1153万例文収録!

「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > active-layerの意味・解説 > active-layerに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

active-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7476



例文

To provide an active energy ray curable resin composition for coating, wherein hardness is obtained even when applied to a film substrate or the like, and there is low contraction and little warpage (curl) of the film during curing; and to provide a film substrate having a cured layer in which the composition is cured.例文帳に追加

フィルム基材等へ塗工した際にも硬度が得られ、且つ、硬化の際も低収縮でフィルムの反り(カール)が少ないコーティング用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び該組成物を硬化させた硬化層を有するフィルム基材に関するを提供する。 - 特許庁

This process includes: exposing a first layer 106 to an active radiation through a patterned photomask to develop it and forming a first resist pattern 106' (Fig. 1B), heat-treating the formed resist pattern (Fig. 1C), and treating the surface of the first resist pattern with a substance effective for alkalization (Fig. 1D).例文帳に追加

第1の層106を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光・現像して第1のレジストパターン106’を形成した(図1B)後、熱処理し(図1C)、第1のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理する(図1D)。 - 特許庁

The light source unit is provided with the semiconductor laser light source 300 which is composed of a light emitting part (active layer region) 301, a phase variable part (phase adjusting region) 302 and a wavelength variable part (DBR region) 303 and a QPM-SHG device 304 of wave guide type.例文帳に追加

発光部(活性層領域)301と位相可変部(位相調整領域)302と波長可変部(DBR領域)303とにより構成される半導体レーザ光源300と、導波路型QPM−SHGデバイス304とを備えた光源装置である。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser less damaging an active layer by dry etching, a self-excited nitride semiconductor laser capable of attaining stable FFP and low consumption power, a nitride semiconductor laser with high reliability, and a method of manufacturing those.例文帳に追加

ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したFFPと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。 - 特許庁

例文

Two or more stripe-like channels are provided on a semiconductor substrate or an epitaxial growth layer grown on it, with active layers of different light-emission wavelength being formed in at least two channels.例文帳に追加

半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層にストライプ状の溝を2つ以上有し、少なくとも2つの該溝の内部に互いに発光波長の異なる活性層が形成されていることを特徴とするマルチビーム型半導体発光装置。 - 特許庁


例文

To provide: a semiconductor light-emitting element which has an InGaN active layer of high In composition having a uniform composition distribution, the semiconductor light-emitting element emitting light of ≥480 nm in light emission wavelength with high luminous efficiency and being superior in mass-productivity; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

均一な組成分布を有する高In組成のInGaNの活性層を有する素子であって、発光波長が480nm以上の発光を高い発光効率で実現でき、しかも量産性に優れた半導体発光素子およびその製造方法を提供する提供する。 - 特許庁

Since the lower light shielding film 42, the upper light shielding film 56 and the side light shielding film 55 are provided with no gap, a semiconductor film 44 becoming the active layer of a TFT can be prevented from being irradiated with light in any direction.例文帳に追加

下部遮光膜42及び上部遮光膜56及び側部遮光膜55は、それぞれに、間隙を生ずることなく設けられているので、あらゆる方向からの光がTFTの活性層となる半導体膜44に照射されることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a light-emitting device, designed to form multi-layers containing at least one active layer on the front side of a substrate composed of a semiconductor material, thereafter, at least partially remove the substrate thus formed, and then join the multi-layers to a hetero-substrate.例文帳に追加

少なくとも1つの活性層を含んでいる多重層を半導体材料から成る基板の表側上に形成した後、この基板を少なくとも部分的に除去し、その後多重層をヘテロ基板と接合するようにした光放射デバイスを提供する。 - 特許庁

As a semiconductor laser array device part, the clad layers 3, 7, 9 and an active layer 5 are provided at least, and the clad layers 3, 7 and 9 have lattice constants between with GaAs and GaP, and plurality of oscillation regions are provided on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体レーザアレイ素子部としてクラッド層3,7,9と活性層5とを少なくとも備え、前記クラッド層3,7,9はGaAsとGaPとの間の格子定数を有しており、同一の半導体基板上に複数の発振領域を具備している。 - 特許庁

例文

To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery formed in a short time and comprising a thin electrode active material layer and a method for manufacturing the same, and to provide a nonaqueous electrolyte secondary battery using the electrode plate as a positive electrode plate.例文帳に追加

短時間で形成され且つその厚みが薄い電極活物質層から構成される非水電解液二次電池用電極板及びその製造方法、並びに当該電極板を正極板として用いて構成される非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

例文

The negative electrode 100 for the nonaqueous electrolyte secondary battery with the fiber sheet is formed on the surface of the active material layer 12 by integrally fusing a fiber sheet 14 containing fibers containing resin having a melting point of 200-380°C and having autohesion property.例文帳に追加

本発明の繊維シート付非水電解液二次電池用負極100は、その活物質層12の表面に、融点が200℃〜380℃であり且つ自己融着性を有する樹脂を含有する繊維を含む繊維シート14を融着一体化して形成されている。 - 特許庁

Then, adhesion nature with the electrolyte layer, the positive electrode, and the negative electrode and the adhesion nature of the mutual electrode active materials can be raised further, more.例文帳に追加

なお、静水圧を加えたのち、更に、一軸加圧するようにすれば、静水圧により生じた二次電池1の歪みを矯正することができ、電解質層と正極および負極との密着性、および電極活物質同士の密着性をより向上させることができる。 - 特許庁

The cathode for the nonaqueous electrolyte battery is equipped with a metal foil that functions as the cathode current collector, and the cathode mixture layer formed on one face or both faces of the metal foil that contains the cathode active material and conductive agent in which lithium ion can be stored and released.例文帳に追加

非水電解質二次電池用正極は、正極集電体として機能する金属箔と、その金属箔の片面又は両面に形成され、リチウムイオンを吸蔵及び放出できる正極活物質と導電剤とを含有する正極合剤層と、を備える。 - 特許庁

Applying to the strip electrode in which width of the uncoated part at the end part is 5 mm or more or to the strip electrode in which linear pressure in roll press of the active material layer is 250 kg/cm or more is effective.例文帳に追加

端部の未塗工部の幅が5mm以上の帯状電極、あるいは、活物質層をロールプレスする時の線圧が250kg/cm以上の帯状電極では特に上記の問題が起こりやすいので、そのような帯状電極に適用すると効果的である。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a photocatalyst excellent in the adhesion with a photocatalytically active layer, having good durability, developing excellent photocatalytic function by the irradiation with visible light, low in production cost and suitably used, for example, in the purifying treatment of water of every kind.例文帳に追加

光触媒活性層との密着性に優れ、良好な耐久性を有する上、可視光の照射により優れた光触媒機能を発揮し、かつ製造コストが低く、例えば各種の水の浄化処理などに好適に用いられる光触媒を提供すること。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい4マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

An active material layer on a collector is formed through a process for manufacturing slurry containing at least a carbon material, a metal oxide, and a coupling agent, a process for applying the slurry onto the collector, and a process for drying the slurry.例文帳に追加

集電体上の活物質層を、少なくとも炭素材料と金属酸化物とカップリング剤と含むスラリーを作製する工程と、スラリーを集電体上に塗布する工程と、スラリーを乾燥する工程とを経て形成することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

An insulating resin film in which thermoplastic is dispersed is placed in the part where the exposed part of the current collector of the positive electrode faces the negative electrode active material layer through the separator and an unnecessary part of the exposed part is not prepared.例文帳に追加

正極の集電体露出部と前記負極活物質含有層が前記セパレータを介して対向する部分に、その内部に熱可塑性樹脂を分散させた絶縁性樹脂膜を配置するとともに、不要な正極の集電体露出部は設けない。 - 特許庁

The active area of the at least one electrical device may further be aligned with at least one predetermined area defined by an optical additional portion (150) of cured adhesive, the additional portion of the cured adhesive which is attached adhesively to the dielectric layer and not attached adhesively to at least one electrical device.例文帳に追加

該活性領域は、硬化接着剤の任意の別の部分(150)により規定される所定の領域と更に整列されていても良く、硬化接着剤のこの別の部分は誘電体層には接着されるが、1以上の電気デバイスには接着されない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element, which forms excellently a marker for assembly and sets excellently the relative positional accuracy between a light emitting end surface and an active layer in the element, can obtain the full coupling efficiency of the element at the time of a mounting of the element, and can obtain the uniform characteristics of the element.例文帳に追加

組立用マーカ及び光出射端面と活性層との間の相対位置精度が優れ、実装時に十分な結合効率を得ることができ、均一な素子特性を得ることができる半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This active matrix type liquid crystal display device holds a liquid crystal layer between two sheets of insulated substrates placed opposite to each other and has plural pixels arranged in a matrix shape and each pixel is constituted of subpixels of at least two or more and a voltage control means impressing voltages whose magnitudes are different with each other is formed in each pixel.例文帳に追加

画素分割構成の液晶表示素子において液晶層の中間層における液晶分子の長軸方向と、副画素間の境界線とが成す角度をφとするとき、φは0゜を含まず、φの上限値が30゜である。 - 特許庁

A lightly doped impurity layer is grown epitaxially on the footprint of a contact hole in order to decrease an aspect ratio, to improve coverage of a titanium nitride film on the sidewall of a contact hole, and to prevent ingress of metal from the sidewall of a contact hole to a heavily doped active region.例文帳に追加

コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a laminated wafer that does predetermined plasma processing onto at least either one laminated face of an active layer wafer and a support substrate wafer, thereby effectively inhibiting a terrace portion from occurring.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、所定のプラズマ処理を施すことにより、テラス部の発生を効果的に抑止することができる貼り合わせウェーハの製造方法の提供することにある。 - 特許庁

The anamorphic prism 7, with the horizontal width of the active layer expanded through the refraction of a light beam by a first and a second prism 72, 74, corrects a beam shape in a manner that the first and the second light intensity distribution nearly coincide.例文帳に追加

アナモフィックプリズム7は、光ビームが第1、第2のプリズム72、74で屈折されることで活性層の水平方向における幅が拡大され、これにより第1の光強度分布と第2の光強度分布とがほぼ一致するようなビーム形状の補正を行なう。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、InAsP活性層3の、レーザ共振器方向に平行で基板1の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ25nmの三角であり、その頂点はn型InP基板1側に突き出ている。 - 特許庁

In the case where a mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or more than 14 nm, when excitation light of excitation intensity exceeding a certain threshold value is radiated, the active layer generates P light emission by a collision between excitons confined in the ZnO quantum dots.例文帳に追加

熱処理されたZnO量子ドットの平均粒径が14nm以上の場合は、活性層は、或る閾値を超える励起強度の励起光を照射すると、ZnO量子ドット内に閉じ込められた励起子同士の衝突によりP発光が生じる。 - 特許庁

Since the particle size of the iron oxide particles that mainly contains Fe_3O_4 serving as an active material of the composite electrode material is small, the composite electrode material prevents the electron conductivity from being considerably lowered even when the composite electrode material is covered with an Fe(OH)_2 layer that is an intermediate product of an electrode reaction.例文帳に追加

該複合電極材は、活物質であるFe_3O_4を主成分とする酸化鉄粒子の粒径が小さいため、電極反応の中間生成物であるFe(OH)_2層に被覆された場合でも電子伝導率が著しく低下することがない。 - 特許庁

The composite electrode for a power storage device is provided with a base material, a whisker or a fiber formed on the base material and consisting of a metal and/or a metal compound, and a coating layer containing an active material and formed at least on a part of a surface of the whisker or the fiber.例文帳に追加

蓄電デバイス用複合電極は、基材と、該基材上に形成された、金属及び/又は金属化合物から成るウィスカー又はファイバーと、該ウィスカー又はファイバーの表面の少なくとも一部に形成された、活物質を含む被覆層とを備えている。 - 特許庁

In an active layer 3, the part between the boundary 20 and the reflective end face 22 constitutes an inductive emission part 31 and the region between the boundary 20 and the emission end face 21 constitutes a beam spot size converting section 30.例文帳に追加

その活性層のうち、半導体基板の表面内の第1の領域上の部分は、その厚さがほぼ一定であり、第1の領域に隣接する第2の領域上の部分は、第1の領域との境界から遠ざかるに従って徐々に薄くなる。 - 特許庁

This organic light-emitting element has a pair of resonator structures and an organic active layer, sandwiched between the pair of resonator structures and composed of an organic material, capable of surficially emitting the light by injecting the electric current via at least a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の共振器構造体と、前記一対の共振器構造体の間に挟持され、少なくとも一対の電極を介する電流注入によって面発光し得る有機材料からなる有機活性層とを有することを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁

This positive electrode for lithium secondary cell is equipped with a collector forming a carbonaceous material membrane on the surface of a conductive substrate and the positive electrode material layer, that is held and contacted on the carbonaceous material membrane side of the collector and contains organic sulfide compounds as the main active material.例文帳に追加

導電性基板の表面に炭素系材料膜で形成してなる集電体と、この集電体の炭素系材料膜側に担持され、主活物質として有機スルフィド化合物を含む正極材料層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The binder 10a is irradiated with active energy rays through the second releasing film 35 and, thereby, is cured, the lens shape of the transfer surface is transferred to the surface of a light diffusion layer 16 and, thereby, a diffusion lens part 19 on which cylindrical lenses 19a are arranged in parallel is formed.例文帳に追加

第2離型フィルム35を通してバインダ10aに活性エネルギー線を照射して硬化させ、転写面のレンズ形状を光拡散層16の表面に転写してシリンドリカルレンズ19aを並列させた拡散レンズ部19を形成する。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the active matrix type liquid crystal display panel formed by sticking a counter substrate 1 and an array substrate 2 to each other via the liquid crystal layer by using a sealing part 3, the electrostatic discharge damage countermeasure circuit 21 is disposed on the outer side of the sealing part 3, in particular in the inner part of a sealing part 22.例文帳に追加

対向基板1とアレイ基板2とを液晶層を介してシール部3により貼り合わせてなるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルにおいて、静電破壊対策回路21をシール部3より外側、とくにシール部22の内部に配置する。 - 特許庁

To provide an antistatic agent composition easily applicable to a base material and forming a coating layer excellent in antistaticity, adhesion to a plastic, transparency of the coating film, scratch resistance and moisture-proof durability upon irradiating it with active energy rays to effect curing.例文帳に追加

基材に容易に塗工でき、活性エネルギー線を照射し硬化することで、帯電防止性、プラスチックに対する密着性、塗膜の透明性、耐擦傷性、および耐湿耐久性に優れたコーティング層を形成する帯電防止コーティング剤組成物を提供する。 - 特許庁

An elevation part 27 contacts both side faces at both ends of a ridge part 25, and, in that part, the thickness from an active layer 22 to a surface in contact with both the side faces of the ridge part 25 is large on a resonator end face side, and small on a center side of the ridge part 25.例文帳に追加

高台部27がリッジ部25の両端部の両側面に接しており、その部分において、活性層22からリッジ部25の両側面に接する表面までの厚さが共振器端面側で厚く、リッジ部25の中央側で薄くなっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a positive electrode active material for fabricating a battery in which separation of a positive electrode mixture layer and a current collector due to collector corrosion is suppressed and which has superior charge and discharge cycle characteristics, and to provide a non-aqueous electrolyte secondary battery using the same.例文帳に追加

集電体腐食による正極合剤層と集電体の剥離を抑制し、充放電サイクル特性に優れた電池を作製するための正極活物質の製造法ならびにこれを用いた非水電解質二次電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The optical element where the semiconductor optical amplifier (SOA) and an optical waveguide are integrated, wherein the optical waveguide includes the same active layer as in the SOA portion and guides optical wave by a ridge structure, thereby forming a ridge width or a ridge depth different from those of the SOA portion.例文帳に追加

半導体光増幅器(SOA)と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記SOA部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記SOA部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 - 特許庁

The above purpose can be achieved by the active material for the battery, comprised of a material that can be electrochemically oxidized/ reduced and of a coating layer composed of a conductive agent or a mixture of the conductive agent with a conductive high-polymer dispersing agent, on the above material.例文帳に追加

電気化学的酸化/還元が可能な物質、および、前記物質上に形成されてなる、導電剤または導電剤と伝導性高分子分散剤との混合物からなるコーティング層、を含む電池用活物質によって、上記課題は解決される。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing an electrode 10 for a lithium secondary battery in which a hole 5 is formed on the surface of an active material layer 4, and to provide an electrode 10 for a lithium secondary battery in which the mechanical strength in the vicinity of the hole 5 is high and having high load characteristics.例文帳に追加

活物質層4の表面に穴部5が形成されたリチウム二次電池用電極10を容易に製造することができる製造方法、並びに穴部近傍の機械的強度が高く、かつ負荷特性に優れたリチウム二次電池用電極10を得る。 - 特許庁

In an wound up electrode body 20 wound up so that a negative electrode 22 is arranged outside a positive electrode 21, a conductor 27 is installed at a winding outside uncovered part 221B in a belt-like negative current collector 221 and a negative electrode active material layer 222.例文帳に追加

正極21に対して負極22が外側に位置するように巻回された巻回電極体20において、帯状の負極集電体221における巻外側の非被覆部分221Bおよび負極活物質層222に導電体27が設けられている。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery, which is provided with an electrode active material layer constituted without depending on the existence of a binder and is capable of charging/discharging with high output, and to provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of charging/discharging with high output.例文帳に追加

結着材の存在に依らずに構成される電極活物質層を備える高出力充放電可能な非水電解液二次電池用電極板を提供し、またこれによって高出力充放電化可能な非水電解液二次電池の提供する。 - 特許庁

In this positive electrode for the lead-acid battery, a lead alloy layer containing an alkaline earth metal exists on, at least, part of surfaces of a lattice made of a lead alloy containing Ca not more than 0.12% or pure lead, and the density of the formed active material is 3.3 g/cm3 or more.例文帳に追加

Caを0.12%以下含む鉛合金または純鉛の格子の表面の少なくとも一部にアルカリ土類金属を含む鉛合金層を存在させるとともに、既化活物質の密度が3.3g/cm^3 以上である鉛蓄電池用正極板。 - 特許庁

To provide method and a device for forming contact holes of low resistance with proper productivity, even with respect to an insulating film on a thin active layer Si film of a number of irregularities.例文帳に追加

活性層としてのSi膜をエキシマレーザアニールにより結晶化させる際にSi膜表面に凹凸が発生することにより、CHF_3+O_2ガスによるドライエッチング、及びバッファードフッ酸ウェットエッチングを行った後でもSiの凹部内に酸化膜が残留しコンタクト不良となる。 - 特許庁

Thereby, the pressure difference between air bubbles G and a liquid crystal material LC at a position of the thickness setting member 54 is increased, and air bubbles G remaining in the liquid crystal layer 15 can be held off from the active area 36 side to a space part 56 to suppress display malfunction caused by air bubbles G.例文帳に追加

厚み設定部材54の位置での気泡Gと液晶材料LCとの圧力差が大きくなり、液晶層15内に残留した気泡Gを、アクティブエリア36側から空間部56へと遠ざけることができ、気泡Gに起因する表示不良を抑制できる。 - 特許庁

In such a constitution, the current implanted end (18) for avoiding the rapid change in the equivalent refractive index of the waveguide by the active layer (3) is provided, thereby making feasible of reducing the intensity modulation of a spectrum by avoiding the reflection on this end (18).例文帳に追加

活性層(3)で形成される導波路の等価屈折率が電流注入部(14)の先端部で急激な変化をしないような電流注入端部(18)を設け、この端面での反射を少なくしてスペクトルの強度変調を防ぐものである。 - 特許庁

A plurality of grooves 10 are formed on the both faces of the both-face coated part 14, and the groove 10 is not formed on the single face coated part 17, and the grooves 10 are formed spreading over from the surface of the porous protective membrane 28 through the surface of the active material layer 13.例文帳に追加

両面塗工部14の両面に複数の溝部10が形成され、片面塗工部17には溝部10が形成されておらず、溝部10は、多孔性保護膜28の表面から活物質層13の表面に及んで形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable and effective for practical use and where fluctuation of a pressure resisting feature is small in a high breakdown voltage semiconductor device which is integrated on an SOI substrate and in which rated voltage is shared between an embedded oxide film and a drain of an element active layer.例文帳に追加

SOI基板に集積され定格電圧を埋め込み酸化膜と素子活性層のドレインとで分担する高耐圧半導体素子において、耐圧特性の変動が少ない高信頼度でかつ実用化に有効な半導体装置を得ること。 - 特許庁

例文

To provide an electrode plate for battery of which the adhesion strength of the current collector and the dried coating (active material layer) is not deteriorated at the storage at a high temperature or at the use of repeated charge and discharge or the like, and the charge and discharge capacity and voltage are not deteriorated.例文帳に追加

高温保存中や充放電の繰り返し等の使用時においても、集電体と乾燥塗膜(活物質層)の接着強度が低下する虞がなく、充放電容量や電圧が低下することがない電池用電極板を提供することである。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS