「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film transistor of superior characteristics which is manufactured at an ordinary temperature, and in which contact resistance between an active layer and a source and a drain electrodes is improved, and simultaneous forming processes of many and different kinds of TFTs are simplified, and to provide a flat panel display unit including it.例文帳に追加

優れた特性を有し，常温で製造可能であり，活性層とソースおよびドレイン電極間のコンタクト抵抗が改善され，多数の異種ＴＦＴの同時形成工程を簡単にする薄膜トランジスタおよびこれを備えたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

The negative electrode active material for the nonaqueous secondary battery of the present invention consists of either silicon or tin and at least one kind of elements selected from elements having no reactivity with lithium, and includes the primary particles having holes provided on both inner core part and outer peripheral part in the inside of a primary particle and a conductive projection layer on a surface thereof.例文帳に追加

本発明の非水系二次電池用負極は、シリコンないしスズのいずれかと、リチウムと反応しない元素から選ばれた少なくとも１種の元素とからなり、かつ、１次粒子内部の内核部と外周部のいずれにも空孔を設け、かつ、導電性の突起物層を被覆する。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes fully silicified, first gate wiring 19A formed on a semiconductor substrate 10, a first sidewall 21A formed on the side of the first gate wiring 19A, and an impurity diffused layer 14B formed in an active area 12.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０の上に形成された、フルシリサイド化された第１のゲート配線１９Ａと、第１のゲート配線１９Ａの側面上に形成された第１のサイドウォール２１Ａと、活性領域１２に形成された不純物拡散層１４Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an all solid secondary battery in which a short circuit phenomenon is not brought about by the contamination of positive electrode and negative electrode active material particles separated from a positive electrode and a negative electrode at the surrounding (end face) of an electrolyte layer interposed between a pair of electrodes, which is liable to occur at the time of manufacturing the all solid secondary battery.例文帳に追加

全固体二次電池の作成時に生じやすい、一対の電極間に介在する電解質層周囲（端面）に正負電極から脱離した正負極活物質粒子により汚染され、短絡現象を引き起こすことの無い、全固体二次電池の構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a millimeter-wave oscillator which solves such a problem that, in a millimeter-wave oscillator mounted with a Gunn diode component on a millimeter-wave resonator substrate, an inferior heat dissipation of a semiconductor substrate constituent of the Gunn diode causes a temperature rise in an active layer of the Gunn diode during operation, resulting in a marked drop on a millimeter-wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electro-chemical element in which a high thickness electrode active material layer can be formed easily and simply, uniformly and with superb adhesiveness on a current collector, especially a perforated current collector having front-to-rear through-holes such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く高厚みの電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control method comprises a step of monitoring a link signal generated by the Ethernet physical layer transceiver when the power line adapter operates in an active mode, and of cutting off the DC supply voltage from the power line communication circuit to establish the power saving mode when the link signal shows first period cut-off.例文帳に追加

制御方法は、電力線アダプタが活動モードで動作する時、イーサネット物理層トランシーバによって生成されるリンク信号を監視し、リンク信号が第１の期間切断を示す時、ＤＣ供給電圧を電力線通信回路から切断し、省電力モードに入る工程を備える。 - 特許庁

Negative electrode slurry is prepared by dispersing a negative mix containing a magnetic material in a solvent, uniformly applied to both surfaces of a negative current collector, a magnetic field is applied to the coated negative slurry in one direction, and the negative slurry is dried and pressed to form a negative active material layer.例文帳に追加

磁性体を添加した負極合剤を溶媒に分散させて負極スラリーを得て、この負極スラリーを負極集電体の両面に均一に塗布し、塗布された負極スラリーに対して一方向に磁場を印加し、負極スラリーを乾燥させてプレスして負極活物質層を形成する。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

At least one passing through part 21C cut out or cut so as to pass through the negative current collector 21A and the negative active material layer 21B is formed in the negative electrode 21 by extending so as to include the length direction component of the negative current collector 231A.例文帳に追加

負極２１には、負極集電体２１Ａおよび負極活物質層２１Ｂを貫通するように切り抜かれまたは切り込まれた貫通部２１Ｃが、負極集電体２１Ａの長さ方向成分を含むように延長して少なくとも１つ形成されている。 - 特許庁

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

An InGaAs strained quantum-well active layer 16 of a semiconductor optical amplifier 30 includes: two optical waveguides 16A and 16B; a demultiplexing part 16C for demultiplexing incident light into the optical waveguides 16A and 16B; and a multiplexing part 16D for multiplexing light from the optical waveguides 16A and 16B.例文帳に追加

半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。 - 特許庁

Therefore, the liquid crystal display device has no photo-current generating in the active layer by light, which is advantageous to minimize wavy noises and characteristics of a leak current in a thin film transistor, and the cost and time can be saved by simplification in the mask process.例文帳に追加

従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has a structure in which a plurality of compound semiconductor light-emitting units U that have a truncated cone shape and are made of a compound semiconductor having an active layer 232 serving as a light-emitting region are arranged via a reflective metal film 26 above a supporting substrate S having electrical conductivity.例文帳に追加

導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 - 特許庁

The alkaline storage battery is structured of a coated positive electrode plate equipped with an active material layer on the surface of core materials, two or more of them overlapped, with a metal foil put under a three-dimensional processing, a negative electrode plate, a separator and an alkaline electrolyte solution.例文帳に追加

金属箔に３次元立体加工を施した芯材の表面に活物質層を設けた塗着式正極板であって、前記芯材が２枚以上重なった状態である正極板と、負極と、セパレータと、およびアルカリ電解液とからなるアルカリ蓄電池を構成した。 - 特許庁

The semiconductor laminate having a cascade structure that can be applied as the active layer of a quantum cascade laser is constituted by alternately laminating semiconductor superlattice layers 100, 110, 120, etc., which become light emitting layers and multilayered barrier layers 200, 210, etc., which become the injection layers upon another.例文帳に追加

発光層となる半導体超格子層１００、１１０、１２０、…と、注入層となる多重障壁層２００、２１０、…とを交互に積層することにより、量子カスケードレーザの活性層として適用可能なカスケード構造を有する半導体積層体を構成する。 - 特許庁

Using this, by irradiating the plate with active rays to selectively remove the water-repellent thin film layer and to make the part hydrophilic, it is possible to have a sufficient contrast between the water-repellent part and the hydrophilic part, and to suppress scumming in which the printing ink sticks on the non-image area.例文帳に追加

これによれば、活性線を照射して、撥水性薄膜層を選択的に除去すると共に当該部分を親水化することにより、撥水性部分と親水性部分とが、十分なコントラストを有し、非画線部の印刷インキの付着する地汚れを抑えることができる。 - 特許庁

In the electronic device, the MEMS sensor 11 having bumps 15 on a surface at a side opposite to the active surface 13 via the through-via 14 is packaged, so that the bumps 15 are connected to the terminal of the printed-wiring board 2 via an anisotropic conductive layer 5 or a spring connector.例文帳に追加

貫通ビア１４を介してアクティブ面１３と反対側の面にバンプ１５を有するＭＥＭＳセンサー１１を、バンプ１５が異方性導電層５またはスプリングコネクターを介してプリント配線基板２の端子に接続するように実装した構造の電子装置とする。 - 特許庁

Then, in the positive electrode 11, a positive electrode mixture layer comprising the positive electrode active substance, a conduction agent, and a binder is formed on a positive electrode collector, and the binder has a mass average molecular weight of 370,000 or higher and contains a polyvinylidene fluoride (PVdF) of 100,0000 or smaller.例文帳に追加

そして、正極１１は正極活物質と導電剤と結着剤とからなる正極合剤層が正極集電体上に形成されているとともに、結着剤は質量平均分子量が３７００００以上で、１００００００以下のポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）を含有する。 - 特許庁

In regard to an active layer, the contents of the sequence control of a radio data transfer part are detailed as the VC clusters of configurations A, B, C....例文帳に追加

設計対象となる有線データ転送部との間でデータを授受する音声変換部や無線データ転送部がある場合、設計対象の回路だけでなく、音声変換部や無線データ転送部にも、有線データ転送部のＶＣクラスタと同様に、仕様層，動作層及び機能層に階層化されたテストクラスタを設ける。 - 特許庁

To provide a polarizing plate-protective film capable of maintaining sufficient adhesion between an active energy ray curable layer and a cellulose acylate film even when irradiated with light for a long period and maintaining excellent polarization performance even when incorporated into a polarizing plate and used under a high-temperature and high-humidity for a long period.例文帳に追加

長期間光が照射されても、活性エネルギー線硬化層とセルロースアシレートフィルムとの間の密着が十分維持され、偏光板に組み込んで高温高湿下で長期間使用されても良好な偏光性能を維持できる偏光板保護フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide an IEEE-1394 circuit system which can solve the problem related to the IEEE 1394 standard that the procedure for obtaining individual information on a device provided in a configuration ROM from another node is complicated when the protocol stack of a link layer and others is not in an active state.例文帳に追加

リンク層以上のプロトコルスタックがアクティブ状態でないとき、他のノードからConfiguration ＲＯＭ内に設けられた装置の個別情報を得るための手順が複雑であるというＩＥＥＥ１３９４規格の課題を解消するＩＥＥＥ１３９４回路方式を提供する。 - 特許庁

The light modulation element 20 is provided with a pair of substrates 1,2 having electrodes 3,4 and a light modulating layer composed of a liquid crystal composition containing (a) a nematic liquid crystal substance and (b) an associative organosiloxane having at least one associative site having an optically active site, both placed between the substrates.例文帳に追加

本発明の光変調素子２０は、電極３，４を設けた一対の基板１，２の間に、（ａ）ネマティック液晶物質、及び、（ｂ）光学活性部位を有する会合性部位を少なくとも１か所有する会合性オルガノシロキサン、を含有する液晶組成物からなる調光層を備えている。 - 特許庁

Regarding the lens sheet in which a lens part composed of many lens units is formed on at least either surface of a transparent base material by an active energy ray curable resin, the many lens units are formed on the transparent base material via a buffer layer with a thickness of 1 to 10 μm.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に、活性エネルギー線硬化樹脂により多数のレンズ単位からなるレンズ部が形成されてなるレンズシートにおいて、前記透明基材上に厚さ１〜１０μｍの緩和層を介して多数のレンズ単位が形成されているレンズシート。 - 特許庁

To provide a method for producing an active matrix substrate with a built-in high-performance driver, for which a single crystal silicon layer of a high electron/hole mobility is uniformly filmed at a comparative low temperature, and an electro-optical device such as a thin film semiconductor device using this substrate.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン層を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。 - 特許庁

The polyester films have a coating layer comprising an aqueous dispersion or water-soluble acrylic resin, an aqueous dispersion or water-soluble polyester resin, fine particles having an average particle diameter of ≤0.2 μm, a surface active agent, and containing no antistatic agent on at least one side of a polyester film.例文帳に追加

ポリエステルフイルムの少なくとも片面に、水分散性または水溶性のアクリル系樹脂、水分散性または水溶性のポリエステル系樹脂、平均粒径０．２μｍ以下の微粒子及び界面活性剤からなり、帯電防止剤を含まない塗布層を設けていることを特徴とするポリエステルフイルム。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device wherein intense light is not made incident in an active layer of a pixel transistor even when a method that light made incident from an element substrate side is reflected by a common electrode and emitted from the element substrate is adopted, and to provide an electronic device provided with the liquid crystal device.例文帳に追加

素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

By forming the width of the active region 14 at the end E in the gate width direction larger than that of a center part in the gate width direction, the field oxide film corner part 19 is moved away from a P-type body layer 4 formed at the end E in the gate width direction to the outside of the end in the gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅの活性領域１４の幅を、ゲート幅方向中央部より広く形成することによりフィールド酸化膜コーナー部１９を、ゲート幅方向端部Ｅに形成されたＰ型ボディ層４からゲート幅方向端部の外側に遠ざける。 - 特許庁

Diffusion layer regions 14a, 14b, 14c, 14d, 14e to be later formed as a source or a drain are located in a zigzag form at respective sites of the active regions AA0, AA1, AA2 respectively intersecting with bit lines BL0, BL1, BL2 so that channel currents flow in directions oblique to the word lines GC0, GC1.例文帳に追加

また、ワード線ＧＣ０，ＧＣ１に対し、それぞれ斜め方向にチャネル電流が流れるように、ビット線ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２とそれぞれ交差するアクティブ領域ＡＡ０，ＡＡ１，ＡＡ２の各部位に、千鳥状に、ソースまたはドレインとなる拡散層領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅを配置する構成となっている。 - 特許庁

Hydrogen or hydrogen-containing gas is brought into contact with a heated catalyst and hydrogen active species produced by this contact are made to act on this thin film 100A under the action of an electric field or/and a magnetic field lower than a glow discharge starting voltage to form a diamond structure of a carbon ultrafine grain layer 100B.例文帳に追加

水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ生成した水素系活性種を、このカーボン薄膜１００Ａにグロー放電開始電圧以下の電界又は／及び磁界の作用下で作用させて、ダイヤモンド構造のカーボン超微粒子層１００Ｂを形成する。 - 特許庁

In the printing method, a printed pattern of a design or character is provided by an inkjet printing method using cationic active energy ray curing ink using pigment as a coloring material on the base material at least having a surface layer comprising a fibrous component and having permeability.例文帳に追加

少なくとも表面層が繊維状成分によって構成され、浸透性を有する基材に対して、顔料を着色材とするカチオン型活性エネルギー線硬化性インクを用いてインクジェット印刷法により意匠、文字等の印刷柄を設けることを特徴とする印刷方法。 - 特許庁

The anode plate has copper foil 3 as an anode collector, and on both face of the copper foil 3, anode mixture agents containing mixtures in which easily-graphitized carbon materials and hardly-graphitized carbon materials are mixed as anode active materials are coated to form an anode mixture layer 4.例文帳に追加

負極板は、負極集電体として銅箔３を有しており、銅箔３の両面には、負極活物質として易黒鉛化性炭素材と難黒鉛化性炭素材とが混合された混合物を含む負極合剤が塗着されて負極合剤層４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated wafer capable of removing an oxide film by heat treatment of a shorter time compared with that in a conventional method, and capable of eliminating an island-like trace of the oxide film on a laminated interface, even when a thickness of an active layer is as thin as 500 nm or less.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の方法に比べ短時間の熱処理で酸化膜を除去できる上、活性層の厚さが500nm以下と薄い場合であっても、貼り合わせ界面における島状酸化膜の跡を無くすことができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A semiconductor laser medium 100 having a plurality of amplifying regions arranged in parallel along an active layer, and outer mirrors 11 and 12 constitute a resonator unstable in the arranging direction of the amplifying regions and laser light 20 is taken out from the semiconductor laser medium by means of the unstable resonator.例文帳に追加

活性層に沿って複数の増幅領域が並列配置された半導体レーザ媒質１００と、外部鏡１１，１２とで上記増幅領域の配列方向に対して不安定共振器を構成し、該不安定共振器により上記半導体レーザ媒質からレーザ光２０を取り出す。 - 特許庁

This electrode for a lithium secondary battery comprises a current collector 7 and a positive electrode active material layer that is formed on the current collector 7 by a vacuum evaporator 1 and is made mainly of Fe_3O_4 and has a diffraction peak in the vicinity of 30° when evaluated by the X-ray diffraction method.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極は、集電体７と、集電体７上に真空蒸着装置１により形成され、Ｆｅ_3Ｏ_4を主成分とするとともに、Ｘ線回折法により評価した場合に３０°付近に回折ピークを有する正極活物質層とを備える。 - 特許庁

This electrode 201 has an electric discharge member 211 which has an electric discharge surface formed of a conductive active material layer and a protector 1 which partially covers an electric discharge surface in the state of forming a specified spacing between itself and the electric discharge surface in order to protect the electric discharge surface from a contact with the material to be treated.例文帳に追加

電極２０１は、導電性活物質層にて形成された放電面を有する放電部材２１１と、放電面を被処理部材との接触から保護するために、放電面との間に一定の隙間を形成した状態にてこれを部分的に覆うプロテクタ１とを備える。 - 特許庁

The composite electrode for the electricity storage device includes: a base; whiskers or fibers that are formed on the base and contains at least one of a metal and a metal compound; and a coating layer formed on the surfaces of the whiskers or the fibers, contains an active material, and has an unevenness surface.例文帳に追加

蓄電デバイス用複合電極は、基材と、該基材の表面に形成され、金属及び金属化合物の一方又は双方を含有するウィスカー又はファイバーと、該ウィスカー又はファイバーの表面に形成され、活物質を含有し、且つ表面に凹凸を有する被覆層とを有する。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device which can constitute a low voltage circuit by improving the unevenness of Vth of a transistor formed in an active layer having a large interface level of a polysilicon or the like by performing a channel impurity density of a low Vth and a high concentration, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低いＶｔｈと高濃度のチャネル不純物濃度を達成し、ポリシリコン等の界面準位の大きい活性層に形成したトランジスタのＶｔｈのばらつきを改善して低電圧回路の構成を可能にする薄膜半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide: a composition for electrodes of a nonaqueous electrolyte secondary battery, which can produce the electrodes with high adhesive strength between a collector and an active material layer and also with excellent flexibility; electrodes for the nonaqueous electrolyte secondary battery using the same; and the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

集電体と活物質層との間の接着強度が高く、かつ柔軟性に優れた電極を製造することができる非水電解質二次電池の電極用組成物、並びにそれを用いた非水電解質二次電池用電極及び非水電解質二次電池を得る。 - 特許庁

To provide an electrode collector which has excellent adhesion to an electrode active material layer and exhibits high output characteristics and the high durability of a storage element, and a method of manufacturing the collector, an electrode using the electrode collector, and the storage element using the electrode.例文帳に追加

電極活物質層との接着性が良好で、蓄電素子の高出力性及び高耐久性を発現させることが可能な電極集電体及びその製造方法、並びに該電極集電体を用いた電極及び該電極を用いた蓄電素子を提供する。 - 特許庁

An electrode pad 20 is laid in the bottom part of the groove part 16A, and the semiconductor laser 22 is placed on the electrode pad 20 so that an active layer 26 becoming the light emitting part of the semiconductor laser 22 faces the exposed optical waveguide 12 and is fixed by solder 36.例文帳に追加

溝部１６Ａの底部には電極パッド２０が敷設されており、この電極パッド２０上には、半導体レーザ２２の発光部となる活性層２６と露出した光導波路１２とが対向するように半導体レーザ２２が載置され、はんだ３６により固定されている。 - 特許庁

To provide a BRS laser and a method for manufacturing the BRS laser, in which, an active layer is protected from diffusion of P-type impurities which come from not only a wall face on both sides of a ribbon, namely upper and bottom wall faces of the ribbon, but also a sideward wall face connected to the upper and bottom wall faces.例文帳に追加

リボンの両側の壁面、すなわちリボンの上部および底部壁面だけでなく、上部および底部壁面に接続する側方壁面からも来るｐ型不純物の拡散から、活性層がさらに保護されるＢＲＳレーザ、および、ＢＲＳレーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor, having a titanium oxide as an active layer that is not only provided at low cost but also free of harmful environmental problems, as well as, improves the performance in addition to being widely applied to a specific type of an electronic device, and a structure thereof.例文帳に追加

低コストで製造し、有害環境問題を解決し、性能を向上させることができるうえ、特定類型の電子機器に広く適用できるようにする、酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること。 - 特許庁