「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid crystal device where strong light is not made incident on an active layer of a pixel transistor even if adopting a system of reflecting light made incident from an element substrate side by a common electrode and emitting the light from an element substrate, and an electronic device provided with the liquid crystal device.例文帳に追加

素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable screen ink composition which forms a thermal transfer-printed recorded layer on an optical information storage medium substrate, has good transferability and does not cause sticking of the discs with each other, even when they are left stacked.例文帳に追加

本発明は、光情報記録媒体の基材上に熱転写印刷の被記録層を形成することのできるインキ組成物であって、転写性が良好で、重ねておいてもディスク同士の貼りつきが無い活性エネルギー線硬化型スクリーンインキ組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

A water film 5 is formed, when condensation occurs on the surface of the ceiling 1 and the wall material 2, by applying a painting film layer 4 composed of resin paint including silica particles and a surface active agent, to the surface where the ceiling 1 or the wall material 2 faces the inside of the bathroom.例文帳に追加

天井１または壁材２の浴室内に面する表面にシリカ粒子と界面活性剤とを含む樹脂塗料とからなる塗装膜層４を施すことにより、天井１や壁材２の表面が結露した場合に水の膜５を形成するように構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has such a structure that can enable the suppression of kink, reduction in loss and stabilization in polarization direction simultaneously, reduces light distribution monotonously as it is far from an active layer, and enables high output operation which enables easy crystal composition control.例文帳に追加

キンクの抑制、低損失化、偏光方向の安定化を同時に達成でき、かつ光分布が活性層から離れるに従って単調減少するような構造を持ち、その結晶組成制御が容易となる高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The solid electrolyte battery includes a laminate comprising a positive electrode side collector film 30, a positive electrode protection film 31, a positive electrode active material film 40, a solid electrolyte film 50, a negative electrode potential formation layer 64, and a negative electrode side collector film 70 which are laminated in this order, on a substrate 10.例文帳に追加

この固体電解質電池は、基板１０上に、正極側集電体膜３０と、正極保護膜３１と、正極活物質膜４０と、固体電解質膜５０と、負極電位形成層６４と、負極側集電体膜７０とがこの順で積層された積層体を有する。 - 特許庁

To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed simply, uniformly, and with good adhesion on a current collector, in particular, on a porous current collector having a through-hole front and rear such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a state where a supporting wafer 20 and a wafer 30 for active layer are set in the directions different by 180° when viewed from an axis of rotation Z, the wafers 20, 30 to be bonded are made to adsorb organic matters by rotating a rotor 103 while supplying gas containing the organic matters into a chamber.例文帳に追加

回転軸Ｚから見て支持用ウェーハ２０と活性層用ウェーハ３０とを１８０°異なる方向にセットした状態で、チャンバ内に有機物含有ガスを供給しながらロータ１０３を回転させることによって、貼り合わせ前のウェーハ２０，３０に有機物を吸着させる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, where an active layer 18 is formed between a semiconductor substrate 10 and a transparent conductive film 28, a small-gauge wire electrode 32 is formed while it is connected to an electrode pad 30, that is provided on the transparent conductive film 28 and is extended to an area near the end of the transparent conductive film 28.例文帳に追加

半導体基板１０と透明導電膜２８との間に活性層１８が形成された半導体発光素子において、透明導電膜２８上に設けられた電極パッド３０に接続され、透明導電膜２８の端近傍まで延びる細線電極３２を形成する。 - 特許庁

In this structure, the current constriction to the active layer 24 and light loss caused by free carrier absorption in the embedded InP layers 40 can be reduced markedly; consequently, the luminous efficiency and luminous output of this semiconductor laser are improved, and in addition, this laser can well be coupled optically even with an SMF.例文帳に追加

このような構造においては、活性層への電流狭窄とＦｅドープＩｎＰ埋め込み層４０中でのフリーキャリア吸収による光損失が格段に低減でき、大きな発光効率および発光出力を有し、かつＳＭＦにも良好に光結合することができる。 - 特許庁

A positive electrode 1 has a positive electrode current collector 11 and a positive electrode active material layer 10 which is formed on the surface of the current collector 11 and has an electrode surface on the opposite side to the surface of the current collector 11, and has a radical compound, a lithium compound oxide, and a conductive material.例文帳に追加

正極１は、正極集電体１１と、集電体１１の表面に形成されて集電体１１の表面と反対側に電極表面をもち、ラジカル化合物とリチウム複合酸化物と導電材とを有する正極活物質層１０とを有する。 - 特許庁

To prevent a thin-film transistor(TFT) from deteriorating in characteristics due to the occurrence of recesses or gaps on an interlayer insulating film, owing to a step difference caused by the thickness of an active layer and to provide a display device which provides a satisfactory display using the above TFTs as switching devices.例文帳に追加

能動層の厚みに起因する段差によって生じる層間絶縁膜の窪みあるいは空隙が生じることによるＴＦＴ特性の劣化を防止するとともに、そのＴＦＴをスイッチング素子として用いた良好な表示を得ることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁

In this application, a light emitting element is formed by carrying out deposition while moving a deposition source toward a large-area substrate 100 equipped with a pixel part (or a driving circuit) having TFTs using, as an active layer, an amorphous semiconductor film, a semiamorphous semiconductor film or an organic semiconductor film.例文帳に追加

本発明は、アモルファス半導体膜、セミアモルファス半導体膜、または有機半導体膜を活性層とするＴＦＴを備えた画素部（または駆動回路）が設けられた大面積基板１００に向けて、蒸着源を移動させながら蒸着を行って発光素子を作製する。 - 特許庁

To provide an all solid secondary battery in which a short circuit phenomenon is not brought about by the contamination of positive electrode and negative electrode active material particles separated from a positive electrode and a negative electrode at the surrounding (end face) of an electrolyte layer interposed between a pair of electrodes, which is liable to occur at the time of manufacturing the all solid secondary battery.例文帳に追加

全固体二次電池の作成時に生じやすい、一対の電極間に介在する電解質層周囲（端面）に正負電極から脱離した正負極活物質粒子により汚染され、短絡現象を引き起こすことの無い、全固体二次電池の構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a millimeter-wave oscillator which solves such a problem that, in a millimeter-wave oscillator mounted with a Gunn diode component on a millimeter-wave resonator substrate, an inferior heat dissipation of a semiconductor substrate constituent of the Gunn diode causes a temperature rise in an active layer of the Gunn diode during operation, resulting in a marked drop on a millimeter-wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electro-chemical element in which a high thickness electrode active material layer can be formed easily and simply, uniformly and with superb adhesiveness on a current collector, especially a perforated current collector having front-to-rear through-holes such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く高厚みの電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control method comprises a step of monitoring a link signal generated by the Ethernet physical layer transceiver when the power line adapter operates in an active mode, and of cutting off the DC supply voltage from the power line communication circuit to establish the power saving mode when the link signal shows first period cut-off.例文帳に追加

制御方法は、電力線アダプタが活動モードで動作する時、イーサネット物理層トランシーバによって生成されるリンク信号を監視し、リンク信号が第１の期間切断を示す時、ＤＣ供給電圧を電力線通信回路から切断し、省電力モードに入る工程を備える。 - 特許庁

Negative electrode slurry is prepared by dispersing a negative mix containing a magnetic material in a solvent, uniformly applied to both surfaces of a negative current collector, a magnetic field is applied to the coated negative slurry in one direction, and the negative slurry is dried and pressed to form a negative active material layer.例文帳に追加

磁性体を添加した負極合剤を溶媒に分散させて負極スラリーを得て、この負極スラリーを負極集電体の両面に均一に塗布し、塗布された負極スラリーに対して一方向に磁場を印加し、負極スラリーを乾燥させてプレスして負極活物質層を形成する。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

At least one passing through part 21C cut out or cut so as to pass through the negative current collector 21A and the negative active material layer 21B is formed in the negative electrode 21 by extending so as to include the length direction component of the negative current collector 231A.例文帳に追加

負極２１には、負極集電体２１Ａおよび負極活物質層２１Ｂを貫通するように切り抜かれまたは切り込まれた貫通部２１Ｃが、負極集電体２１Ａの長さ方向成分を含むように延長して少なくとも１つ形成されている。 - 特許庁

Consequently, the sound absorbing effect in a low tone is improved by enlarging the rear part air layer of the soft urethane material 12 by the absorbing actuation of the active carbon, and airborne noise to be transmitted in a sound insulation case 10 is largely reduced over a wide band, so that the low-noise vacuum cleaner is provided.例文帳に追加

これによって、活性炭の吸着作用によって軟質ウレタン材１２の背後空気層が拡大されて低音域での吸音効果が向上し、防音ケース１０内を空気伝播する騒音が広帯域に渡って大幅に低減され、低騒音の電気掃除機を提供できる。 - 特許庁

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

An InGaAs strained quantum-well active layer 16 of a semiconductor optical amplifier 30 includes: two optical waveguides 16A and 16B; a demultiplexing part 16C for demultiplexing incident light into the optical waveguides 16A and 16B; and a multiplexing part 16D for multiplexing light from the optical waveguides 16A and 16B.例文帳に追加

半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。 - 特許庁

Therefore, the liquid crystal display device has no photo-current generating in the active layer by light, which is advantageous to minimize wavy noises and characteristics of a leak current in a thin film transistor, and the cost and time can be saved by simplification in the mask process.例文帳に追加

従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has a structure in which a plurality of compound semiconductor light-emitting units U that have a truncated cone shape and are made of a compound semiconductor having an active layer 232 serving as a light-emitting region are arranged via a reflective metal film 26 above a supporting substrate S having electrical conductivity.例文帳に追加

導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 - 特許庁

The alkaline storage battery is structured of a coated positive electrode plate equipped with an active material layer on the surface of core materials, two or more of them overlapped, with a metal foil put under a three-dimensional processing, a negative electrode plate, a separator and an alkaline electrolyte solution.例文帳に追加

金属箔に３次元立体加工を施した芯材の表面に活物質層を設けた塗着式正極板であって、前記芯材が２枚以上重なった状態である正極板と、負極と、セパレータと、およびアルカリ電解液とからなるアルカリ蓄電池を構成した。 - 特許庁

To provide a thin film transistor of superior characteristics which is manufactured at an ordinary temperature, and in which contact resistance between an active layer and a source and a drain electrodes is improved, and simultaneous forming processes of many and different kinds of TFTs are simplified, and to provide a flat panel display unit including it.例文帳に追加

優れた特性を有し，常温で製造可能であり，活性層とソースおよびドレイン電極間のコンタクト抵抗が改善され，多数の異種ＴＦＴの同時形成工程を簡単にする薄膜トランジスタおよびこれを備えたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

Using this, by irradiating the plate with active rays to selectively remove the water-repellent thin film layer and to make the part hydrophilic, it is possible to have a sufficient contrast between the water-repellent part and the hydrophilic part, and to suppress scumming in which the printing ink sticks on the non-image area.例文帳に追加

これによれば、活性線を照射して、撥水性薄膜層を選択的に除去すると共に当該部分を親水化することにより、撥水性部分と親水性部分とが、十分なコントラストを有し、非画線部の印刷インキの付着する地汚れを抑えることができる。 - 特許庁

In the electronic device, the MEMS sensor 11 having bumps 15 on a surface at a side opposite to the active surface 13 via the through-via 14 is packaged, so that the bumps 15 are connected to the terminal of the printed-wiring board 2 via an anisotropic conductive layer 5 or a spring connector.例文帳に追加

貫通ビア１４を介してアクティブ面１３と反対側の面にバンプ１５を有するＭＥＭＳセンサー１１を、バンプ１５が異方性導電層５またはスプリングコネクターを介してプリント配線基板２の端子に接続するように実装した構造の電子装置とする。 - 特許庁

Then, in the positive electrode 11, a positive electrode mixture layer comprising the positive electrode active substance, a conduction agent, and a binder is formed on a positive electrode collector, and the binder has a mass average molecular weight of 370,000 or higher and contains a polyvinylidene fluoride (PVdF) of 100,0000 or smaller.例文帳に追加

そして、正極１１は正極活物質と導電剤と結着剤とからなる正極合剤層が正極集電体上に形成されているとともに、結着剤は質量平均分子量が３７００００以上で、１００００００以下のポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）を含有する。 - 特許庁

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier.例文帳に追加

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface with the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加

負極活物質層１４Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体１４Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体１４Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

To provide an optical wave circuit module with which an optical element and a waveguide array are coupled directly, with low loss and optically as having a function for performing pitch conversion of pitch P1 of the waveguide array so that coupling with an active layer of the optical element or pitch P2 of a waveguide part becomes possible.例文帳に追加

導波路アレイのピッチP1を、光素子の活性層又は導波路部のピッチP2との結合が可能となるようにピッチ変換する機能を有しつつ、光素子と導波路アレイとを直接、且つ、低損失に光学的に結合可能となる光波回路モジュールを提供する。 - 特許庁

A paste-form band electrode 1 for winding is structured so that an active material mix layer 2 is formed on at least one of the main surfaces of a current collector, and grooves 3 orthogonal in the longitudinal direction are provided by laser processing at least at the start side end about the longitudinal direction.例文帳に追加

集電体の少なくとも一主面に活物質合剤層２が形成されて成る捲回型ペースト式帯状電極１であって、長手方向の少なくとも巻き始め側端縁部に、レーザー加工により長手方向に直交する溝３が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

分子内に、（メタ）アクリロイル基及び、２個以上の第１の官能基を含み、該第１の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride-based semiconductor element which facilitates device separation by forming an separation trench in a nitride-based semiconductor layer, by a method where no damage is introduced into a crystal owing to collision of plasma and active ions or the like and no much time is required.例文帳に追加

プラズマや活性イオンなどの衝突による結晶へのダメージの導入がなく、且つ多くの時間を必要としない方法で、窒化物系半導体層に分離溝を形成することにより、素子分離を容易にする窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

This electromagnetic wave shielding adhesive film is formed, by emitting an active energy ray to harden a plastic film, having an adhesive agent layer with a conductive metal and drawing a geometric figure made of a conductive metal through microlithography, so that its opening ratio becomes 50% or larger.例文帳に追加

活性エネルギー線を照射することにより硬化する接着剤層を有する導電性金属付きプラスチックフィルムをマイクロリソグラフ法により導電性金属で描かれた幾何学図形を有し、その開口率が５０％以上となるようにした電磁波シールド性接着フィルム。 - 特許庁

The piezoelectric element plate whose surface process layer is removed through chemical etching and whose frequency is adjusted with precision, a media whose main component is amorphous alumina, chrome oxide as an abrasive, and a surface active agent are put in a cylindrical plastic container and this container is filled with water.例文帳に追加

円筒形プラスチック容器に、化学的エッチングによって圧電素板片の表面加工層が除去され、かつ周波数が精度良く調整された圧電素板片と不定形のアルミナを主体とするメディアと、研磨材として酸化クロム、及び界面活性剤を容器に投入し、水で容器を満たす。 - 特許庁

The negative electrode active material for the nonaqueous secondary battery of the present invention consists of either silicon or tin and at least one kind of elements selected from elements having no reactivity with lithium, and includes the primary particles having holes provided on both inner core part and outer peripheral part in the inside of a primary particle and a conductive projection layer on a surface thereof.例文帳に追加

本発明の非水系二次電池用負極は、シリコンないしスズのいずれかと、リチウムと反応しない元素から選ばれた少なくとも１種の元素とからなり、かつ、１次粒子内部の内核部と外周部のいずれにも空孔を設け、かつ、導電性の突起物層を被覆する。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

To provide an alkaline storage battery with a nickel electrode formed by depositing an active material layer containing nickel hydroxide as the main component on a porous sintered nickel plate, which can discharge electricity at high voltage with improved charge and discharge cycle characteristics and which can improve storage property at a high temperature and charging efficiency.例文帳に追加

多孔性ニッケル焼結基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填したアルカリ蓄電池用ニッケル極を用いたアルカリ蓄電池が高電圧で放電できるようにし、また高温での保存特性や充電効率を向上させると共に充放電サイクル特性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes fully silicified, first gate wiring 19A formed on a semiconductor substrate 10, a first sidewall 21A formed on the side of the first gate wiring 19A, and an impurity diffused layer 14B formed in an active area 12.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０の上に形成された、フルシリサイド化された第１のゲート配線１９Ａと、第１のゲート配線１９Ａの側面上に形成された第１のサイドウォール２１Ａと、活性領域１２に形成された不純物拡散層１４Ｂとを備えている。 - 特許庁

To obtain an organic-inorganic composite gradient material with which a coating film having a relatively thick film thickness, controlling crack occurrence can be formed by a spray coating and deterioration of the coating film by a photocatalyst can be controlled when used as an intermediate film of a photocatalytically active material layer.例文帳に追加

スプレーコート法などにより、膜厚が比較的厚く、かつクラックの発生が抑制された被膜を形成することができる上、光触媒活性材料層の中間膜として用いた場合、該膜の光触媒による劣化を抑制することができる有機−無機複合傾斜材料を提供する。 - 特許庁