「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

This organic light-emitting element has a pair of resonator structures and an organic active layer, sandwiched between the pair of resonator structures and composed of an organic material, capable of surficially emitting the light by injecting the electric current via at least a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の共振器構造体と、前記一対の共振器構造体の間に挟持され、少なくとも一対の電極を介する電流注入によって面発光し得る有機材料からなる有機活性層とを有することを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁

The anamorphic prism 7, with the horizontal width of the active layer expanded through the refraction of a light beam by a first and a second prism 72, 74, corrects a beam shape in a manner that the first and the second light intensity distribution nearly coincide.例文帳に追加

アナモフィックプリズム７は、光ビームが第１、第２のプリズム７２、７４で屈折されることで活性層の水平方向における幅が拡大され、これにより第１の光強度分布と第２の光強度分布とがほぼ一致するようなビーム形状の補正を行なう。 - 特許庁

To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating SiO2 film 105 and a base SiO2 103 on both sides of a poly-Si film 104 which serves as an active layer are selectively and anisotropically etched until a light shielding WSi2 film 102 is exposed, by which a contact opening 106 is formed.例文帳に追加

活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light-emitting device that can improve light extraction efficiency, can remove damage in an active layer generated when forming a chip separation groove, and does not make complex a manufacturing process and does not extend time.例文帳に追加

光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A source 42SA and a gate 44A of an active layer 42 covered with a gate insulating film 13 are connected to a first power supply line 101 on one P-channel type thin film transistor TRA, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45A.例文帳に追加

一方のＰチャネル型薄膜トランジスタＴＲＡでは、ゲート絶縁膜１３に覆われた能動層４２のソース４２ＳＡとゲート４４Ａが第１の電源線１０１に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ａの一方の端に接続されている。 - 特許庁

To obtain a one-pack type active energy ray-curable resin composition which forms a protective layer having excellent abrasion resistance and chemical resistance, causing no cracks on the curved surface of a molding in transfer and has excellent storage stability.例文帳に追加

耐摩耗性および耐薬品性に優れ、かつ転写時に成型品曲面部においてクラックを生じない保護層を成形品の上に形成することが可能で、貯蔵安定性に優れた１液型の活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

An Au film 12, a Ti film 18 as a crushing film and an Au thin film 19 as an oxidation prevention film are formed at an active layer 11a side of a semiconductor laser bar 11, and an In film 14 and an Au thin film 20 as the oxidation prevention film are formed at a heatsink 13 side.例文帳に追加

半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側にＡｕ膜１２、破砕膜としてのＴｉ膜１８、酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９を形成し、ヒートシンク１３側にＩｎ膜１４および酸化防止膜としてのＡｕ薄膜２０を形成する。 - 特許庁

The light source unit is provided with a semiconductor laser light source 300 consisted of a light emitting section (active layer region) 301, a phase variable section (phase adjusting region) 302 and a wavelength variable section (DBR region) 303 and a waveguide-type QPM-SHG device 304.例文帳に追加

発光部（活性層領域）３０１と位相可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源装置である。 - 特許庁

To provide a positive electrode for a lithium secondary cell that attains high energy density, by enabling usage of a conductive material of aluminum, etc., which is several times lighter than copper as the collector which sustains a positive electrode material layer containing an organic sulfide com pound as an active material.例文帳に追加

有機スルフィド化合物を活物質として含む正極材料層を担持する集電体として銅よりも数倍軽いアルミニウム等の導電性材料の使用を可能にすることにより、高エネルギー密度を達成したリチウム二次電池用正極を提供する。 - 特許庁

The active layer is sandwiched between the n- and p-type nitride semiconductor layers.例文帳に追加

前記ＩＩＩ 族窒化物基板上に形成される前記窒化物半導体層は、少なくとも活性層、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層を有し、前記活性層は、前記ｎ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層で挟まれるように積層されている。 - 特許庁

To provide a transistor whose manufacturing process is simplified and reduced in cost but which is provided with excellent ON/OFF characteristics, mobility and conductivity under a low-off current low in interface ranking, by employing the same material for the formation of a semiconductor active layer and a gate insulating film.例文帳に追加

半導体活性層およびゲート絶縁膜の形成に用いる材料を同一にすることにより、製造プロセスを簡略化し低コスト化した、界面順位の低い低オフ電流で、良好なオン／オフ特性、移動度、導電率を持つトランジスタを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor optical element has an active layer composed of the mixed crystal of four or more elements of a group II-VI chemical compound of group II elements mainly containing Zn and group VI elements containing at least O and containing two or more of S, Se and Te.例文帳に追加

Ｚｎを主体とするＩＩ族元素と、少なくともＯを含みかつＳ，Ｓｅ及びＴｅのうちの２種以上を含むＶＩ族元素とのＩＩ−ＶＩ族化合物の４元以上の混晶からなる活性層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device capable of improving reliability by reducing the calorific value of the device, and improving the light extraction efficiency by preventing part of light emitted from an active layer from being absorbed by an n-type electrode to become extinct.例文帳に追加

素子の発熱量を減少させて信頼性を向上させ、かつ、活性層から発光する光の一部がｎ型電極に吸収され消滅するのを防止して光抽出効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

At the intersections of the scanning lines 2 and signal lines 3, a thin film transistor which has at least a gate electrode, a source S, and a drain D and also has a semiconductor thin film 4 as active layer and a pixel electrode 10 which is electrically connected to the drain D are formed.例文帳に追加

各走査線２と各信号線３の交差部には、少なくともゲート電極とソースＳ及びドレインＤを具備し半導体薄膜４を活性層とする薄膜トランジスタと、ドレインＤと電気的に接続した画素電極１０とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

Hereupon, even when heating the intermediate film, hydrogen atoms are so fed sufficiently from the interlayer dielectric 25 formed by using the hydrogenized silicon nitride film to the defective levels present between an active layer 12 and the gate dielectric 21, as to be able to flatten the thin-film transistor without deteriorating its characteristics.例文帳に追加

中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。 - 特許庁

To provide a light-emitting device, designed to form multi-layers containing at least one active layer on the front side of a substrate composed of a semiconductor material, thereafter, at least partially remove the substrate thus formed, and then join the multi-layers to a hetero-substrate.例文帳に追加

少なくとも１つの活性層を含んでいる多重層を半導体材料から成る基板の表側上に形成した後、この基板を少なくとも部分的に除去し、その後多重層をヘテロ基板と接合するようにした光放射デバイスを提供する。 - 特許庁

The solid electrolyte battery has a laminated body wherein a positive electrode side collector film 30, a positive electrode active material film 40, a solid electrolyte film 50, a negative electrode potential forming layer 64 and a negative electrode side collector film 70, are laminated on a substrate 10 in this order.例文帳に追加

この固体電解電池は、基板１０上に、正極側集電体膜３０と、正極活物質膜４０と、固体電解質膜５０と、負極電位形成層６４と、負極側集電体膜７０とがこの順で積層された積層体を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated structure allowing high-throughput manufacturing of a laminated structure having a fine conductive layer, even in the case of using an ink jet method, as well as to provide a laminated structure, a multilayer wiring board, an active matrix substrate, and an image display device.例文帳に追加

インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable resin composition for coating, wherein hardness is obtained even when applied to a film substrate or the like, and there is low contraction and little warpage (curl) of the film during curing; and to provide a film substrate having a cured layer in which the composition is cured.例文帳に追加

フィルム基材等へ塗工した際にも硬度が得られ、且つ、硬化の際も低収縮でフィルムの反り（カール）が少ないコーティング用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び該組成物を硬化させた硬化層を有するフィルム基材に関するを提供する。 - 特許庁

This process includes: exposing a first layer 106 to an active radiation through a patterned photomask to develop it and forming a first resist pattern 106' (Fig. 1B), heat-treating the formed resist pattern (Fig. 1C), and treating the surface of the first resist pattern with a substance effective for alkalization (Fig. 1D).例文帳に追加

第１の層１０６を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光・現像して第１のレジストパターン１０６’を形成した（図１Ｂ）後、熱処理し（図１Ｃ）、第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理する（図１Ｄ）。 - 特許庁

The light source unit is provided with the semiconductor laser light source 300 which is composed of a light emitting part (active layer region) 301, a phase variable part (phase adjusting region) 302 and a wavelength variable part (DBR region) 303 and a QPM-SHG device 304 of wave guide type.例文帳に追加

発光部（活性層領域）３０１と位相可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源装置である。 - 特許庁

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities.例文帳に追加

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is improved in TFT characteristics and having uniform characteristics by making the interface between an active layer proper, especially a region constituting a channel forming region, and a gate insulating film, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an active carbon electrode that is used for a capacitor and can improve energy density by expanding a range of operation potential, and to provide its manufacturing method as well as an electric double-layer capacitor and a hybrid capacitor using the same.例文帳に追加

キャパシタに用いられる活性炭電極であって、作動電位の範囲を大きくすることにより、エネルギー密度を向上させることができる活性炭電極及びその製造方法並びにそれを用いた電気二重層キャパシタ及びハイブリッドキャパシタを得る。 - 特許庁

The positive electrode active material for lithium secondary battery is structured so that a surface layer containing besides Li, one or more elements selected from among a group at least including Mo and W is provided on the surface of a powder of lithium composite oxide, capable of occluding and emitting Li ions.例文帳に追加

Ｌｉイオンの吸蔵および放出が可能なリチウム複合酸化物粉末の表面に、少なくともＭｏ、Ｗからなる群から選ばれる１種以上の元素とＬｉとを含む表面層を有することを特徴としたリチウム二次電池用正極活物質。 - 特許庁

In this method, the active element 8 or the support 2 contains a polycrystalline material at least in a part being bonded on the surface thereof, and a layer of the amorphous material 6 is formed on the surface containing the polycrystalline material prior to the bonding.例文帳に追加

この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The element M is preferred to be distributed more uniformly than the halogen element X, and at least a part of the halogen element X is preferred to exist in the form of halide of an element M' different from the element M in the coated layer of the cathode active material.例文帳に追加

元素Ｍは、ハロゲン元素Ｘに比してより均一に分布することが好ましく、ハロゲン元素Ｘの少なくとも一部は、正極活物質の被覆層において、元素Ｍとは異なる元素Ｍ’のハロゲン化物の形態で存在することが好ましい。 - 特許庁

Additionally, the active layer 502 has a diffraction grating 510 that includes a gain medium having the gain in the core of the waveguide, and has a first gain where at least one of the thickness and width of the medium for composing the core of the waveguide or cladding changes periodically.例文帳に追加

また、活性層５０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子５１０を備えている。 - 特許庁

Since the radius of an sodium ion is larger than that of a lithium ion, the sodium ions hardly diffuse into the negative electrode active material layer, whereby the thickness of a polycrystalline germanium thin film is set not larger than 8 μm, or the diameter of each particle of the germanium powder is set not larger than 16 μm.例文帳に追加

ナトリウムイオンの半径はリチウムイオンの半径よりも大きいので、ナトリウムイオンが負極活物質層内部に拡散しにくいことから、多結晶ゲルマニウム薄膜の厚さを８μｍ以下とし、または、一つのゲルマニウム粉体の粒径を１６μｍ以下とする。 - 特許庁

The binder 10a is irradiated with active energy rays through the second releasing film 35 and, thereby, is cured, the lens shape of the transfer surface is transferred to the surface of a light diffusion layer 16 and, thereby, a diffusion lens part 19 on which cylindrical lenses 19a are arranged in parallel is formed.例文帳に追加

第２離型フィルム３５を通してバインダ１０ａに活性エネルギー線を照射して硬化させ、転写面のレンズ形状を光拡散層１６の表面に転写してシリンドリカルレンズ１９ａを並列させた拡散レンズ部１９を形成する。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, expansion of the negative electrode active material layer 12B is suppressed, and even if a new surface is exposed by expansion, formation of coating is promoted by the fluoride, and formation of new coating deposited by degradation of the electrolytic solution can be suppressed.例文帳に追加

これにより負極活物質層１２Ｂの膨張が抑制されると共に、膨張により新たな面が露出しても、フッ化物により被膜の形成を促進し、電解液の分解などにより堆積される新たな被膜の形成を抑制することができる。 - 特許庁

This laser-diode pumped solid-state laser excites a solid-state laser crystal 13, which is doped with at least one of Er3+, Ho3+, Dy3+, Eu3+, Sm3+, Pm3+, and Nd3+, and Pr3+, by a laser diode 11 having an active layer formed of InGaN, InGaNAs, or GaNAs.例文帳に追加

Ｅｒ^3+、Ｈｏ^3+、Ｄｙ^3+、Ｅｕ^3+、Ｓｍ^3+、Ｐｍ^3+およびＮｄ^3+のうちの少なくとも１つとＰｒ^3+とが共ドープされた固体レーザー結晶13を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するレーザーダイオード11によって励起する。 - 特許庁

Light, emitted by injecting current to the active layer 43 by applying voltage between the first and second electrodes 471, 472, allows intensity distribution to be annular in the two-dimensional photonic crystal 45, since the first electrode 471 is annular.例文帳に追加

第１電極４７１と第２電極４７２との間に電圧を印加して活性層４３に電流を注入することにより発光した光は、第１電極４７１が環状であることにより、２次元フォトニック結晶４５内において強度分布が環状になる。 - 特許庁

To provide an active ray curable matte composition having a low viscosity of the matte compound, excellent in coatability, without surface roughness such as the surface obtained by using a matte agent such as silica, and capable of forming a matte layer excellent in smoothness.例文帳に追加

艶消し組成物の粘度が低く、塗工性に優れ、得られた艶消し層表面の外観に、シリカ等の艶消し剤を用いた表面のようなザラつきがない、平滑性に優れた艶消し層を形成可能な活性光線硬化性艶消し組成物を提供すること。 - 特許庁

In the active matrix type liquid crystal display panel formed by sticking a counter substrate 1 and an array substrate 2 to each other via the liquid crystal layer by using a sealing part 3, the electrostatic discharge damage countermeasure circuit 21 is disposed on the outer side of the sealing part 3, in particular in the inner part of a sealing part 22.例文帳に追加

対向基板１とアレイ基板２とを液晶層を介してシール部３により貼り合わせてなるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルにおいて、静電破壊対策回路２１をシール部３より外側、とくにシール部２２の内部に配置する。 - 特許庁

To provide an antistatic agent composition easily applicable to a base material and forming a coating layer excellent in antistaticity, adhesion to a plastic, transparency of the coating film, scratch resistance and moisture-proof durability upon irradiating it with active energy rays to effect curing.例文帳に追加

基材に容易に塗工でき、活性エネルギー線を照射し硬化することで、帯電防止性、プラスチックに対する密着性、塗膜の透明性、耐擦傷性、および耐湿耐久性に優れたコーティング層を形成する帯電防止コーティング剤組成物を提供する。 - 特許庁

An elevation part 27 contacts both side faces at both ends of a ridge part 25, and, in that part, the thickness from an active layer 22 to a surface in contact with both the side faces of the ridge part 25 is large on a resonator end face side, and small on a center side of the ridge part 25.例文帳に追加

高台部２７がリッジ部２５の両端部の両側面に接しており、その部分において、活性層２２からリッジ部２５の両側面に接する表面までの厚さが共振器端面側で厚く、リッジ部２５の中央側で薄くなっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a positive electrode active material for fabricating a battery in which separation of a positive electrode mixture layer and a current collector due to collector corrosion is suppressed and which has superior charge and discharge cycle characteristics, and to provide a non-aqueous electrolyte secondary battery using the same.例文帳に追加

集電体腐食による正極合剤層と集電体の剥離を抑制し、充放電サイクル特性に優れた電池を作製するための正極活物質の製造法ならびにこれを用いた非水電解質二次電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing an electrode 10 for a lithium secondary battery in which a hole 5 is formed on the surface of an active material layer 4, and to provide an electrode 10 for a lithium secondary battery in which the mechanical strength in the vicinity of the hole 5 is high and having high load characteristics.例文帳に追加

活物質層４の表面に穴部５が形成されたリチウム二次電池用電極１０を容易に製造することができる製造方法、並びに穴部近傍の機械的強度が高く、かつ負荷特性に優れたリチウム二次電池用電極１０を得る。 - 特許庁

In an wound up electrode body 20 wound up so that a negative electrode 22 is arranged outside a positive electrode 21, a conductor 27 is installed at a winding outside uncovered part 221B in a belt-like negative current collector 221 and a negative electrode active material layer 222.例文帳に追加

正極２１に対して負極２２が外側に位置するように巻回された巻回電極体２０において、帯状の負極集電体２２１における巻外側の非被覆部分２２１Ｂおよび負極活物質層２２２に導電体２７が設けられている。 - 特許庁

The optical element where the semiconductor optical amplifier (SOA) and an optical waveguide are integrated, wherein the optical waveguide includes the same active layer as in the SOA portion and guides optical wave by a ridge structure, thereby forming a ridge width or a ridge depth different from those of the SOA portion.例文帳に追加

半導体光増幅器（ＳＯＡ）と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記ＳＯＡ部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記ＳＯＡ部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 - 特許庁

The above purpose can be achieved by the active material for the battery, comprised of a material that can be electrochemically oxidized/ reduced and of a coating layer composed of a conductive agent or a mixture of the conductive agent with a conductive high-polymer dispersing agent, on the above material.例文帳に追加

電気化学的酸化／還元が可能な物質、および、前記物質上に形成されてなる、導電剤または導電剤と伝導性高分子分散剤との混合物からなるコーティング層、を含む電池用活物質によって、上記課題は解決される。 - 特許庁