「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of manufacturing the electrode of a battery for forming an electrode active material layer of a non-aqueous electrolyte lithium ion secondary battery by coating a band-shaped base material 1 with the electrode mix coating liquid 2 including an electrode mix by using the rotary screen 3, the viscosity of the electrode mix coating liquid 2 is controlled.例文帳に追加

ロータリースクリーン３を用いて電極合剤を含有した電極合剤塗液２を帯状基材１上に塗布して、非水電解質リチウムイオン二次電池の電極活物質層を形成する電池の電極製造方法であって、電極合剤塗液２の粘度を制御する。 - 特許庁

To provide an alkaline storage battery with a nickel electrode formed by depositing an active material layer containing nickel hydroxide as the main component on a porous sintered nickel plate, which can discharge electricity at high voltage with improved charge and discharge cycle characteristics and which can improve storage property at a high temperature and charging efficiency.例文帳に追加

多孔性ニッケル焼結基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填したアルカリ蓄電池用ニッケル極を用いたアルカリ蓄電池が高電圧で放電できるようにし、また高温での保存特性や充電効率を向上させると共に充放電サイクル特性を向上させる。 - 特許庁

There is provided an oxygen-consuming electrode including a support in the form of a sheet-like structure and a coating which includes a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material which can be at least partly removed by dissolution, decomposition, melting and/or vaporization.例文帳に追加

シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が溶解、分解、溶融および／または蒸発によって少なくとも部分的に除去できる材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁

The electrode for battery includes: a current collector of metal foil; a lead portion 5 of metal foil, extended from the current collector; and an active material-containing layer which is formed on both sides of the current collector and in a region 6 including a root portion X of the lead portion 5.例文帳に追加

金属箔製の集電体と、前記集電体から延出された金属箔製のリード部５と、前記集電体の両面と、前記リード部５の付け根部分Ｘを含む領域６とに形成された活物質含有層とを具備することを特徴とする電池用電極。 - 特許庁

The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator.例文帳に追加

半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。 - 特許庁

A low-concentration region 25 kept in contact with the active layer 22, an intermediate region 24, a drain region 23d, an intermediate region 24, and a low-concentration region 25 are arranged in the substrate 2 in this sequence in the direction of a line extending from the gate electrode 29 to the drain electrode 28.例文帳に追加

また、基板２内において、ゲート電極２９からドレイン電極２８に向かう方向に、活性層２２に接する低濃度領域２５と、中間領域２４と、ドレイン領域２３ｄと、中間領域２４と、低濃度領域２５とがこの順に配置されている。 - 特許庁

To provide a method for producing an active matrix substrate with a built-in high-performance driver, for which a single crystal silicon layer of a high electron/hole mobility is uniformly filmed at a comparatively low temperature, and an electro-optical device such as a thin film semiconductor device for display using this substrate.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン層を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical element which can reduce contact resistance between an optical waveguide unit and an electrode, and to prevent the medium rupture of the electrode simultaneously in a structure in which a mesa shape optical waveguide unit including an active layer is embedded with a high resistance portion, and to provide the semiconductor optical element.例文帳に追加

活性層を含むメサ状の光導波路部を高抵抗部で埋め込んだ構造において、光導波路部と電極とのコンタクト抵抗を低減し、且つ電極の段切れを防ぐことができる半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The graphite fluoride lithium battery 10 includes a positive electrode 11 containing a positive-electrode active material, a negative electrode 12 formed on a surface opposed to the positive electrode 11 and including a carbon layer 14, a separator 15 for isolating the positive electrode 11 and the negative electrode 12 from each other, and a nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

本発明のフッ化黒鉛リチウム電池１０は、正極活物質を含む正極１１と、正極１１と対向する面に形成されたカーボン層１４を含む負極１２と、正極１１および負極１２の間を隔離するセパレータ１５と、非水電解液と、を備える。 - 特許庁

The first and second main electrode regions 31a, 31b are formed as the additional active layer portions on first and second main electrode region forming proposed regions 27a, 27b exposed from the first and second openings by making use of a local loading effect in these openings.例文帳に追加

そして、これら開口部におけるローカルローディング効果を利用して、第１及び第２開口部から露出した第１及び第２主電極領域形成予定領域２７ａ及び２７ｂ上のみに、第１及び第２主電極領域３１ａ及び３１ｂを付加的活性層部分として形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a multi-layer coating film by virtue of an active energy ray curing capable of producing a coating film having a high quality of surface finish that can be performed highly efficiently within a short period of time and can minimize wasted paint, a paint to be used in the method, and a coated article.例文帳に追加

塗膜表面の外観品質が高く、塗装工程を短時間で作業効率良く行うことができ、しかも、塗料の無駄を生じない、活性エネルギー線硬化による複層塗膜形成方法とこれに用いうる塗料および塗装物品を提供する。 - 特許庁

In the process for forming the thin film transistor wherein a polycrystalline silicon thin film is used as an active layer on a glass substrate (11), at least a part or all of metal patterns (12) which exist at the peripheral part of the glass substrate and do not concern the formation of thin film transistors (13) are removed by photolithography.例文帳に追加

ガラス基板(11)上に多結晶シリコン薄膜を活性層に用いた薄膜トランジスタを形成する過程において、前記ガラス基板周辺部の薄膜トランジスタ(13)形成に関与しない金属パターン(12)の少なくとも一部または全部をフォトリソグラフィによって除去する。 - 特許庁

The photosensitive layer 3 provided on the printing plate material 5 has a binder 32 at least comprising a photocatalyst fine particle 31 and a water-glass and is constituted in such a way that the surface exhibits a hydrophilic nature by irradiating it with an active light with a higher energy than the band gap energy of the photocatalyst.例文帳に追加

印刷用版材５にそなえる感光層３を、光触媒微粒子３１と、水ガラスを少なくとも含むバインダ３２とを有し、光触媒のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーをもつ活性光が照射されると表面が親水性を示すように構成する。 - 特許庁

Therefore, a semiconductor light emitting device having higher light emitting efficiency can be obtained, because the spatial uniformity of the In composition ratio in the active layer 5 can be improved and light emitting re-coupling of carrier is generated in higher probability by setting the photoluminescence light emitting intensity ratio to 0.1 or lower.例文帳に追加

そのため、フォトルミネッセンス発光強度比を０．１以下とすることで、活性層５におけるＩｎ組成比の空間的均一性が向上し、高い確率でキャリアの発光再結合が生じるため、発光効率の高い半導体発光素子を得ることが可能となる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域，Ｓｉ活性層領域，ゲート電極，サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

The lithographic printing plate is characterized by containing a substance which generates an active species performing a bonding reaction with a substrate by light on the substrate and having a recording layer wherein hot-melt particles which are not capsule particles containing a substance which is liquid at room temperature in their cores are main ingredients.例文帳に追加

支持体上に、光により支持体と結合反応する活性種を発生する物質を含有し、かつ、コアに室温で液状の物質を含むカプセル状粒子でない熱溶融性粒子を主成分とする記録層を有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

Further, corresponding to a sub-digit line SDL, by disposing a latch circuit 92 for holding the active state of the common word line CWL, it is possible to transmit a row selection signal during data write through the common word line CWL, thereby reducing a metal wiring layer.例文帳に追加

さらに、サブディジット線ＳＤＬに対応して、杭打ちワード線ＣＷＬの活性状態を保持するラッチ回路９２を設けることによって、杭打ちワード線ＣＷＬを介してデータ書込時の行選択信号を伝送することができ、金属配線層を削減できる。 - 特許庁

The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.例文帳に追加

イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁

A concerning plastic film 4 with a conductive metal having an adhesive layer 1 which is hardened by irradiating active energy rays, a geographic figure 2 of the conductive metal formed by a micro lithography method is arranged to be part of the film, and its aperture ratio is arranged to be 50% or over.例文帳に追加

活性エネルギー線を照射することにより硬化する接着剤層１を有する導電性金属付きプラスチックフィルム４において、マイクロリソグラフ法で形成された導電性金属の幾何学図形２を有し、その開口率が５０％以上となるようにする。 - 特許庁

The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁

A pair of polymer films can be overlaid so that each solid polymer electrolyte material is brought into the status to be intervened and inserted in each active material electrode layer, and in addition many individual polymer batteries 2 are composed by conjugation after sealing and mounting of one electrode material another which are placed side by side.例文帳に追加

一対のポリマーフィルムは、各電極活物質層間に各固体ポリマー電解質材をそれぞれ介挿させた状態で重ね合わされるるとともに、隣り合う各電極材間を互いに封装して接合されることにより多数の個別ポリマー電池２を構成する。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

This method for producing the non-planar microelectronic component involves the stages of superposing a layer that contains an active flexible circuit above a cavity 36 shaped according to the desired profile of the component, the cavity being formed in a substrate; and causing slumping of the flexible circuit into the cavity 36 therefore causing the circuit to assume the shape of the cavity 36.例文帳に追加

コンポーネントの所望の輪郭に従って整形されたキャビティ３６の上に能動フレキシブル回路を含む層を重ね合わせ、前記キャビティ３６が基板内に形成される段階と、フレキシブル回路をキャビティ３６内に落とし込み、回路にキャビティ３６の形状をとらせる段階とを含む。 - 特許庁

In one embodiment, the strain-balancing layer is made of In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) of a quaternary alloy composition, whose lattice-constant is adjusted to apply opposite strains to adjacent layers within the active region.例文帳に追加

一実施形態において、歪平衡層は、四元合金組成であるＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）から構成され、その格子定数を調節することによって、相反する歪を活性領域における隣接している層に加える。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor or the like that: includes an active layer composed of a single-phase and semiconductor IGZO-based oxide material represented by composition formula In_2-xGa_xO_3(ZnO)_m, particularly a crystalline IGZO-based oxide material where m=1; and has excellent electric characteristics.例文帳に追加

組成式Ｉｎ_２−ｘＧａ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍの中でもｍ＝１の結晶質ＩＧＺＯ系酸化物材料において、単相で且つ半導体のＩＧＺＯ系酸化物材料からなる活性層を備え、良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor which has an active layer formed of an amorphous metal oxide semiconductor as a principal component, an improved TFT characteristic feature even if a TFT is applied with heat treatment at a relatively low temperature of 200°C or lower, a small shift in a threshold value for driving, and high reliability.例文帳に追加

アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層を有し、２００℃以下の比較的低温の熱処理でもＴＦＴ特性が効果的に向上し、駆動時の閾値シフトが小さく、信頼性の高い薄膜トランジスタを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

End parts in width directions of the collectors 2, 5 include first exposed parts 2a, 5a where the active material layers 3, 6 are not formed along a longitudinal direction, and the first exposed parts 2a, 5a are arranged so as to be protruded in opposite direction with each other from the porous insulating layer 7.例文帳に追加

集電体２、５の幅方向の端部は、長手方向に沿って活物質層３、６が形成されていない第１の露出部２ａ、５ａを有し、第１の露出部２ａ、５ａは、多孔質絶縁層７から互いに反対方向に突出するように配置されている。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable resin composition for coating, wherein hardness is obtained even when applied to a plastic substrate of a thin film such as a film substrate, and there is low contraction and little warpage (curl) of the film during curing; and to provide a film substrate having a cured layer in which the composition is cured.例文帳に追加

フィルム基材等の薄膜のプラスチック基材への塗工した際にも硬度が得られ、且つ、硬化の際も低収縮でフィルムの反り（カール）が少ないコーティング用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び該組成物を硬化させた硬化層を有するフィルム基材に関するを提供する。 - 特許庁

A semiconductor film containing a rare gas element with 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 formed by a plasma CVD method is formed and a part of the semiconductor film is removed to form an active layer, and accordingly, a top gate type thin-film transistor or a bottom gate type thin-film transistor is formed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

In the negative electrode plate, a negative electrode mixture layer W4 containing a carbon material in which an amorphous carbon material of a main material and a graphite material of a sub-material are mixed as a negative electrode active material capable of insertion and desorption of lithium ions is formed on both sides of a rolled copper foil W3.例文帳に追加

負極板では、リチウムイオンを挿入・脱離可能な負極活物質として主材料の非晶質炭素材および副材料の黒鉛材が混合された炭素材料を含む負極合剤層Ｗ４が圧延銅箔Ｗ３の両面に形成されている。 - 特許庁

The negative electrode includes: an negative electrode collector; an negative electrode active material layer formed at an negative electrode coating part of the negative electrode collector; a first negative electrode plain part located at the first side of the electrode group; and a second negative electrode plain part located at a second side of the electrode group opposed to the first side.例文帳に追加

負極は、負極集電体、負極集電体の負極コーティング部に形成される負極活物質層、電極群の第１側に位置する第１負極無地部、および第１側の反対である電極群の第２側に位置する第２負極無地部を含む。 - 特許庁

To develop a resin composition which is rapidly curable by irradiating the composition with an active energy such as ultraviolet rays, giving a cured product excellent in mechanical characteristics, having flexibility and low refractive index and excellent in transparency and applicable to a clad layer of an optical fiber for optical transmission.例文帳に追加

紫外線等の活性エネルギー線を照射して速やかに硬化することが可能であり、その硬化物は機械的な特性に優れ、かつ可とう性を有し、屈折率が低く、透明性に優れた、主として光伝送用光学ファイバーのクラッド層に適用可能である樹脂組成物を開発すること。 - 特許庁

When it is a condensing type solar cell using a condensing lens, etc., even if light and quantum dots are strongly bonded at a large Q value, sun light can be introduced into the active layer in such a way that is effective to quantum dots having an energy spread because of a size distribution.例文帳に追加

また、集光レンズ等を用いた集光するタイプの太陽電池の場合、大きなＱ値で光と量子ドットを強く結合させた状態でもサイズ分布によりエネルギー拡がりをもった量子ドットに有効に太陽光を活性層に導くことができることになる。 - 特許庁

The gate insulator has a first insulating film 6 that is formed on the active layer 3 and includes at least one compound selected from the group consisting of Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2, La_2O_3, and Y_2O_3, and a second insulating film 7 that is formed on the first insulating film 6 and is made of SiO_2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 - 特許庁

The carbon fiber composite material 1 is obtained by removing the surface layer of the surface of an active carbon fiber 2 having a large number of micropores 4 on which a catalyst 6 is finelly precipitated and growing carbon nanofibers 3 on the newly formed fine uneven surface 5.例文帳に追加

この発明の炭素繊維複合体１は、触媒６を微細析出させた多数のミクロポア４をもつ活性炭素繊維２の表面の表層を除去して、新たに形成した微小凹凸表面５に炭素ナノ繊維３を成長させてなることを特徴とする。 - 特許庁

To suppress bulging of a battery and increase in internal resistance of a battery during high temperature storage and obtain excellent charged storage characteristics in the nonaqueous electrolyte secondary battery using a lithium transition metal composite oxide mainly containing Ni as the transition metal and having layer structure as a positive active material.例文帳に追加

層状構造を有し、かつ遷移金属としてＮｉを主に含有するリチウム遷移金属複合酸化物を正極活物質として用いた非水電解質二次電池において、高温保存時の電池膨れ及び電池の内部抵抗増加を抑制し、優れた充電保存特性を得る。 - 特許庁

The electrodes 20 are connected to the conductive layer 12 and provided with an inner electrode 21 comprising at least one kind selected from W, WC and Mo and an outer electrode 22 comprising silver solder including active metal, which is disposed so as to cover the inner electrode 21.例文帳に追加

高温素子用端子電極２０は、導電層１２に接続されＷ，ＷＣおよびＭｏのうちの少なくとも１種を含む内側電極２１と、内側電極２１を覆うように設けられ活性金属を含む銀ろうよりなる外側電極２２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser device 11 comprises: a supporting substrate 17 that is composed of a hexagonal group-III nitride semiconductor and has a semipolar primary surface 17a; and a laser structure 13 that is provided on the semipolar primary surface 17a and includes an active layer 25 composed of a gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

半導体レーザ素子１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面１７ａを有する支持基板１７と、半極性主面１７ａ上に設けられた、窒化ガリウム系半導体からなる活性層２５を含むレーザ構造体１３とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a low driving voltage in which a mechanical stress incident to wire bonding can be prevented from having an adverse effect on the optical output characteristics of an active layer while avoiding troubles due to crosstalk.例文帳に追加

本発明は、ワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスによる活性層の光出力特性への悪影響を回避することができるとともに、クロストークによる問題を回避でき、かつ駆動電圧が低い半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of this lithium secondary battery electrode comprises a process of forming an oxidation film 11 by carrying out oxidation treatment on the surface of a current collector 10 made of copper and then a process of forming an active material layer 12 made of Si on the current collector 10 by using a sputter method.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、銅からなる集電体１０の表面を酸化処理することによって、酸化膜１１を形成する工程と、その後、スパッタ法を用いて、集電体１０上に、Ｓｉからなる活物質層１２を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a battery suitable for a lithium ion secondary battery in which the initial discharge capacity and charge/discharge cycle characteristics are improved by forming an active material layer in an amorphous state, and to provide a manufacturing device used for its manufacturing.例文帳に追加

活物質層を非晶質状態で形成することによって、初回放電容量及び充放電サイクル特性が改善された、リチウムイオン二次電池などに好適な電池用電極を製造する方法、及びその製造に用いられる製造装置を提供すること。 - 特許庁

The transistor is provided with a source electrode 708, a drain electrode 709, a gate electrode 712 and an active layer that includes an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 10^18/cm^3 and is characterized in that the gate electrode and the source and drain electrodes are self-aligned.例文帳に追加

ソース電極７０８、ドレイン電極７０９、ゲート電極７１２、及び電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極が自己整合していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer printed-circuit board remarkably reducing mandays by laminating a substrate layer by a collective lamination by the multilayer printed-circuit board with a built-in chip such as an active element and a passive element while electrically connecting a section between layers.例文帳に追加

能動素子および受動素子などのチップが内蔵される多層プリント回路基板で一括積層によって基板層を積層すると同時に、層間を電気的に接続させることにより、工数を画期的に減らすことが可能な多層プリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁