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該当件数 : 7476



例文

The semiconductor device includes a semiconductor base 1, an insulating layer 2 for element isolation which is at least partially embedded in the semiconductor base 1, an active element formed in the semiconductor base 1 and including an impurity region, and a film 11 formed between the insulating layer 2 and semiconductor base 1, and having negative fixed charges.例文帳に追加

半導体基体1と、半導体基体1に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層2と、半導体基体1内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層2と半導体基体1との間に形成された、負の固定電荷を有する膜11とを含んで半導体装置を構成する。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部LVおよび高電位基準回路部HVを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、n型ガードリング42c等を形成すると共に、活性層2cの埋込絶縁膜2b側にn型ガードリング埋込層42c等と同じ導電型の深いn型拡散領域42b等を形成する。 - 特許庁

At a contact point P where the line-shaped pattern 121, the negative electrode collector layer 11 and the solid electrolyte layer 13 are brought into contact with one another, a gradient θ of a line-shaped pattern surface is made smaller than 90°, thereby configuring a battery of which the capacity with respect to the quantity of active materials to be used is great and charging/discharging characteristics are also improved.例文帳に追加

ライン状パターン121、負極集電体層11および固体電解質層13が互いに接する接触点Pにおいてライン状パターン表面の勾配θを90度より小さくすることで、活物質の使用量に対する容量が大きく、かつ充放電特性も良好な電池を構成することができる。 - 特許庁

The semiconductor light device is provided with a substrate having the surface of a first semiconductor having a first lattice constant, and a semiconductor laminated layer formed on the substrate and having an active layer comprising the first kind of quantum dot formed of a second semiconductor having a second lattice constant smaller than the first lattice constant.例文帳に追加

半導体光装置は、第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。 - 特許庁

例文

Not less than two layers of barrier film shown as AlXOY preventing an organic light emitting layer of an OLED from the intrusion of oxygen and water, and preventing an active layer of TFT from the intrusion of alkali metal or alkali earth metal or the like, are formed, further, a stress releasing film containing resin is formed between the two layers of barrier film.例文帳に追加

プラスチック基板上に、酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぎ、且つアルカリ金属およびアルカリ土類金属などの不純物がTFTの活性層に入り込むのを防ぐことの可能なAlN_XO_Yで示される層からなるバリア膜を2層以上設けて、さらに該2層のバリア膜の間に樹脂を含む応力緩和膜を設ける。 - 特許庁


例文

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面16から光を外部に出射するZnSe系発光素子であって、自己活性発光中心SAを含むn型ZnSe基板1と、n型ZnSe基板1の上に形成された活性層4と、出射面16と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するAl層9aとを備える。 - 特許庁

An organic thin-film transistor is provided which uses a polythienylquinoxaline derivative prepared by introducing a quinoxaline ring having a high electron affinity, namely, having an n-semiconductor properties and simultaneously exhibiting p- and n-electric properties into a polythiophene having a p-semiconductor properties and includes a substrate, a gate electrode, a gate insulation layer, an organic active layer, and a source/drain electrode.例文帳に追加

p型半導体特性を有するポリチオフェンに、電子親和力の大きい、すなわちn型半導体特性を持つキノキサリン環を導入したp型とn型の電気的特性を同時に示すポリチエニルキノキサリン誘導を使用し、且つ、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機活性層、及びソース/ドレイン電極を含んでなる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A positive sheet 13 constructed by forming a positive active material layer 18 on the surface of a positive current collector foil 17 has an area corresponding to the area formed by folding the negative sheet, the positive sheet being interposed in the folded negative sheet via a polymer electrolyte layer and one side end 13a of the positive sheet being connected to a positive terminal 19.例文帳に追加

正極集電体箔17の表面に正極活物質層18を形成して構成された正極シート13が負極シートの折畳み面積に相応した面積を有し、上記折畳まれる負極シートの間にポリマー電解質層12を介して挟持され、かつ一方の側縁13aに正極端子19が接続される。 - 特許庁

The alkaline storage battery has a nickel positive electrode 11 in which a positive electrode active material having a nickel hydroxide as a main component is filled in a porous sintered nickel layer substrate in which the porous sintered nickel layer is formed on a conductive core composed of a nickel plated steel plate, a negative electrode 12, a separator 13, and an alkaline electrolytic liquid housed in an outer package can 16.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池は、ニッケルめっき鋼板からなる導電性芯体に多孔性焼結ニッケル層が形成された多孔性焼結ニッケル基板に水酸化ニッケルを主体とする正極活物質が充填されたニッケル正極11と、負極12と、セパレータ13と、アルカリ電解液とが外装缶16内に収容されている。 - 特許庁

例文

A light-diffusing film has a transparent plastic film substrate and a light-diffusing layer comprising at least one kind of active energy ray-cured resin and a light-diffusing particle, wherein a contact angle with water on a surface, on the side opposite to the transparent plastic film substrate, of the light-diffusing layer is90°.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム基材と、少なくとも1種の活性エネルギー線硬化樹脂および光拡散性粒子を含有する光拡散層とを有する光学フィルムであって、前記透明プラスチックフィルム基材とは反対側の光拡散層の表面の水の接触角が90度以上であることを特徴とする光拡散性フィルム。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor light-emitting device which holds a light-emitting characteristic of light emitted from a light emitting edge surface according to light excited from an active layer, and where light returned from outside is reduced, in a semiconductor light-emitting device having a structure with a laminated semiconductor layer; and also to provide a simple method for manufacturing the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

積層半導体層による構造を有する半導体発光装置において、活性層からの発振光に対応した発光端面からの出射光の発光特性を維持し、なおかつ外部からの戻り光の低減が図られた半導体発光装置と、この半導体発光装置の簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.例文帳に追加

デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit is formed, an electrode 34 formed inside a through hole H4 formed from an active surface 10a to a rear surface 10b in the semiconductor substrate 10 via a first insulating layer 22, and a second insulating layer 26 formed on the rear surface 10b of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

集積回路が形成された半導体基板10と、この半導体基板10における能動面10aから裏面10bにかけて形成された貫通孔H4の内部に、第1の絶縁層22を介して形成された電極34と、半導体基板10の裏面10bに形成された第2の絶縁層26とを有する構成とした。 - 特許庁

The organic EL display device of active matrix type has a polarizing plate 119 arranged on a display face side with the opposite side of a substrate 101 as the display face and has a flattening layer for reducing an irregularity shape corresponding to a circuit pattern of a thin film transistor, has a pixel electrode 115 and an organic EL element installed on the flattening layer.例文帳に追加

基板101の反対側を表示面として、表示面側に偏光板119を配置するとともに、薄膜トランジスタの回路パターンに対応した凹凸形状を低減するための平坦化層を有し、平坦化層の表面に画素電極115及び有機EL素子を設けたアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置である。 - 特許庁

To provide a substantially non-photosensitive thermographic recording material including a photographically inactive surfactant as a substitution, which strengthens the bonding of a hydrophilic layer with a hydrophobic support, includes no photographically active impurities and, at the same time, is compatible with the exact image-like heating with a thermal head under the condition being introduced in the outermost layer.例文帳に追加

疎水性支持体への親水性層の接着を増強し、写真的に活性な不純物を有しておらず且つ最外層中に導入されるとサーマルヘッドを用いる画像通りの加熱と適合性である、代替としての写真的に不活性な界面活性剤を含有する、実質的に非−感光性のサーモグラフィー記録材料を提供する。 - 特許庁

A cured matter layer comprising a coating composition containing a polyfunctional compound having more than two active energy beam curable polymerizable functional groups and a polymer containing a methyl methacrylate polymerizing unit and not containing polysilazane and a cured matter layer comprising a coating composition containing polysilazane are formed on the surface of a synthetic resin base material in this order.例文帳に追加

合成樹脂基材の表面に、基材側から、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を2個以上有する多官能性化合物とメタクリル酸メチルの重合単位を含む重合体とを含み、ポリシラザンを含まない被覆組成物からなる硬化物層と、ポリシラザンを含む被覆組成物からなる硬化物層をこの順に形成する。 - 特許庁

The polarizing plate is manufactured by forming a coating film layer comprising the adhesive composition on the laminating surface of at least one of the polarizing film and the protective film; laminating the polarizing film to the protective film via the coating film layer of the adhesive composition; and curing the adhesive composition (for example, curing the adhesive composition by irradiating the adhesive composition with active energy rays).例文帳に追加

偏光フィルム及び保護フィルムの少なくとも一方の貼合面に、上記の接着剤組成物からなる塗布層を形成し、その接着剤組成物塗布層を介して偏光フィルムと保護フィルムとを貼り合わせ、次いで接着剤組成物を硬化(例えば活性エネルギー線の照射により硬化)させることで、偏光板が製造される。 - 特許庁

The apparatus and method of forming the relief image controlled in the shoulder angle by dividing a photosensitive resin layer 200 applied at a specified thickness onto a base 100 to a two-dimensional matrix and irradiating the layer with the active rays 500 controlled in the incident angle from a digital exposure device 20 by each of the blocks constituting the two-dimensional matrix are provided.例文帳に追加

支持体100上に一定厚みに塗布された感光性樹脂層200を2次元マトリックスに分割し、該2次元マトリックスを構成するブロック毎にディジタル露光ディバイス20から入射角度が制御された活性光線500を照射して、ショルダー角度が制御されたレリーフ画像を形成させる装置と方法を提供する。 - 特許庁

In the diffraction grating layer 30, a diffraction grating formation region 31, in which an uneven diffraction grating 33 is formed, and a diffraction grating non-formation region 32, in which the diffraction grating 33 is not formed, are formed by turns periodically in a range affected by an evanescent field of the stimulated emission light, which is subjected to wave guide in the active layer 40.例文帳に追加

そして、回折格子層30において、活性層40を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子33が形成された回折格子形成領域31と、前記回折格子33が形成されていない回折格子非形成領域32とが、交互に周期的に形成されている。 - 特許庁

Particles constituting the electrode material powder are complex particles 2 consisting of ceramic particles 10 substantially constituted of a ceramic material to function as an electrode active material of the secondary battery, and a carbon layer 20 which is a layer formed on a surface of the ceramic particles 10, and in which a granular graphite part 24 is scattered in an amorphous part 22 of amorphous carbon property.例文帳に追加

該電極材料粉末を構成する粒子は、二次電池の電極活物質として機能するセラミック材料から実質的に構成されるセラミック粒子10と、セラミック粒子10の表面に形成された層であってアモルファスカーボン質のアモルファス部22に粒状の黒鉛部24が点在したカーボン層20と、を備える複合粒子2である。 - 特許庁

Also, a region 17 where a contact resistance with the p-type layer 13 is higher than that in the other region of the transparent electrode 14 is formed in the region positioned right below the p pad electrode 15 of the transparent electrode 14 by the thermal treatment, and since the area 12a positioned below the region 17 of an active layer 12 does not emit light, light emitting efficiency is improved.例文帳に追加

また、熱処理により透明電極14のpパッド電極15直下に位置する領域に、他の透明電極14の領域よりもp型層13とのコンタクト抵抗が高い領域17が形成され、活性層12の領域17下方に位置する領域12aが発光しないため、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has such a structure as a pair of positive and negative polarizable electrodes 1 principally comprising active carbon and sandwiching a separator are laid in layer (or wound) while being carried by aluminum current collecting electrodes 2 on the outside, and contained in a metal case while being impregnated with an electrolyte employing propylene carbonate as a solvent.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、活性炭を主成分とした正負一対の分極性電極1を、それらの間にセパレータを挟むと共に、外側を夫々アルミ集電極2により担持させた状態で、積層(もしくは巻回)し、プロピレンカーボネートを溶媒とした電解液を含浸させた状態で、金属等のケースに収納した構造とされている。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

VCSELは、基板上に、n型の下部DBR106、活性領域、p型の上部DBR110を含み、下部DBR106内にn型のAlAsからなる第1の選択酸化層106Aが形成され、上部DBR110内にp型のAlAsからなる第2の選択酸化層110Aが形成されている。 - 特許庁

The module with a built-in connector accommodates an electric insulating layer (101) provided with a wiring pattern (104) and at least an electronic component (103) selected from one or more active components and passive components in the electric insulating layer (101), and is electrically connected to the wiring pattern (104) and accommodates one or more of connectors (102) for connecting to an external electrode electrically.例文帳に追加

配線パターン(104)が設けられた電気絶縁層(101)と、1つ以上の能動部品及び受動部品から選ばれる少なくとも一つの電子部品(103)を電気絶縁層(101)に内蔵しているコネクタ内蔵モジュールであって、配線パターン(104)と電気接続し、かつ外部の電極に電気接続するための1つ以上のコネクタ(102)を内蔵している。 - 特許庁

There is provided an edge emitting semiconductor laser chip, including a support substrate (1) and an intermediate layer (2), wherein the intermediate layer (2) intermediates an adhesion between the support substrate (1) and an element structure (50) of the edge-emitting semiconductor laser chip, and at that time, the element structure (50) has an active region (5) provided for beam formation.例文帳に追加

端面発光型半導体レーザチップであって、支持基板(1)と、中間層(2)とを有し、前記中間層(2)は、支持基板(1)と端面発光型半導体レーザチップの素子構造(50)との間の付着を媒介し、その際、該素子構造(50)は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域(5)を有する、端面発光型半導体レーザチップ。 - 特許庁

The battery includes a sheet-like electrode, including a mixture layer, containing an active material on a sheet-like current collector as at least one of a positive electrode and a negative electrode, in which a recessed part exists on the surface of the sheet-like current collector, and the density of the mixture layer located on the recessed part is larger than that in a part other than on the recessed part.例文帳に追加

正極と負極の少なくとも一方に、活物質を含む合剤層をシート状集電体上に保持したシート状電極を備えた電池において、前記シート状集電体の表面に凹部が存在し、前記凹部の上部に位置する合剤層の密度が、前記凹部の上部以外の合剤層の密度よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an active energy-ray-curing composition in which a curing contraction ratio at polymerization is low and by which a curing material layer excellent in a low water-absorbing property and transparency may be formed and to provide a high-density optical disk having the curing material layer made to cure the composition and corresponding to a short wavelength of about 400 nm with no warp and no turning yellow.例文帳に追加

重合時の硬化収縮率が低く、低吸水性及び透明性に優れた硬化物層を形成しうる活性エネルギー線硬化性組成物、および該組成物を硬化せしめた硬化物層を有し、反りや、黄変がなく、波長400nm程度の短波長レーザーに対応する高密度光ディスクを目的とする。 - 特許庁

The composite sheet comprises an epidermal layer comprising a styrene resin including a graft rubber component, a styrene-conjugated diene block copolymer of 3-20 mass% having a conjugated diene content of 5-40 mass%, and a surface active agent of 0.4-4 mass% which is laminated on at least one surface of a substrate layer which consists primarily of a styrene resin including a graft rubber component.例文帳に追加

グラフトゴム分を含むスチレン系樹脂を主成分とする基材層の少なくとも片面に、グラフトゴム分を含むスチレン系樹脂、共役ジエン含有量が5〜40質量%のスチレン−共役ジエンブロック共重合体を3〜20質量%、及び界面活性剤を0.4〜4質量%含有する表皮層を積層した複合シートである。 - 特許庁

The structure consisting of at least two layers characterized by the top layer of an epoxy resin (A) with a Shore D hardness of at least 50 and the bottom layer obtained from a moisture-curable composition containing a polyisocyanate compound (B) and a compound which is dissociated with moisture to generate active hydrogen, e.g. a compound (C) with oxazolidine groups on its terminals is provided.例文帳に追加

上層がショアーD硬度50以上のエポキシ系樹脂(A)であり、また下層がポリイソシアネート化合物(B)及び湿気で解離して活性水素を発生する化合物、例えば末端にオキサゾリジン基を有する化合物(C)を含有する湿気硬化性組成物から得られるものであることを特徴とする少なくとも二層からなる構造体。 - 特許庁

The method for forming a titanium oxide film, in which the titanium oxide (TiO_2) film is formed on a solid material, comprises the steps of forming a layer of a solution containing an active titanium oxide with a catalytic function on the solid material; and converting the solution layer to a solid film adhering to the solid material at a lower temperature than about 250°C.例文帳に追加

固体材料に酸化チタン(TiO_2)膜を形成する方法であって、触媒機能を有する活性な酸化チタンを含む溶液の層を、固体材料に対して形成する工程と、およそ250℃より低い温度で、溶液の層を、固体材料に密着する固体の膜とする工程とを備えてなることを特徴とする酸化チタン膜形成方法。 - 特許庁

The production of the structural body with the hollow-containing layer is characterized in that, after irradiating active energy rays onto a whole coated face containing the solvent in the state of phase separation, formed by applying the coating agent for forming the layer at least onto a substrate, the dispersed solvent alone is selectively volatilized to form the hollows.例文帳に追加

また、本発明の空洞含有層を有する構造体の製造方法は、空洞含有層形成用コーティング剤を、少なくとも基材上に塗布し、溶剤を相分離させた状態で、全面に活性エネルギー線を照射した後、分散している溶剤のみを揮発させることにより、空洞を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

Hydrogen storage alloy powder containing a rare earth element, nickel and cobalt as constituent elements, having a mean particle size of 20 to 35 μm and a mass saturation magnetization of 1 to 5 emu/g, and formed with a continuous surface layer on the surface, the surface layer having no cavity and containing Ni and Co having magnetic properties is used as an active material of a hydrogen storage alloy electrode.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の活物質として、構成元素として希土類元素、ニッケルおよびコバルトを含有し、平均粒径が20〜35μmであり、質量飽和磁化が1〜5emu/gであって、表面に磁性を有するNiとCoを含み、空洞のない連続した表面層を備える水素吸蔵合金粉末を適用する。 - 特許庁

To easily and inexpensively provide an SOI wafer whose electric reliability is high in a device manufacturing process by making excellent electric characteristics without generating a fine pit by carrying out fluorinated acid cleaning or the like even when an extremely thin silicon active layer is formed, or maintaining high insulating performance even when an extremely thin inter-layer insulating film is formed.例文帳に追加

極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いSOIウェーハを簡単かつ安価で提供する。 - 特許庁

The additional pn junction at the peripheral part of the light emission area is removed by making high the resistance of the whole semiconductor layer from an element surface to an active layer at the peripheral part of the light emission area and a current spread right below a contact electrode is minimized to actualize the low capacity and high-speed operation of the element.例文帳に追加

本発明は発光領域周辺部において、素子表面から活性層にいたるまでのすべての半導体層を高抵抗化することにより、周辺部での付加的なpn接合を取り除くとともに、コンタクト電極直下での電流広がりを最小限にすることにより、素子の低容量化・高速動作が可能となる。 - 特許庁

A two-dimensional image detector is constituted into a structure, where the detector is provided with at least an active matrix substrate 1 having a plurality of pixel electrodes 10, etc., and a photoconductive layer 2 laminated on the electrodes 10, etc., and the layer 2 is transferred on the substrate 1, after being formed into a prescribed film thickness on a transfer substrate.例文帳に追加

二次元画像検出器は、複数の画素電極10…を有するアクティブマトリクス基板1と、上記画素電極10…に積層された光導電層2とを少なくとも備えており、上記光導電層2が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板1上に転写されることにより構成されている。 - 特許庁

The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating.例文帳に追加

量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるTMモード利得がTEモード利得よりも大きい量子ドット24と、量子ドット24に連なるように形成され、量子ドット24と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層21とを有する活性層6と、回折格子とを備えるものとする。 - 特許庁

The TFT serving as a switching element for applying voltage to the pixel part is formed as a circuit pattern functioning as a channel by holding a source electrode 7 on an a-Si layer 10 which is a semiconductor active layer, by a drain wiring leader 8b and drain auxiliary wiring 8c and applying voltage usually from the drain wiring leader 8b.例文帳に追加

画素部に電圧を印加するためのスイッチング素子であるTFTにおいて、半導体活性層であるa−Si層10上に、ソース電極7をドレイン配線引出し線8bとドレイン補助配線8cで挟み、通常はドレイン配線引出し線8bから電圧を印加することでチャネルとして機能させる回路パターンとした。 - 特許庁

An electric double layer capacitor comprises a pair of polarizable electrodes that are laminated on a positive pole case 2 or a negative pole cap 3 also acting like a collector via a conductive adhesive layer 20, and include at least active carbon powder; a separator interposed between the pair of polarizable electrodes; and the electrolytic solution impregnated in the pair of polarizable electrodes and the separator.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、導電性接着層20を介して集電体を兼ねる正極ケース2又は負極キャップ3上に積層される、少なくとも活性炭粉末を含む一対の分極性電極と、一対の分極性電極の間に介在するセパレータと、一対の分極性電極及びセパレータに含浸される電解液とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element excellent in translucency as a positive electrode, capable of improving the take-out efficiency of light discharged out of an active layer and further capable of reducing an operating voltage by securing a low resistance as the positive electrode by improving the ohmic property of a p-type contact layer and the positive electrode.例文帳に追加

正電極として透光性が良好で、活性層から放出された光の取り出し効率を改善することができ、さらに、p型コンタクト層と正電極とのオーミック性を向上させ、正電極として低抵抗を確保することにより、動作電圧を低減させることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display which comprises an active matrix substrate having signal lines, an interlayer insulation film which covers a switching device and pixel electrodes, a opposing substrate and a liquid crystal layer between the substrates, the interlayer insulation film is formed by transferring a photosensitive thermosetting resin layer of a negative photosensitive thermosetting transfer material having a photosensitive thermosetting layer using laminating method.例文帳に追加

信号線とスイッチング装置を覆う層間絶縁膜と画素電極を有するアクティブマトリクス基板と対向基板と該両基板に介在する液晶層とを備えるハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜が感光性熱硬化性樹脂層を有するネガ型感光性熱硬化型転写材料の該感光性熱硬化性樹脂層をラミネート法により転写して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate wherein an active layer having a photodetecting portion is formed on its surface, an adhesive layer so provided on the surface of the semiconductor substrate as to surround the photodetecting portion, a light transmitting protective member arranged at predetermined intervals on the photodetecting portion of the semiconductor substrate and bonded across the adhesive layer, and a plurality of external connection terminals arranged on the backside of the semiconductor substrate with the predetermined array.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、表面に受光部を有する活性層が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に、受光部を囲むように設けられた接着層と、半導体基板の受光部上に所定の間隙をおいて配置され接着層を介して接着された光透過性保護部材と、半導体基板の裏面に所定の配列で配置された複数の外部接続端子とを備えている。 - 特許庁

The separator electrode integral power storage member contains at least a porous electrode layer comprising a heat melting extrusion film-like porous body of thermoplastic resin and inorganic powder, which is a multi-layer structure in the cross section direction containing the thermoplastic resin and the inorganic powder containing a powder electrode active material, and the porous separator layer comprising the thermoplastic resin or the thermoplastic resin and the inorganic powder.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と無機粉体よりなる熱溶融押出しフィルム状多孔体からなり、該フィルム状多孔体は断面方向に多層構造体をなし、該多層構造体は熱可塑性樹脂と粉体状電極活物質を含む無機粉体よりなる多孔質の電極層と、熱可塑性樹脂または熱可塑性樹脂と無機粉体よりなる多孔質のセパレータ層を少なくとも含むことを特徴とするセパレータ電極一体型蓄電部材。 - 特許庁

A display device includes the insulating substrate 1 having a plurality of pixels formed, pixel electrodes 2 and active elements 3 constituting the pixels, the counter substrate 5 disposed opposite the insulating substrate 1, a coloring material layer 6 formed on the surface of the counter substrate 5 opposed to the insulating substrate 1, and a black matrix 8 formed of a resin material between the coloring material layer 6 and an adjacent coloring material layer.例文帳に追加

複数の画素が形成された絶縁性基板1と、該画素を構成する画素電極2及び能動素子3と、前記絶縁性基板1と対向して配置される対向基板5と、前記対向基板5において前記絶縁性基板1と対向する面に形成される色材層6と、前記色材層6と隣接する色材層間において、樹脂材料によって形成されたブラックマトリックス8とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In manufacturing an electromagnetic wave shielding adhesive film, related to a plastic film with a conductive metal where a conductive metal layer is laminated on a transparent base material through an adhesive layer which is solidified when irradiated with an active energy ray, an etching resist pattern is formed by screen printing or offset printing, and the conductive metal layer is etched to form a geometric graphic of a conductive metal.例文帳に追加

透明基材上に活性エネルギー線を照射することにより硬化する接着剤層を介して導電性金属層が積層されてなる導電性金属付きプラスチックフィルムにおいて、スクリーン印刷法又はオフセット印刷法により作製したエッチングレジストパターンを形成し、導電性金属層をエッチングすることにより導電性金属からなる幾何学図形を形成することを特徴とする電磁波シールド性接着フィルムの製造法。 - 特許庁

The manufacturing method of the transparent conductive laminated film structured with a hard coating layer composed of a mixture containing a bridge body of more than one polymerizing unsaturated double-bond-containing compounds on a transparent base board and a transparent conductive layer having fine particles consisting of more than one metals includes a process of coating the transparent conductive layer and a process of radiating active energy beam afterwards.例文帳に追加

透明基材上に1種以上の重合性不飽和二重結合含有化合物の架橋体を含有する組成物からなるハードコート層と、1種以上の金属からなる微粒子を有する透明導電層を含む構成の透明導電性積層フィルムの製造方法において、該透明導電層を塗設する工程、及び、この後に活性エネルギー線を照射する工程を含むことを特徴とする透明導電性積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

This cathode-ray tube protecting laminated polyester film consists of at least three layers containing a pigment in the inside layer, and a coating deposited on the film has a light transmissivity in the range of 25-80% for a light of 550 nm, covered by a hard layer consisting of laminated polyester film for protecting cathode-ray tube, and a hardening layer originating from active energy ray hardening resin.例文帳に追加

染料または顔料を内層に含有する、少なくとも3層以上からなる積層ポリエステルフィルムであって、当該フィルムの製造工程内で設けられた塗布層を有し、550nmの光線透過率が25〜80%の範囲にあることを特徴とするブラウン管保護用積層ポリエステルフィルム、および当該フィルムの塗布層上に、活性エネルギー線硬化樹脂由来の硬化層を設けてなることを特徴とするブラウン管保護用積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

In the silver halide photographic sensitive material having at least one photosensitive silver halide emulsion layer and at least one hydrophilic colloidal layer on a support, at least one hydrophilic colloidal layer comprises a polymeric latex containing a specified repeating unit derived from an ethylenically unsaturated monomer having an active methylene group and at least one betaine type amphoteric surfactant, and the silver halide emulsion of the photosensitive silver halide emulsion layer has been spectrally sensitized at ≥750 nm.例文帳に追加

支持体上に少なくとも1層の感光性ハロゲン化銀乳剤層及び少なくとも1層の親水性コロイド層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該親水性コロイド層の少なくとも1層に活性メチレン基を有するエチレン性不飽和モノマーより誘導される特定の繰返し単位を含むポリマーラテックスを含有し、親水性コロイド層に少なくとも1種のベタイン型両性界面活性剤を含有し、更に該感光性ハロゲン化銀乳剤層のハロゲン化銀乳剤が750nm以上に分光増感されていることを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

A lightly doped impurity layer is grown epitaxially on the footprint of a contact hole in order to decrease an aspect ratio, to improve coverage of a titanium nitride film on the sidewall of a contact hole, and to prevent ingress of metal from the sidewall of a contact hole to a heavily doped active region.例文帳に追加

コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、InAsP活性層3の、レーザ共振器方向に平行で基板1の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ25nmの三角であり、その頂点はn型InP基板1側に突き出ている。 - 特許庁

例文

In the case where a mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or more than 14 nm, when excitation light of excitation intensity exceeding a certain threshold value is radiated, the active layer generates P light emission by a collision between excitons confined in the ZnO quantum dots.例文帳に追加

熱処理されたZnO量子ドットの平均粒径が14nm以上の場合は、活性層は、或る閾値を超える励起強度の励起光を照射すると、ZnO量子ドット内に閉じ込められた励起子同士の衝突によりP発光が生じる。 - 特許庁




  
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