とを備える。 - 特許庁
An anode active material layer 22B contains a combined graphite material in which a plurality of primary particles composed of porous graphite are combined so that oriented faces at least partially are combined with each other in non-parallel to form secondary particles.例文帳に追加
負極活物質層22Bは、細孔を有する黒鉛よりなる複数の1次粒子が、少なくとも一部において配向面が互いに非平行となるように結合して2次粒子を形成している結合黒鉛材料を含有している。 - 特許庁
To improve light-emitting output further which makes expansion of scope of application to various applied products possible using an active layer of a multiple quantum well structure, and to provide a nitride semiconductor light-emitting element whose dielectric breakdown voltage is improved.例文帳に追加
多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とする発光出力のさらなる向上及び静電耐圧の向上する窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁
This LED chip 10, therefore, efficiently outputs the light emitted by the active layer 30 to the outside, so that higher extraction efficiency is obtained as compared with a conventional value shown by the data point of a black solid circle.例文帳に追加
したがって、本実施例のLEDチップ10によれば、その活性層30において発生させられた光は効率よく外部へ出力されるので、黒丸印のデータポイントに示す従来の値に比較して一層高い取出効率が得られる。 - 特許庁
The thin film transistor 10 has a polycrystalline silicon film 1a as an active layer and has a multi-gate structure where a first thin film transistor section 10a on the drain side and a second thin film transistor 10b on the source side are connected in series.例文帳に追加
薄型トランンジスタ10は、多結晶シリコン膜1aを能動層として有しており、ドレイン側の第1の薄膜トランジスタ部10aと、ソース側の第2の薄膜トランジスタ部10bとが直列接続されたマルチゲート構造を有している。 - 特許庁
The VCSEL 10A includes a GaAs substrate 100, an n-type lower DBR 102 formed on the substrate, an active region 104, a current constriction layer 108, a p-type upper DBR 106, and an annular p-side electrode 110.例文帳に追加
VCSEL10Aは、GaAs基板100と、基板上に形成されたn型の下部DBR102と、活性領域104と、電流狭窄層108と、p型の上部DBR106と、環状のp側電極110とを有する。 - 特許庁
One portion 50A of the electrode for charge collection projects above an active layer 28 of the thin-film transistor 20 for charge detection, while being insulated via an insulation film 18A, and also plays a role of a gate electrode G of the thin-film transistor for charge detection.例文帳に追加
電荷収集用電極の一部50Aが、電荷検出用薄膜トランジスタ20の活性層28上に絶縁膜18Aを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Gを兼ねている。 - 特許庁
The lithographic printing plate original plate has on a support a recording layer which contains (A) an alkali-soluble vinyl polymer having a ring structure in a principal chain and also having an active imido group and (B) an IR absorbent, and is capable of forming an image under irradiation with IR.例文帳に追加
支持体上に、(A)環構造を主鎖に有し、且つ、活性イミド基を有するアルカリ可溶性ビニルポリマーと、(B)赤外線吸収剤と、を含有し、赤外線の照射により画像形成が可能な記録層を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of operating at a high speed with low power consumption by suppressing a leak current path from being formed at an active area end in a transistor structure wherein compressive or tensile strain is applied to a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層に圧縮或いは引っ張り歪みが加えられたトランジスタ構造において、活性領域端部におけるリーク電流パスの形成を抑制し、低消費電力で高速動作しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The nano-columns 2 are each formed into a coaxially shaped heterostructure in which a core portion 21 made of an n-type GaN is surrounded by a cylindrical shell portion 22 made of an n-type AlGaN having a bandgap energy larger than that of the n-type GaN, and the core portion 21 itself is used as an active layer.例文帳に追加
ナノコラム2を、n型GaNから成るコア部21を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいn型AlGaNから成る筒状のシェル部22で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部21自体を活性層とする。 - 特許庁
A gate insulating film 7 of a high-breakdown-voltage MISFET with a thick film thickness is formed on an n-type buried layer 3 as an active area and a resistance element IR of an internal circuit is formed on the gate insulating film 7.例文帳に追加
アクティブ領域であるn型埋込み層3の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧MISFETのゲート絶縁膜7が形成されており、このゲート絶縁膜7の上部には、内部回路の抵抗素子IRが形成されている。 - 特許庁
By reducing the oxygen concentration at the boundary part, the metal ions and oxygen are reacted to form oxide, and by this oxide, it is suppressed that adhesion strength with the current collector is reduced or that the active material layer is fractured inside with the oxide as a starting point.例文帳に追加
境界部の酸素濃度を低減することで、金属イオンと酸素が反応して酸化物が生成され、この酸化物により、集電体との密着強度が低下したり、酸化物を起点として活物質層が内部破断することを抑制する。 - 特許庁
To provide an acrylic resin composition that is capable of obtaining an adhesive layer having a neat coating film surface even in thick coating and furthermore that is used for producing a solvent-based acrylic adhesive of an active energy ray-curable type which does not require aging.例文帳に追加
厚塗り塗工でも綺麗な塗膜表面の粘着剤層を得ることが可能であり、更にエージングの必要もない活性エネルギー線硬化タイプの溶剤系アクリル系粘着剤の製造に用いられるアクリル系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To ensure adhesiveness to a collector of a positive electrode mix layer in a non-aqueous electrolyte secondary battery of high capacity using as the positive electrode active material a mixture of two different particulate substances of different average particle size to provide flexibility.例文帳に追加
柔軟性を付与するために平均粒子径の異なる2種類の粒状物の混合物を正極活物質として用いた高容量な非水電解液二次電池において、正極合剤層の集電体に対する密着性を確保する。 - 特許庁
A rolled electrode body 4 formed by having positive electrode 41 and negative electrode 42 wound up is stored inside a battery case 1, and an active substance layer 5 is formed on the inner periphery surface of the battery case 1 in the non-aqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加
本発明に係る非水電解質二次電池においては、電池缶1の内部に、正極41及び負極42を巻回してなる巻き取り電極体4が収容され、該電池缶1の内周面には活物質層5が形成されている。 - 特許庁
A light emitting means is composed by providing an optically active medium having a spiral structure, a quarter-wave plate and a linear polarizing plate above the light emitting element formed by stacking an electrode for reflecting light like a mirror-finished surface, an organic EL layer and a transparent electrode.例文帳に追加
発光手段は、鏡面反射する電極、有機EL層、透明電極を積層して形成される発光素子の上方に、螺旋構造をもつ光学活性な媒質、四分の一波長板、直線偏光板とを有する構成とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the occurrence of a parasitic transistor, having low threshold voltage in a portion covered with a gate electrode at the boundary between an SOI active layer and a mesa-type element separating region can be prevented effectively, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
SOI活性層とメサ型素子分離領域との境界のゲート電極で覆われた部分における、閾値電圧の低い寄生トランジスタの発生を効果的に防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The effective refractive index of a region 30B directly under the recess of the active layer 30 is lowered, and the gain in the end region 30D between the region 30B directly under the recess and a current non-injection region 30C is improved relatively, and the light intensity is increased.例文帳に追加
活性層30の凹部直下領域30Bの実効屈折率を低下させ、凹部直下領域30Bと電流非注入領域30Cとの間の端部領域30Dにおける利得を相対的に高めて光強度を大きくする。 - 特許庁
At a position adjacent to an embedded insulating film 4 in an active layer 3 under a semiconductor element, a ring-shaped p-type region 10 and a ring-shaped n-type region 11 are alternately formed in a repeated manner so as to surround a circular center region 10a.例文帳に追加
活性層3のうち半導体素子の下方における埋込絶縁膜4と隣接する位置に、円形状の中心領域10aを囲むようにリング状のp型領域10およびn型領域11を交互に繰り返し形成する。 - 特許庁
A negative electrode active material layer 22B contains a combined graphite material in which a plurality of primary particles composed of graphite having fine pores are combined so that oriented faces in at least a part of the primary particles become mutually in non-parallel to form secondary particles.例文帳に追加
負極活物質層22Bは、細孔を有する黒鉛よりなる複数の1次粒子が、少なくとも一部において配向面が互いに非平行となるように結合して2次粒子を形成している結合黒鉛材料を含有している。 - 特許庁
To provide an active energy ray-curable coating composition capable of suppressing metallic thin film cracking even when forming on a metallic thin film a rigid top coat layer sufficiently protecting the metallic thin film or performing heat resistance test, and to provide composite coating films.例文帳に追加
金属薄膜を十分に保護できる強固なトップコート層を金属薄膜上に形成したり、耐熱試験を行ったりしても、金属薄膜の割れを抑制できる活性エネルギー線硬化型塗料組成物、および複合塗膜を提供する。 - 特許庁
Loading of the binding agent of the negative electrode 10 for alkali storage batteries, which is contained in a cadmium active-material layer 12 and 13, are made not to have much in the vicinity 12 of the conductive core substance 11, and to have much on the negative-electrode surface 13.例文帳に追加
本発明のアルカリ蓄電池用負極10は、カドミウム活物質層12,13中に含有される結着剤の添加量が導電性芯体11の近傍12では少なく、負極表面13では多くなるようにしている。 - 特許庁
The invention provides a method for improving the dissolution of an active component in a pharmaceutical preparation having an enteric polymer coating layer by using an alkaline pH-adjusting agent and a pharmaceutical preparation containing (1) a compound having interaction with an enteric polymer and (2) an alkaline pH-adjusting agent.例文帳に追加
アルカリ性pH調節剤を用いることを特徴とする、腸溶性ポリマーコーティング製剤中の有効成分の溶出改善方法および、(1)腸溶性ポリマーと相互作用する化合物と(2)アルカリ性pH調節剤を含有してなる製剤。 - 特許庁
A plural number of exposed parts 14 are installed at a positive electrode active substance layer 13, and these exposed parts 14 are arranged in a radial form with the center of a corner part 13A positioned on the diagonal line of a protruding position 11A of a positive electrode reed 11.例文帳に追加
正極活物質層13には、複数本の露出部14が設けられており、この露出部14は、正極リード11の突出位置11Aと対角線上に位置する角部13Aを中心とした放射状に配されている。 - 特許庁
The lithium /iron disulfide primary battery comprises a positive electrode 2, in which a positive electrode mixture layer is formed on a positive electrode current collector, a negative electrode 3 having lithium as a negative electrode active material, and an electrolytic solution in which electrolyte is dissolved in an organic solvent.例文帳に追加
リチウム/二硫化鉄一次電池は、正極集電体上に正極合剤層が形成されてなる正極2と、リチウムを負極活物質とする負極3と、有機溶媒に電解質を溶解させてなる電解液とを備える。 - 特許庁
To provide a catalyst for steam-reforming a hydrocarbon, the activity of which is improved by increasing an absolute quantity of an active component to be deposited on the surface layer of a carrier and the service life of which is prolonged and to provide a method for manufacturing this catalyst.例文帳に追加
担体に対して、その表層への活性成分の絶対量を増加して触媒活性を向上させるとともに、触媒の長寿命化を実現してなる炭化水素の水蒸気改質触媒及びその製造方法を得る。 - 特許庁
A thin film semiconductor device includes a glass substrate 51, an amorphous silicon film 53 provided on the substrate, a plurality of thin and long crystal grains 31 crystallized on the amorphous silicon film, and a thin film transistor having an active layer 11 arranged on the crystal grains.例文帳に追加
薄膜半導体装置は、ガラス基板51と、該基板上に設けられたアモルファスシリコン膜53と、該アモルファスシリコン膜に結晶化された複数の細長い結晶粒31と、該結晶粒に活性層11が配置された薄膜トランジスタと含む。 - 特許庁
The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加
チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第1熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁
By forming a trench 115 trenched from a wafer surface at both sides of a ridge stripe 110, the level difference generated in the vicinity of an active layer 105 on the end face of a resonator can be prevented from reaching the ridge stripe 110 at cleaving.例文帳に追加
リッジストライプ110の両脇に、ウェハ表面より掘り込まれたトレンチ115を形成することにより、劈開時において、共振器端面の活性層105付近で生じる段差がリッジストライプ110にまで延びることを防ぐことができる。 - 特許庁
For example, in combination which uses the glass substrate and silicon as a semiconductor component, a semiconductor laser of wavelength 405 nm whose wavelength range is at least 350 nm and at most 480 nm, and which has especially GaN in an active layer, is preferably used as the source of light 120.例文帳に追加
たとえば、ガラス基板とシリコンを半導体部材とする組合せにおいては、波長範囲を350nm以上で480nm以下、特にGaNを活性層に持つ波長405nmの半導体レーザを発光源120に使用するとよい。 - 特許庁
The ceramics-metal joined body has a nitride ceramic member and a metal member which is joined to a nitride ceramic substrate through an Ag-Cu brazing material layer containing at least one active metal selected from Ti, Zr and Nb.例文帳に追加
窒化物系セラミック部材と、Ti、ZrおよびNbから選ばれた少なくとも1種の活性金属を含むAg−Cu系ろう材層を介して、窒化物系セラミックス基板に接合された金属部材とを具備するセラミックス−金属接合体である。 - 特許庁
A solid oxide fuel cell comprises a flat supporting body 2 of porous flat plate structure, which supports a layer of electrode active material on one side of the flat surface, and a gas supply channel 4 extending inside, which is formed in the structure.例文帳に追加
片側の平坦表面上で電極活性材料の層を支持する多孔質平板構造の形の平坦形支持体2と、その構造内に形成された、内部に伸びたガス供給流路4とを備えた、固体酸化物燃料電池。 - 特許庁
As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加
(d)に示すように、幅5μmのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Cl_2などを用いたRIBE(Reactive Ion Beam Etching)などのドライエッチングによりP−電極7からMQW活性層4より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁
The coating layer 2 is formed by coating gel including collagen and the like modified by a light-sensitive group, chemical compounds having N-alkylamino group and/or N, N-dialkylamino group, and biologically active substance, irradiating the visible light thereon and photocrosslinking it.例文帳に追加
このコーティング層2は、感光基で修飾されたコラーゲン等と、N−アルキルアミノ基及び/又はN,N−ジアルキルアミノ基を有する化合物と、生理活性物質とを含むゲルをコーティングし、可視光を照射して光架橋させたものである。 - 特許庁
Consequently, the projecting part 23 and its periphery, for example, the current-narrowing projection 17a and the current injection region of the active layer 14, are prevented from being damaged.例文帳に追加
これにより、治工具などが突出部23およびその近傍に接触することを防止でき、突出部23およびその周辺、例えば電流狭窄用突部17aおよび活性層14の電流注入領域が損傷することを防止できる。 - 特許庁
The photoelectric conversion element comprises an anode, a cathode, and an active layer arranged between the anode and the cathode.例文帳に追加
陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有し、該活性層がn型半導体とp型半導体とを有し、該n型半導体と該p型半導体とのpn接合の面積が、活性層1μm^3あたり100μm^2以上である光電変換素子。 - 特許庁
When modulation currents with high frequency currents superposed on operating currents are given to terminals 1a, 1b, the modulation currents are injected in an optically amplifying region 7a and a saturably absorbing region 7b of an active layer 7.例文帳に追加
端子1a,1bそれぞれに、動作電流に高周波電流が重畳された変調電流が与えられると、活性層7の光増幅領域7a及び可飽和吸収領域7bのそれぞれに、変調電流が注入される。 - 特許庁
The p-side electrode 15 consists of a first electrode portion 15a on the light-outgoing end face side of the active layer 13 and a second electrode portion 15b on the reflective end face side, which has a shorter longitudinal length than that of the first electrode 15a.例文帳に追加
p側電極15は、活性層13における出射端面13a側を第1電極部15aと、反射端面13b側を第1電極部15aよりも長手方向の寸法が小さい第2電極部15bとから構成されている。 - 特許庁
The metal-single crystal complex is constituted of a single crystal substrate composed of the principal constituent of a metal compound single crystal jointed to a metal substrate composed of the principal constituent of copper or a copper alloy through an intermediate layer composed of the principal constituent of an active metal.例文帳に追加
銅または銅合金を主成分とする金属基板に、活性金属を主成分とする中間層を介して金属化合物単結晶を主成分とする単結晶基板を接合してなる金属−単結晶複合体を用いる。 - 特許庁
To prevent sensitivity failure and characteristic deterioration with time, due to deterioration of a surface protection film provided on an upper layer of the environmental sensor in a display device provided with the environmental sensor formed in the peripheral region of the active matrix substrate.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。 - 特許庁
To provide an active energy beam-curing type resin composition useful for forming a coating layer excellent in hardness of coating film, scratch resistance and antistatic property and especially free from dependence on moisture and extremely excellent in an antistatic property under low moisture.例文帳に追加
塗膜硬度、耐擦傷性、帯電防止性、特に湿度依存性がなく低湿度下での帯電防止性に非常に優れたコーティング層を形成するのに有用な活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁
By this, the role of an improvement of an ionic conductivity and an inner resistance, securing of the battery strength, and a suppression of swelling-contraction of the active substance layer are made to be respectively shared, and the effective discharge property and the cycle property can be improved.例文帳に追加
これにより、イオン伝導度と内部抵抗の改善、および電池の強度の確保、活物質層の膨張収縮の抑制という役割をそれぞれに分担させ、効率放電特性およびサイクル特性を向上することができる。 - 特許庁
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