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active-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7476



例文

In the method of manufacturing a woody decorated plywood, a plywood is made of base plate being at least the coniferous wood, and the manufacturing method comprises: a process 1 of preheating a base plate surface of the plywood to 70-130°C; a process 2 of applying an active energy beam-curable coating and irradiating the surface with the active energy beam; and a process 3 of sticking a decorative layer, in this order.例文帳に追加

木質化粧合板の製造方法であって、合板が少なくとも台板を針葉樹材とする合板であり、合板の台板表面を70〜130℃に前加熱する工程(工程1)、活性エネルギー線硬化性塗料を塗工し、活性エネルギー線を照射する工程(工程2)、装飾層を貼合する工程(工程3)をこの順に有することを特徴とする木質化粧合板の製造方法。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes: an n-type GaAs substrate 100; an n-type lower DBR 102 formed on the substrate 100; an active region 104; a p-type upper DBR 106 formed on the active region; a p-type current constriction layer 108 formed in the upper DBR 106; a p-side electrode 112 electrically connected to the upper DBR 106; and an n-side electrode 120.例文帳に追加

VCSEL10は、n型のGaAs基板100と、基板100上に形成されたn型の下部DBR102と、活性領域104と、活性領域上に形成されたp型の上部DBR106と、上部DBR106内に形成されたp型の電流狭窄層108と、上部DBR106と電気的に接続されたp側電極112と、n側電極120とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板101における素子分離領域102によって分離された活性領域104上に形成されたPMOSトランジスタであって、このPMOSトランジスタは、活性領域104上に形成されたゲート絶縁膜105bと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極106bと、サイドウォール108bと、ソース・ドレイン拡散層領域107bとを備える。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery 10, the negative electrode mix layer 12b constituting a negative electrode 12 is formed by holding, to a negative electrode core body 12a, active material slurry formed by adding and mixing a mixture binder comprising a rubber-based resin in a dispersion state and a polyvinylidene fluoride resin (PVdF) in a powder state in graphite used at least as a negative electrode active material.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池10においては、負極12を構成する負極合剤層12bは少なくとも負極活物質となる黒鉛に、ディスパージョン状態のゴム系樹脂と粉末状態のポリフッ化ビニリデン樹脂(PVdF)とからなる混合結着剤を添加、混合して形成された活物質スラリーが負極芯体12aに保持されるように形成されたものである。 - 特許庁

例文

In the nickel pole for alkaline storage battery, in which a paste containing active substance particles made of nickel hydroxide is applied on a conductive core body and dried, a conductive layer made of sodium-contained cobalt oxide is formed on the surface of the above active substance particles, and the powder of niobium or its compound is added, and this nickel pole for alkaline battery is used for the positive electrode 1 of the alkaline battery.例文帳に追加

水酸化ニッケルからなる活物質粒子を含むペーストを導電性芯体に塗布し、これを乾燥させたアルカリ蓄電池用ニッケル極において、上記の活物質粒子の表面に、ナトリウム含有コバルト酸化物からなる導電層を形成すると共に、ニオブ又はその化合物の粉末を添加させるようにし、またこのアルカリ蓄電池用ニッケル極をアルカリ蓄電池の正極1に用いた。 - 特許庁


例文

An insulation trench 15 is disposed so as to enclose a memory cell 1 and an adjacent memory cell 16, doped active region 17 between the memory cell 1 and the adjacent memory cell 16 is formed, and a second dielectric layer 12 having an inside opening 13 is disposed above an epitaxial grown layer 11 in the upper region 6 of a trench 3.例文帳に追加

絶縁トレンチ15が、メモリセル1と、隣接する別のメモリセル16とを取り囲むように配置されており、該メモリセル1と、隣接する別のメモリセル16との間にドーピングされたアクティブ領域17が形成されており、トレンチ3の上方領域6において、エピタキシャル成長層11の上方に、内側開口13を有する第2の誘電層12が配置されている。 - 特許庁

In the emission enzyme immunity flow-through device equipped with a porous membrane for immunologically capturing a physiologically active substance to detect the substance by the enzymatic emission of high sensitivity and an absorption layer for absorbing the solution passing through the porous membrane, the absorbing layer contains at least one component selected from among a group consisting of an oxidation inhibitor, a chelating agent and a surfactant.例文帳に追加

生理活性物質を免疫学的に捕捉して酵素による高感度発光で検出するための多孔質膜、前記多孔質膜を通過した液を吸収するための吸収層を備えたフロースルーデバイスであって、前記吸水層が酸化防止剤、キレート剤および界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とするフロースルーデバイス。 - 特許庁

The manufacturing method of a positive electrode active material for the alkaline storage battery has a cobalt compound layer formation process in which sodium hydroxide aqueous solution is supplied into an aqueous solution containing nickel hydroxide particles to keep pH within 11.5-13.5, and an aqueous solution containing cobalt ion is supplied and then, by supplying air, a cobalt compound layer is formed on the surface of the nickel hydroxide particles.例文帳に追加

水酸化ニッケル粒子を含む水溶液中に、水酸化ナトリウム水溶液を供給してpHを11.5〜13.5の範囲に保ちつつコバルトイオンを含む水溶液を供給すると共に、空気を供給して、水酸化ニッケル粒子の表面にコバルト化合物層を形成するコバルト化合物層形成工程を有する、アルカリ蓄電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁

The catalyst slurry composition for fuel cell electrode which forms a porous catalyst layer from which spherical silica is removed by treating a catalyst layer, formed by coating a support with a catalyst slurry composition, with alkali solution contains 5-about 30 parts by weight of binder polymer and 6-about 70 parts by weight of silica for 100 parts by weight of active metal.例文帳に追加

触媒スラリー組成物を支持体にコーティングして触媒層を形成し、前記触媒層をアルカリ溶液で処理して球形シリカが除去された多孔性触媒層を形成するための燃料電池電極用触媒スラリー組成物は、活性金属100質量部に対してバインダー高分子5〜約30質量部、シリカ6〜約70質量部を含んでなる。 - 特許庁

例文

The process for producing an unsaturated aldehyde and an unsaturated carboxylic acid comprises using a catalyst obtained by supporting a catalytically active component on an inert carrier in the form of a ring at a first layer of a raw material gas inlet, the outer peripheral portion of the carrier curving in the lengthwise direction of the carrier, in a plurality of reaction zones provided by diving the catalyst layer within each reaction tube into two or more layers in the tubular axis direction.例文帳に追加

各反応管内の触媒層を管軸方向に2層以上に分割して設けた複数の反応帯において、原料ガス入口部の1層目にリング形状を有し、外周縁部が担体長さ方向に湾曲した不活性担体に触媒活性成分を担持した触媒を使用することを特徴する不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸の製造方法。 - 特許庁

例文

Not less than two layers of barrier film shown as AlXNY or Al_2O_3, preventing an organic light emitting layer of an OLED from the intrusion of oxygen and water, and preventing an active layer of TFT from the intrusion of alkali metal or alkali earth metal or the like, are formed, further, a stress releasing film containing resin is formed between the two layers of the barrier film.例文帳に追加

プラスチック基板上に、酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを防ぎ、且つアルカリ金属およびアルカリ土類金属などの不純物がTFTの活性層に入り込むのを防ぐことの可能なAl_XN_Yで示される層またはAl_2O_3で示される層からなるバリア膜を2層以上設けて、さらに該2層のバリア膜の間に樹脂を含む応力緩和膜を設ける。 - 特許庁

In the antistatic film comprising the base film and an antistatic layer formed on at least one side of the base film, the antistatic layer contains a resin (A) having active hydrogen groups in a molecule, a polyurethane resin (B) having polysiloxane groups, a polyisocyanate (C), and an ionic conductive agent (D) as coat forming components.例文帳に追加

基材フィルムと、該基材フィルムの少なくとも一方の面に設けられた帯電防止層とからなる帯電防止フィルムにおいて、上記帯電防止層が、分子内に活性水素基を有する樹脂(A)とポリシロキサン基を含有するポリウレタン樹脂(B)とポリイソシアネート(C)とイオン性導電剤(D)とを被膜形成成分として形成されていることを特徴とする帯電防止フィルム。 - 特許庁

The near infrared ray absorption film is provided with a near infrared ray absorption layer which comprises a near infrared ray absorption pigment, a resin, a surface active agent and a polyoxyalkylene compound, formed on a transparent base material, wherein the polyoxyalkylene compound is included within the range of 0.05 to 5.0 mass% in the near infrared ray absorption layer.例文帳に追加

透明基材上に、近赤外線吸収色素、樹脂、界面活性剤、及びポリオキシアルキレン化合物を含む近赤外線吸収層を設けた近赤外線吸収フィルムであって、近赤外線吸収層中にポリオキシアルキレン化合物が0.05質量%以上、5.0質量%以下の範囲で含有されていることを特徴とする近赤外線吸収フィルム。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

This antistatic film consisting of the substrate film and the antistatic layer installed on at least one of the surfaces of the substrate film is characterized in that the antistatic layer is formed by containing (A) a resin having an active hydrogen group in its molecule, (B) a resin consisting of an ion-conductive polymer and a supporting electrolytic salt and (C) a polyisocyanate as film-forming components.例文帳に追加

基材フィルムと、該基材フィルムの少なくとも一方の面に設けられた帯電防止層とからなる帯電防止フィルムにおいて、上記帯電防止層が、分子内に活性水素基を有する樹脂(A)とイオン伝導ポリマーと支持電解塩とからなる樹脂(B)とポリイソシアネート(C)とを被膜形成成分として形成されていることを特徴とする帯電防止フィルム。 - 特許庁

The immediate-release fenofibrate composition comprises (a) an inert water-soluble carrier covered with at least one layer containing active fenofibrate in a micronized form having a size less than 20 μm, a hydrophilic polymer making up at least 20% by weight of (a) and, optionally, a surfactant, and (b), optionally, one or several outer phase(s) or layer(s).例文帳に追加

本発明は、(a)20μm未満の大きさを有する微粉化形態の活性フェノフィブレートと、(a)全体の少なくとも20重量%を構成する親水性ポリマーと、任意に界面活性剤と、を含む少なくとも1の層でコートされた不活性水溶性担体と;(b)任意に、1または複数の外部相または層と、を含む即時放出性のフェノフィブレート組成物に関する。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer includes an active layer on at least the upper part of the recess portion.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体構造は、予め表面に凹部及び凸部の加工構造を有するサファイア基板と、基板上の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体バッファ層と、サファイア基板と窒化物半導体バッファ層とにより凹凸部を有する半導体構造上に形成された窒化物半導体層を備え、窒化物半導体層は少なくとも凹部の上方に活性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The medium to be recorded in which an ink receiving layer is provided on at least one face of a substrate, is characterized by the ink receiving layer comprising a polymer compound obtained by reacting a sulfur-containing organic compound having at least two active hydrogen groups with a polyisocyanate compound having at least two isocyanate groups, and a hydroxy acid, and a method for manufacturing it, is provided.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面にインク受容層を設けてなる被記録媒体において、該インク受容層に、少なくとも、2つ以上の活性水素基を有する含硫黄有機化合物と2つ以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物とを反応させて得られる高分子化合物、およびヒドロキシ酸を含有することを特徴とする被記録媒体、およびその製造方法。 - 特許庁

A semiconductor near-field light source is constituted by laminating a compound semiconductor layer constituted in a triangular pyramid structure using the regular triangular exposed surface of a compound semiconductor substrate 11 as one face on the exposed surface of the substrate 11 and the triangular pyramid structure has a surface emission type laser structure 12 containing at least a pair of multilayered semiconductor film reflecting mirrors and an active layer laminated in the thickness direction.例文帳に追加

半導体近接場光源は、化合物半導体基板11表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を1面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造12を有する。 - 特許庁

The MOS device is further provided with a gate 202 formed above the semiconductor layer proximate to the semiconductor layer and at least partially between the first and second source/drain regions, the gate configured such that a dimension of the gate, defined substantially parallel to at least one of the first and second source/drain regions, is confined to be substantially within the active region of the device.例文帳に追加

さらに、半導体層の上で、半導体層に近接して、少なくとも部分的に第1ソース/ドレイン領域と第2ソース/ドレイン領域の間に形成され、少なくとも第1ソース/ドレイン領域および第2ソース/ドレイン領域の1つとほぼ平行に規定され、そのの寸法がデバイスの活性領域の範囲内にほぼ収まるように構成されるゲート202を備える。 - 特許庁

To provide an ink composition polymerizable and curable by irradiation with an active energy ray after recording, and exhibiting high sensitivity; an ink composition suitably used for inkjet recording having good ejection stability and generating a recorded layer without showing fragility; and a method for forming an excellent image free from exfoliation of the layer recorded using the ink composition.例文帳に追加

記録後に活性エネルギー線を照射することによって重合硬化が可能で、高い感度を示すインク組成物、および吐出安定性が良好で、且つ記録層の脆性を呈さないインクジェット記録用として好適に用いられるインク組成物を提供し、該インク組成物を用いて記録層の剥落等がない優れた画像形成方法、およびそれにより得られた記録物を提供する。 - 特許庁

In the electrode having the active material layer 13 formed by a vapor deposition method and comprising spaces and zigzag columnar particles 15, carried on a projecting part of a current collector 14 having a recessed and projecting pattern on the surface, the thickness of a layer forming the zigzag is made wider in the lower part than the upper part of the columnar particles 15 to secure spaces in the electrode surface part.例文帳に追加

蒸着法により製造され、表面に凹凸のパターンを有する集電体14の凸部上に担持された空間とジグザグ形状の柱状粒子15から成る活物質層13を有する電極において、ジグザグ形状を形成する層の厚みが柱状粒子15の上部より下部で広い形状とすることで、電極表面部分での空間を確保する。 - 特許庁

In the active matrix type electrooptical device, and in the case of constructing a nonlinear element 5 as a pixel switching element and the storage capacitor 9, a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for the capacitor are formed by tantalum with oxygen, and an insulating layer 71 for the element and an insulating layer 72 for the capacitor are formed with an anodized film of the tantalum with oxygen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子5、および保持容量9を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極61および容量用下電極62を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層71および容量用絶縁層72を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体8の電位が実質的に負電位になるように、RF電源7を用いて集電体8に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるAr元素を含む雰囲気下で、集電体8上に、Li−Co−O層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cathode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of manufacturing an excellent cathode plate which is adhered tight with a collector base plate in a sure and simple way, in which the collector base plate is not corroded by a coated layer when an aqueous paste of a cathode active material is coated on the collector base plate such as aluminum foil or the like to form the coated layer.例文帳に追加

正極活物質の水性ペーストをアルミニウム箔などの集電用基板に塗布し、塗工層を形成するに当たり、該塗工層により該集電用基板が腐食することなく、該集電用基板に密着した良好な正極板を確実に且つ簡単な作業で且つ低コストで製造し得る非水電解質二次電池用正極板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite for an organic semiconductor layer which has high planarity of molecular structure and can manufacture an organic semiconductor layer excellent in thin film characteristics, a method of manufacturing a thin-film transistor which can manufacture a highly reliable thin-film transistor manufactured using this method, a method of manufacturing an active matrix, a method of manufacturing an electrooptical device, and a method of manufacturing electronic equipment.例文帳に追加

分子構造の平面性が高く、薄膜特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体層用組成物、これを用いて製造された信頼性の高い薄膜トランジスタを製造可能な薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method for manufacturing an anti-glare film including a rugged fine pattern comprising discontinuous dots formed on a flexible support comprises at least: a step of supplying photosensitive image forming material onto the flexible support to form a photosensitive layer; and a step of exposing and developing the photosensitive layer with an active light beam to form the rugged fine pattern comprising the discontinuous dots.例文帳に追加

可撓性支持体上に、感光性画像形成材料を供給して感光層を形成する工程と、 前記感光層を活性光線で露光、現像して、不連続なドットからなる凹凸微細パターンを形成する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、可撓性支持体上に不連続なドットからなる凹凸微細パターンが形成されている防眩フィルムの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor laser includes: a first optical confinement layer 15; a plurality of first quantum wires 17 and buried semiconductor regions 23 provided on a first area; a plurality of second quantum wires 19 and buried semiconductor regions 25 provided on a second area; an active layer 21 provided on a third area 15c; and a second optical confinement lay 31.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、第1光閉じ込め層15と、第1のエリア上に設けられた複数の第1の量子細線17及び埋め込み半導体領域23と、第2のエリア上に設けられた複数の第2の量子細線19及び埋め込み半導体領域25と、第3のエリア15c上に設けられた活性層21と、第2光閉じ込め層31とを有する。 - 特許庁

A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device.例文帳に追加

基板601上に、下地膜602、非晶質珪素膜603を形成し、この非晶質珪素膜603の表面に厚さ10〜100Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層604を形成し、非晶質珪素膜603を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。 - 特許庁

An SMB adsorbing/separating processing system forms a non-active particle layer on the upper part of an adsorbing agent layer formed in a bed in the simulated-moving-bed adsorbing/separating (SMB) processing system in which at least one component of a fluid mixture comes into contact with a solid adsorbing agent and the adsorbed components are again desorbed by a desorbing agent.例文帳に追加

本発明に係るSMB吸着分離工程システムは、流体混合物の少なくとも一つの成分が固体吸着剤と接触し、吸着された成分を着脱剤で再び分離する類似移動層(‘SMB’)吸着分離工程システムにおいて、ベッド内に形成された吸着剤層の上部に不活性粒子層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This norethisterone-containing plaster comprising the support and the adhesive layer is characterized by preparing the adhesive layer from an acrylic adhesive containing 1 to 30 wt. % of isopropyl myristate used as a distribution coefficient-controlling agent as an essential component, and containing the norethisterone and/or its derivative as the active ingredient in an amount of 0.5 to 10 wt. %.例文帳に追加

支持体と粘着剤層とからなる外用貼付剤において、該粘着剤層が分配係数制御剤としてミリスチン酸イソプロピル1〜30重量%を必須成分として含有するアクリル系粘着剤からなり、有効成分としてノルエチステロンおよび/またはその誘導体0.5〜10重量%を含有することを特徴とするノルエチステロン含有外用貼付剤である。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板2の一主面側に埋込誘電体層3を介して形成された第1導電型の半導体活性層4に、第2導電型の不純物領域7と、第1導電型のコンタクト不純物領域6とが互いに離れて形成され、第2導電型の不純物領域7およびコンタクト不純物領域6上に、それぞれ素子電極10,9を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for the lithium secondary battery is provided with a process of forming an active material layer comprising an amorphous silicon layer on a surface of the collector 6 comprising a surface-roughened rolled zirconium copper foil having heat resistance by spattering a target (a silicon target) 7 in an atmosphere containing mixed gas of gaseous argon (60sccm) and gaseous hydrogen (0-20sccm).例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、アルゴンガス(60sccm)と水素ガス(0sccm〜20sccm)との混合ガスを含む雰囲気中で、ターゲット(シリコンターゲット)7をスパッタリングすることによって、耐熱性を有する粗面化された圧延ジルコニウム銅箔からなる集電体6の表面上に、非晶質シリコン膜からなる活物質層を形成する工程を備えている。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Li_xM_1−xMnPO_4(式中、0<x≦1であり、MはLiよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。)で表され、かつ、MnO_6層の層間隔が、基準物質としてのLiMnPO_4に含まれるMnO_6層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is composed of an organic layer containing a luminous layer between a lower electrode and an opposing electrode formed on a substrate, and the defective part, generating short-circuiting between the opposing electrodes and the lower electrode, is treated so as to become non-conductive by making at least either the opposing electrodes or the lower electrode contact active gas.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極と対向電極の間に、発光層を含む有機層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該対向電極と下部電極の少なくとも一方に活性ガスを接触させることによって、対向電極と下部電極の間の短絡を生ずる欠陥部分を非導通化処理した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The optical waveguide is divided into three areas, and each area consists of a gain region 101 including an active layer 113 performing radiative recombination, a phase control region 102 for controlling the phase of a waveguide light, and a DBR region 103 having a diffraction grating layer 115a for generating a change in refractive index by applying a current, and a DBR region having a function of selecting an oscillation frequency.例文帳に追加

光導波路は3領域に分割され、発光再結合する活性層113を含む利得領域101、導波光の位相を制御する位相制御領域102、電流注入により屈折率変化を生じる回折格子層115aを有し、発振波長を選択する機能を持つDBR領域103から構成されている。 - 特許庁

In the silver halide photographic sensitive material having at least one photosensitive silver halide emulsion layer and at least one hydrophilic colloidal layer on one face of a support, the at least one hydrophilic colloidal layer contains a latex-like polymer having a repeating unit derived from an ethylenically unsaturated monomer having an active methylene group represented by formula (1) and also contains at least a betaine type amphoteric surfactant.例文帳に追加

支持体の片側面に、少なくとも1層の感光性ハロゲン化銀乳剤層と少なくとも1層の親水性コロイド層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該親水性コロイド層の少なくとも1層に前記一般式(1)で表される活性メチレン基を有するエチレン性不飽和モノマーより誘導される繰返し単位を有するラテックス状のポリマーを含有し、且つ少なくともベタイン型両性界面活性剤を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

The driving TFT includes a resistive layer between an active layer 113 and at least one of a source electrode 114 and a drain electrode 115, and the pixels have a color filter 17 provided to the side of a luminescent layer of the organic electroluminescent elements from which light is extracted, and emits light of the modified color.例文帳に追加

少なくとも駆動TFT、および駆動TFTと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素を有する有機電界発光表示装置であり、駆動TFTは、活性層113とソース電極114及びドレイン電極115の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動TFTであり、且つ画素が有機電界発光素子の発光層の光取りだし面側にカラーフィルター17を配し発光色を変調させた画素である有機電界発光表示装置。 - 特許庁

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands.例文帳に追加

ナイトライド系III-V族化合物半導体からなる光導波路7を設けた絶縁性基板1上に、ナイトライド系III-V族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ2を少なくとも集積化する。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

N型の半導体基板21上に不純物濃度が低いN型の半導体層22をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部28およびガードリング領域24を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery anode capable of being formed with the use of a coating composition for a nonaqueous active material layer, and that, excellent in initial charge and discharge efficiency enabled to make good use of its capacity at high-output charge and discharge.例文帳に追加

水系の活物質層用塗工組成物を用いて形成することが可能であり、しかも、高出力充放電時にその容量を十分に生かすことが可能となるような初期充放電効率に優れる非水電解液二次電池負極用電極板を提供することにある。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ100は、n型GaAs基板1上に設けられた下部DBR部3と、下部DBR部3上に設けられた上部DBR部7と、下部DBR部3と上部DBR部7との間に設けられた活性層5とを備える。 - 特許庁

A metal foil equipped with a high-molecular conductive material layer 3 formed on its one side is used as a current collector 2, and a polarizable electrode 4 is formed by binding active carbon particles whose maximum particle diameter is smaller than the thickness of the polarizable electrode 4 together with conductive high-molecular material.例文帳に追加

集電体2として、片面に導電性を付与した高分子材料層3を形成した金属箔を用い、分極性電極4を、最大粒径が分極性電極4の厚さよりも小さい活性炭を、導電性を付与した高分子材料で結合した構成とする。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable screen ink composition which forms a thermal transfer-printed recorded layer on an optical information storage medium substrate, has good transferability and does not cause sticking of the discs with each other, even when they are left stacked.例文帳に追加

本発明は、光情報記録媒体の基材上に熱転写印刷の被記録層を形成することのできるインキ組成物であって、転写性が良好で、重ねておいてもディスク同士の貼りつきが無い活性エネルギー線硬化型スクリーンインキ組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

A water film 5 is formed, when condensation occurs on the surface of the ceiling 1 and the wall material 2, by applying a painting film layer 4 composed of resin paint including silica particles and a surface active agent, to the surface where the ceiling 1 or the wall material 2 faces the inside of the bathroom.例文帳に追加

天井1または壁材2の浴室内に面する表面にシリカ粒子と界面活性剤とを含む樹脂塗料とからなる塗装膜層4を施すことにより、天井1や壁材2の表面が結露した場合に水の膜5を形成するように構成する。 - 特許庁

When the active material layer 12 is imaginarily divided into two equal parts in its thickness direction, the amount of the metal material 13 on the nearer side to the surface of the negative electrode is smaller than the amount of the metal material 13 on the farther side from the surface of the negative electrode.例文帳に追加

活物質層12をその厚み方向に仮想的に二等分したときに、二分割された活物質層のうち、負極表面に近い側における金属材料13の量が、負極表面から遠い側における金属材料13の量よりも少なくなっている。 - 特許庁

To provide an electrode for an electrochemical device for manufacturing the electrochemical device such as a lithium-ion secondary battery and an electric double layer capacitor which has an active material free from exfoliation from an electric collector and also low in internal resistance, and to provide the electrochemical device using such an electrode for the electrochemical device.例文帳に追加

活物質が集電体から剥離することがなく、内部抵抗が小さな、リチウムイオン二次電池や電気二重層キャパシタなどの電気化学素子を製造するための電気化学素子用電極、およびそのような電気化学素子用電極を用いた電気化学素子を提供すること。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the semiconductor device 1 comprising a mounting substrate 400 and an electronic component 100 having a bump 130 electrically connected to the mounting substrate 400 on its active surface, wherein the electronic component 100 is mounted on the mounting substrate 400 through a resin layer 250.例文帳に追加

実装基板400と実装基板400に電気的に接続されたバンプ130を能動面に有する電子部品100とを備え、実装基板400に電子部品100が樹脂層250を介して実装される半導体装置1の製造方法である。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

分子内に、(メタ)アクリロイル基及び、2個以上の第1の官能基を含み、該第1の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物(A)を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力(低閾値電流)動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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