「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。 - 特許庁

A mode-locked semiconductor laser includes a gain region 24 for generating a stimulated emission light and a saturable absorption region 26 for partially absorbing the stimulation-emitted light generated in the region 24, in a series with respect to the longitudinal direction in an active layer 20.例文帳に追加

活性層２０に、誘導放出光を生成するための利得領域２４と、利得領域２４で生成された誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域２６とを、長手方向に対して直列に含んでいる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery in which a peeling of an active material layer formed on a current collector and an electrode plate breakage while the electrode plate is wound is controlled and an excellent productivity is attained.例文帳に追加

集電体上に形成された活物質層の剥がれや、極板巻回時における極板切れを抑制して、優れた生産性を有する非水電解液二次電池用電極板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By providing the optical reflection structure 111, light leaked from an active layer 105 is reflected on a boundary with the optical reflection structure 111 on the ridge side face and at the side of the ridge, and thus the laser beams are effectively confined in the stripe region.例文帳に追加

光反射構造部１１１を設けたことにより、活性層部１０５からしみ出した光は、リッジ側面及びリッジ脇の光反射構造部１１１との界面で反射するので、レーザ光をストライプ領域に有効に閉じ込められる。 - 特許庁

The active carbon, obtained by a method wherein a material pitch having specified properties is processed through heat treatment by a specified method and activating treatment is applied thereafter, shows high electrostatic capacitance, is well stabilized and high in reproducibility as the material of the electric double layer capacitor electrode.例文帳に追加

特定性状を有する原料ピッチを特定の方法により熱処理したのち賦活処理することによって得られる活性炭が、電気二重層キャパシタ電極材料として再現性良く安定して高い静電容量を示す。 - 特許庁

To provide an active matrix display device which is not likely to cause peeling of a conductive layer formed on a gate insulating film while using a top gate film transistor using a polycrystal semiconductor in a channel area, and to provide a method for manufacturing the display.例文帳に追加

チャネル領域に多結晶半導体を使用したトップゲート型薄膜トランジスタを使用しながらもゲート絶縁膜上に形成する導電層の剥離を生じ難いアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The active layer comprises window areas (41a, 41b, 42a and 42b) wherein an impurity is diffused, in the vicinity of at least one of a front end face C from which light is emitted, of each of the resonators and a rear end face D at an opposite side.例文帳に追加

活性層は、それぞれの共振器の光が出射する前端面Ｃ及びその反対側の後端面Ｄのうち少なくとも一方の近傍に、不純物が拡散された窓領域（４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂ）を備える。 - 特許庁

To reduce a threshold current in a nitride semiconductor device where an active layer having a nitride semiconductor containing In is held between p- and n-type cladding layers, and, especially, light emission is made at a wavelength of at least 440 nm.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.例文帳に追加

本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴ部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁

The non-alkaline silica solution is injected so that the concrete surface contains the phosphoric acid compound as an active ingredient at a phosphate ion concentration of 3,000 ppm or higher per m^2, and the consolidated layer thickness is 1 cm or more when converted to homogel.例文帳に追加

コンクリート表面１ｍ^２当たり３０００ｐｐｍ以上のリン酸イオン濃度になるリン酸化合物を有効成分として含み、ホモゲルに換算して１ｃｍ以上の固結層厚さになるように非アルカリ性シリカ溶液を注入する。 - 特許庁

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method.例文帳に追加

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。 - 特許庁

That means, an In_xGa_1-xAs_ySb_1-y(0≤x≤0.5, 0≤y≤1) having a thickness of 0.3-3 μm is directly formed as an active layer on the bulk single crystal plate of GaAs, InP and Si or a thin film substrate thereof.例文帳に追加

すなわち、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉのバルク単結晶板、またはそれらの薄膜基板上に、直にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１）を活性層として、０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さで形成する。 - 特許庁

Also reflection preventing parts consisting of reflection reducing coating are formed on the light-emitting surface of the active matrix substrate and on both light incident and light-emitting surfaces of a light- emitting side polarizing element disposed on the light emitting side of the liquid crystal panel via an air layer.例文帳に追加

また、アクティブマトリクス基板の光出射面、及び液晶パネルの光出射側に空気層を介して配された光出射側偏光素子の光入出射両面に、減反射コーティングからなる反射防止部が形成されている。 - 特許庁

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer.例文帳に追加

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an internal short circuit caused by sharp corners of coating starting and finishing ends of an active material layer coated on a current collector, an end of the current collector, or an end of a current collecting lead passing through a separator.例文帳に追加

集電体上に塗布された活物質層の始終端部や切断端部、集電体の端部、集電リードの端部等の角張った部分がセパレータを貫通することによって生じる内部短絡の発生を抑制することにある。 - 特許庁

The precursor for the positive electrode active material can be manufactured by applying heat treatment to the particles in the surface of the nickel-cobalt compound hydroxide particles coated with a cobalt hydroxide layer, in an oxygen-containing atmosphere while spraying a sodium hydroxide solution.例文帳に追加

この正極活物質用前駆体はニッケルコバルト複合水酸化物粒子の表面が水酸化コバルト層で被覆された粒子を、水酸化ナトリウム水溶液を噴霧しながら酸素含有雰囲気中で熱処理することにより作製し得る。 - 特許庁

The electrode surface farther from the active layer on the semiconductor substrate 1 is entirely flat, and a structure for restricting the length of dielectric film 5 to be wrapped around to an electrode side at dielectric film 5 formation is formed on the surface of the electrode.例文帳に追加

半導体基板１の活性層から遠い方の電極面は全体に平坦であり、誘電体膜５を形成する際、誘電体膜５の電極面側への回り込み長を制限する構造が電極面上に形成されたものである。 - 特許庁

In the distributed feedback semiconductor laser, a diffraction grating in a resonator has a λ/4 phase shift area 2 which shifts the phase of light by 1/4 wavelength and an active layer 4 is provided in the area except on the λ/4 phase shift area.例文帳に追加

共振器内部の回折格子に光の位相を１／４波長変化させるλ／４位相シフト領域２を有し、λ／４位相シフト領域上を除く領域に活性層４が設けられている分布帰還型半導体レーザとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing an oxide semiconductor in a semiconductor active layer in which variation in hysteresis, shift of threshold, and increase in off current do not take place even if the semiconductor device is operated in the atmosphere, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用い、大気中動作を行っても、ヒステリシスの変化、閾値のシフト、およびオフ電流が大きくなることのない半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the positive electrode plate with a metal porous body having a three-dimensional continuous space filled with an active material composed of hydroxide particles with nickel as a main component, a manganese compound layer having two or more valences is formed on a surface of the positive electrode plate.例文帳に追加

三次元的に連なる空間を有する金属多孔体にニッケルを主成分とする水酸化物粒子からなる活物質を充填した正極板において、正極板の表面に価数が２以上のマンガン化合物層を形成する。 - 特許庁

The negative electrode 1 for non-aqueous electrolytic liquid secondary battery has an active material layer 3 which contains particles 5 of silicon-based material storing lithium and in which a metal material 6 with low formation ability of a lithium compound penetrates between particles 5.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池用負極１は、リチウムを吸蔵したシリコン系材料の粒子５を含み、且つ粒子５間にリチウム化合物の形成能の低い金属材料６が浸透している活物質層３を有している。 - 特許庁

A method for removing the methyl iodide from the methanol-containing gas includes passing the off-gas containing the methanol and the methyl iodide discharged from the acetic acid-producing process by the methanol carbonylation method through an active carbon-packed layer at a temperature 60 to 80°C.例文帳に追加

メタノールカルボニル化法による酢酸製造プロセスから排出される、メタノールとヨウ化メチルを含むオフガスを、６０℃以上８０℃以下の温度で活性炭充填層に通すことを特徴とする、メタノール含有ガスからのヨウ化メチル除去方法。 - 特許庁

Either one of a positive electrode 5 or a negative electrode 4 has a structure in which an electrode layer containing a copolymer of a specific monomer and a fluorine monomer, an active material and nonaqueous electrolyte is carried by a collector.例文帳に追加

正極５及び負極４のうち少なくともいずれか一方の電極は、特定のモノマーとフッ素系モノマーとの共重合体、活物質及び非水電解液を含む電極層が集電体に担持された構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The curing and/or prophylaxis of the bedsore are carried out by using a whey protein having effects of promoting regeneration of the muscle layer as an active ingredient and beforehand and/or continuously ingesting a whey protein nutrient comprising carbohydrates, lipids, vitamins, and minerals.例文帳に追加

筋層再生促進効果を有する乳清蛋白質を有効成分とし，糖質，脂質，ビタミン，ミネラルを含有する乳清蛋白質栄養剤を事前及び／または継続摂取することにより，褥瘡の治癒及び／または発生を予防する． - 特許庁

To provide a lithium secondary battery improving load characteristics by smooth movement of lithium ions even when an active material layer in an electrode is made thick, preventing the breakage of the electrode, and enhancing high rate charge discharge characteristics.例文帳に追加

電極における活物質層を厚くした場合においても、リチウムイオンがスムーズに移動されて負荷特性が改善されると共に、電極が破損することがなく、大電流での充放電特性に優れたリチウム二次電池が得られるようにする。 - 特許庁

In the catalyst for purification of exhaust gas having a coating layer 3 containing catalytic active substances C(c) and rare earth oxides B(b) formed on a supporting carrier, the rare earth oxides B include at least praseodymium oxide or terbium oxide.例文帳に追加

触媒活性物質Ｃ（ｃ）および希土類酸化物Ｂ（ｂ）を含む被覆層３を、支持担体２上に形成した排気ガス浄化用触媒１において、希土類酸化物Ｂとして、少なくとも酸化プラセオジウムまたは酸化テルビウムを含ませる。 - 特許庁

Of the nonaqueous electrolyte battery equipped with a cathode, an anode and an electrolyte, at least either the cathode or the anode includes an active material layer containing a room-temperature molten salt and polyvinyl pyrrolidone.例文帳に追加

正極および負極と共に非水電解質を備えた非水電解質電池であって、 前記正極および負極のうち少なくとも一方は、常温溶融塩およびポリビニルピロリドンを含む活物質層を有することを特徴とする非水電解質電池。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery electrode forming device capable of stably forming an electrode for a lithium secondary battery having excellent battery characteristics by evenly and stably forming an active material layer having a desirable film quality and a desirable film thickness.例文帳に追加

所望の膜質および膜厚を有する活物質層をバラツキなく安定して形成することによって、電池特性に優れたリチウム二次電池用電極を安定して形成することが可能なリチウム二次電池用電極の形成装置を提供する。 - 特許庁

At least one of the electrodes comprises an electrode mixture 326 containing an electrode active material, a collector 322 holding the electrode mixture 326, and a conductive layer 324 interposed between the collector 322 and the electrode mixture 326.例文帳に追加

それら電極のうち少なくとも一方は、電極活物質を含む電極合剤３２６と、その電極合剤３２６を保持する集電体３２２と、集電体３２２と電極合剤３２６との間に介在された導電層３２４とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser where sufficient disordering in an active layer of an infrared semiconductor laser occurs when a red semiconductor laser and the infrared semiconductor laser are disposed on a single substrate and an end face window structure is to be formed.例文帳に追加

単一の基板の上に赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを配置し、同時に端面窓構造を形成する場合に、赤外半導体レーザの活性層での十分な無秩序化が起きた半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

Impurities of the same conductive type are doped to the first and second carrier confinement layers, and the active layer has no impurities doped on it or impurities of the same conductive type as that doped to the carrier confinement layers are doped.例文帳に追加

第１及び第２のキャリア閉込層に同一導電型の不純物がドープされており、活性層には、不純物がドープされていないか、またはキャリア閉込層にドープされている不純物と同一導電型の不純物が低濃度にドープされている。 - 特許庁

A color filter substrate 10 has a transparent substrate 1, the light shielding layer (BM) which is formed on the transparent substrate 1 and arranged opposite the active element (TFT), and color filters 2R and 2B of at least two colors which are formed on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１０は、透明基板１と、透明基板１上に形成され、かつアクティブ素子（ＴＦＴ）に対向する位置に配置される遮光層（ＢＭ）と、透明基板１上に形成された少なくとも２色のカラーフィルタ２Ｒ，２Ｂとを有する。 - 特許庁

This is the electrode for the lithium secondary battery containing a substrate composed of a sheet-shaped non-conductive material having a fine structure, and an active material layer composed of tin or tin alloy formed on a surface part of the substrate and a surface of the inside of the fine structure.例文帳に追加

微細構造を有するシート状の非導電性材料からなる基体と、該基体の表面部分及び微細構造内部の表面に形成されたスズ又はスズ合金からなる活物質層とを含むリチウム二次電池用負極。 - 特許庁

To provide a charging method of a lead acid storage battery wherein corrosion of a positive electrode grating surface is suppressed in charging, wherein forming of an insulating layer on the boundary surface of the grating and forming of an active material are suppressed and wherein a drop of discharge capacity accompanied with those is small.例文帳に追加

充電において、正極格子表面の腐食を抑え、格子と活物質との界面における絶縁層の形成を抑制して、それらに伴う放電容量の低下の少ない鉛蓄電池の充電方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently a light shield is formed by depositing a light absorbing antireflective coating material in the gaps so as to reduce the transmission of incident light through the gaps toward active elements in the lower layer.例文帳に追加

本実施形態は、次に、ギャップ領域内に光吸収性の反射防止コーティング材料を析出させて、ギャップ領域を通って下層の能動素子へ向かう入射光の透過が低減するように、光シールドを形成することを詳述する。 - 特許庁

To provide an electrode for a storage element having an active material layer reaching an end of a collector, and composed by restraining damage (chipping-off or the like), to provide its manufacturing method and device, and to provide a storage element composed by using the electrode.例文帳に追加

集電体の端部に至る活物質層を有するとともにその活物質層の損傷（欠落等）が抑制された蓄電素子用電極、その製造方法、その製造装置、ならびにその電極を用いて構成された蓄電素子を提供する。 - 特許庁

To prevent sensitivity failures and characteristic deterioration with the lapse of time in an environmental sensor due to deterioration of a surface protection film formed on an upper layer of the environmental sensor in a display device equipped with the environmental sensor formed in a peripheral region of an active matrix substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。 - 特許庁

Further, since an insulation member 28 is arranged at least at an opposing region (a region R2) of a positive electrode collector 21A against a negative electrode active material layer 22B, local potential rise of the positive electrode 21 at its opposing region can be restrained.例文帳に追加

しかも、少なくとも正極集電体２１Ａと負極活物質層２２Ｂとの対向領域（領域Ｒ２）に絶縁部材２８が配設されているため、その対向領域における正極２１の局所的な電位上昇が抑制される。 - 特許庁

An active material obtained by firing the precursor in the air has a layer structure and is represented by a formula (1) below.例文帳に追加

活物質の前駆体であって、前駆体を大気中で焼成して得られる活物質が、層状構造を有し、下記組成式（１）で表され、前駆体を大気中で焼成した際、前駆体が層状構造化合物となる時の温度が４５０℃以下である、前駆体。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery (nonaqueous secondary battery) includes: a positive electrode 10 including a positive electrode collector 11, which has a multilayer structure where a resin layer 13 is sandwiched between conductive layers 14, and a positive electrode active material layer 12 formed on the positive electrode collector 11; and a tab electrode 41 electrically connected to the positive electrode 10.例文帳に追加

このリチウムイオン二次電池（非水系二次電池）は、樹脂層１３を導電層１４で挟んだ多層構造を有する正極集電体１１とこの正極集電体１１上に形成された正極活物質層１２とを含む正極１０と、この正極１０と電気的に接続されるタブ電極４１とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

The lower first DBR layer 12 has an oxidized portion 30 in one region out of opposite regions to a current injection region 17B, and anisotropic stress corresponding to an non-uniform distribution of the oxidized portion 30 is generated in an active layer 15, and further an optical field intensity distribution of a basic lateral mode gravitates in a direction of the oxidized portion 30.例文帳に追加

下部第１ＤＢＲ層１２は、電流注入領域１７Ｂとの対向領域のうち一の領域に酸化部３０を有しており、酸化部３０の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生し、さらに、基本横モードの光場強度分布が酸化部３０の方向に引き寄せられる。 - 特許庁

In the active lens including a first nano electrode, a second nano electrode facing the first nano electrode, and a liquid crystal layer formed between the first nano electrode and the second nano electrode, liquid crystal molecules forming the liquid crystal layer are arrayed by an electric field formed of voltages applied to the first and second nano electrodes, to thereby generate refractive power.例文帳に追加

第１ナノ電極部と、第１ナノ電極部と対向する第２ナノ電極部と、第１ナノ電極部と第２ナノ電極部との間に設けられた液晶層と、を備え、第１及び第２ナノ電極部に印加される電圧により形成された電場によって、液晶層をなす液晶分子が整列されて屈折力を形成する能動レンズ。 - 特許庁